DE102007016026A1

DE102007016026A1 - Vakuumbeschichtungsanlage mit Abscheidevorrichtung im Restgasstrang

Info

Publication number: DE102007016026A1
Application number: DE200710016026
Authority: DE
Inventors: Sönke SIEBELS; Jürgen Dr. Klein; Gregor Arnold; Stephan Dr. Behle
Original assignee: SIG Technology AG
Current assignee: KHS GmbH
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2007-03-30
Publication date: 2008-10-02

Abstract

Die Erfindung betrifft eine CVD-Anlage, bei welcher mittels einer im Abgasstrang angeordneten Energiequelle eine Umsetzung des Restgases zum Ausfällen von Abscheidungen vorgenommen wird. Insbesondere zu der Anlage gehörende Vakuumpumpen werden so vor Beschädigungen durch Aufwachsen von Schichten oder durch Ausfällungen von Schichtmaterial geschützt.

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine Vakuumbeschichtungsanlage, insbesondere eine CVD-Anlage, sowie ein Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage.
Hintergrund der Erfindung
Vakuumbeschichtungsanlagen sind bekannt. Es handelt sich dabei insbesondere um CVD(Chemical Vapor Deposition)-Anlagen, bei welchen sich aus einem Precursorgas eine Beschichtung auf einem zu beschichtenden Substrat abscheidet.
Bekannt sind insbesondere PICVD(Plasma Impulse Chemical Vapor Deposition)-Anlagen, bei welchen durch Einkoppeln von Energie in Form von gepulster elektromagnetischer Strahlung (HF- oder Mikrowellenstrahlung) ein Plasma gezündet wird, aus dem sich eine Beschichtung abscheidet. Die Prozesszeiten bei derartigen Beschichtungsvorgängen sind sehr kurz. Häufig werden mehrere Schichten nacheinander abgeschieden, insbesondere wird zunächst eine sogenannte Haftvermittlerschicht abgeschieden, um die Haftung einer weiteren Schicht, beispielsweise einer Barriereschicht für Kunststoffflaschen zu erhöhen.
Eine derartige Beschichtungsanlage ist beispielsweise in der deutschen Offenlegungsschrift DE 102 53 512 der Anmelderin beschreiben, welche eine sogenannte Rundläufer-Beschichtungsanlage zeigt, bei der Kunststoffhohlkörper in Stationen auf einem Rundläufer nacheinander verschiedene Prozessschritte durchlaufen.
Die Beschichtungsvorgänge erfolgen dabei im Vakuum, insbesondere im Feinvakuumbereich.
Zum Erzeugen des Vakuums werden Vakuumpumpen, insbesondere nach dem Roots-Prinzip arbeitende Vakuumpumpen mit hohen Pumpleistungen verwendet.
Es hat sich herausgestellt, dass auch bei der plasmaunterstützen Beschichtung sich nicht nur innerhalb der Beschichtungskammer eine Beschichtung abscheidet, sondern, dass beim Abpumpen des Restgases es auch hinter dem Recipienten zu Ausfällungen von Beschichtungsmaterial oder sogar zum Abscheiden von Schichten auf Bauteilen der Anlage kommt.
Besonders nachteilig hat sich dabei gezeigt, dass es zu Ablagerungen auf den Bauteilen der Vakuumpumpe, insbesondere zu Ablagerungen auf den Kolben kommt.
Durch aufwachsende Schichten kann es dann nach längerer Betriebszeit zu Berührungen der Kolben der Vakuumpumpe kommen, wodurch die Vakuumpumpe vollständig zerstört werden kann.
Aufgabe der Erfindung
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, die genannte Nachteile des Standes der Technik zu reduzieren.
Insbesondere ist es eine Aufgabe der Erfindung, die Bildung von Ablagerungen und Ausfällungen im Abgasstrang einer Vakuumanlage zu reduzieren.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, die Lebensdauer von in Vakuumbeschichtungsanlagen verbauten Vakuumpumpen zu verlängern.
Zusammenfassung der Erfindung
Die Aufgabe der Erfindung wird bereits durch eine Vakuumbeschichtungsanlage sowie durch ein Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der unabhängigen Ansprüche gelöst.
Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind den jeweiligen Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung betrifft eine Vakuumbeschichtungsanlage, insbesondere eine CVD-Anlage mit zumindest einem Beschichtungsplatz, an welchem aus der Gasphase eines Prozessgases heraus zumindest eine Schicht auf einem Substrat abgeschieden wird. Die Vakuumbeschichtungsanlage umfasst des Weiteren eine Vakuumpumpe, mit welcher zumindest Prozessgasreste abgepumpt werden. Vorzugsweise ist die Vakuumpumpe gleichzeitig zum Evakuieren des Recipienten und/oder eines Hohlkörpersubstrates ausgebildet.
