DE102004042670A1 - Mikrooptische Strahler- und Empfängersysteme - Google Patents

Mikrooptische Strahler- und Empfängersysteme Download PDF

Info

Publication number
DE102004042670A1
DE102004042670A1 DE102004042670A DE102004042670A DE102004042670A1 DE 102004042670 A1 DE102004042670 A1 DE 102004042670A1 DE 102004042670 A DE102004042670 A DE 102004042670A DE 102004042670 A DE102004042670 A DE 102004042670A DE 102004042670 A1 DE102004042670 A1 DE 102004042670A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical
functional element
radiation
microoptical
receiver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004042670A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004042670B4 (de
Inventor
Joachim Stumpe
Dieter RÖMHILD
Hans-Georg Ortlepp
Arndt Steinke
Olga Kulikovska
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cis Forschungsinstitut fur Mikrosensorik De GmbH
Original Assignee
CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH filed Critical CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH
Priority to DE102004042670.8A priority Critical patent/DE102004042670B4/de
Publication of DE102004042670A1 publication Critical patent/DE102004042670A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004042670B4 publication Critical patent/DE102004042670B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1814—Diffraction gratings structurally combined with one or more further optical elements, e.g. lenses, mirrors, prisms or other diffraction gratings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch optimale Ausnutzung des zur Verfügung stehenden, optischen Signals ein besseres Signal-Rauschverhalten und damit eine höhere Güte des optischen Signals und des Wirkungsgrades zu erzielen. DOLLAR A Erfindungsgemäß gelingt die Lösung der Aufgabe dadurch, dass auf einem Substrat eine monolitisch oder hybrid hergestellte planare Anordnung von Strahlungs- und Empfängerbaugruppen gemeinsam mit einem optischen Funktionselement angeordnet ist, wobei das optische Funktionselement Bereiche zur Formung einer ausgesendeten inkohärenten optischen Strahlung aufweist. DOLLAR A Die Erfindung betrifft ein mikrooptisches Bauelement, bei dem mikrooptische Strahlungsquellen und mikrooptische Empfängerstrukturen auf einem Substrat angeordnet sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein mikrooptisches Bauelement, bei dem mikrooptische Strahlungsquellen und mikrooptische Empfängerstrukturen auf einem Substrat angeordnet sind.
  • Als mikrooptische Strahlungsquellen werden LED, Laserdioden, OLED und dergleichen, oder Dünnschichtstrahler und als optische Empfängerstrukturen beispielsweise Photodioden verwendet.
  • Optische Funktionselemente und Schichten werden weit verbreitet bei faseroptischen Sensoren eingesetzt. Kanal- und Schichtwellenleiter integrieren heute alle möglichen optischen Funktionen (Strahlteilung, -bündelung, Reflexion, Polarisation/Doppelbrechung) und koppeln diese an optoelektronische Bauelemente, wie LED, Laserdioden, Photodioden usw.
  • Auch die unmittelbare Anordnung solcher Funktionen auf der Oberfläche von Strahler, Empfänger bzw. Zwischenträger ist beispielsweise aus DE 197 26 644 A1 , DE 195 15 369 A1 und DE 196 19 478 A1 bekannt. Ferner ist es nach DE 197 26 644 A1 bekannt, dass optische Funktionselemente auf Strahler oder Empfänger über ein Klebeverfahren gebildet und aufgebracht werden.
  • Integrierte holographische Funktionen zur gezielten, wellenlängensensitiven Beeinflussung der Richtung von Lichtstrahlen sind in DE 38 51 421 A1 beschrieben. Dort werden in einem Volumenhologramm bis zu 1000 Bragg-Gitterebenen angeordnet, um in der optischen Verbindungstechnik von VLSI optische Signale zwischen verschiedenen Sendern und Empfängern zu übertragen (z.B. Taktsignal).
  • Nach EP 079 941 A1 ist ebenfalls bekannt, dass Bragg-Reflektoren sich in elektrisch leitfähiges Polymermaterials integrieren lassen.
  • In DE 199 31 989 A1 werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Strahlformung eines homogenen Intensitätsprofils eines Laserstrahls beschrieben. Dort wird ein optisch adressierbarer ortsauflösender Lichtmodulator verwendet.
  • Bei einer in DE 196 19 478 A1 beschriebenen Anordnung wird ein diffraktives Element in einer optischen Schicht integriert und dient so in optoelektronischen Sensoren als Funktionselement für Strahlformung, -teilung, Phasenverschiebung, Polarisation, Strahlprofilgebung und Subapertur. Die diffraktiven Elemente werden dabei in Kunststoff, PMMA-Platten oder -Folien durch Heißprägen erzeugt.
