DE102004031623A1 - Leistungs-Halbleitermodul - Google Patents

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Abstract

Das Halbleitermodul (1) umfasst ein Gehäuse (2) zur Aufnahme mehrerer elektronischer Bauelemente (6, 7, 8) und Anschlusselemente zur externen elektrischen Verbindung. DOLLAR A Um eine kostengünstige und einfache elektrische Verbindung der Steueranschlüsse des Moduls mit externen Anschlussflächen z. B. einer Ansteuerplatine zu realisieren, weist zumindest ein Anschlusselement (18) einen vertikal federnden modulexternen Anschlusskontakt (25), der im montierten Zustand mit einer externen Anschlussfläche (26) eine elektrische Verbindung bildet, und eine modulinterne Bondfläche (20) auf.

Description

  • Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Halbleiterelektronik und betrifft ein Leistungs-Halbleitermodul mit einem Gehäuse zur Aufnahme mehrerer elektronischer Bauelemente und mit Anschlusselementen zur externen elektrischen Verbindung, beispielsweise zur Verbindung von Steueranschlüssen des Leistungshalbleitermoduls mit einer Ansteuerschaltung.
  • Als Steueranschlüsse werden Kontakte oder Anschlüsse bezeichnet, die eine Schnittstelle zwischen den im Leistungs-Halbleitermodul integrierten Leistungshalbleiterchips und der Ansteuerelektronik z.B. eines Umrichters realisieren. Diese Anschlüsse werden auch als Gate, Hilfsemitter und Hilfskollektor bezeichnet.
  • Aus der DE 197 21 061 A1 geht ein Leistungs-Halbleitermodul der eingangs genannten Art mit einem Gehäuse zur Aufnahme mehrerer elektronischer Bauelemente in Form von Leistungshalbleitern (IGBTs) und mit mehreren Anschlusselementen hervor, die als durchgehende, starre Anschlussstifte ausgebildet sind. Diese durchdringen mit ihren mittleren Bereichen einen Isolationskörper derart, dass sich jeweils ihr eines Ende außerhalb des Modulgehäuses (nachfolgend auch als modulexterner Bereich bezeichnet) und ihr anderes Ende sich innerhalb des Gehäuses (nachfolgend auch als modulinterner Bereich bezeichnet) befindet. Die Kontaktierung der modulinternen Enden der Anschlusselemente mit den Halbleiterchips (elektronische Bauelemente) erfolgt mittels Drahtbonden.
  • Der Anschluss der modulexternen Enden erfolgt vorzugsweisedurch Löten. Dazu müssen diese Enden mit eine lötfähigen Oberfläche versehen sein. Diese Verbindungstechnik ist jedoch fertigungstechnisch aufwendig, da die externen Lötverbindungen am Einsatzort des Leistungshalbleitermoduls bzw. durch den Anwender herzustellen sind. Außerdem ist im Falle einer Demontage eine aufwendige Entlötung notwendig.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Halbleitermodul der eingangs genannten Art dahingehend zu optimieren, dass die elektrische Verbindung des Moduls mit externen Anschlussflächen (z.B. einer Ansteuerplatine) kostengünstig, prozesssicher und zuverlässig herstellbar sowie einfach lösbar ist.
  • Die Aufgabe wird durch ein Leistungs-Halbleitermodul gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Erfindungsgemäß ist bei einem Leistungs-Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art vorgesehen, dass zumindest ein Anschlusselement einen federnden modulexternen Anschlusskontakt, der im montierten Zustand mit einer externen Anschlussfläche eine elektrische Verbindung bildet, und eine gehäuseinterne Bondfläche aufweist.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf der Überlegung, für den externen Modulanschluss einen Kontakt mit einem äußeren, modul- oder gehäuseexternen Kontaktbereich vorzusehen, der durch sein Material und/oder seine Geometrie Federeigenschaften aufweist. Dieser Kontakt federt im montierten Zustand auf seinen Kontaktpartner – z.B. einer Kontaktfläche einer Anschlussplatine – auf. Dagegen ist ein anderer Bereich des Kontakts im Modulinneren mit einer Bondfläche versehen, auf der in an sich bekannter Weise ein Bonddraht zur Kontaktierung des Bauelements gebondet ist.
  • Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung besteht damit darin, dass eine vereinfachte, lotfreie modulexterne Kontaktierung realisiert ist, ohne auf die Vorteile einer hohen Zuverlässigkeit von modulinternen Bond-Verbindungen verzichten zu müssen.
  • Ein weiterer wesentlicher Aspekt der Erfindung liegt darin, dass die Grundstrukturen und Fertigungskonzepte bekannter Modulgehäuse beibehalten werden können, also keine umfassenden Umkonstruktionen erforderlich sind.
