DE102004041598A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004041598A1 DE102004041598A1 DE200410041598 DE102004041598A DE102004041598A1 DE 102004041598 A1 DE102004041598 A1 DE 102004041598A1 DE 200410041598 DE200410041598 DE 200410041598 DE 102004041598 A DE102004041598 A DE 102004041598A DE 102004041598 A1 DE102004041598 A1 DE 102004041598A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wiring
- temperature
- wrapping
- temperature treatment
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 title abstract 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/083—Evaporation or sublimation of a compound, e.g. gas bubble generating agent
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen, insbesondere von solchen, die aus einem großflächigen Verdrahtungsträger aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff bestehen, auf dem mehrere Chips matrixartig nebeneinander montiert und jeweils mit einem Umhüllmaterial umhüllt sind. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfach zu realisierendes Verfahren zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen, insbesondere solchen, die aus einem großflächigen Verdrahtungsträger aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff bestehen, auf dem mehrere Chips matrixartig nebeneinander montiert und jeweils mit einem Umhüllmaterial umhüllt sind, zu schaffen. Verfahrensgemäß wird das dadurch erreicht, die im Verdrahtungsträger vor dem Umhüllen und/oder dem Montieren der Chips vorhandenen verdampfbaren Substanzen durch eine Temperaturbehandlung desorptiert werden. Entsprechend der Vorrichtung ist zwischen der Eingabestation und dem Handhabungssystem eine Temperstation angeordnet.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen, insbesondere von solchen, die aus einem großflächigen Verdrahtungsträger aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff bestehen, auf dem mehrere Chips matrixartig nebeneinander montiert sind.
- Die Montage der Chips, z.B. Siliziumchips, auf den Verdrahtungsträgern und das Umhüllen der Chips mit einem Umhüllmaterial mit bevorzugt duroplastischen Eigenschaften erfolgt normaler Weise bei höheren Temperaturen, um ein ausreichendes Aushärten des duroplastischen Materials zu bewirken. Da der thermische Ausdehnungskoeffizient des Verdrahtungsträgers in der Regel deutlich größer ist, als der des Chips aus Silizium und auch des duroplastischen Umhüllmaterials, ergibt sich nach der Abkühlung des fest miteinander verbundenen Verbandes eine mehr oder weniger deutlich gekrümmte Form. Diese Krümmung kann unter Umständen so groß sein, dass eine Weiterverarbeitung in nachfolgenden Prozessen nicht möglich ist.
- Grundsätzlich kann die nicht vermeidbare Krümmung des umhüllten Verdrahtungsträgers verringert werden, wenn dünnere Chips eingesetzt werden und wenn das Ausdehnungsverhalten des Umhüllmateriales besser and anderen verwendeten Materialien angepasst wird. Diesen Maßnahmen sind jedoch Grenzen gesetzt, weil die Chips nicht beliebig abgedünnt werden können. Eine deutliche Verstärkung dieses Problems entsteht jedoch durch die zunehmende Verwendung größerer Verdrahtungs träger.
- Es wurde herausgefunden, dass das thermische Ausdehnungsverhalten von weiteren Effekten überlagert wird. So führt die Lagerung des Verdrahtungsträgers in Luft zu einer allmählichen Aufnahme von Feuchtigkeit und anderen Luftbestandteilen, was infolge von Quellung zu einer, wenn auch geringen, Zunahme der Abmessungen führt. Diese aufgenommenen verdampfbaren Substanzen führen bei höherer Temperatur, die beim Montieren der Chips und insbesondere beim Umhüllen mit der Vergussmasse auftreten, außerdem zu einem höheren Dampfdruck innerhalb des Materiales des Verdrahtungsträgers, wodurch sich dieser zusätzlich ausdehnt.
- Die beschriebenen Effekte bewirken, dass beim Umhüllen und/oder Montieren der Chips zusätzlich in ihren Abmessungen vergrößerte, insbesondere verlängerte, Verdrahtungsträger verarbeitet werden. Bei beiden Prozessen, also bei der Chipmontage und beim Umhüllen, werden die Verdrahtungsträger zwangsweise in ebener planarer Lage gehalten. Infolge der relativ kurzen Prozesszeiten werden die im Verdrahtungsträger enthaltenen verdampfbaren Substanzen nur teilweise ausgetrieben. Das erfolgt erst später in einem nachfolgenden länger dauernden Aushärteschritt. Bei diesem Aushärteschritt besteht allerdings keine Möglichkeit, die ebene Zwangslage der Verdrahtungsträger aufrecht zu erhalten. Dadurch verkürzt sich der Verdrahtungsträger zusätzlich mit dem Ergebnis einer zusätzlichen Verkrümmung des fertig gestellten Verbundes.