  • Die bekannten Lösungen weisen den Nachteil auf, dass Blenden angewandt werden, welche die optische Strahlung in Ihrer Ausbreitung beeinflussen. Dabei geht jedoch Strahlungsleistung verloren.
  • Andere Lösungen erfordern eine hohe Anzahl von optischen Einzelelementen oder einen hybriden Aufbau mit Wellenleitern.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch optimale Ausnutzung des zur Verfügung stehenden, optischen Signals ein besseres Signal-Rauschverhalten und damit eine höhere Güte des optischen Signals und des Wirkungsgrades zu erzielen.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit einer Anordnung, welche die in Anspruch 1 angegebenen Merkmale enthält, gelöst.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
    •
  • Die erfindungsgemäße Anordnung verfügt über eine monolitisch oder hybrid hergestellte planare Anordnung von Strahlungs- und Empfängerbaugruppen mit einer gemeinsamen optischen Deck- und Funktionsschicht, welche Bereiche zur Formung, insbesondere Fokussierung und Umlenkung einer ausgesendeten inkohärenten optischen Strahlung aufweist. Als mikrooptische Strahlungsquellen können LED, Laserdioden, OLED und dergleichen, oder Dünnschichtstrahler verwendet werden. Als optische Empfängerstrukturen sind Photodioden besonders geeignet.
  • Um die Empfindlichkeit von Strahler-Empfängerbaugruppen zu erhöhen, muss ein Maximum der Strahlungsleistung den Strahlungsempfänger erreichen. Bei planaren Anordnungen von Sender und Empfänger gelangt aber ohne Strahlbeeinflussung nur ein geringer Teil der gesendeten Strahlung durch Reflexion, Remission oder andere optische Wirkprinzipien auf die, auf gleicher Ebene befindlichen Empfängerbauelemente. Ursache dafür ist, dass sich das Maximum der optischen Strahlung der Senderbauelemente in vertikaler Fortsetzung direkt über der LED befindet.
  • Dieses Problem wird durch die Erfindung behoben. Dabei wird unmittelbar über die planare Anordnung von Strahler und Empfänger ein diffraktives optisches Funktionselement aufgebracht. Dazu wird eine Polymerschicht durch Maskierungs- und Belichtungsverfahren selektiv in ihren optischen Eigenschaften verändert, so dass ein Oberflächengitter entsteht, welches modifizierte Areale mit Eigenschaften der Strahlbündelung, der winkelabhängigen Strahlfokussierung und Wellenlängenfilterung aufweist.
  • Durch das optische Oberflächenreliefgitter wird die Intensität der ausgesendeten Strahlung in ihrer Vorwärtsrichtung reduziert, dagegen die Intensität in bestimmten Winkeln verstärkt. Diese definierten Winkel werden durch die Gitterparameter bestimmt und lassen sich in einem üblichen Herstellungsverfahren einfach einstellen. Die Umlenkung der optischen Strahlung kann auch in Abhängigkeit von einer gewünschten Wellenlänge durch Variation der Gitterparameter erfolgen.
  • Das optische Funktionselement ermöglicht es, gerichtete oder ungerichtete Lichtstrahlen, die von den Strahlungselementen emittiert werden, in ihrer Strahlrichtung gezielt zu beeinflussen. Vorteilhaft ist es, diese Schicht auf der Vorder- und/oder Rückseite eines Glaszwischenträgers anzubringen, der in unmittelbarer Nähe zu den Strahlungsquellen und den Empfängerstrukturen angeordnet ist. Dabei kann das optische Oberflächenreliefgitter in Relation zur Strahlquelle so platziert werden, dass der zentrale Teil des Lichts seitlich umgelenkt wird.
  • Ferner ist es möglich, das Oberflächenreliefgitter so anzuordnen, dass das emittierte Licht von zwei oder mehr Strahlquellen derart umgelenkt wird, dass die Maxima der Verteilung aller Quellen auf einen lokalen Punkt gerichtet sind.
  • Für einige Anwendungsfälle ist es zweckmäßig, dass das Oberflächenreliefgitter das emittierte Licht in Strahlrichtung teilt und damit zwei optische Pfade entstehen.
  • Dabei ist es auch möglich, dass das Oberflächenreliefgitter eine Fokussierung des Strahls bzw. Modifizierung des Abstrahlwinkels bewirkt, die der Optimierung der lokalen Intensität des Lichtstrahls in der Empfängerebene dienen.
  • Durch ein oder mehrere Oberflächenreliefgitter in derartigen Strahler/Empfängeranordnungen können verschiedene optische Funktionen, wie Fokussierung, Strahllenkung bzw. spektrale Filterung bewirkt werden.

