DE102007003991A1 - Opto-electronic semiconductor chip, has undoped region of undoped intermediate layer arranged between n-type tunnel layer and p-type tunnel layer, where n-type and p-type tunnel layers are separated from each other by undoped region - Google Patents
Opto-electronic semiconductor chip, has undoped region of undoped intermediate layer arranged between n-type tunnel layer and p-type tunnel layer, where n-type and p-type tunnel layers are separated from each other by undoped region Download PDFInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren zu dessen Herstellung.The The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip the preamble of claim 1 and a method of its Production.
Ein
optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Tunnelübergang
ist beispielsweise aus der
An der Grenzfläche zwischen einer n-Typ Tunnelübergangsschicht und einer angrenzenden p-Typ Tunnelübergangsschicht kann es zu einer nachteiligen Ladungsträgerkompensation der unterschiedlichen Dotierungstypen kommen, wodurch sich die Effizienz des Tunnelübergangs verschlechtert und unerwünscht hohe Vorwärtsspannungen des optoelektronischen Halbleiterchips auftreten.At the interface between an n-type tunnel junction layer and an adjacent p-type tunnel junction layer it leads to a disadvantageous charge carrier compensation of different doping types come, thereby increasing the efficiency of the tunnel junction deteriorates and undesirable high forward voltages of the optoelectronic semiconductor chip occur.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen verbesserten optoelektronischen Halbleiterchip mit einem Tunnelübergang und ein vorteilhaftes Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben. Insbesondere soll sich der optoelektronische Halbleiterchip durch eine geringe Vorwärtsspannung auszeichnen.Of the Invention is based on the object, an improved optoelectronic Semiconductor chip with a tunnel junction and a favorable Specify method for its production. In particular, should be the optoelectronic semiconductor chip by a low forward voltage distinguished.
Diese Aufgabe wird durch einen optoelektronischen Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 beziehungsweise durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 19 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These Task is by an optoelectronic semiconductor chip with the Features of claim 1 or by a method solved with the features of claim 19. advantageous Embodiments of the invention are the subject of the dependent Claims.
Ein optoelektronischer Halbleiterchip enthält gemäß zumindest einer Ausführungsform der Erfindung einen Tunnelübergang aus mindestens einer n-Typ Tunnelübergangsschicht und mindestens einer p-Typ Tunnelübergangsschicht, und einen zur Emission von elektromagnetischer Strahlung geeigneten aktiven Bereich, wobei zwischen der mindestens einen n-Typ Tunnelübergangsschicht und der mindestens einen p-Typ Tunnelübergangsschicht ein undotierter Bereich aus mindestens einer undotierten Zwischenschicht enthalten ist.One Optoelectronic semiconductor chip according to at least an embodiment of the invention, a tunnel junction of at least one n-type tunnel junction layer and at least a p-type tunnel junction layer, and one for emission electromagnetic radiation suitable active area, wherein between the at least one n-type tunnel junction layer and the at least one p-type tunnel junction layer undoped region of at least one undoped interlayer is included.
In dem Tunnelübergang grenzen die n-Typ Tunnelübergangsschicht und die p-Typ Tunnelübergangsschicht also nicht direkt aneinander an, sondern sind durch mindestens eine undotierte Zwischenschicht voneinander separiert. Der Begriff "Tunnelübergangsschicht" wird dabei zur Unterscheidung von den übrigen Halbleiterschichten des Halbleiterchips verwendet und bedeutet, dass die so bezeichnete n-Typ Tunnelübergangsschicht oder p-Typ Tunnelübergangsschicht in dem Tunnelübergang angeordnet ist.In the tunnel junction adjoins the n-type tunnel junction layer and the p-type tunnel junction layer not directly but by at least one undoped interlayer separated from each other. The term "tunnel junction layer" This is to distinguish it from the remaining semiconductor layers used the semiconductor chip and means that the so-called n-type tunnel junction layer or p-type tunnel junction layer is arranged in the tunnel junction.
