DE102005050692A1

DE102005050692A1 - Funkmodul und Schaltungsanordnung mit einem Funkmodul

Info

Publication number: DE102005050692A1
Application number: DE200510050692
Authority: DE
Inventors: Hans-Jürgen Neuhaus; Christian Siebert
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 2005-10-18
Filing date: 2005-10-18
Publication date: 2007-04-19
Also published as: WO2007045669A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Funkmodul (1) mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung (VCC) und andererseits an einer elektrischen Signalleitung (2) angeschlossen ist. Zur Verbesserung des Funkmoduls wird erfindungsgemäß eine Schaltungsanordnung in Form einer Stromquelle angegeben mit einem primären Transistor (T1), dessen Emitter mit dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist und dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung (2) verbunden ist, einem sekundären Transistor (T2), dessen Emitter mit dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors (T1) verbunden ist und dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und der Basis des primären Transistors (T1) angebunden ist, sowie mit einem Widerstand (Rb), der mit dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist.
Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine Anordnung mit einem Funkmodul (1), einer Smart-Karte (3) und mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung (VCC) und andererseits an einer elektrischen Signalleitung (2) zwischen dem Funkmodul (1) und der Smart-Karte (3) angeschlossen ist.

Description

Bei einem Funkmodul handelt es sich allgemein um ein elektronisches Bauelement, welches zur Herstellung einer Kommunikationsverbindung über ein Mobilfunknetz in verschiedensten Bereichen eingesetzt wird. So werden Funkmodule beispielsweise für Anwendungen im so genannten Maschine-zu-Maschine (Machine-to-Machine, M2M) Umfeld oder zur Unterstützung von Anwendungen im Bereich der Telematik verwendet. Darüber hinaus werden Funkmodule insbesondere im Endkundengeschäft, d. h. für die Übermittlung von Sprache und Daten durch Nutzer von mobilen Kommunikationsendgeräten, eingesetzt. Bei mobilen Kommunikationsendgeräten handelt es sich um elektronische Anordnungen, welche neben weiteren Komponenten, wie beispielsweise einem Display und einer Tastatur, auch ein Funkmodul enthalten.
Die Erfindung betrifft ein Funkmodul mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung und andererseits an einer elektrischen Signalleitung angeschlossen ist.

Ein solches Funkmodul ist beispielsweise in Form des Funkmoduls TC35 der Firma Siemens bekannt. Das Funkmodul TC35 kann gemäß der Spezifikation ETSI TS 102 221 V7.2.0 (2005-08) „Smart cards; UICC-Terminal interface; Physical and logical characteristics (Release 7)" über eine serielle Schnittstelle mit einer Smart-Karte in Form einer so genannten SIM (Subscriber Identity Module)-Karte verbunden werden. SIM-Karten werden insbesondere im Rahmen des GSM-Standards (Global System for Mobile Communication) zur Personalisierung von mobilen Endgeräten verwendet und weisen üblicherweise ein kom plettes Mikroprozessorsystem einschließlich eines so genannten Flash-Daten-Speichers auf.

Die Kommunikation zwischen dem Funkmodul und der SIM-Karte erfolgt über die serielle Schnittstelle, welche neben weiteren Leitungen beispielsweise für ein Reset-Signal (Reset) oder für ein Taktsignal (Clock) insbesondere eine elektrische Signalleitung zur Übertragung von Daten und/oder Steuersignalen von dem Funkmodul an die SIM-Karte beziehungsweise von der SIM-Karte an das Funkmodul aufweist. Da die auch als Input/Output- bzw. I/O-Leitung bezeichnete elektrische Signalleitung bidirektional ausgelegt ist, sind die Leitungstreiber zur Vermeidung möglicher Kollisionen nicht als so genannte Push/Pull-Treiber auslegt, sondern als so genannte Open-Collector- bzw. so genannte Open-Drain-Treiber.

Open-Drain- (im Falle der Verwendung von Feldeffekttransistoren) bzw. Open-Collector- (im Falle der Verwendung herkömmlicher Bipolartransistoren) Schaltungen bzw. Treiber zeichnen sich generell dadurch aus, dass sie in einem Ersatzschaltbild durch einen Schalter dargestellt werden können, der im geschlossenen Zustand eine Verbindung zum niedrigeren Potential (LOW-Pegel), d. h. beispielsweise zur Masse herstellt. Im geöffneten Zustand des Schalters ist das an ihm liegende Potential hingegen zunächst unbestimmt und wird erst durch die äußere Beschaltung festgelegt.

