DE102006048752B4 - Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, Dicingverfahren und Dicingvorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, Dicingverfahren und Dicingvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102006048752B4
DE102006048752B4 DE102006048752A DE102006048752A DE102006048752B4 DE 102006048752 B4 DE102006048752 B4 DE 102006048752B4 DE 102006048752 A DE102006048752 A DE 102006048752A DE 102006048752 A DE102006048752 A DE 102006048752A DE 102006048752 B4 DE102006048752 B4 DE 102006048752B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dicing
substrate
coagulant
device substrate
alignment mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102006048752A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006048752B8 (de
DE102006048752A1 (de
Inventor
Toshikazu Kawasaki Furui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Publication of DE102006048752A1 publication Critical patent/DE102006048752A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006048752B4 publication Critical patent/DE102006048752B4/de
Publication of DE102006048752B8 publication Critical patent/DE102006048752B8/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/042—Automatically aligning the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, enthaltend:
einen Schritt des auf einen fixierten Stand Gebens eines Substrats, auf dem zwei oder mehr Vorrichtungen und Ausrichtmarkierungen ausgebildet sind;
einen Schritt des Bedeckens des Substrats mit Koagulationsmittel;
einen Schritt des Koagulierens des Koagulationsmittels;
gekennzeichnet durch einen Schritt des Erwärmens einer Teilfläche auf dem Substrat, um das Koagulationsmittel auf der Teilfläche zu schmelzen, so dass die Ausrichtmarkierung freiliegt;
einen Schritt des Positionierens des Substrats entsprechend der freiliegenden Ausrichtmarkierung; und
einen Schritt des Dicing des positionierten Substrats.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zum Durchführen eines Dicing auf eine solche Weise, dass ein Substrat, auf dem zwei oder mehr Vorrichtungen und Ausrichtmarkierungen zum Positionieren ausgebildet sind, gemäß der Ausrichtmarkierung positioniert wird, ein Dicingverfahren und eine Dicingvorrichtung, in der das Substrat durch das Dicing in individuelle Vorrichtungselemente, die mit individuellen Vorrichtungen ausgestattet sind, vereinzelt werden.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Um ein Dicing bei einem Vorrichtungssubstrat durchzuführen, bei dem zwei oder mehr Vorrichtungen, wie beispielsweise Halbleiterwafer gebildet sind, wird bisher im Allgemeinen ein solches Verfahren angewandt, bei dem das Vorrichtungssubstrat auf einem Dicingtisch durch Geben des Vorrichtungssubstrats auf ein haftendes Dicingband fixiert wird, das Vorrichtungssubstrat dem Dicingverfahren unterzogen wird, um es so in Vorrichtungselemente zu vereinzeln, die als ein Chip bezeichnet werden, und die Vorrichtungselemente eines nach dem anderen von dem Dicingband abgenommen werden.
  • Jedoch weist eine Vorrichtung nach dem modernsten Stand der Technik, einschließlich einer MEMS-Vorrichtung (MEMS = mikroelektromechanische Systeme), bei der die Forschung weit vorangeschritten ist, eine extrem feine Struktur auf. Somit wird, wenn die Vorrichtungselemente von dem Klebeband abgenommen werden, die Struktur beschädigt. Dies verursacht das Problem, dass die Ausbeute extrem niedrig ist.
  • Um dieses Problem zu verbessern wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem ein Vorrichtungssubstrat mit dem Koagulationsmittel ohne die Verwendung des Klebebands umhüllt und das Koagulationsmittel koaguliert wird, so dass das Vorrichtungssubstrat fixiert wird (vgl. Japanische Patentveröffentlichung Tokukai. Hei. 10-230429 und Japanische Patentveröffentlichung Tokukai. Hei. 11-309639 ).
  • Jedoch verursacht Fixieren des Vorrichtungssubstrats durch die Koagulation des Koagulationsmittels das Problem einer schwierigen Positionierung des Vorrichtungssubstrats. Für das Dicing des Vorrichtungssubstrats muss das Vorrichtungssubstrat exakt in Bezug auf ein Dicing-Sägeblatt positioniert sein. Wenn Vorrichtungen auf dem Vorrichtungssubstrat gebildet sind, wird, um das Positionieren durchzuführen, eine Ausrichtmarkierung bei einer Position ausgebildet, die exakt in Bezug auf die Vorrichtungen festgelegt ist, und es wird die Ausrichtmarkierung durch eine Kamera fotografiert, so dass das Positionieren auf Grundlage der Ausrichtmarkierung auf dem Bild ausgeführt wird. Wenn jedoch das Koagulationsmittel koaguliert ist, hat die Koagulation einen Zustand zur Folge, bei dem das Koagulationsmittel undurchsichtig oder lichtstreuend ist. Somit ist es für eine Kamera schwierig, die Ausrichtmarkierung zu erkennen. Vor der Koagulation des Koagulationsmittels ist es für die Kamera sehr leicht, die Ausrichtmarkierung zu erkennen. Jedoch kann die Position in dem Verfahren, bei dem das Koagulationsmittel koaguliert wird, verschoben werden, und somit wäre das Erkennen der Ausrichtmarkierung vor der Koagulation für das Positionieren nicht verwendbar.