Dadurch, dass die n-Typ Tunnelübergangsschicht und die p-Typ Tunnelübergangsschicht durch den undotierten Bereich voneinander separiert sind, wird eine nachteilige Kompensation der unterschiedlichen Ladungsträger an der Grenzfläche verhindert, die ansonsten aufgrund der Diffusion von Ladungsträgern über die Grenzfläche auftreten würde, wenn die p-Typ Tunnelübergangschicht und die n-Typ-Tunnelübergangsschicht direkt aneinander angrenzen würden. Zwar wird auch durch das Einfügen des undotierten Bereichs zwischen der n-Typ Tunnelübergangsschicht und der p-Typ Tunnelübergangsschicht ein Bereich mit einer nur geringen Ladungsträgerdichte innerhalb des Tunnelübergangs erzeugt. Die Erfindung macht sich aber die Erkenntnis zu nutze, dass sich dieser in Form von einer oder mehreren undotierten Zwischenschichten eingefügte undotierte Bereich weniger nachteilig auf die elektrischen Eigenschaften des Tunnelübergangs, insbesondere auf die Vorwärtsspannung, auswirkt, als ein Bereich an der Grenzfläche zwischen einer n-Typ Tunnelübergangsschicht und einer unmittelbar angrenzenden p-Typ Tunnelübergangsschicht, in dem sich Ladungsträger aufgrund der Diffusion über die Grenzfläche gegenseitig kompensieren.Thereby, that is, the n-type tunnel junction layer and the p-type tunnel junction layer are separated from each other by the undoped region, becomes a disadvantageous compensation of the different charge carriers prevented at the interface, otherwise due to the Diffusion of charge carriers across the interface would occur if the p-type tunnel junction layer and the n-type tunnel junction layer directly to each other would border. Although it will be through the paste of the undoped region between the n-type tunnel junction layer and the p-type tunnel junction layer is a region having a only low carrier density within the tunnel junction generated. However, the invention makes use of the knowledge that this in the form of one or more undoped intermediate layers inserted undoped area less detrimental to the electrical properties of the tunnel junction, in particular on the forward voltage, acts as an area at the Interface between an n-type tunnel junction layer and an immediately adjacent p-type tunnel junction layer, in which charge carriers are due to diffusion over compensate the interface with each other.
Insbesondere hat es sich als vorteilhaft herausgestellt, für den undotierten Bereich eine Dicke aus dem Bereich zwischen einschließlich 0,5 nm und einschließlich 15 nm zu wählen. Besonders bevorzugt beträgt die Dicke des undotierten Bereichs zwischen einschließlich 1 nm und einschließlich 10 nm. Bei einer derartigen Dicke stellt der undotierte Bereich eine Barriere für die in der n-Typ Tunnelübergangsschicht und der p-Typ Tunnelübergangsschicht vorhandenen Ladungsträger dar, die eine gegenseitige Kompensation der Ladungen vermindert. Andererseits ist der undotierte Bereich noch dünn genug, um sich nicht nachteilig auf die elektronischen Eigenschaften des Tunnelübergangs auszuwirken.Especially it has turned out to be advantageous for the undoped Area a thickness ranging between inclusive 0.5 nm and including 15 nm to choose. Especially Preferably, the thickness of the undoped region is between including 1 nm and including 10 nm. At In such a thickness, the undoped area provides a barrier for those in the n-type tunnel junction layer and the p-type tunnel junction layer existing charge carriers which reduces mutual compensation of the charges. On the other hand, the undoped area is still thin enough to do not adversely affect the electronic properties of the tunnel junction to impact.
Die mindestens eine undotierte Zwischenschicht enthält vorzugsweise AlxGa1-xN, wobei 0 ≤ x ≤ 1 gilt. Besonders bevorzugt gilt 0,1 ≤ x ≤ 0,3.The at least one undoped intermediate layer preferably contains Al x Ga 1-x N, where 0 ≦ x ≦ 1. Particularly preferably, 0.1 ≦ x ≦ 0.3.
Der undotierte Bereich muss nicht notwendigerweise aus einer einzelnen Zwischenschicht gebildet sein. Vielmehr kann der undotierte Bereich auch mehrere Zwischenschichten aufweisen. Vorteilhaft weist der undotierte Bereich mindestens zwei Zwischenschichten mit unterschiedlicher Zusammensetzung auf. Beispielsweise kann an die n-Typ Tunnelübergangsschicht eine undotierte Zwischenschicht angrenzen, die als Diffusionsbarriere für den n-Dotierstoff der n-Typ Tunnelübergangsschicht geeignet ist, während an die p-Typ Tunnelübergangsschicht eine weitere undotierte Zwischenschicht angrenzt, die eine andere Materialzusammensetzung aufweist als die an die n-Typ Tunnelübergangsschicht angrenzende Schicht, und die eine Diffusionsbarriere für den p-Dotierstoff der p-Typ Tunnelübergangsschicht darstellt.The undoped region does not necessarily have to be formed from a single intermediate layer. Rather, the undoped region can also have several intermediate layers. Advantageously, the undoped region has at least two intermediate layers of different composition. For example, an undoped intermediate layer may be attached to the n-type tunnel junction layer bordering on the p-type tunnel junction layer is another undoped interlayer having a different material composition than the layer adjacent to the n-type tunnel junction layer, and the one Diffusion barrier for the p-type dopant of the p-type tunnel junction layer represents.