Gemäß der Erfindung ist zwischen dem Beschichtungsplatz und der Vakuumpumpe zumindest eine Energiequelle zum Einkoppeln von Energie in die Prozessgasreste angeordnet.
Es befindet sich also im Abgasstrang der Vakuumbeschichtungsanlage eine Energiequelle, und zwar vor der Ansaugseite der Vakuumpumpe. Unter dem Abgasstrang wird der Bereich der Anlage, welcher nach der Beschichtungsstation angeordnet ist, verstanden. Dieser Bereich umfasst beispielsweise Leitungen, Filter, zumindest eine Vakuumpumpe etc. Über den Abgasstrang wird die Beschichtungsstation evakuiert, insbesondere werden auch Restgase, die nach einer Beschichtung noch in der Beschichtungsstation verblieben sind, über den Abgasstrang abgepumpt.
Die Erfinder haben herausgefunden, dass mittels einer Energiequelle im Abgasstrang eine Art Nachverbrennung durchgeführt werden kann, bei welcher beispielsweise durch eine Plasmazündung es zu weiteren Ausfällungen kommt, die kontrolliert abgefangen werden können, oder die Restgase derart umgesetzt werden, dass eine weitere Bildung von Schichten reduziert oder sogar weitgehend vermieden wird.
Insbesondere wird so die Bildung von Schichten auf Kolben einer Vakuumpumpe soweit verringert oder sogar vermieden, so dass die Standzeit der Pumpe erheblich heraufgesetzt werden kann.
Die Energiequelle umfasst vorzugsweise eine Hochfrequenz-(10 kHz bis 300 MHz) oder Mikrowellenquelle (300 MHz bis GHz).
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird als Energiequelle ein Magnetron verwendet. Derartige Magnetrons können als relativ preisgünstige Zukaufkomponeten bereit gestellt werden.
Alternativ oder in Kombination kann beispielsweise auch ein einfacher Plattenkondensator verwendet werden, welcher mit einer HF-Spannungsquelle verbunden ist.
Die Energiequelle ist vorzugsweise derart ausgebildet, dass es zumindest zeitweise zur Plasmazündung in den Prozessgasresten kommt. So kommt es zu einer vollständigeren Umsetzung der Prozessgase und damit zu Ausfällungen und Abscheidungen. Das Aufwachsen von Beschichtungen im dahinter liegenden Bereich der Anlage wird so reduziert oder vermieden.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist die Vakuumbeschichtungsanlage zur Abscheidung von zumindest zwei Beschichtungen ausgebildet, deren Prozessgasreste vor der Energiequelle zusammengeführt werden. Die zwei verschiedenen Beschichtungen werden beispielsweise mit unterschiedlichen Precursorgasen, unterschiedlichen Precursorgas-Zusammensetzungen und/oder unterschiedlichen Prozessparametern (Druck, Energieeintrag, Frequenz, Dauer etc.) durchgeführt. Beim Abpumpen werden die Restgase der beiden verschiedenen Beschichtungsvorgänge zusammengeführt.
Die Erfinder haben herausgefunden, dass es durch das Zusammenführen der verschiedenen Prozessgasreste zu einer erhöhten Reaktivität des Gasgemisches kommen kann. Vermehrte Abscheidungen und Ausfällungen auch ohne die Zuführung von Energie sind die Folge.
Durch das Zusammenführen der Prozessgasreste vor der Energiequelle wird erreicht, dass das Prozessgasgemisch nachbehandelt werden kann und eine weitere Umsetzung erfährt.
Vorzugsweise umfasst die Vakuumbeschichtungsanlage zumindest zwei Stränge, durch die Prozessgasreste verschiedener Beschichtungsprozesse abgepumpt werden. Diese Stränge sind vor der Energiequelle zusammengeführt.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung ist vorzugsweise hinter der Energiequelle ein Abscheidebereich angeordnet. Der Abscheidebereich kann dabei auch in die Energiequelle hineinragen. Das durch die Energiequelle angeregte Prozessgas oder Prozessgasplasma bildet so im Abscheidebereich Schichten.