  • Es wird daran gedacht, das Vorrichtungssubstrat anstelle des Koagulationsmittels mit einer Materialflüssigkeit mit hoher Viskosität zu fixieren. In diesem Fall ist es möglich, die Ausrichtmarkierung zu erkennen. Im Vergleich mit einem Fall, bei dem eine Position durch Koagulation des Koagulationsmittels fixiert wird, ändert sich die Position des Vorrichtungssubstrats jedoch leicht. Und es wird das Dicing des Vorrichtungssubstrats ausgeführt, während das Kühlmittel, wie beispielsweise reines Wasser zum Kühlen und Entfernen des Schneidpulvers, gesprüht wird. Selbst wenn das Vorrichtungssubstrat mit einem flüssigen Material mit hoher Viskosität bedeckt ist, wird das Vorrichtungssubstrat durch Sprühen des Kühlmittels unter Druck gesetzt, und als ein Ergebnis davon wird die Vorrichtung beschädigt werden. Dies bringt das Problem mit sich, dass die Ausbeute nicht ausreichend verbessert ist.
  • Die Japanische Patentveröffentlichung Tokukai. Hei. 6-331813 offenbart eine Technologie, bei der das Substrat, das das Beugungsgitter ausbildet, in den Wassertank gegeben wird, der mit reinem Wasser gefüllt ist, und bei dem das reine Wasser gefroren wird, um das Substrat zu fixieren und es dann Schneiden zu unterziehen. Dies erzeugt zur Zeit des Einfrierens ebenfalls leicht einen undurchsichtigen oder lichtstreuenden Zustand. Somit ist es auch bei der in der Japanischen Patentveröffentlichung Tokukai. Hei. 6-331813 offenbarten Technologie schwierig, ein Positionieren auf Grundlage der Ausrichtmarkierung durchzuführen.
  • Des Weiteren wird gemäß der zweiten Art der in 21 gezeigten erweiterten Bibliotheksvorrichtung die gleiche Anzahl an sich bewegenden Mechanismen bereitgestellt, wie die Anzahl an gekoppelten Bibliotheksvorrichtungen. Somit bringt dies im Vergleich zu der ersten Art der erweiterten Bibliotheksvorrichtung, die in 19 gezeigt ist, die in der Lage ist, das Koppeln einer Mehrzahl an Bibliotheksvorrichtungen mit einem sich bewegenden Mechanismus zu bewältigen, die Probleme hoher Kosten und einer Zunahme an Dissipationsenergie mit sich.
  • Aus der JP 07029859 A ist ein Verfahren zur Fixierung und anschließenden Positionierung von Halbleiterbauelementen bekannt, bei dem jedoch das Substrat nicht zuerst vollständig vom Fixierungsmittel bedeckt und das Fixierungsmittel anschließend gezielt in den Bereichen der Ausrichtmarkierungen wieder entfernt wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Im Hinblick auf das Vorerwähnte ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung zur Verfügung zu stellen, das in der Lage ist, das Vorrichtungssubstrat sicher ohne die Verwendung eines Klebebands zu fixieren und das Positionieren auf Grundlage der Ausrichtmarkierung zu gestatten und das weiter in der Lage ist, die Ausbeute zu verbessern, und ein Dicingverfahren und eine Dicingvorrichtung, in der das Substrat durch das Dicing in individuelle Vorrichtungselemente, die mit individuellen Vorrichtungen ausgestattet sind, vereinzelt wird.
  • Diese Aufgabe ist durch die Merkmale des unabhängigen Verfahrensanspruchs und des unabhängigen Vorrichtungsanspruchs gelöst.
  • Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus dem Unteransprüchen.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen und dem erfindungsgemäßen Dicingverfahren ist das Vorrichtungssubstrat mit dem zu koagulierenden Koagulationsmittel bedeckt. Dieses Merkmal macht es möglich, das Vorrichtungssubstrat sicher zu fixieren. Des Weiteren kann gemäß dem Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen und dem Dicingverfahren der vorliegenden Erfindung eine ungefähre Position erfasst werden, an der die Ausrichtmarkierung existiert. Somit macht es ein örtliches Schmelzen von nur dem Koagulationsmittel der Teilfläche, bei der die Ausrichtmarkierung existiert, möglich, die Ausrichtmarkierung durch das geschmolzene Koagulationsmittel zu erkennen, während das Vorrichtungssubstrat sicher fixiert ist.