Insbesondere kann der undotierte Bereich eine der n-Typ Tunnelübergangsschicht zugewandte erste undotierte Zwischenschicht aus Alx1Ga1-x1N, mit 0 ≤ x1 ≤ 1 und eine der p-Typ Tunnelübergangsschicht zugewandte zweite undotierte Zwischenschicht aus Alx2Ga1-x2N mit 0 ≤ x2 ≤ 1 aufweisen, wobei x2 > x1 gilt. Die an die p-Typ Tunnelübergangsschicht angrenzende undotierte Zwischenschicht weist also bevorzugt einen höheren Aluminiumanteil als die an die n-Typ Tunnelübergangsschicht angrenzende Zwischenschicht auf. Dies beruht auf der Erkenntnis, dass eine Aluminium enthaltende Nitridverbindungshalbleiterschicht insbesondere eine gute Diffusionsbarriere für einen p-Dotierstoff wie beispielsweise Magnesium darstellt. Dagegen kann eine Diffusionsbarriere für einen n-Dotierstoff wie beispielsweise Silizium auch mit einer Nitridverbindungshalbleiterschicht mit geringem oder gar keinem Aluminiumgehalt realisiert werden. Zum Beispiel ist es vorteilhaft, wenn an die n-Typ Tunnelübergangsschicht eine undotierte GaN-Schicht angrenzt und an die p-Typ Tunnelübergangsschicht eine undotierte AlGaN-Schicht angrenzt.In particular, the undoped region may comprise a first undoped intermediate layer of Al x1 Ga 1 -x1 N, facing the n-type tunnel junction layer, with 0 ≦ x1 ≦ 1 and a second undoped intermediate layer of Al x2 Ga 1-x2 N facing the p-type tunnel junction layer 0 ≤ x2 ≤ 1, where x2> x1. The undoped intermediate layer adjoining the p-type tunnel junction layer thus preferably has a higher aluminum content than the intermediate layer adjoining the n-type tunnel junction layer. This is based on the finding that an aluminum-containing nitride compound semiconductor layer in particular represents a good diffusion barrier for a p-type dopant such as magnesium. In contrast, a diffusion barrier for an n-dopant such as silicon can also be realized with a nitride compound semiconductor layer with little or no aluminum content. For example, it is advantageous if an undoped GaN layer adjoins the n-type tunnel junction layer and an undoped AlGaN layer is adjacent to the p-type tunnel junction layer.
Die n-Typ Tunnelübergangsschicht und/oder die p-Typ Tunnelübergangsschicht können beispielsweise jeweils aus einer Einzelschicht gebildet sein. Die Tunnelübergangschichten können zum Beispiel jeweils eine Dicke von etwa 20 nm aufweisen.The n-type tunnel junction layer and / or the p-type tunnel junction layer For example, each may be formed of a single layer be. The tunnel junction layers, for example, respectively have a thickness of about 20 nm.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die n-Typ Tunnelübergangsschicht und/oder die p-Typ Tunnelübergangsschicht aus einem Übergitter, also aus einer Mehrzahl von alternierenden Schichten unterschiedlicher Materialzusammensetzung und/oder Dotierstoffkonzentration gebildet. Die Bezeichnung n-Typ oder p-Typ ist in diesem Fall so zu verstehen, dass das Übergitter als Ganzes n-leitfähig oder p-leitfähig ist, was aber nicht ausschließt, dass eine der sich periodisch wiederholenden Schichten des Übergitters eine undotierte Schicht ist.at a preferred embodiment of the invention the n-type tunnel junction layer and / or the p-type tunnel junction layer from a superlattice, that is, from a plurality of alternating ones Layers of different material composition and / or dopant concentration educated. The term n-type or p-type is in this case to understand that the superlattice as a whole is n-type or p-conductive, which does not exclude, that one of the periodically repeating layers of the superlattice an undoped layer is.
Beispielsweise kann die n-Typ Tunnelübergangsschicht aus einem Übergitter aus n-dotierten Schichten und undotierten Schichten gebildet sein. Entsprechend kann auch die p-Typ Tunnelübergangsschicht aus alternierenden Schichten, von denen eine p-dotiert und eine undotiert ist, zusammengesetzt sein.For example may be the n-type tunnel junction layer of a superlattice be formed of n-doped layers and undoped layers. Corresponding can also be the p-type tunnel junction layer of alternating Layers, one of which is p-doped and one undoped, composed be.
Weiterhin ist es auch möglich, dass die p-Typ Tunnelübergangsschicht und/oder die n-Typ Tunnelübergangsschicht aus einem Übergitter, das alternierende Schichten mit unterschiedlich hoher Dotierung enthält, gebildet sind.Farther it is also possible that the p-type tunnel junction layer and / or the n-type tunnel junction layer of a superlattice, containing alternating layers with different levels of doping, are formed.
Die Ausführung der n-Typ Tunnelübergangsschicht und/oder der p-Typ Tunnelübergangsschicht als Übergitter hat den Vorteil, dass derartige Übergitter eine bessere Morphologie als eine Einfachschicht aufweisen. Dies beruht darauf, dass die Vielzahl der in der Übergitterstruktur enthaltenen Grenzflächen die Ausbreitung von Störungen der Kristallstruktur, beispielsweise Versetzungen, vermindert.The Execution of the n-type tunnel junction layer and / or the p-type tunnel junction layer as a superlattice has the advantage that such superlattices a better Morphology as a single layer. This is based on that the multiplicity of those contained in the superlattice structure Interfaces the spread of interference Crystal structure, such as dislocations, reduced.