Bei dem bekannten Funkmodul wird als äußere Beschaltung eine aus einem Widerstand („Drain-Widerstand" bzw. „Collector-Widerstand") bestehende Schaltungsanordnung verwendet. Der Widerstand, der aufgrund seiner Funktion auch als „Pull-up"-Widerstand bezeichnet wird, ist einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung und andererseits an der elektrischen Signalleitung angeschlossen. Sofern der Schalter offen ist, d. h. keine Verbindung zum niedrigeren Potential hergestellt wird, sorgt der Drain-Widerstand dafür, dass die elektrische Signalleitung auf das höhere Potential (HIGH-Pegel) gezogen wird.

Bei der Dimensionierung des Drain-Widerstands ist zu beachten, dass ein größerer Widerstandswert den fließenden Strom reduziert, aber die Anstiegszeit des Spannungssignals auf HIGH-Pegel erhöht. Aufgrund der Spezifikationsanforderung, dass der maximale Ausgangsstrom auf der elektrischen Signalleitung 500 μA nicht übersteigen darf, darf der Drain-Widerstand bei der für SIM-Karten üblichen Betriebsspannung von +3 V nicht unter 6 kΩ fallen. Weiterhin ist aufgrund einer entsprechenden Spezifikation eine maximale Anstiegszeit auf HIGH-Pegel von 1 μs einzuhalten.

Bei größeren kapazitiven Lasten der elektrischen Signalleitung – z. B. bei längeren elektrischen Signalleitungen oder weiteren kapazitiven Belastungen – kommt es nun zu dem Problem, dass die maximale Anstiegszeit von 1 μs trotz Verwendung des Minimalwiderstands von 6 kΩ nicht eingehalten werden kann. Darüber hinaus führt die Verwendung des Open-Drain- bzw. Open-Collector-Treibers weiterhin zu dem Problem, dass die elektrische Signalleitung bei HIGH-Pegeln empfindlich gegen ein Übersprechen von Signalen ist. Dies führt beispielsweise in dem Fall, dass die Taktleitung parallel zur elektrischen Signalleitung geführt wird, zu einem deutlich sichtbaren so genannten „Ripple" auf der elektrischen Signalleitung, welches zur Folge hat, dass standardisierte Geräte zum Test der SIM-Schnittstelle Fehler auf der elektrischen Signalleitung melden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Funkmodul mit einer einfachen Schaltungsanordnung anzugeben, die eine weit gehend störungsfreie Signalübertragung über die elektrische Signalleitung ermöglicht.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit einem primären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist und dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung verbunden ist, einem sekundären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist, dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors verbunden ist und dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors und der Basis des primären Transistors angebunden ist, sowie mit einem Widerstand, der mit dem Kollektor des sekundären Transistors und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist.

Bei den verwendeten Transistoren handelt es sich vorzugsweise um Bipolartransistoren. Dabei ist zu beachten, dass im Falle einer positiven Betriebsspannung pnp-Transistoren verwendet werden, während bei einer negativen Betriebsspannung npn-Transistoren zum Einsatz kommen.

Das Funkmodul kann, wie zuvor bereits beschrieben, über die elektrische Signalleitung beispielsweise mit einer SIM-Karte verbunden werden. Die elektrische Signalleitung ist dabei vorzugsweise als so genannte Open-Drain- bzw. Open-Collector-Leitung ausgebildet, d. h. die elektrische Signalleitung kann an beiden Enden mit einem niedrigeren Potentialanschluss, vorzugsweise Masse, verbunden werden. Alternativ können die beiden Enden der elektrischen Signalleitung einen hochohmigen Zustand einnehmen, in welchem Fall der Ausgangsstrom auf der elektrischen Signalleitung durch die Schaltungsanordnung in Form der Stromquelle bestimmt ist. Diese erzeugt einen Strom, welcher aufgrund der kapazitiven Lasten zu einer dem spezifizierten HIGH-Pegel entsprechenden Spannung führt. Hierdurch wird eine Daten- und/oder Signalübertragung von oder zu dem Funkmodul über die elektrische Signalleitung ermöglicht.