  • Des Weiteren ist bei dem Dicing das Vorrichtungssubstrat mit dem koagulierten Koagulationsmittel bedeckt. Dieses Merkmal macht es möglich, Schäden der Vorrichtung durch Sprühen eines Kühlmittels zu vermeiden, und verbessert dadurch die Ausbeute.
  • Bei dem erfindungsgemäßen, wie oben erwähnten Dicingverfahren ist es bevorzugt, dass der Positionierungsschritt örtlich die Teilfläche durch Strahlen eines Laserstrahls auf die Teilfläche erwärmt.
  • Das Strahlen des Laserstrahls macht es möglich, leicht nur die beabsichtigte Fläche lokal zu erwärmen.
  • In der erfindungsgemäßen, wie oben erwähnten Dicingvorrichtung ist es bevorzugt, dass das Erwärmungsmittel ein Laser zum Projizieren von Laserstrahlen zu der Teilfläche ist, um die Teilfläche zu erwärmen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine typische Illustration von Vorrichtungen und Ausrichtmarkierungen, die auf einem Vorrichtungssubstrat ausgebildet sind.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm einer Dicingvorrichtung.
  • 3 ist ein Ablaufdiagramm, das zum Verstehen eines Dicingverfahren nützlich ist, das die in 2 gezeigte Dicingvorrichtung verwendet.
  • 4 ist eine typische Illustration, die zum Verstehen eines Dicingverfahrens nützlich ist, das die in 2 gezeigte Dicingvorrichtung verwendet.
  • 5 ist eine typische Illustration, die einen Zustand zeigt, bei dem das Substrat auf einem Futter fixiert ist.
  • 6 ist eine erläuternde Ansicht, die zum Verstehen eines Zustands nützlich ist, bei dem der Laserstrahl auf das in 5 gezeigte Substrat gestrahlt wird.
  • 7 ist eine erläuternde Ansicht, die zum Verstehen einer ersten Modifikation nützlich ist.
  • 8 ist eine erläuternde Ansicht, die zum Verstehen einer zweiten Modifikation nützlich ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine typische Illustration von Vorrichtungen und Ausrichtmarkierungen, die auf einem Vorrichtungssubstrat ausgebildet sind.
  • Wie aus 1 zu ersehen ist, sind zwei oder mehr Vorrichtungen 11 auf einem Vorrichtungssubstrat 10 der Reihe nach ausgebildet, und es sind Ausrichtmarkierungen 12 zwischen den zugeordneten Vorrichtungen 11 ausgebildet. Zum Dicing wird das Vorrichtungssubstrat 10 geschnitten, um die Ausrichtmarkierungen 12 zu kreuzen, so dass das Vorrichtungssubstrat 10 in Vorrichtungselemente vereinzelt wird, von denen jedes mit einer Vorrichtung ausgestattet ist.
  • Der Zweck von dieser 1 ist es nur, verständlich zu sein, obwohl die Vorrichtungen 11 in einer extrem großen Größe im Vergleich zu der Größe des Vorrichtungssubstrats 10 gezeichnet sind.
  • Das Interesse der vorliegenden Ausführungsform liegt nicht bei Funktionen der Vorrichtungen 11, und 1 zeigt einfach eine Anordnung der Vorrichtungen 11.
  • Des Weiteren sind in 1 die Ausrichtmarkierungen 12 entsprechend zu jeder Vorrichtung 11 regelmäßig angeordnet. Jedoch ist es akzeptabel, dass die Ausrichtmarkierungen 12 nur bei Positionen ausgebildet sind, die für das Positionie ren erforderlich sind. Die Größe der Ausrichtmarkierung 12 liegt üblicher Weise im Zehnerbereich des μm-Niveaus.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm einer Dicingvorrichtung.
  • Ein Dicingtisch 20, auf dem das Vorrichtungssubstrat 10 gegeben wird, enthält: eine Basis 21; eine x-Plattform 22, die sich auf der Basis 21 in Richtungen eines in 2 angegebenen Pfeils x bewegt; eine θ-Plattform 23, die sich in einer Richtung von Pfeil θ dreht, wobei die θ-Plattform 23 auf der x-Plattform 22 angeordnet ist; und ein tafelförmiges Futter 24, das auf der θ-Plattform 23 aufgesetzt ist. Das Vorrichtungssubstrat 10 ist via einem Dummysubstrat 18 auf dem tafelförmigen Futter 24 auf eine später beschriebene Weise befestigt.