Bei dem Übergitter handelt es sich vorzugsweise um ein kurzperiodisches Übergitter, das eine Periode von 10 nm oder weniger, bevorzugt von 5 nm oder weniger und besonders bevorzugt von 2 nm oder weniger aufweist. Die Anzahl der Perioden des Übergitters beträgt bevorzugt zwischen einschließlich 2 und einschließlich 20, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 5 und einschließlich 15.at the superlattice is preferably a short-period superlattice, a period of 10 nm or less, preferably 5 nm or less and more preferably 2 nm or less. The number of periods of the superlattice is preferably between 2 and inclusive 20, more preferably between 5 and inclusive 15th
Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich insbesondere um einen LED-Chip handeln, der beispielsweise zur Emission von Strahlung im ultravioletten oder infraroten Spektralbereich oder bevorzugt zur Emission von sichtbarem Licht geeignet ist.at The optoelectronic semiconductor chip may be in particular to act on an LED chip, for example, to emit radiation in the ultraviolet or infrared spectral range or preferably for Emission of visible light is suitable.
Der aktive Bereich kann insbesondere eine Quantentopfstruktur aufweisen. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst dabei jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss (Confinement) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.Of the active region may in particular have a quantum well structure. The term quantum well structure encompasses any structure the charge carriers by confinement a quantization experience their energy states. In particular, includes the name quantum well structure does not specify the Dimensionality of quantization. It thus includes, among others Quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
Die Quantentopfstruktur kann eine Einfach-Quantentopfstruktur oder bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopstruktur sein. Die Quantentopfstruktur ist vorzugsweise zwischen einer p-dotierten Halbleiterschicht und einer n-dotierten Halbleiterschicht angeordnet, wobei die n-dotierte Halbleiterschicht der p-dotierten Halbleiterschicht in Wachstumsrichtung nachfolgt.The Quantum well structure may be a single quantum well structure or preferred be a multiple quantum well structure. The quantum well structure is preferably between a p-doped semiconductor layer and a n-doped semiconductor layer, wherein the n-doped semiconductor layer of the followed by p-type semiconductor layer in the growth direction.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist der optoelektronische Halbleiterchip eine Schichtenfolge auf, bei der in Wachstumsrichtung der Tunnelübergang einer n-dotierten Schicht, insbesondere einer n-dotierten Kontaktschicht, nachfolgt. Der Tunnelübergang ist derart aufgebaut, dass die p-Typ Tunnelübergangsschicht der mindestens einen n-Typ Tunnelübergangsschicht in Wachstumsrichtung nachfolgt. Dabei ist zwischen der n-Typ-Tunnelübergangsschicht und der p-Typ Tunnelübergangsschicht der undotierte Bereich aus mindestens einer undotierten Zwischenschicht angeordnet.In a preferred embodiment of the invention, the optoelectronic semiconductor chip has a layer sequence in which the tunnel junction of an n-doped layer, in particular an n-doped contact layer, follows in the direction of growth. The tunnel junction is constructed such that the p-type tunnel junction layer follows the at least one n-type tunnel junction layer in the growth direction. It is between the n-type doing nelübergangsschicht and the p-type tunnel junction layer, the undoped region of at least one undoped interlayer disposed.
Auf den Tunnelübergang folgen in Wachstumsrichtung mindestens eine p-dotierte Schicht, nachfolgend der aktive Bereich und nachfolgend mindestens eine n-dotierte Schicht.On The tunnel junction will follow at least in the direction of growth a p-doped layer, subsequently the active region and subsequently at least one n-doped layer.
Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist der aktive Bereich also im Gegensatz zu herkömmlichen LEDs, bei denen der p-dotierte Bereich dem n-dotierten Bereich in Wachstumsrichtung nachfolgt, zwischen einer p-dotierten Schicht und einer in Wachstumsrichtung nachfolgenden n-dotierten Schicht angeordnet. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Halbleiterschichten des Halbleiterchips, oder zumindest der aktive Bereich des Halbleiterchips, auf einem hexagonalen Verbindungshalbleiter basieren. In diesem Fall weist also zumindest der aktive Bereich des Halbleiterchips eine hexagonale Gitterstruktur auf.at This preferred embodiment is the active region in contrast to conventional LEDs, in which the p-doped region of the n-doped region in the growth direction follows, between a p-doped layer and one in the growth direction arranged subsequent n-doped layer. This is special advantageous if the semiconductor layers of the semiconductor chip, or at least the active region of the semiconductor chip, on one based on hexagonal compound semiconductors. In this case, points So at least the active region of the semiconductor chip has a hexagonal lattice structure on.