  • Ein weiterer vorteilhafter Aspekt der Erfindung liegt schließlich darin, dass die federnden modulexternen Anschlusskontakte außerhalb einer gehäuseinternen Isolations-Weichvergussmasse liegen können, was die Zuverlässigkeit des erfindungsgemäßen Moduls weiter erhöht.
  • Eine bevorzugte kostengünstige Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das Anschlusselement eine Spiralfeder und ein Bondplättchen umfasst, das an deren gehäuseinternem Ende angeordnet ist. Alternativ kann das Anschlusselement aus einem Federblechstreifen gebildet sein. Dies ist fertigungstechnisch besonders günstig, weil Federelement und Bondplättchen aus demselben bereits integral verbundenen Ausgangsmaterial hergestellt werden können.
  • Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, dass das Anschlusselement in einem in dem Gehäuse vorgesehenen Führungsschacht geführt ist.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigt:
  • 1 im Querschnitt ein erfindungsgemäßes Leistungs-Halbleitermodul im montierten Zustand auf einer Platine,
  • 2 ein erstes Anschlusselement,
  • 3 ein zweites Anschlusselement, und
  • 4 ein drittes Anschlusselement.
  • Das in 1 gezeigte Halbleitermodul 1 weist ein Gehäuse 2 auf, dessen Boden von einer Bodenplatte 3 (oder einem Direct-Copper-Bonding-Substrat selbst) gebildet ist. Diese kann auch zur Wärmeabfuhr ausgelegt sein. Auf der Bodenplatte 3 ist ein Substrat 4 angeordnet, das seinerseits auf seiner Oberseite 5 Leistungshalbleiter(chips) und Leiterbahnstrukturen trägt. Das Gehäuse ist von einem Deckel 12 verschlossen und kann mit – aus Gründen einer deutlichen Darstellung nicht gezeigter – Vergussmasse gefüllt sein.
  • Beispielhaft sind zwei Bonddrähte 14, 15 gezeigt, die zum externen Anschluss des Leistungshalbleiters 6 bzw. einer Bahn der Leiterbahnstruktur 10 auf dem Substrat 4 dienen. Die Bonddrähte führen zu jeweils einem Anschlusselement 18, 19. Jeweils ein Ende des Bonddrahtes ist mit einer Bondfläche der Anschlusselemente verbunden, die von einem Metallplättchen 20, 21 gebildet ist. Die Anschlusselemente sind in Kanälen 22, 23 in vertikaler Richtung V geführt, die integral in dem Gehäuse 2 ausgebildet sind, als Führungsschächte fungieren und die Anschlusselemente gegen ein Ausknicken stützen.
  • Die Ausgestaltung der Anschlusselemente ist in der Seitenansicht und Aufsicht in 2 genauer zu erkennen. Das Anschlusselement (z.B. 18) ist als Spiralfeder ausgebildet und endet einerseits mit seinem modulinternen Ende an dem Metallplättchen 20. Das Anschlusselement endet andererseits an einem freien, federnden Ende 24, das sich außerhalb des Moduls bzw. Gehäuses 2 (also modulextern) befindet. Dieses Ende bildet so einen in Richtung V vertikal federnden modulexternen Anschlusskontakt 25, der in montiertem Zustand als Kontaktfuß mit einer korrespondierenden Anschlussfläche 26 einer Ansteuerungsplatine 27 (1) in mechanischem und elektrischem Kontakt steht.
  • Eine alternative Ausgestaltungsmöglichkeit der Anschlusselemente zeigt in Seitenansicht und Aufsicht 3. Das Anschlusselement 30 ist danach auch aus einem gefalteten Feder blechstreifen 31 gebildet, dessen eines unteres Ende 32 unmittelbar als Bondfläche 33 dient, während das andere Ende 34 einen Federkontakt 35 bildet. Um die Bondeigenschaften zu verbessern, kann der Federstreifen zumindest im Bereich der Bondfläche 33 metallisch (beispielsweise mit Aluminium, Kupfer oder Gold) beschichtet sein.
  • Eine weitere alternative Ausgestaltungsmöglichkeit der Anschlusselemente zeigt in Seitenansicht und Aufsicht 4. Als Anschlusselement 36 ist danach ein als Torsionsfeder ausgebildeter Draht vorgesehen, dessen eines unteres Ende unmittelbar als Bondfläche 37 (bondbares Plättchen) dient, während das andere Ende einen Federkontakt 38 bildet. Um die Bondeigenschaften zu verbessern, kann der Federstreifen zumindest im Bereich der Bondfläche 37 metallisch (beispielsweise mit Aluminium, Kupfer oder Gold) beschichtet sein.
    • 1
    Halbleitermodul
    2
    Gehäuse
    3
    Bodenplatte
    4
    Substrat
    5
    Oberseite
    6
    Leistungshalbleiter
    7
    Leistungshalbleiter
    8
    Leistungshalbleiter
    10
    Leiterbahnstruktur
    12
    Deckel
    14
    Bonddraht
    15
    Bonddraht
    18
    Anschlusselement
    19
    Anschlusselement
    20
    Metallplättchen
    21
    Metallplättchen
    22
    Kanal
    23
    Kanal
    24
    Ende
    25
    Anschlusskontakt
    26
    Anschlussfläche
    27
    Ansteuerungsplatine
    30
    Anschlusselement
    31
    Federblechstreifen
    32
    Ende
    33
    Bondfläche
    34
    Ende
    35
    Federkontakt
    V
    Richtung