Der Abscheidebereich ist vorzugsweise zur Vergrößerung der Oberfläche mit Füllkörpern gefüllt. insbesondere können als Füllkörper sogenannte Raschig-Ringe verwendet werden. Das in dem Abscheidebereich angefallene Beschichtungsmaterial, welches entweder in Form von Ablagerungen auf der Oberfläche der Füllkörper oder in Form von Ausfällungen übrig bleibt, kann von Zeit zu Zeit entnommen werden, indem der Abscheidebereich oder Füllkörper ausgetauscht oder gereinigt werden.
Die Vakuumbeschichtungsanlage ist vorzugsweise als PICVD-Rundläuferanlage ausgebildet. Dabei durchlaufen die vorzugsweise als Hohlkörper ausgebildeten Substrate auf einem Rundläufer nacheinander verschiedene Prozessschritte. Zumeist sind bei derartigen Anlagen die Leitungen zum Evakuieren der Recipienten oder der Hohlkörper zusammengeführt, so dass nur eine oder wenige Vakuumpumpen notwendig sind. Unter einer Vakuumpumpe im Sinne der Erfindung wird auch eine mehrstufige Vakuumpumpe verstanden.
Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage. Gemäß des Verfahrens wird ein Prozessgas in eine Prozesskammer oder in ein zu beschichtendes Hohlkörpersubstrat eingeleitet. Aus dem Prozessgas wird eine Beschichtung durch Abscheidungen erzeugt und in einem weiteren Schritt wird das Restgas abgepumpt. Gemeß der Erfindung wird in das Restgas, also das Gas, welches die Beschichtungskammer verlassen hat, Energie eingekoppelt.
Vorzugsweise werden zumindest zwei verschiedene Beschichtungen erzeugt, die Restgase der beiden Beschichtungsprozesse zusammengeführt und in das zusammengeführte Restgas Energie, vorzugsweise in Form von HF- oder Mikrowellen eingekoppelt.
Durch die eingekoppelte Energie kann ein Plasma gezündet werden, wodurch Partikel ausfallen oder sich abscheiden oder das Restgas wird in im Wesentlichen nicht Schicht bildende Bestandteile überführt. Unter im Wesentlichen nicht Schicht bildende Bestandteile werden Prozessgasreste verstanden, deren Eigenschaft, selbständig Schichten zu bilden, gegen dem unbehandelten Restgas verringert ist.
Zumindest ein Prozessgas umfasst vorzugsweise ein Hexamethylsilazan (HMDS), insbesondere HMDSO und/oder HMDSN.
Weiter umfasst das Prozessgas vorzugsweise Sauerstoff.
Bei einer besonderen Ausführungsform der Erfindung werden zumindest zwei Beschichtungen auf ein Substrat aufgebracht. Dabei hat die ersten Beschichtung einen höheren Kohlenstoffanteil als die zweite Beschichtung.
Die kohlenstoffhaltige Schicht bildet bevorzugt eine Haftvermittlerschicht, welche die Anhaftung einer weiteren Schicht erhöht. Die Haftvermittlerschicht ist vorzugsweise dünner als die weitere Schicht ausgebildet.
Die weitere Schicht ist bei einer bevorzugten Ausführungsform als Barriereschicht, insbesondere als siliziumoxidhaltige Barriereschicht ausgebildet.
Vorzugsweise werden die Beschichtungen mittels eines PICVD-Verfahrens aufgebracht.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung soll im Folgenden anhand der Zeichnungen 1 bis 3 näher erläutert werden.
1 zeigt eine schematische Blockdarstellung einer CVD-Anlage,
2 zeigt eine schematische Darstellung einer PICVD-Rundläuferanlage,
3 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht einer Energiequelle.
In 1 ist schematisch eine CVD-Anlage 1 dargestellt. Die CVD-Anlage 1 umfasst einen Recipienten 2, in welchem ein zu beschichtendes Substrat 3 angeordnet werden kann. Der Recipient 2 kann über eine Vakuumpumpe 12 evakuiert werden. Das Evakuieren kann über das Ventil 7 gesteuert oder geregelt werden.
Die CVD-Anlage 1 umfasst des Weiteren einen Behälter für ein erstes Precursorgas 4, sowie einen Behälter für ein zweites Precursorgas 5. Über die Ventile 6 und 7 können die beiden Precursorgase in den Recipienten eingeleitet werden. Durch Verwendung von verschiedenen Precursorgasen oder durch die Wahl verschiedener Prozessparameter können auf dem Substrat 3 verschiedene Beschichtungen aufgebracht werden.
Zur Bildung einer Beschichtung wird in dem Recipienten mittels Einkopplung von Mikrowellen (nicht dargestellt) ein Plasma gezündet und es bildet sich eine Schicht zumindest auf der Innenseite des Substrats 3 aus.
Die nach der Beschichtung verbleibenden Restgase werden ebenfalls mit der Vakuumpumpe 12 abgepumpt.