Bei dem hexagonalen Verbindungshalbleiter handelt es sich beispielsweise um ein Halbleitermaterial aus binären, ternären und/oder quaternären Verbindungen von Elementen der II. und VI. Hauptgruppe oder der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems der chemischen Elemente.at For example, the hexagonal compound semiconductor is to a semiconductor material of binary, ternary and / or quaternary compounds of elements of II. and VI. Main group or the III. and V. Main Group of the Periodic Table the chemical elements.
Bevorzugt ist der hexagonale Verbindungshalbleiter ein Halbleitermaterial aus einer binären, ternären und/oder quaternären Verbindung von Elementen der III. Hauptgruppe mit einem Nitrid. Es kann sich zum Beispiel um eines der folgenden Halbleitermaterialien handeln: GaN, AlGaN, InAlGaN, BN. Dabei muss das hexagonale Verbindungshalbleitermaterial nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach einer der obigen Formeln aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, durch die sich die Kristallstruktur und die Gitterkonstante nicht wesentlich ändern. Der Einfachheit halber beinhalten obige Formeln jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.Prefers For example, the hexagonal compound semiconductor is a semiconductor material from a binary, ternary and / or quaternary Connection of elements of the III. Main group with a nitride. It may be, for example, one of the following semiconductor materials act: GaN, AlGaN, InAlGaN, BN. In this case, the hexagonal compound semiconductor material not necessarily a mathematically exact composition after a having the above formulas. Rather, it can be one or more Have dopants and additional components, by the crystal structure and lattice constant do not change significantly. For the sake of simplicity, however, the above formulas contain only the essential ones Parts of the crystal lattice, even if this partially through small amounts of other substances may be replaced.
Besonders bevorzugt basiert der optoelektronische Halbleiterchip, insbesondere der aktive Bereich, auf InyGa1-x-yAlxN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1.Particularly preferably, the optoelectronic semiconductor chip, in particular the active region, is based on In y Ga 1-xy Al x N with 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1.
Der Vorteil der Anordnung des aktiven Bereichs zwischen einer p-dotierten Schicht und einer in Wachstumsrichtung nachfolgenden n-dotierten Schicht beruht darauf, dass bei einem hexagonalen Verbindungshalbleiter – beispielsweise bei einem auf dem III-V-Halbleitermaterialsystem InyGa1-x-yAlxN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 basierenden Halbleiterchip – im aktiven Bereich, der beispielsweise InGaN-Quantentröge umfassen kann, piezoelektrische Felder aufgrund der polaren Wurtzit-Kristallstruktur und der Verspannung im aktiven Bereich auftreten. Diese piezoelektrischen Felder sind entlang der Wachstumsrichtung ausgerichtet. Die Polung dieser Felder ist abhängig vom Wachstumsmodus, in dem der Halbleiterchip gewachsen wird. Beispielsweise bei Verwendung der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) wird bevorzugt im so genannten Gaface Wachstumsmodus gewachsen. Für einen GaN-Kristall bedeutet dies zum Beispiel, dass bei den Ga-N Doppelschichten, aus denen der Kristall gebildet ist, die Galliumatome in Richtung der vom Wachstumssubstrat abgewandten Oberfläche des Kristalls liegen. Die kristallographische c-Achse und das elektrische Feld zeigen bei im Ga-face Wachstumsmodus gewachsenen Kristallen, bei denen die Wachstumsrichtung parallel zur kristallographischen c-Achse verläuft, vom Substrat weg zur Kristalloberfläche. Die Polarisation der piezoelektrischen Felder aufgrund der Verspannungen im aktiven Bereich hat die entgegen gesetzte Richtung. Die durch die Polarisation induzierten Gitterladungen sind negativ an der der Kristalloberfläche zugewandten Seite des aktiven Bereichs und positiv an der der Schnittstelle von Substrat und aufgewachsenem Kristall zugewandten Seite des aktiven Bereichs. Die Polung der piezoelektrischen Felder in Richtung der c-Achse lässt sich im Ga-face Wachstumsmodus nur schwer beeinflussen.The advantage of the arrangement of the active region between a p-doped layer and an n-doped layer following in the growth direction is based on the fact that in a hexagonal compound semiconductor-for example, in the case of one on the III-V semiconductor material system In y Ga 1-xy Al x N with 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1 based semiconductor chip - in the active region, which may include, for example, InGaN quantum wells, piezoelectric fields due to the wurzite crystal polar structure and stress in the active region occur. These piezoelectric fields are aligned along the growth direction. The polarity of these fields depends on the growth mode in which the semiconductor chip is grown. For example, when using the organometallic gas phase epitaxy (MOVPE) is grown preferably in the so-called Gaface growth mode. For a GaN crystal, for example, this means that in the Ga-N double layers from which the crystal is formed, the gallium atoms are in the direction of the surface of the crystal facing away from the growth substrate. The crystallographic c-axis and the electric field in crystals grown in Ga-face growth mode, in which the growth direction is parallel to the crystallographic c-axis, away from the substrate to the crystal surface. The polarization of the piezoelectric fields due to the stresses in the active region has the opposite direction. The polarization-induced lattice charges are negative on the side of the active region facing the crystal surface and positive on the side of the active region facing the interface of the substrate and the grown crystal. The polarity of the piezoelectric fields in the direction of the c-axis is difficult to influence in Ga-face growth mode.