  • Das Vorrichtungssubstrat 10, das auf dem tafelförmigen Futter 24 fixiert ist, wird einem Positionieren durch Erkennung der Ausrichtmarkierung auf dem Vorrichtungssubstrat 10 bei einer Substratausrichtposition A unterzogen, und danach bewegt sich die x-Plattform 22, so dass sich das Vorrichtungssubstrat 10 zu einer Dicingposition B bewegt. So wird das Dicing bei dem Vorrichtungssubstrat 10 ausgeführt durch ein Dicing-Sägeblatt 41, das oberhalb der Dicingposition B angeordnet ist.
  • Oberhalb der Substratausrichtposition A sind zwei optische Module 31 und 32 mit CCD-Kameras 311 bzw. 321 bereitgestellt. An die optischen Module 31 und 32 sind optische Fasern 351 bzw. 352 angeschlossen, die Infrarotlaserstrahlen zuführen, die von LD-Modulen 341 bzw. 342 emittiert werden, die durch eine LD-Stromquelle 33 angetrieben werden. Eine Kaltlichtquelle 36 emittiert Kaltlicht, in dem Infrarotstrahlen weggelassen sind. Lichtzufuhrleitungen 371 und 372, die das Kaltlicht zuführen, sind mit den optischen Modulen 31 bzw. 32 verbunden.
  • Zwei optische Module 31 und 32 projizieren Infrarotlaserstrahlen, die durch die optischen Fasern 351 und 352 zugeführt werden, zu Teilflächen auf dem Vorrichtungssubstrat 10, in dem eine Ausrichtmarkierung 12 (vgl. 1) für jeden Laserstrahl ausgebildet ist, so dass ein (später beschriebenes) Koagulationsmittel der Teilflächen geschmolzen wird, und projizieren dann Kaltlichter zu den Teilflächen, so dass die CCD-Kameras 311 bzw. 321 Bilder von den Teilflächen machen. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird eine (nicht dargestellte) Positionsbetriebseinheit verwendet, um das Positionieren gemäß der Ausrichtmarkierung auf dem Bild durchzuführen.
  • Das Positionieren wird auf eine solche Weise durchgeführt, dass sich in Bezug auf die Rotationsrichtung die θ-Plattform 23 dreht, sich in Bezug auf die x-Richtung die x-Plattform 22 bewegt, und sich in Bezug auf die y-Richtung das Dicing-Sägeblatt 41 bewegt. Das Dicing-Sägeblatt 41 bewegt sich auch in die Höhenrichtung (z-Richtung), um das Positionieren auch in Bezug auf die Höhenrichtung (z-Richtung) durchzuführen.
  • 3 ist ein Ablaufdiagramm, das zum Verstehen eines Dicingverfahrens nützlich ist, das die in 2 gezeigte Dicingvorrichtung verwendet. 4 ist eine typische Illustration, die zum Verstehen eines Dicingverfahrens nützlich ist, das die in 2 gezeigte Dicingvorrichtung verwendet.
  • Wie in 2, 3 gezeigt ist, wird zuerst das Dummysubstrat 18 auf dem Futter 24 des Dicingtischs 20 installiert (Schritt S1), und es wird das Koagulationsmittel auf dem Dummysubstrat 18 ausgebreitet (Schritt S2). Als nächstes wird das Vorrichtungssubstrat 10 auf dem Dummysubstrat 18 installiert (Schritt S3), und das Koagulationsmittel auf das Vorrichtungssubstrat 10 überzogen (Schritt S4). Wenn das Vorrichtungssubstrat 10 abkühlt, koaguliert das beschichtete Koagu lationsmittel (Schritt S5). Das verwendete Koagulationsmittel ist in einem Ausmaß optisch durchdringbar, dass das darunter befindliches Vorrichtungssubstrat sichtbar ist, wenigstens während es geschmolzen ist. Das verwendete Koagulationsmittel weist ein solches Verhalten auf, dass es in dem Zustand gehalten wird, bei dem es durch Kühlen auf Raumtemperatur koaguliert, und es durch Erwärmen schmilzt. Als das Koagulationsmittel kann zum Beispiel Octamethylcyclotetrasiloxan und dergleichen verwendet werden.