Claims (8)

  1. Leistungs-Halbleitermodul (1) – mit einem Gehäuse (2) zur Aufnahme mehrerer elektronischer Bauelemente (6, 7, 8) und – mit Anschlusselementen zur externen elektrischen Verbindung, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Anschlusselement (18) aufweist: a) einen federnden modulexternen Anschlusskontakt (25), der im montierten Zustand mit einer externen Anschlussfläche (26) eine elektrische Verbindung bildet, und b) eine modulinterne Bondfläche (20).
  2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – das Anschlusselement (18) eine Spiralfeder und ein an deren gehäuseinternem Ende angeordnetes bondbares Metallplättchen (20) umfasst.
  3. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – das Anschlusselement (30) aus einem Streifen eines Federblechs (31) gebildet ist.
  4. Halbleitermodul nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass – das Anschlusselement (18, 19) in einem in dem isolierten Gehäuse (2) vorgesehenen Führungsschacht (22, 23) geführt ist.
  5. Halbleitermodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass – der Federblechstreifen am gehäuseinternen Ende eine bondbare Oberfläche aufweist.
  6. Halbleitermodul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass – die Oberfläche Aluminium, Kupfer oder Gold enthält.
  7. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – das Anschlusselement (36) eine Torsionsfeder ist, welches am gehäuseinternen Ende ein bondbares Plättchen (37) aufweist.
  8. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die Torsionsfeder aus einem Drahtmaterial gefertigt ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007024160A1 (de) * 2007-05-24 2008-12-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
FR2979961A1 (fr) * 2011-09-12 2013-03-15 Valeo Sys Controle Moteur Sas Organe de plaquage d'une piece sur une surface

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008048882A1 (de) 2008-09-25 2010-04-22 Rational Ag Direktsteckverbindungssystem und Gargerät

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3604313A1 (de) * 1986-02-12 1987-08-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE4130899A1 (de) * 1990-09-17 1992-03-19 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung
DE19847029A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-27 Semikron Elektronik Gmbh Umrichter mit niederinduktivem Kondensator im Zwischenkreis
DE19955100A1 (de) * 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp On-Board Halbleitereinrichtung
DE10231219C1 (de) * 2002-07-11 2003-05-22 Semikron Elektronik Gmbh Druckkontaktiertes Halbleiterrelais

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09312357A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3604313A1 (de) * 1986-02-12 1987-08-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE4130899A1 (de) * 1990-09-17 1992-03-19 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung
DE19847029A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-27 Semikron Elektronik Gmbh Umrichter mit niederinduktivem Kondensator im Zwischenkreis
DE19955100A1 (de) * 1999-04-22 2000-11-02 Mitsubishi Electric Corp On-Board Halbleitereinrichtung
DE10231219C1 (de) * 2002-07-11 2003-05-22 Semikron Elektronik Gmbh Druckkontaktiertes Halbleiterrelais

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007024160A1 (de) * 2007-05-24 2008-12-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102007024160B4 (de) * 2007-05-24 2011-12-01 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
FR2979961A1 (fr) * 2011-09-12 2013-03-15 Valeo Sys Controle Moteur Sas Organe de plaquage d'une piece sur une surface
WO2013038090A3 (fr) * 2011-09-12 2014-03-20 Valeo Systemes De Controle Moteur Organe de plaquage d'une piece sur une surface

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