Bei einer Abfolge von Schichten um den aktiven Bereich, bei der in Wachstumsrichtung, das heißt, parallel zur kristallographischen c-Achse, n-dotierte Schicht, aktiver Bereich und p-dotierte Schicht aufeinander abfolgen, führen die piezoelektrischen Felder zu einer ungünstigen Barrierenstruktur, die die Injektion von Ladungsträgern in den aktiven Bereich erschwert. Bedingt dadurch weisen solche optoelektronischen Halbleiterchips eine interne Quanteneffizienz auf, die mit der Dichte des in den Halbleiterchip eingeprägten Stroms stark abfällt.at a sequence of layers around the active region, in the direction of growth, that is, n-doped parallel to the crystallographic c-axis Layer, active region and p-doped layer follow one another, lead the piezoelectric fields to an unfavorable Barrier structure involving the injection of charge carriers difficult in the active area. Due to this, such Optoelectronic semiconductor chips an internal quantum efficiency on, with the density of the impressed into the semiconductor chip Current drops sharply.
Die vorteilhafte Schichtenfolge, bei der p-dotierte Schicht, aktiver Bereich und n-dotierte Schicht in Wachstumsrichtung aufeinander folgen, nutzt diese Polung der piezoelektrischen Felder aus, um den Einfang von Ladungsträgern im aktiven Bereich zu unterstützen.The advantageous layer sequence, in the p-doped layer, more active Area and n-doped layer in the direction of growth on each other Follow this polarization of the piezoelectric fields to to support the capture of charge carriers in the active area.
Die piezoelektrischen Felder tragen bei dieser Reihenfolge des Schichtaufbaus zu einem verbesserten Einfang von Ladungsträgern im aktiven Bereich bei. Die interne Quanteneffizienz ist dadurch nur geringfügig von der Stromdichte abhängig.The Piezoelectric fields contribute in this order of layering to an improved capture of charge carriers in the active area at. The internal quantum efficiency is therefore only slight dependent on the current density.
Bei der bevorzugten Anordnung des aktiven Bereichs in Wachstumsrichtung oberhalb einer p-dotierten Schicht kann die Schwierigkeit auftreten, den p-Dotierstoff der p-dotierten Schicht ausreichend elektrisch zu aktivieren. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Dotierstoffkonzentration des p-Dotierstoffs nicht mehr als 1 × 1020 cm–3 beträgt. Besonders bevorzugt beträgt die Dotierstoffkonzentration der p-dotierten Schicht weniger als 2 × 1019 cm–3. Bei dem p-Dotierstoff kann es sich insbesondere um Magnesium handeln.In the preferred arrangement of the active region in the growth direction above a p-doped layer, the difficulty may arise that sufficiently to electrically activate the p-dopant of the p-doped layer. It is advantageous if the dopant concentration of the p-type dopant is not more than 1 × 10 20 cm -3 . Particularly preferably, the dopant concentration of the p-doped layer is less than 2 × 10 19 cm -3 . The p-dopant may in particular be magnesium.
Eine höhere p-Dotierstoffkonzentration weist bevorzugt nur die p-Typ Tunnelübergangsschicht auf, aber auch diese sollte nicht mehr als 5 × 1020 cm–3 betragen. Weiterhin kann das Problem bestehen, dass der p-Dotierstoff aus der p-dotierten Schicht in den aktiven Bereich diffundiert. Deshalb ist vorteilhaft, wenn zwischen der p-dotierten Schicht und dem aktiven Bereich eine Diffusionsbarriere für den p-Dotierstoff der p-dotierten Schicht angeordnet ist. Die Diffusionsbarriere kann beispielsweise eine Einfachschicht oder eine Mehrfachschicht sein, die als Diffusionsbarriere für den p-Dotierstoff, insbesondere Magnesium, geeignet ist.A higher p-type impurity concentration preferably has only the p-type tunnel junction layer, but also it should not be more than 5 × 10 20 cm -3 . Furthermore, the problem may exist that the p-type dopant diffuses from the p-doped layer into the active region. It is therefore advantageous if a diffusion barrier for the p-dopant of the p-doped layer is arranged between the p-doped layer and the active region. The diffusion barrier can be, for example, a single layer or a multiple layer, which is suitable as a diffusion barrier for the p-type dopant, in particular magnesium.