- Der Erfindung liegt nunmehr die Aufgabe zugrunde, ein einfach zu realisierendes Verfahren zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen, insbesondere solchen, die aus einem großflächigen Verdrahtungsträger aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff bestehen, auf dem mehrere Chips matrixartig nebeneinander montiert und jeweils mit einem Umhüllmaterial umhüllt sind, zu schaffen.
- Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zu schaffen, mit der eine sichere und ausreichende Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen erreicht werden kann.
- Verfahrensseitig wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass die im Verdrahtungsträger vor dem Umhüllen und/oder dem Montieren der Chips vorhandenen verdampfbaren Substanzen durch eine Temperaturbehandlung desorptiert werden, dass also die Verdrahtungsträger von den verdampfbaren Substanzen weitgehend befreit werden.
- Die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger kann beispielsweise in einer Wärmekammer mit relativ niedriger Temperatur über eine relativ lange Zeit erfolgen, wobei die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger in großen Chargen erfolgt.
- Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Temperaturbehandlung in einer Wärmekammer bei einer Temperatur um 190°C über ca. 30 Minuten vorgenommen wird.
- Eine Variante der Erfindung besteht darin, dass die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger mit relativ hoher Temperatur über eine kurze Zeit erfolgt. In diesem Fall sollte die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger einzeln, oder in kleinen Chargen vorgenommen werden.
- Für den Fall, dass das Molden unmittelbar nach dem Tempern erfolgt, z.B. innerhalb von einer Minute, sollte die Temperaturbehandlung mindestens drei mal so lange vorgenommen werden, wie ein Umhüllzyklus dauert, mindestens jedoch 5 min, um eine ausreichende Entgasung der Verdrahtungsträger zu bewirken.
- Um sicher zu stellen, dass möglichst keine oder nur geringe erneute Aufnahme von Luftfeuchtigkeit erfolgt, sollte die Zeit zwischen der Temperaturbehandlung und dem Umhüllen mit einem Umhüllmaterial bei Lagerung in Luft so gering wie möglich sein und nicht länger als 2 Stunden betragen.
- Zusätzlich ist vorgesehen, die Lagerung der Verdrahtungsträger nach der Temperaturbehandlung bis zum Umhüllen in einer trockenen Atmosphäre vorzunehmen. Dadurch kann die Lagerzeit auf mehrere Tage verlängert werden.
- Vorrichtungsseitig wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass zwischen der Eingabestation und dem Handhabungssystem in der Umhüllmaschine eine Temperstation angeordnet ist.
- In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass sämtliche Verdrahtungsträger in der Temperstation gleichmäßig der gleichen Temperatur ausgesetzt werden.
- Eine weitere Fortbildung der Erfindung sieht vor, dass die Temperatur in der Temperstation bei Störungen in der Umhüllmaschine reduziert ist und normaler Weise 120°C beträgt.
- Schließlich ist vorgesehen, dass die Temperstation ein Schlitzmagazin zur Aufnahme einer vorgegebenen Anzahl von Verdrahtungsträgern enthält.
- Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Temperstation eine Heizkammer zur Aufnahme der Schlitzmagazine aufweist, wobei die Temperierung des Schlitzmagazins durch Konvektion, Wärmeleitung und Wärmestrahlungstrahlung erfolgt.
- In einer weiteren Fortführung der Erfindung ist die Temperstation mit einem Hubsystem für das Schlitzmagazin ausgestattet, derart dass jeder Schlitz in Position zur vorgelagerten Eingabestation, als auch zum nachgelagerten Handhabungssystem bringbar ist.
- Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Aus der zugehörigen Zeichnungsfigur ist eine schematische Darstellung einer Temperstation als Bestandteil einer nicht dargestellten Umhüllmaschine ersichtlich.