  • Als nächstes wird das Vorrichtungssubstrat 10 auf Grundlage der Ausrichtmarkierungen 12 auf eine solche Weise positioniert, dass die in 2 gezeigte LD-Stromquelle 33 eingeschaltet wird, um Laserdioden (LD) anzuschalten, die in den LD-Modulen 341 und 342 inkorporiert sind, so dass Abschnitte der Ausrichtmarkierungen 12, des Koagulationsmittels, das das Vorrichtungssubstrat 10 bedeckt, erwärmt werden, und durch Erwärmen geschmolzene Flächen durch die CCD-Kameras 311 und 321 beobachtet werden (Schritt S6). Die Laserdioden (LD) werden nach Fertigstellung des Positionierens des Vorrichtungssubstrats 10 abgeschaltet. Wenn die Laserdioden (LD) abgeschaltet werden (Schritt S7), kehren auch Abschnitte, bei denen das Koagulationsmittel geschmolzen ist, zu der Normaltemperatur zurück, und die Abschnitte koagulieren wieder.
  • Als Nächstes bewegt sich die x-Plattform 22, um das Vorrichtungssubstrat 10 zu der Dicingposition B zu bewegen, so dass das Vorrichtungssubstrat 10 dem Dicing durch das Dicing-Sägeblatt 41 unterzogen wird (Schritt S8).
  • Auch nach Beendigung des Dicing wird das Fixieren des Vorrichtungssubstrats 10 aufrechterhalten, es wird die Oberfläche des Vorrichtungssubstrats 10 gereinigt und das Koagulationsmittel geschmolzen (Schritt S9). Und danach werden die durch das Dicing vereinzelten Vorrichtungselemente einer nach dem anderen aufgenommen und zu dem nachfolgenden Verpackungsvorgang befördert (Schritt S10).
  • Wenn das Koagulationsmittel geschmolzen wird (Schritt S9) und die Vorrichtungselemente aufgenommen werden (Schritt S10) ist es bevorzugt, dass das Koagulationsmittel für jedes aufzunehmende Vorrichtungselement unmittelbar vor dem Aufnehmen geschmolzen wird, nicht jedoch, dass es gleichzeitig über das Vorrichtungssubstrat 10 hinweg geschmolzen wird. Dieses Merkmal macht es möglich, fehlerhafte Erfassung des Vorrichtungselements auf ein Minimum zu senken.
  • Nachfolgend werden Aspekte der vorliegenden, oben erwähnten Ausführungsform einschließlich modifizierter Ausführungsformen erläutert.
  • 5 ist eine typische Illustration, die einen Zustand zeigt, bei dem das Substrat auf einem Futter fixiert ist. In 5 wird eine Kombination aus dem Vorrichtungssubstrat und dem Dummysubstrat als ein Substrat 15 bezeichnet.
  • Das Substrat 15, das das Vorrichtungssubstrat 10 und das Dummysubstrat 18 enthält, wird auf das Futter 24 gegeben und ist mit Koagulationsmittel 51 in einem Zustand der Koagulation bedeckt. Die Ausrichtmarkierungen 12 sind auf dem Substrat 15 ausgebildet. Das Futter 24 hat eine Funktion des Kühlens des Substrats 15, das auf das Futter 24 gegeben wird. Somit ist es möglich, effizient Kühlen und Koagulation des Koagulationsmittels durchzuführen.
  • 6 ist eine erläuternde Ansicht, die für ein Verstehen eines Zustands nützlich ist, bei dem der Laserstrahl auf das in 5 gezeigte Substrat gestrahlt wird.
  • Ein Laserstrahl L wird auf eine der auf dem Substrat 15 ausgebildeten Ausrichtmarkierungen 12 gestrahlt. Erwärmen durch den Laserstrahl L veranlasst ein Koagulationsmittel 51a des Koagulationsmittels 51 auf der Fläche in der Nähe der zugehörigen Ausrichtmarkierung 12 zu schmelzen. Dieses Merk mal macht es möglich, die Ausrichtmarkierungen durch die CCD-Kameras zu beobachten.
  • Zum Zweck eines besseren Verstehens ist die Größe der Ausrichtmarkierungen 12 vergrößert dargestellt. Tatsächlich liegt die Größe der Ausrichtmarkierungen 12 im Zehnerbereich des Mikrometer-Niveaus. Andererseits beträgt der Lichtpunktdurchmesser des Laserstrahls L in etwa einige Millimeter. Diese Größe des Laserstrahls L macht in großem Umfang eine erste fehlerhafte Registrierung möglich, wenn das Substrat 15 auf dem Futter 24 fixiert ist.
  • 7 ist eine erläuternde Ansicht, die für ein Verstehen einer ersten Modifikation nützlich ist. Es werden von 6 verschiedene Punkte erläutert.