Das erfindungsgemäße Funkmodul ist bevorzugt, da es eine robuste und unempfindliche Signalübertragung zwischen dem Funkmodul und der SIM-Karte über die elektrische Signalleitung ermöglicht. Dabei werden insbesondere die anfangs genannten Probleme in Zusammenhang mit dem Übersprechen von Signalen der Taktleitung auf die elektrische Signalleitung und bezüglich des Erreichens der geforderten Anstiegszeit vermieden. Gleichzeitig ist die Schaltungsanordnung des erfindungsgemäßen Funkmoduls einfach und kostengünstig zu realisieren.

Gegenüber der Verwendung von bekannten Standard-Stromquellen zeichnet sich die erfindungsgemäße Lösung dadurch aus, dass sie den grundlegenden Nachteil solcher Stromquellen, dass diese bei einer Temperatur von 25°C einen Spannungsabfall innerhalb der Stromquelle von ca. 0,7 V aufweisen, vermeidet. Da die üblicherweise im Zusammenhang mit Funkmodulen verwendeten SIM-Karten mit einer Betriebsspannung von 3 V bzw. 1,8 V arbeiten, ergibt sich somit bei der Verwendung einer Standard-Stromquelle bei einer Betriebsspannung von 3 V bzw. 1,8 V ein maximaler HIGH-Pegel von 2,3 V bzw. 1,1 V. Gleichzeitig entspricht der minimale zulässige HIGH-Pegel entsprechend einer Festlegung in der eingangs genannten Spezifikation mindestens 70% der Betriebsspannung, d. h. 2,1 V bzw. 1,26 V. Somit würde bei einer Betriebsspannung von 3 V der so genannte Störabstand, d. h. die Differenz zwischen dem maximalen und dem minimalen HIGH-Pegel bei 25°C lediglich 0,2 V betragen. Dieser Wert würde sich bei einer Erhöhung der Temperatur noch weiter verschlechtern, da bei den Standard-Stromquellen die Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung von ty pischerweise –2 mV/K nicht kompensiert wird. Bei einer Betriebsspannung von 1,8 V könnte sogar bereits bei einer Umgebungstemperatur von 25°C der spezifizierte minimale HIGH-Pegel von 1,26 V nicht eingehalten werden.

Des Weiteren ist die erfindungsgemäße Lösung auch gegenüber anderen Stromquellen mit einem geringen Spannungsabfall (so genannte „Low-Drop-Stromquellen") vorteilhaft. Eine solche Stromquelle könnte beispielsweise dadurch realisiert werden, dass im Vergleich zum erfindungsgemäßen Funkmodul der sekundäre Transistor durch einen weiteren Widerstand ersetzt wird, der zusammen mit dem Widerstand einen Spannungsteiler bildet. Die mittels dieses Spannungsteilers eingestellte Spannung an der Basis des primären Transistors ergibt abzüglich der Basis-Emitterspannung des primären Transistors die Spannung an einem dem Emitter des primären Transistors vorgeschalteten zusätzlichen Widerstand. Da die Betriebsspannung der SIM-Schnittstelle des Funkmoduls konstant ist, ist auch die Spannung an dem dem Emitter des primären Transistors vorgeschalteten zusätzlichen Widerstand konstant, und somit auch der Emitterstrom, der abzüglich des (geringen) Basisstroms dem Ausgangsstrom der Stromquelle an der elektrischen Signalleitung entspricht. Durch die wahlfreie Einstellbarkeit der Spannung an der Basis des primären Transistors wird im Gegensatz zu den zuvor beschriebenen Standard-Stromquellen eine Stromquelle mit geringer Sättigungsspannung (d. h. eine Low-Drop-Stromquelle) realisiert. Der Nachteil dieser Schaltungsanordnung besteht jedoch in der massiven Abhängigkeit des Ausgangstroms in die elektrische Signalleitung von der Temperaturdrift der Basis-Emitterspannung des primären Transistors, welche etwa –2 mV/K beträgt. So ergibt sich beispielsweise bei einer Spannung von 100 mV an dem dem Emitter des primären Transistors vorgeschalteten Widerstand und einer Temperaturänderung von ±50°C eine Stromänderung von ±100%.