Um die Vakuumpumpe 12 vor Verunreinigungen zu schützen, umfasst die CVD-Anlage 1 eine Energiequelle 8, mit der eine Art Nachverbrennung der Restgase durchgeführt wird. Unter Nachverbrennung wird eine weitere Umsetzung der Restgase verstanden, um die Eigenschaft der Restgase, dass diese selbständig Beschichtungen bilden, zu verringern. Es muss sich dabei nicht um eine exotherme Oxidationsreaktion handeln.
Die Energiequelle 8 ist in diesem Ausführungsbeispiel als Plattenkondensator ausgebildet, welcher mit einer Hochfrequenz-Spannungsquelle 9 verbunden ist. Hinter der Energiequelle befindet sich zunächst ein Abscheider 10, in welchem sich aus dem durch die Energiequelle 8 angeregten Restgasabscheidungen niederschlagen können. Nach dem Abscheider 10 ist zur weiteren Separation von Ausfällungen noch ein Filter 11 angeordnet.
So wird die vorzugsweise als Roots-Pumpe ausgebildete Vakuumpumpe 12 weitgehend vor dem Aufwachsen von Schichten auf den Kolben (nicht dargestellt) geschützt.
Bezug nehmend auf 2 soll schematisch die Funktionsweise einer PICVD-Rundläuferanlage 20 näher erläutert werden.
Die PICVD-Rundläuferanlage 20 umfasst einen Rundläufer 36 mit einer Mehrzahl von Stationen 21 bis 28 zur Aufnahme eines Substrats, insbesondere eines Hohlkörpersubstrats (nicht dargestellt). Die Stationen 21 bis 28 umfassen einen Recipienten, in welchem das Substrat nacheinander die verschiedenen Prozessstufen durchläuft.
So gibt es eine Abpumpstation 21, in welcher der Recipient oder das Hohlkörpersubstrat (nicht dargestellt) evakuiert wird.
Sodann dreht sich der Rundläufer 36 eine Station weiter. In Station 22 wird ein erstes Precursorgas eingeleitet.
In Station 23 wird sodann mittels eingekoppelter Hochfrequenz- oder Mikrowellenstrahlung ein Plasma gezündet, so dass sich eine erste Schicht auf dem Substrat abscheidet.
Sodann wird in der Abpumpstation 24 das verbleibende Restgas abgepumpt.
In der Station 25 wird ein zweites Precursorgas eingeleitet. Das zweite Precursorgas kann von seiner Zusammensetzung her auch mit dem ersten Precursorgas identisch sein.
In Station 26 wird wiederum durch Einkoppeln von Hochfrequenz- oder Mikrowellen ein Plasma gezündet und eine zweite Schicht auf dem Substrat abgeschieden.
Verbleibende Restgase werden in der Abpumpstation 27 abgepumpt.
Schließlich wird der Recipient und/oder das Hohlkörpersubstrat in Station 28 belüftet, also die Station auf Atmosphärendruck gebracht. Das Substrat hat nunmehr alle Prozessschritte durchlaufen und wird aus der Anlage entnommen.
Die Rundläuferanlage 20 weist eine Vakuumpumpe 12 zum Evakuieren auf. Die Leitungen 29, 30 der ersten und zweiten Abpumpstation 24, 27 sind vor einer Energiequelle 8 zusammengeführt. Durch die Energiequelle 8 erfolgt eine weitere Umsetzung der Prozessgasreste, welche durch das Zusammenführen eine höhere Reaktivität haben können.
In einem Abscheider 10 sammeln sich Ausfällungen. Abscheidungen auf Bauteilen der Vakuumpumpe 12 werden so reduziert oder weitgehend vermieden.
Es versteht sich, dass die Vakuumpumpe 12 noch über weitere Leitungen (nicht dargestellt) mit anderen Stationen verbunden ist. vorzugsweise sind jeweils die Leitungen mehrerer Stationen oder aller Stationen zusammengeführt, um die Anzahl der Pumpen zu reduzieren.
3 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht einer Energiequelle 8 zum Einbau in eine CVD-Anlage.
Die Energiequelle 8 umfasst zwei Flansche 31, 32, mit welchen sie in einen Abgasstrang einer Vakuumanlage (nicht dargestellt) eingesetzt werden kann.
Dazu wird die Energiequelle 8 auf zwei Schienen 34 montiert. Die Energiequelle umfasst weiter eine Revisionsklappe 33, über die die Energiequelle gereinigt oder gewartet werden kann, sowie einen Kühler 35 mit einem Ventilator.
Durch den Einsatz einer derartigen Energiequelle im Abgasstrang konnte die Standzeit der in PICVD-Anlagen verbauten Vakuumpumpen wesentlich erhöht werden.
Es versteht sich, dass die Erfindung nicht auf eine Kombination vorstehend beschriebener Merkmale beschränkt ist, sondern dass der Fachmann sämtliche Merkmale, soweit technisch sinnvoll, beliebig kombinieren wird.