  • Wenn das Substrat 15 mit dem Material ausgebildet ist, das die Eigenschaft aufweist, leicht Infrarotstrahlen zu absorbieren, wie beispielsweise Silicium und Aluminiumoxid, ist es einfach, das Koagulationsmittel auf die in 6 gezeigte Weise zu schmelzen. Wenn jedoch das Substrat aus Material ist, das Infrarotlichtstrahlen/Laserstrahl L hindurch lässt, wie ein transparentes Glassubstrat, Quarzsubstrat oder Saphirsubstrat, etc., kann das Koagulationsmittel als ein Ergebnis davon nicht gut geschmolzen werden, da der bestrahlte Teil nicht leicht erwärmt wird, selbst wenn ein Laserstrahl L gestrahlt wird. In einem solchen Fall wird eine Infrarotstrahl-Absorptionslage 13 in dem Bereich, der die Ausrichtmarkierung 12 einschließt, auf dem Substrat 15 mit dem Material ausgebildet, das die Infrarotstrahlen mit der Wellenlänge des Laserstrahls L absorbiert. Dieses Merkmal macht es möglich, Koagulationsmittel in einer Teilfläche durch Erwärmen des Koagulationsmittels in der Fläche zu schmelzen, die eine Ausrichtmarkierung 12 einschließt, da die Infrarotstrahl-Absorptionslage 13 Laserstrahl L unabhängig von dem Material des Substrats 15 absorbiert und sie über hitzt. Zum Beispiel kann das Infrarotlichtstrahlen absorbierende Material ausgebildet werden durch das Verfahren des Auftragens oder Abscheidens, etc. bei der Position der Ausrichtmarkierung.
  • 8 ist eine erläuternde Ansicht, die zum Verstehen einer zweiten Modifikation hilfreich ist. Es werden von 2 verschiedene Punkte erläutert.
  • Die in 8 gezeigte Dicingvorrichtung enthält: eine LD-Stromquelle 33 zum Zuführen einer elektrischen Energie zu einer Laserdiode (LD), um Laserstrahlen zu emittieren; ein LD-Modul 34, in dem die Laserdiode (LD) inkorporiert ist, die Laserstrahlen nach Empfang von zugeführter elektrischer Energie von der LD-Stromquelle 33 emittiert; eine optische Faser 35, die Laserstrahlen zuführt, die von dem LD-Modul 34 emittiert werden; eine Kollimatorlinse 38, die den Laserstrahl empfängt, der mit der optischen Faser 35 zugeführt wurde, und Laserstrahl L von der Oberseite strahlt, wobei sie auf die Ausrichtmarkierung 12 auf dem Substrat 15 zielt. Die CCD-Kamera 30 ist auf die Ausrichtmarkierung 12 ausgerichtet.
  • Gemäß der in 2 gezeigten Ausführungsform werden die Laserstrahlen auch durch die optischen Einheiten 31 und 32 auf das Vorrichtungssubstrat 10 gestrahlt. Wie in 8 gezeigt ist, ist es jedoch auch akzeptabel, eine Anordnung bereitzustellen, bei der das Strahlbestrahlungssystem, das Laserstrahl L strahlt, und das Bildaufnahmesystem, das eine CCD-Kamera 30 einschließt, getrennt sind, und bei dem der Laserstrahl L von der Oberseite auf das Substrat 15 gestrahlt wird.
  • Während die vorliegende Ausführungsform ein Beispiel zeigt, bei dem das Koagulationsmittel durch den Laserstrahl L geschmolzen wird, ist es akzeptabel, stattdessen andere Erwärmungsmittel zu verwenden, zum Beispiel, dass ein kleines Wärmeerzeugungsmaterial in die Nähe des Vorrichtungssubstrats gebracht wird und eine Teilfläche des Koagulationsmittels schmilzt, anstelle von Bestrahlung mit Laserstrahl L.
  • Gemäß der in 2 gezeigten Ausführungsform werden die θ-Richtung und die x-Richtung durch den Dicingtisch 20 positioniert, wenn das Vorrichtungssubstrat 10 positioniert wird, und die y-Richtung wird durch das Dicing-Sägeblatt 41 positioniert. Jedoch ist es effektiv, wenn das Vorrichtungssubstrat 10 in Bezug auf das Dicing-Sägeblatt 41 auf eine solche Weise positioniert wird, dass anstelle der x-Plattform 22 die x-y-Plattform verwendet wird, die sich sowohl in die x-Richtung als auch die y-Richtung bewegt, so dass die θ-, x- und y-Richtung von mit dem Dicingtisch 20 positioniert werden kann.