Dies bedeutet, dass diese Schaltungsanordnung lediglich in Umgebungen mit geringen Temperaturänderungen brauchbar ist.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist das erfindungsgemäße Funkmodul einen weiteren Widerstand auf, der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung und dem Emitter des primären Transistors und andererseits an den Emitter des sekundären Transistors angeschlossen ist. Diese Ausführungsform ist bevorzugt, da sich hierdurch ein Stromverhältnis zwischen dem Strom durch den sekundären Transistor („Querstrom") und dem Ausgangsstrom durch den primären Transistor ergibt. Dabei ist der Ausgangsstrom des primären Transistors größer als der Querstrom durch den sekundären Transistor. Somit lässt sich ein hoher Ausgangsstrom bei gleichzeitig geringem Querstrom realisieren. Dies ist insbesondere bei akkubetriebenen Funkmodulen vorteilhaft, da hierdurch der über den Widerstand abfließende Querstrom, der eine entsprechende Verlustleistung erzeugt, begrenzt wird. Die benötigte bzw. erforderliche Größe des weiteren Widerstandes kann in Abhängigkeit von den verwendeten Transistoren beispielsweise empirisch oder durch Simulation ermittelt werden.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungemäßen Funkmoduls entspricht der primäre Transistor in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor. Diese Ausführungsform ist bevorzugt, da hierdurch Streuungen des Ausgangsstroms des primären Transistors in die elektrische Signalleitung aufgrund von unterschiedlichen Daten der beiden Transistoren klein gehalten werden. Die Stromquelle ist darüber hinaus temperaturkompensiert, da sich die Temperaturabhängigkeit der Basisspannungen der beiden Transistoren von –2 mV/K wechselseitig aufhebt. Gleiche elektrische Eigenschaften der beiden Transistoren können beispielsweise in einfacher Weise durch die Verwendung von Doppeltransistoren in einem Gehäuse realisiert werden. Falls die Betriebsspannung konstant ist, so sind dann auch die beiden beschriebenen Ströme konstant.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Anordnung mit einem Funkmodul, einer Smart-Karte und mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung und andererseits an einer elektrischen Signalleitung zwischen dem Funkmodul und der Smart-Karte angeschlossen ist.

Eine solche Anordnung ist beispielsweise in Form eines Funkmoduls TC 35 der Firma Siemens bekannt, welches mit einer SIM-Karte verbunden ist.

Bezüglich der Anordnung liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung mit einem Funkmodul mit einer einfachen Schaltungsanordnung anzugeben, die eine weitgehend störungsfreie Signalübertragung über die elektrische Signalleitung erlaubt.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit einem primären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist und dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung verbunden ist, einem sekundären Transistor, dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist, dessen. Kollektor mit der Basis des primären Transistors verbunden ist und dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors und der Basis des primären Transistors angebunden ist, sowie mit einem Widerstand, der mit dem Kollektor des sekundären Transistors und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung verbunden ist.

Bei einer Smart-Karte (häufig auch als Chipkarte bezeichnet) handelt es sich üblicherweise um eine Plastikkarte, welche beispielsweise einen Mikroprozessor, eine Hardware-Logik und/oder eine Speichereinrichtung enthalten kann und für verschiedenste Anwendungen verwendet wird.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist bevorzugt, da sie eine robuste und unempfindliche Signalübertragung zwischen dem Funkmodul und der Smart-Karte über die elektrische Signalleitung ermöglicht. Dabei werden wie bereits erwähnt insbesondere die anfangs genannten Probleme in Zusammenhang mit dem Übersprechen von Signalen der Taktleitung auf die elektrische Signalleitung und bezüglich des Erreichens der geforderten Anstiegszeit vermieden. Gleichzeitig ist die Schaltungsanordnung der erfindungsgemäßen Anordnung einfach und kostengünstig zu realisieren.

In einer bevorzugten Ausführungsform weist die erfindungsgemäße Anordnung einen weiteren Widerstand auf, der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung und dem Emitter des primären Transistors und andererseits an den Emitter des sekundären Transistors angeschlossen ist. Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, da sie, wie bereits im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Funkmodul erläutert, den Querstrom durch den sekundären Transistor im Vergleich zu dem Ausgangsstrom des primären Transistors reduziert, wodurch sich der Energieverbrauch der erfindungsgemäßen Anordnung entsprechend verringert.