Claims (10)

  1. Mikrooptisches Bauelement, bei dem mikrooptische Strahlungsquellen und mikrooptische Empfängerstrukturen auf einem Substrat angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat eine monolitisch oder hybrid hergestellte planare Anordnung von Strahlungs- und Empfängerbaugruppen gemeinsam mit einem optischen Funktionselement angeordnet ist, wobei das optische Funktionselement Bereiche zur Formung einer ausgesendeten inkohärenten optischen Strahlung aufweist.
  2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich das optische Funktionselement unmittelbar und planar auf den Strahlungselementen und/oder auf den optischen Empfängerstrukturen befindet.
  3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Funktionselement diffraktive, optische Strukturen enthält.
  4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement ein Oberflächenreliefgitter aufweist, welches die Strahlrichtung gezielt beeinflusst.
  5. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als mikrooptische Strahlungsquellen LED, Laserdioden, OLED und dergleichen oder Dünnschichtstrahler verwendet werden.
  6. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als optische Empfängerstrukturen Photodioden angeordnet sind.
  7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch kennzeichnet, dass sich das optische Funktionselement auf der Vorder- und/oder Rückseite eines Glaszwischenträgers befindet, welcher sich zwischen den Strahlungsquellen und den Empfängerstrukturen befindet.
  8. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch kennzeichnet, dass das optische Funktionselemen ein optisches Oberflächenreliefgitter enthält, welches in Relation zur Strahlquelle so angeordnet ist, dass der zentrale Teil des Lichts seitlich umgelenkt wird.
  9. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Oberflächenreliefgitter als optisches Funktionselement die Strahlrichtung des emittierten Lichts von zwei oder mehr Strahlquellen derart umlenkt, dass die Maxima der Verteilung aller Quellen auf einen lokalen Punkt gerichtet sind.
  10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Funktionselement das emittierte Licht in ihrer Strahlrichtung teilt und damit zwei optische Pfade entstehen.
DE102004042670.8A 2003-09-02 2004-09-01 Mikrooptisches Strahler- und Empfängersystem Active DE102004042670B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004042670.8A DE102004042670B4 (de) 2003-09-02 2004-09-01 Mikrooptisches Strahler- und Empfängersystem

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10340801.0 2003-09-02
DE10340801 2003-09-02
DE102004042670.8A DE102004042670B4 (de) 2003-09-02 2004-09-01 Mikrooptisches Strahler- und Empfängersystem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004042670A1 true DE102004042670A1 (de) 2005-06-23
DE102004042670B4 DE102004042670B4 (de) 2018-07-12

Family

ID=34608863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004042670.8A Active DE102004042670B4 (de) 2003-09-02 2004-09-01 Mikrooptisches Strahler- und Empfängersystem

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102004042670B4 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3834335A1 (de) * 1988-10-08 1990-04-12 Telefunken Systemtechnik Halbleiterschaltung
US5801402A (en) * 1996-01-23 1998-09-01 Samsung Electronics Co., Ltd. VCSEL light output apparatus having a monitoring photodetector and an optical pickup apparatus employing the same
DE69804862T2 (de) * 1997-12-23 2002-11-07 Bookham Technology Plc Abingdo Integrierter optischer sender-empfänger
WO2002099858A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-12 Motorola, Inc. Integrated semiconductor devices for interacting with optical storage media