  • Wie oben erwähnt ist, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, exakt die Ausrichtmarkierungen zu erkennen und die Ausbeute zu verbessern.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die besonders veranschaulichenden Ausführungsformen beschrieben worden ist, soll sie nicht auf jene Ausführungsformen beschränkt sein, sondern nur durch die beigefügten Ansprüche. Man ist sich dessen bewusst, dass Fachleute die Ausführungsformen verändern oder modifizieren können, ohne von dem Bereich und dem Geist der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims (7)

  1. Ein Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, enthaltend: einen Schritt des auf einen fixierten Stand Gebens eines Substrats, auf dem zwei oder mehr Vorrichtungen und Ausrichtmarkierungen ausgebildet sind; einen Schritt des Bedeckens des Substrats mit Koagulationsmittel; einen Schritt des Koagulierens des Koagulationsmittels; gekennzeichnet durch einen Schritt des Erwärmens einer Teilfläche auf dem Substrat, um das Koagulationsmittel auf der Teilfläche zu schmelzen, so dass die Ausrichtmarkierung freiliegt; einen Schritt des Positionierens des Substrats entsprechend der freiliegenden Ausrichtmarkierung; und einen Schritt des Dicing des positionierten Substrats.
  2. Ein Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen nach Anspruch 1, wobei Schmelzen des Koagulationsmittels durch Strahlen mit einem Lichtstrahl mit Infrarotwellenlänge auf die Teilfläche ausgeführt wird.
  3. Ein Dicingverfahren nach Anspruch 1, wobei das Vorrichtungssubstrat dem Dicing durch das Dicing-Sägeblatt unterzogen wird.
  4. Ein Dicingverfahren nach Anspruch 3, wobei der Positionierschritt örtlich die Teilfläche durch Strahlen eines Laserstrahls auf die Teilfläche erwärmt.
  5. Eine Dicingvorrichtung, in der ein Dicing auf eine solche Weise durchgeführt wird, dass ein Vorrichtungssubstrat, auf dem zwei oder mehr Vorrichtungen und Ausrichtmarkierungen zum Positionieren ausgebildet sind, gemäß der Ausrichtmarkierung positioniert wird, und das Vorrichtungssubstrat dem Dicing unterzogen und in individuelle Vorrichtungselemente vereinzelt wird, wobei die Dicingvorrichtung enthält: einen fixierten Stand, auf dem das Vorrichtungssubstrat fixiert ist; ein Dicing-Sägeblatt, das das auf dem fixierten Stand fixierte Vorrichtungssubstrat vereinzelt; ein Erwärmungsmittel, das örtlich eine Teilfläche der Ausrichtmarkierung auf dem Vorrichtungssubstrat, das von einem Koagulationsmittel bedeckt ist, auf dem fixierten Stand erwärmt; eine Kamera, die ein Bild einer Position macht, bei der das Koagulationsmittel durch Erwärmen durch das Erwärmungsmittel geschmolzen ist; und ein Positionierungsmittel, das das Vorrichtungssubstrat in Bezug auf das Dicing-Sägeblatt gemäß der Ausrichtmarkierung auf dem durch die Kamera erhaltenen Bild positioniert.
  6. Eine Dicingvorrichtung nach Anspruch 5, wobei das Erwärmungsmittel ein Laser zum Strahlen von Laserstrahlen zu der Teilfläche ist, um die Teilfläche zu erwärmen.
  7. Eine Dicingvorrichtung nach Anspruch 5, die enthält: eine Lichtquelle, die Lichtstrahlen erzeugt, die auf eine Teilfläche der Ausrichtmarkierung auf dem Vorrichtungssubstrat, das mit einem Koagulationsmittel bedeckt ist, auf dem fixierten Stand zu projizieren sind; eine Kamera, die ein Bild einer Position macht, bei der das Koagulationsmittel durch Strahlen des Lichtstrahls von der Lichtquelle geschmolzen ist; einen Erkennungsabschnitt, der die Ausrichtmarkierung aus einem durch die Kamera erhaltenen Bild erkennt; und ein Positionierungsmittel, das das Vorrichtungssubstrat in Bezug auf das Dicing-Sägeblatt gemäß der durch den Erkennungsabschnitt erkannten Ausrichtmarkierung positioniert.
DE102006048752A 2006-06-06 2006-10-12 Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, Dicingverfahren und Dicingvorrichtung Expired - Fee Related DE102006048752B8 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006156980A JP2007329153A (ja) 2006-06-06 2006-06-06 デバイスの製造方法、ダイシング方法、およびダイシング装置
JP2006-156980 2006-06-06

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE102006048752A1 DE102006048752A1 (de) 2007-12-13
DE102006048752B4 true DE102006048752B4 (de) 2009-08-20
DE102006048752B8 DE102006048752B8 (de) 2010-07-01

Family

ID=38663882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006048752A Expired - Fee Related DE102006048752B8 (de) 2006-06-06 2006-10-12 Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, Dicingverfahren und Dicingvorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7498237B2 (de)
JP (1) JP2007329153A (de)
KR (1) KR100832823B1 (de)
DE (1) DE102006048752B8 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5329833B2 (ja) * 2008-04-08 2013-10-30 リンテック株式会社 半導体ウエハ処理用接着シート及びそれを用いた半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法
US8289388B2 (en) * 2009-05-14 2012-10-16 Asm Assembly Automation Ltd Alignment method for singulation system
US9330954B2 (en) 2013-11-22 2016-05-03 Invensas Corporation Substrate-to-carrier adhesion without mechanical adhesion between abutting surfaces thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729859A (ja) * 1993-07-12 1995-01-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US5983483A (en) * 1997-02-17 1999-11-16 Tarumizu; Yoshitaka Freezing type workpiece fixing method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3483068A (en) * 1966-02-15 1969-12-09 Du Pont Article exhibiting anisopanoramic light scattering,and composition and process for making same
JPH06331813A (ja) 1993-05-24 1994-12-02 Victor Co Of Japan Ltd 光学部品の製造方法
JP3813692B2 (ja) 1997-05-28 2006-08-23 株式会社ディスコ ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法
JPH11260768A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Casio Comput Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH11274357A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Sony Corp 電子部品の分割方法および分割装置
US6746309B2 (en) * 1999-05-27 2004-06-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device
JP2001077054A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Ip:Kk ダイシングされる硬質プレートのチャッキング方法
US6120967A (en) * 2000-01-19 2000-09-19 Xerox Corporation Sequenced addition of coagulant in toner aggregation process
JP4753170B2 (ja) * 2004-03-05 2011-08-24 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2005347675A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Fujitsu Ltd 微小な構造を有する素子の製造方法
JP2006041399A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法および分割装置
CN1826844B (zh) * 2004-08-04 2012-01-11 揖斐电株式会社 焊球搭载方法及焊球搭载装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729859A (ja) * 1993-07-12 1995-01-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US5983483A (en) * 1997-02-17 1999-11-16 Tarumizu; Yoshitaka Freezing type workpiece fixing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7498237B2 (en) 2009-03-03
KR100832823B1 (ko) 2008-05-28
KR20070116708A (ko) 2007-12-11
DE102006048752B8 (de) 2010-07-01
DE102006048752A1 (de) 2007-12-13
US20070281443A1 (en) 2007-12-06
JP2007329153A (ja) 2007-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60006127T2 (de) Schaltungsvereinzelungssystem und verfahren
DE102011078276B3 (de) Verfahren zum Erkennen von Fehlern während eines Laser-Bearbeitungsprozesses sowie Laser-Bearbeitungsvorrichtung
CN102398114B (zh) 分割方法
DE102017206178A1 (de) Waferherstellungsverfahren und Erfassungsverfahren für eine Bearbeitungszuführrichtung
AT518580A2 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102017222047A1 (de) Sic-waferherstellungsverfahren
DE102004055443A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102014201193A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
DE112019005436T5 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102017211833B4 (de) Elektrostatischer Einspanntisch, Laserbearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks
DE102006048752B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen, Dicingverfahren und Dicingvorrichtung
DE112017000543T5 (de) Laserstrahl-bestrahlungsvorrichtung
DE102007049553A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren für Galliumarsenid-wafer
DE102004059154B4 (de) Verfahren zum Überprüfen einer laserbearbeiteten verschlechterten Schicht
DE112019005453T5 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102007032190A1 (de) Verfahren zum Behandeln der Oberfläche eines Werkstückes unter Hitzeanwendung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102016121600B4 (de) Lichtwellenleiterverbindungseinheit mit Zirkulationspfad zum Zirkulieren von Kühlmittel
EP1524047A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Erkennen von Halbzeug
EP2449602A2 (de) Verfahren zum freilegen eines elektrischen kontakts
WO2022171621A1 (de) Verfahren zum optimieren einer bearbeitungszeit eines laserbearbeitungsprozesses, verfahren zum durchführen eines laserbearbeitungsprozesses an einem werkstück und laserbearbeitungssystem, welches eingerichtet ist, um diese durchzuführen
CN105643118A (zh) 透射激光束的检测方法
DE60312929T2 (de) Apparat zur Befestigung von Halbleiterchips und eine Methode zur Befestigung
DE102020212721A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
EP3015851B1 (de) Legekopf, faserlegevorrichtung und verfahren
DE102017202426A1 (de) TLS-Verfahren und TLS-Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8396 Reprint of erroneous front page
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: SEEGER SEEGER LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELTE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20120501