Vorzugsweise ist die erfindungsgemäße Anordnung so ausgestaltet, dass der primäre Transistor in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor entspricht. Dies bietet den Vorteil, dass Streuungen des Ausgangsstroms des primären Transistors in die elektrische Signalleitung aufgrund von unterschiedlichen Daten der beiden Transistoren weitestgehend vermieden werden.

Die erfindungsgemäße Anordnung kann auch so ausgestaltet sein, dass die elektrische Signalleitung einen Mikroprozessor des Funkmoduls und einen Mikroprozessor der Smart-Karte verbindet. Diese Ausführungsform ist bevorzugt, da eine Smart-Karte in der Regel einen Mikroprozessor aufweist und somit der Mikroprozessor des Funkmoduls und der Mikroprozessor der Smart-Karte über die elektrische Signalleitung Daten- und/oder Signalisierungsnachrichten untereinander austauschen können.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung ist die Smart-Karte eine SIM (Subscriber Identity Module)-Karte. Dies ist vorteilhaft, da es sich bei SIM-Karten um die üblicherweise im Zusammenhang mit Funkmodulen verwendete spezielle Art von Smart-Karten handelt.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung zeigt
1 in einer schematischen Skizze ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung mit einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Funkmoduls und
2 in einer schematischen Skizze ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen An ordnung mit einem weiteren Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Funkmoduls.
1 zeigt ein Funkmodul 1, das über eine elektrische Signalleitung 2 mit einer Smart-Karte 3 in Form einer SIM-Karte verbunden ist. Weitere, als SIM-Clock, SIM-Reset, SIM-Betriebsspannung und SIM-Masse bezeichnete Verbindungen sind dabei in 1 nicht dargestellt. Auf Seiten des Funkmoduls 1 befindet sich am Ende der elektrischen Signalleitung 2 ein Schalter 4, der im geschlossenen Zustand eine Verbindung der elektrischen Signalleitung 2 mit Massepotential herstellt. Gleichermaßen befindet sich am anderen Ende der elektrischen Signalleitung 2, d. h. auf Seiten der Smart-Karte 3, ein Schalter 5, der im geschlossenen Zustand ebenfalls eine Verbindung der elektrischen Signalleitung 2 mit dem Massepotential herstellt. Die Schalter 4 und 5 können dabei in unterschiedlichster Form realisiert sein. So kann es sich beispielsweise um Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren, beispielsweise in Form so genannter MOSFETs, elektronische Schalter oder etwa auch Relais handeln.
An die elektrische Signalleitung 2 der SIM-Schnittstelle des Funkmoduls 1 ist der Kollektor eines primären Transistors T1 angeschlossen. Der Emitter dieses Transistors T1 ist mit einer positiven Betriebsspannung VCC des Funkmoduls 1 verbunden. Dabei hat die Betriebsspannung VCC bei einer Smart-Karte 3 in Form einer SIM-Karte üblicherweise einen Wert von +3 V oder von +1,8 V. Parallel zu dem primären Transistor T1 ist der eine Potentialanschluss der Betriebsspannung VCC mit dem Emitter eines sekundären Transistors T2 verbunden. Der Kollektor des sekundären Transistors T2 ist mit der Basis des primären Transistors T1 verbunden. Des Weiteren ist die Basis des sekundären Transistors T2 mit einem Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors T2 und der Basis des primären Transistors T1 und darüber hinaus über einen Widerstand Rb mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung VCC verbunden.
Werden nun beide Schalter 4 und 5 geöffnet, so erzeugt die Schaltungsanordnung in Form einer Stromquelle einen Ausgangsstrom, der von dem Kollektor des primären Transistors T1 auf die elektrische Signalleitung 2 fließt. Aufgrund einer unter anderem durch die elektrische Signalleitung 2 gegebenen kapazitiven Last wird hierbei ein Spannungssignal erzeugt, welches bei geeigneter Dimensionierung der beiden Transistoren T1 und T2 und des Widerstandes Rb sowie in Abhängigkeit von weiteren möglicherweise zu berücksichtigenden kapazitiven Lasten ein Spannungssignal erzeugt, welches dem für die elektrische Signalleitung 2 der SIM-Schnittstelle spezifizierten HIGH-Pegel entspricht. Sofern der eine Potentialanschluss der Betriebsspannung VCC einen Wert von +3 V aufweist, so ist dabei gemäß der eingangs genannten Spezifikation ein HIGH-Pegel im Bereich zwischen +2,1 und +3 V einzuhalten.
Aufgrund der Realisierung der elektrischen Signalleitung 2 in Form eines so genannten „Open-Drain-Treibers" werden die bei der Verwendung üblicher Push/Pull-Treiber möglichen Kollisionen vermieden, da sowohl das Funkmodul 1 als auch die Smart-Karte 3 mittels des Schalters 4 bzw. des Schalters 5 die elektrische Signalleitung 2 jeweils aktiv nur in Richtung des LOW-Pegels, d. h. im betrachteten Fall in Richtung Masse, ziehen können.
Durch die Verwendung von Doppeltransistoren in einem Gehäuse kann in einfacher Weise erreicht werden, dass der primäre Transistor T1 in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor T2 entspricht. Dies hat zur Folge, dass der Ausgangsstrom des primären Transistors T1 in die elektrische Signalleitung 2 identisch mit dem durch den Widerstand Rb bestimmten Strom durch den sekundären Transistor T2 wird.
2 zeigt in einer schematischen Skizze ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Anordnung. Dabei unterscheidet sich die Anordnung des Ausführungsbeispiels der 2 von derjenigen der 1 durch den vor dem Emitter des sekundären Transistors T2 eingefügten weiteren Widerstand Re. Im Vergleich zur Anordnung der 1 bietet diese Anordnung den Vorteil, dass sich ein Verhältnis zwischen dem Querstrom durch T2, der über den Widerstand Rb abfließt, und dem Ausgangsstrom durch den primären Transistor T1 in die elektrische Signalleitung 2 ergibt. Dabei ist der Ausgangsstrom durch den primären Transistor T1 größer als der Querstrom durch den sekundären Transistor T2. Dies ermöglicht es, einen hohen Ausgangsstrom bei gleichzeitig geringem Querstrom zu realisieren, wodurch sich der Stromverbrauch der in 2 dargestellten Anordnung im Vergleich zu der in 1 gezeigten Anordnung reduziert.