1: CVD-Anlage
2: Recipient
3: Substrat
4: Behälter für erstes Precursorgas
5: Behälter für zweites Precursorgas
6: Ventil
7: Ventil
8: Energiequelle
9: Hochfrequenz-Spannungsquelle
10: Abscheider
11: Filter
12: Vakuumpumpe
20: Rundläufer PECVD-Anlage
21: Abpumpstation
22: Station zum Einleiten eines ersten Precursorgases
23: Station zum Erzeugen eines Plasmas
24: Abpumpstation
25: Station zum Einleiten eines zweiten Precursorgases
26: Station zum Erzeugen eines Plasmas
27: Abpumpstation
28: Belüftungsstation
29: Leitung
30: Leitung
31: Flansch
32: Flansch
33: Revisionsklappe
34: Schiene
35: Kühler
36: Rundläufer

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- DE 10253512 A [0004]

Claims

Vakuumbeschichtungsanlage, insbesondere CVD-Anlage mit zumindest einem Beschichtungsplatz, an welchem aus der Gasphase eines Prozessgases heraus zumindest eine Schicht auf ein Substrat abgeschieden wird und zumindest einer Vakuumpumpe, mit der Prozessgasreste abgepumpt werden, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Beschichtungsplatz und der Vakuumpumpe zumindest eine Energiequelle zum Einkoppeln von Energie in die Prozessgasreste angeordnet ist.
Vakuumbeschichtungsanlage nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiequelle eine HF- und/oder Mikrowellenquelle umfasst.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiequelle ein Magnetron umfasst.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiequelle derart ausgebildet ist, zumindest zeitweise ein Plasma in den Prozessgasresten zu zünden.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtungsanlage zur Abscheidung von zumindest zwei Beschichtungen ausgebildet ist, deren Prozessgasreste vor der Energiequelle zusammengeführt werden.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtungsanlage zumindest zwei Stränge umfasst, durch die Prozessgasreste verschiedener Beschichtungsprozesse abpumpbar sind, wobei die zumindest zwei Stränge vor der Energiequelle zusammengeführt sind.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vorzugsweise hinter der Energiequelle ein Abscheidebereich angeordnet ist.
Vakuumbeschichtungsanlage nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Abscheidebereich mit Füllkörpern zur Vergrößerung der Oberfläche gefüllt ist.
Vakuumbeschichtungsanlage nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Füllkörper Raschig-Ringe umfassen.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtungsanlage als PICVD-Anlage ausgebildet ist.
Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vakuumbeschichtungsanlage als Rundläuferanlage ausgebildet ist.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage, insbesondere einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend die Schritte – Zuführen eines Prozessgases in eine Prozesskammer und/oder ein zu beschichtendes Hohlkörpersubstrat, – Erzeugen einer Beschichtung durch Abscheidungen aus dem Prozessgas, – Abpumpen des Restgases, dadurch gekennzeichnet, daß in das Restgas Energie eingekoppelt wird.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach dem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei unterschiedliche Beschichtungen erzeugt werden, die Restgase dieser beiden Beschichtungsprozesse zusammengeführt werden und in das zusammengeführte Restgas die Energie eingekoppelt wird.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie in Form von HF- und/oder Mikrowellen eingekoppelt wird.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Energie ein Plasma gezündet wird.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Zündung eines Plasmas Partikel ausfallen und/oder das Restgas in im Wesentlichen nicht schichtbildende Bestandteile überführt wird.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas ein Hexamethylsilazan (HMDS), insbesondere HMDSO und/oder HMDSN umfasst.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas Sauerstoff umfasst.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nacheinander zumindest zwei Beschichtungen auf ein Substrat aufgebracht werden, wobei die erste Beschichtung einen höheren Kohlenstoffanteil als die zweite Beschichtung hat.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass eine Haftvermittlerschicht und eine Barriereschicht auf ein Substrat aufgebracht werden.
Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine, vorzugsweise alle Beschichtungen mittels eines PICVD-Verfahrens aufgebracht werden.