Besonders bevorzugt ist die Diffusionsbarriere ein Übergitter, das vorteilhaft eine Vielzahl von Grenzflächen aufweist. Es hat sich herausgestellt, dass die Vielzahl von Grenzflächen zwischen den alternierenden Schichten des Übergitters besonders gut zur Verminderung der Diffusion eines p-Dotierstoffs geeignet ist. Das Übergitter ist bevorzugt ein kurzperiodisches Übergitter mit einer Gesamtdicke zwischen einschließlich 2 nm und einschließlich 100 nm, beispielsweise etwa 30 nm.Especially Preferably, the diffusion barrier is a superlattice, the advantageously has a plurality of interfaces. It has been found that the multitude of interfaces especially good between the alternating layers of the superlattice is suitable for reducing the diffusion of a p-type dopant. The superlattice is preferably a short-period superlattice with a total thickness between 2 nm and including 100 nm, for example about 30 nm.
Beispielsweise kann es sich bei dem Übergitter, das die Diffusionsbarriere ausbildet, um eine Inx1Ga1-x1-y1Aly1N/Inx2Ga1-x2-y2Aly2N-Schichtenfolge handeln. Bei einer bevorzugten Ausführungsform gilt x1 ≤ 0,05 und x2 = 0. Insbesondere kann y1 = 0 und y2 = 0 gelten.By way of example, the superlattice forming the diffusion barrier can be an In x1 Ga1 -x1-y1 Al y1 N / In x2 Ga1-x2-y2 Al y2 N layer sequence. In a preferred embodiment, x1 ≦ 0.05 and x2 = 0. In particular, y1 = 0 and y2 = 0.
Wenn der aktive Bereich eine Quantentopfstruktur aus einer Inx3Ga1-x3-y3Aly3N/Inx4Ga1-x4-y4Aly4N-Schichtenfolge enthält, ist es vorteilhaft, wenn die Indiumanteile x1, x2 in der Übergitterstruktur der Diffusionsbarriere geringer sind als die Indiumanteile x3, x4 in der Quantentopfstruktur des aktiven Bereichs.When the active region comprises a quantum well structure of an In x3 Ga 1-x3-y3 Al y3 N / In x4 Ga 1-x4-y4 Al y4 N-layer sequence, it is advantageous if the Indiumanteile x1, x2 in the superlattice structure of the diffusion barrier are less than the indium portions x3, x4 in the quantum well structure of the active region.
Zudem hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn die Diffusionsbarriere eine Schichtenfolge aus InxGa1-x-yAlyN-Schichten ist, in der der Indiumanteil in Wachstumsrichtung kontinuierlich oder stufenweise abnimmt, beispielsweise von x = 0,05 auf x = 0,01.In addition, it has proved to be advantageous if the diffusion barrier is a layer sequence of In x Ga 1-xy Al y N layers in which the indium fraction decreases continuously or stepwise in the growth direction, for example from x = 0.05 to x = 0, 01.
Es hat sich weiterhin als vorteilhaft herausgestellt, wenn die alternierenden Schichten des Übergitters bei unterschiedlichen Temperaturen und/oder unterschiedlichen Drücken aufgewachsen werden.It has continued to prove advantageous when the alternating Layers of the superlattice at different temperatures and / or be grown at different pressures.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips gemäß der Erfindung wird ein Aufwachssubstrat bereitgestellt und nachfolgend mindestens eine n-Typ Schicht aufgebracht. Nachfolgend wird ein Tunnelübergang aufgebracht, der mindestens eine n-Typ Tunnelübergangsschicht, einen nachfolgenden undotierten Bereich aus mindestens einer undotierten Zwischenschicht und eine dem undotierten Bereich nachfolgende p-Typ Tunnelübergangsschicht enthält. Darauf folgen in Wachstumsrichtung mindestens eine p-dotierte Schicht, der aktive Bereich, und mindestens eine n-dotierte Schicht.at a method for producing an optoelectronic semiconductor chip According to the invention, a growth substrate provided and subsequently applied at least one n-type layer. Subsequently, a tunnel junction is applied, the at least an n-type tunnel junction layer, a subsequent one undoped region of at least one undoped interlayer and a p-type tunnel junction layer following the undoped region contains. This is followed at least in the growth direction a p-doped layer, the active region, and at least one n-doped one Layer.
Um eine Diffusion des Dotierstoffs der in Wachstumsrichtung gesehen unterhalb des aktiven Bereichs angeordneten p-dotierten Schicht in den aktiven Bereich zu vermindern, ist es vorteilhaft, wenn die p-dotierte Schicht eine möglichst geringe Grenzflächenrauhigkeit aufweist. Die Grenzflächenrauhigkeit kann insbesondere durch eine Optimierung der Wachstumstemperatur vermindert werden.Around a diffusion of the dopant seen in the growth direction arranged below the active region p-doped layer to decrease in the active area, it is advantageous if the p-doped layer the lowest possible surface roughness having. The surface roughness in particular be reduced by optimizing the growth temperature.
Bevorzugt erfolgt das Aufwachsen der p-dotierten Schicht bei einer Wachstumstemperatur zwischen 900°C und 1050°C. Das Aufwachsen der Halbleiterschichten kann insbesondere mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) oder mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) erfolgen.Prefers the growth of the p-doped layer takes place at a growth temperature between 900 ° C and 1050 ° C. The growth of the semiconductor layers in particular by means of metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) or by molecular beam epitaxy (MBE).
Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die der p-dotierten Schicht in Wachstumsrichtung nachfolgenden Schichten, insbesondere der aktive Bereich und die mindestens eine n-dotierte Schicht, bei einer geringeren Wachstumstemperatur als die p-dotierte Schicht aufgebracht werden. Auf diese Weise wird insbesondere eine Diffusion des p-Dotierstoffs der p-dotierten Schicht, beispielsweise Magnesium, in den aktiven Bereich vermindert. Vorzugsweise erfolgt das Aufwachsen der Schichten, die der p-dotierten Schicht in Wachstumsrichtung nachfolgen, bei einer Wachstumstemperatur zwischen 600°C und 1000°C.Farther it is advantageous if the p-doped layer in the growth direction subsequent layers, in particular the active region and the at least one n-doped layer, at a lower growth temperature as the p-doped layer are applied. This way, in particular a diffusion of the p-type dopant of the p-doped layer, for example Magnesium, reduced to the active area. Preferably, this is done Growing the layers of the p-doped layer in the growth direction follow, at a growth temperature between 600 ° C. and 1000 ° C.
Die
Erfindung wird im Folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels
im Zusammenhang mit den
Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Die Figuren sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Bestandteile zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Same or similar elements are in the figures with the same Reference numeral. The figures are not to be considered as true to scale rather, individual components may be exaggerated for better understanding be shown large.
Der
in
Auf
das Aufwachssubstrat
Der
n-dotierten Halbleiterschicht
Der
Tunnelübergang
Der
undotierte Bereich
Die
mindestens eine undotierte Zwischenschicht, die den undotierten
Bereich
Bei
einer bevorzugten Ausführungsform des Tunnelübergangs
Der
zwei- oder mehrschichtige Aufbau des undotierten Bereichs
Weiterhin
sind bei der in
Ebenfalls
kann auch die p-Typ Tunnelübergangsschicht
Die
Ausbildung der n-Typ Tunnelübergangsschicht
Die
p-dotierte Schicht
Um
eine Diffusion des p-Dotierstoffs, zum Beispiel Magnesium, aus der
p-dotierten Schicht
Besonders
vorteilhaft ist es, wenn die p-dotierte Schicht mehrere Teilschichten
Weiterhin
ist es zur Verminderung der Diffusion des p-Dotierstoffs in die
darüber liegenden Schichten vorteilhaft, wenn die p-dotierte
Schicht
Weiterhin
ist es vorteilhaft, wenn zwischen der p-dotierten Schicht
Bei
den alternierenden ersten Schichten
Insbesondere
kann das Übergitter eine kurzperiodische Übergitterstruktur
sein. Die Gesamtdicke des Übergitters aus den alternierenden
Schichten
Die
Diffusionsbarriere
Zwischen
der p-dotierten Schicht
Der
aktive Bereich
Oberhalb
des aktiven Bereichs ist eine n-dotierte Schicht
Der
optoelektronische Halbleiterchip
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited. Rather, the invention includes every new feature as well any combination of features, especially any combination includes features in the claims, also if this feature or combination itself is not explicit specified in the patent claims or exemplary embodiments is.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - US 6526082 B1 [0002] - US 6526082 B1 [0002]
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018208957A1 (en) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | X Development Llc | Fabrication of ultraviolet light emitting diode with tunnel junction |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6526082B1 (en) | 2000-06-02 | 2003-02-25 | Lumileds Lighting U.S., Llc | P-contact for GaN-based semiconductors utilizing a reverse-biased tunnel junction |
US20060054917A1 (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
DE102005035722A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
EP1755173A2 (en) * | 2005-08-15 | 2007-02-21 | Avago Technologies ECBU IP (Singapore) Pte. Ltd. | Structures for reducing operating voltage in a semiconductor device |
-
2007
- 2007-01-26 DE DE200710003991 patent/DE102007003991A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6526082B1 (en) | 2000-06-02 | 2003-02-25 | Lumileds Lighting U.S., Llc | P-contact for GaN-based semiconductors utilizing a reverse-biased tunnel junction |
US20060054917A1 (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
DE102005035722A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
EP1755173A2 (en) * | 2005-08-15 | 2007-02-21 | Avago Technologies ECBU IP (Singapore) Pte. Ltd. | Structures for reducing operating voltage in a semiconductor device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018208957A1 (en) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | X Development Llc | Fabrication of ultraviolet light emitting diode with tunnel junction |
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