Claims

Funkmodul (1) mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung (VCC) und andererseits an einer elektrischen Signalleitung (2) angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit – einem primären Transistor (T1), – dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist und – dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung (2) verbunden ist, – einem sekundären Transistor (T2), – dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist, – dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors (T1) verbunden ist und – dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und der Basis des primären Transistors (T1) angebunden ist, sowie mit – einem Widerstand (Rb), – der mit dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist.
Funkmodul nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen weiteren Widerstand (Re), der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) und dem Emitter des primären Transistors (T1) und andererseits an den Emitter des sekundären Transistors (T2) angeschlossen ist.
Funkmodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der primäre Transistor (T1) in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor (T2) entspricht.
Anordnung mit einem Funkmodul (1), einer Smart-Karte (3) und mit einer Schaltungsanordnung, die einerseits an einem Potentialanschluss einer Betriebsspannung (VCC) und andererseits an einer elektrischen Signalleitung (2) zwischen dem Funkmodul (1) und der Smart-Karte (3) angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung eine Stromquelle ist mit – einem primären Transistor (T1), – dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist und – dessen Kollektor mit der elektrischen Signalleitung (2) verbunden ist, – einem sekundären Transistor (T2), – dessen Emitter mit dem einem Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist, – dessen Kollektor mit der Basis des primären Transistors (T1) verbunden ist und – dessen Basis an einen Punkt der Verbindung zwischen dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und der Basis des primären Transistors (T1) angebunden ist, sowie mit – einem Widerstand (Rb), – der mit dem Kollektor des sekundären Transistors (T2) und mit dem anderen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) verbunden ist.
Anordnung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen weiteren Widerstand (Re), der einerseits an einen Punkt der Verbindung zwischen dem einen Potentialanschluss der Betriebsspannung (VCC) und dem Emitter des primären Transistors (T1) und andererseits an den Emitter des sekundären Transistors (T2) angeschlossen ist.
Anordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der primäre Transistor (T1) in seinen elektrischen Eigenschaften dem sekundären Transistor (T2) entspricht.
Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Signalleitung (2) einen Mikroprozessor des Funkmoduls (1) und einen Mikroprozessor der Smart-Karte (3) verbindet.
Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, die Smart-Karte (3) eine SIM (Subscriber Identity Module)-Karte ist.