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0079941A1 (de) 1981-06-01 1983-06-01 MALCOLM, David H. Abdichtbarer sammelbehälter für blutproben
US4838630A (en) 1987-12-21 1989-06-13 Physical Optics Corporation Holographic planar optical interconnect
US5204524A (en) 1991-03-22 1993-04-20 Mitutoyo Corporation Two-dimensional optical encoder with three gratings in each dimension
EP0577088B2 (de) 1992-06-30 2010-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Gerät zur Detektion von Verschiebungsinformation
DE19515369B4 (de) 1995-05-02 2007-05-24 Colour Control Farbmeßtechnik GmbH Spektralselektive Photodiode mit diffraktiven Strukturen
DE19619478A1 (de) 1996-05-14 1997-11-20 Sick Ag Optische Anordnung mit diffraktivem optischem Element
DE19726644B4 (de) 1997-06-18 2004-03-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19917950A1 (de) 1999-04-21 2000-10-26 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Integrierter optoelektronischer Dünnschichtsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19931989A1 (de) 1999-07-09 2001-01-11 Deutsche Telekom Ag Verfahren und Vorrichtung zur Formung des Intensitätsprofils eines Laserstrahls
FR2825150B1 (fr) 2001-05-28 2003-09-26 Univ Jean Monnet Dispositif de caracterisation de reseaux optiques et procede de fabrication de reseaux optiques avec une frequence spatiale predefinie

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3834335A1 (de) * 1988-10-08 1990-04-12 Telefunken Systemtechnik Halbleiterschaltung
US5801402A (en) * 1996-01-23 1998-09-01 Samsung Electronics Co., Ltd. VCSEL light output apparatus having a monitoring photodetector and an optical pickup apparatus employing the same
DE69804862T2 (de) * 1997-12-23 2002-11-07 Bookham Technology Plc Abingdo Integrierter optischer sender-empfänger
WO2002099858A1 (en) * 2001-06-01 2002-12-12 Motorola, Inc. Integrated semiconductor devices for interacting with optical storage media

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004042670B4 (de) 2018-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT503027B1 (de) Leiterplattenelement mit optoelektronischem bauelement und licht-wellenleiter
DE102008005488B4 (de) Scheinwerfer für Fahrzeuge
DE102005024083B4 (de) Flächige, lichtemittierende Vorrichtung
DE60313884T2 (de) Verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden bauelementes
EP3790756B1 (de) Bedien- und/oder anzeigeelement für ein kraftfahrzeug
EP2394143B1 (de) Optoelektronische lagemesseinrichtung und optoelektronisches lagemessverfahren
DE102011107893A1 (de) Optoelektronisches Modul mit verbesserter Optik
DE112011101860B4 (de) Außenspiegel-Anordnung mit einem Gehäuse umfassend eine Schaltkreisplatine mit einer Mehrzahl an lichtemittierenden Dioden
WO2016207294A1 (de) Indirekte beleuchtungsanordnung und verfahren zum herstellen einer indirekten beleuchtungsanordnung
DE102006001490A1 (de) Beleuchtungseinrichtung
EP4043783B1 (de) Projektions- und beleuchtungsvorrichtung für einen kraftfahrzeugscheinwerfer
EP0807842A2 (de) Optische Anordnung mit diffraktivem optischen Element
DE102004042670A1 (de) Mikrooptische Strahler- und Empfängersysteme
EP0908030B1 (de) Vorrichtung zum empfang optischer signale mit einem lichtleitenden gegenstand
EP1701388B1 (de) Leuchtiode
DE112016000829B4 (de) Lichtleitkörper, Lichtquellenvorrichtung und Bildlesevorrichtung
DE10063899B4 (de) Optisches Winkelmeßsystem
DE102012104148A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optischen Diffusorelement und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterbauelements
DE102008031930B4 (de) Beleuchtungsvorrichtung mit Mikro-Linsenarray
DE202013008540U1 (de) Beleuchtungseinrichtung für Fahrzeuge
DE102012025565B4 (de) Optisches Kopplungssystem mit einem optischen Koppler und einem lichtdurchlässigen äußeren Medium sowie Herstellung und Verwendung eines solchen Systems
EP0146957A2 (de) Optischer Multiplexer/Demultiplexer
DE102018214803B4 (de) Vorrichtung zum Einkoppeln elektromagnetischer Wellen in einen Chip
DE112019003179T5 (de) Anzeigestruktur
DE112014004700T5 (de) Strahlteilung zur Überwachung von Laserleistung in geformten optischen Kopplungseinheiten

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
R012 Request for examination validly filed

Effective date: 20110830

R084 Declaration of willingness to licence

Effective date: 20131121

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: CIS FORSCHUNGSINSTITUT FUER MIKROSENSORIK GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CIS INSTITUT FUER MIKROSENSORIK GGMBH, 99099 ERFURT, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIEDTKE & PARTNER, DE

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000

Ipc: H01L0031120000

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R073 Re-establishment requested
R074 Re-establishment allowed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R020 Patent grant now final