- Für die Umhüllung von Verdrahtungsträgern
1 wird eine Umhüllmaschine verwendet, die z.B. eine Eingabestation2 für die Verdrahtungsträger1 sowie ein Handhabungssystem3 zur Beladung der Umhüllformen mit Verdrahtungsträgern1 aufweist. Zwischen der Eingabestation2 und den Umhüllformen ist erfindungsgemäß eine Temperstation4 angeordnet. - Diese Temperstation
4 enthält ein Schlitzmagazin5 zur Aufnahme einer vorgegebenen Anzahl von Verdrahtungsträgern1 , z.B. 20 Verdrahtungsträger, mit kleinem Abstand zueinander. Weiterhin enthält die Temperstation4 eine Heizkammer6 mit Heizelementen7 , in der das Schlitzmagazin5 einschließlich der Verdrahtungsträger1 durch Konvektion, Wärmeleitung und/oder Wärmestrahlung auf einer vorgegebenen Temperatur, z.B. 190°C, gehalten wird. Zusätzlich ist eine um die Heizkammer6 angeordnete Wärmeisolation vorgesehen. - Schließlich ist ein Hubsystem
8 für das Schlitzmagazin5 vorgesehen, mit dem jeweils ein Schlitz in Position zur vorgelagerten Eingabestation2 sowie zum nachgelagerten Handhabungssystem3 zur Beladung der zum Umhüllen erforderlichen Umhüllformen gebracht wird, so dass dieser Schlitz entladen und danach wieder beladen werden kann. - Die Arbeitsweise erfolgt derart, dass zuerst das aufgeheizte Schlitzmagazin
5 im Umhülltakt mit Verdrahtungsträgern1 gefüllt wird. Danach wird zu jedem Umhülltakt die erforderliche Anzahl getemperter Verdrahtungsträger 1 vom Handhabungssystem3 entnommen, in nicht dargestellte Umhüllformen weiter geleitet und dort umhüllt. In gleichen Takt wird das Schlitzmagazin5 wieder mit noch zu tempernden Verdrahtungsträgern1 aufgefüllt. - Tritt an der Umhüllmaschine eine Störung auf, z.B. über 5 Minuten, wird die Temperatur der Heizkammer
6 auf z.B. 120°C reduziert, bis die Störung beseitigt ist. - Entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Verdrahtungsträger
1 vor dem Umhüllen in der Temperstation4 einer Temperaturbehandlung unterzogen. Die Temperatur und die Dauer sind dabei so bemessen, dass wenigstens ein wesentlicher Teil der verdampfbaren Substanzen desorptiert wird. Beispielsweise sollte die Temperatur der Verdrahtungsträger bei 190°C liegen und wenigstens über 5 min beibehalten werden, d.h. wenigstens drei mal so lange vorgenommen werden, wie ein Umhüllzyklus dauert. Die nachfolgende Wartezeit bis zum Umhüllen ist sehr gering, weil die Temperstation Bestandteil der Umhüllmaschine ist und jeder Verdrahtungsträger innerhalb weniger Maschinentakte automatisch von der Temperstation zum Umhüllen transportiert wird. In der sich ergebenden kurzen Wartezeit zwischen Temperstation und Umhüllen in der Größenordnung von einer Minute können die Verdrahtungsträger praktisch keine Luftfeuchtigkeit erneut aufnehmen. - Die Folge ist, dass sich der Verdrahtungsträger
1 bei einer Erwärmung beim Umhüllen auf Umhülltemperatur weniger stark ausdehnt. Während der Umhüllung verbindet sich der Verdrahtungsträger1 mit dem Umhüllmaterial, wobei der Verbund krümmungsfrei bleibt. Beim nachfolgenden Abkühlen zieht sich der temperaturbehandelte Verdrahtungsträger1 weniger stark zusammen, wodurch eine geringere Krümmung des Verbundes erreicht wird. -
- 1
- Verdrahtungsträger
- 2
- Eingabestation
- 3
- Handhabungssystem
- 4
- Temperstation
- 5
- Schlitzmagazin
- 6
- Heizkammer
- 7
- Heizelement
- 8
- Hubsystem
Claims (16)
- Verfahren zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen, insbesondere solchen, die aus einem großflächigen Verdrahtungsträger aus einem glasfaserverstärkten Kunststoff bestehen, auf dem mehrere Chips matrixartig nebeneinander montiert sind, dadurch gekennzeichnet, dass die im Verdrahtungsträger (
1 ) vor dem Umhüllen und/oder dem Montieren der Chips vorhandenen verdampfbaren Substanzen durch eine Temperaturbehandlung desorptiert werden. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger in einer Wärmekammer (
4 ) mit vergleichsweise niedriger Temperatur über eine vergleichsweise lange Zeit erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung bei einer Temperatur um 190°C über 30 min. vorgenommen wird.
- Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger (
1 ) in der Wärmekammer in großen Chargen erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, dass die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger (
1 ) mit vergleichsweise hoher Temperatur über eine kurze Zeit erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger (
1 ) einzeln, oder in kleinen Chargen vorgenommen wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2, 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung der Verdrahtungsträger (
1 ) mindestens drei mal so lange vorgenommen wird, wie ein Umhüllzyklus in der Umhüllmaschine dauert, mindestens jedoch 5 min. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2, 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zeit zwischen der Temperaturbehandlung und dem Umhüllen mit einem Umhüllmaterial bei Lagerung in Luft auf maximal etwa 2 Stunden begrenzt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2, 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Lagerung der Verdrahtungsträger (
1 ) nach der Temperaturbehandlung bis zum Umhüllen in einer trockenen Atmosphäre erfolgt. - Anordnung zur Durchführung des Verfahrens, bestehend aus Umhüllmaschine zum Spritzpressen, die im Eingangsbereich eine Eingabestation für bestückte Verdrahtungsträger und ein Handhabungssystem zur Beladung von Umhüllformen aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Eingabestation (
2 ) und dem Handhabungssystem (3 ) eine Temperstation (4 ) angeordnet ist. - Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche Verdrahtungsträger in der Temperstation (
4 ) gleichmäßig der gleichen Temperatur ausgesetzt sind. - Anordnung nach Anspruch 10 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur in der Temperstation (
4 ) bei Störungen in der Umhüllmaschine reduziert ist. - Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur in der Temperstation (
4 ) 120°C beträgt. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperstation (
4 ) ein Schlitzmagazin (5 ) zur Aufnahme einer vorgegebenen Anzahl von Verdrahtungsträgern (1 ) aufweist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperstation (
4 ) eine Heizkammer (6 ) zur Aufnahme der Schlitzmagazine (5 ) enthält, wobei die Temperierung des Schlitzmagazins (5 ) mittels Heizelemente (7 ) durch Konvektion, Wärmeleitung und -strahlung erfolgt. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperstation (
4 ) mit einem Hubsystem (8 ) für das Schlitzmagazin (5 ) ausgestattet ist, derart dass jeder Schlitz im Schlitzmagazin (5 ) in Position zur vorgelagerten Eingabestation (2 ), als auch zum nachgelagerten Handhabungssystem (3 ) bringbar ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410041598 DE102004041598A1 (de) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410041598 DE102004041598A1 (de) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004041598A1 true DE102004041598A1 (de) | 2006-03-16 |
Family
ID=35853488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200410041598 Ceased DE102004041598A1 (de) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102004041598A1 (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3751687T2 (de) * | 1986-11-25 | 1996-08-14 | Hitachi Ltd | Verpackung für Halbleiterelemente |
-
2004
- 2004-08-26 DE DE200410041598 patent/DE102004041598A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3751687T2 (de) * | 1986-11-25 | 1996-08-14 | Hitachi Ltd | Verpackung für Halbleiterelemente |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Elektronik Praxis Nr. 12, 17.06.03 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1030349B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von auf einem Substrat angeordneten elektronischen Bauteilen, insbesondere von Halbleiterchips | |
DE60038265T2 (de) | Abtrennungsverfahren von einem Geganstand und Abtrennungsvorrichtung | |
DE10334576A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse und Trägerplatte zur Durchführung des Verfahrens | |
WO2011018226A1 (de) | Vorrichtung und behandlungskammer zur thermischen behandlung von substraten | |
EP2280420A2 (de) | Photovoltaikmodul mit verbesserter Korrosionsbeständigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102004018250A1 (de) | Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102008033651A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbaugruppen | |
DE102011053518B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchip-Paneels | |
DE10052889C2 (de) | Plasmabearbeitungseinrichtung und Plasmabearbeitungsverfahren für Substrate und ein Halbleitergerät | |
DE60016458T2 (de) | Haltevorrichtung für einen gegenstand und einrichtung zur wärmebehandlung eines gegenstandes | |
DE102004041598A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Reduzierung der Krümmung von Halbleiteranordnungen | |
DE60130881T2 (de) | Verfahren zur herstellung von gehärteten produkten | |
DE68927977T2 (de) | Verarbeitungsverfahren für mit Plastik umhüllte elektronische Anordnungen | |
DE3930281A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur impraegnierung unter unterdruck von platten aus marmor oder anderen steinartigen, im allgemeinen ritzen oder spalten aufweisenden materialien | |
DE102006032488A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern | |
DE4437361A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung für Transiente Schnellheizprozesse | |
EP0852774B1 (de) | Chipmodul | |
DE102005049977B3 (de) | Temperverfahren für einen Nutzen und Vorrichtung zur Durchführung des Temperverfahrens | |
DE60313980T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum verbinden zweier plattenförmiger gegenstände | |
DE102015102535B4 (de) | Verbundsystem und Verfahren zum haftenden Verbinden eines hygroskopischen Materials | |
EP1444728A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines schutzes für chipkanten und anordnung zum schutz von chipkanten | |
DE102004058456A1 (de) | Verfahren zur Formkorrektur eines mit einer Schicht und/oder einer Klebefolie versehenen, dünngeschliffenen Wafers | |
DE102019110818A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines schutzfilms auf mindestens einem elektronischen modul hintergrund | |
DE102010006393B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Inertgasaushärtung für Leiterrahmen- oder Substratstreifen | |
DE19618101A1 (de) | Trägerelement mit wenigstens einem integrierten Schaltkreis sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Trägerelementes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |