DE102004021541A1 - Passivierung von Brennstrecken - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung beschreibt eine Vorrichtung mit einer abgleichfähigen Schaltung bzw. ein Verfahren zur Herstellung einer abgleichfähigen Schaltung. Dabei ist vorgesehen, dass der Abgleichvorgang wenigstens ein irreversibles Schalten eines Abgleichbauteils hervorruft, wobei vorgesehen ist, dass das irreversible Schalten eine Kontaktunterbrechung innerhalb einer Brennstrecke des Abgleichbauteils erzeugt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Abgleichbauteil wenigstens teilweise mit einer Passivierungsschicht bedeckt ist.

Description

  • Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung mit einer Schaltung bzw. einem Verfahren zur Herstellung einer Schaltung gemäß dem Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.
  • Zum Abgleich vorgefertigter elektrischer Bauelemente können Schaltungen in dem Bauelement vorgesehen sein, die mit Brennstrecken ausgestattet sind. Derartige Brennstrecken erlauben beispielsweise den Nachabgleich bereits auf Lager liegender Bauelemente. Darüber hinaus ist jedoch auch denkbar, dass mittels dieser Brennstrecken ein Feinabgleich durchgeführt wird. Somit können entsprechende Kennzahlen eines elektrischen Bauelements auch noch nach der Herstellung optimiert werden.
  • So sind beispielsweise aus dem Lehrbuch „Elektronik, Horst Völz, Akademieverlag Berlin 1986, S. 751 ff" Brennstrecken, sogenannte fusable links bekannt, die gezielt durch einen kurzen Stromstross mit festgelegter Stärke und Dauer durchbrennen. Stärke und Dauer des Stromstosses müssen dabei so gewählt werden, dass ein sicheres Durchbrennen der Brennstrecke gewährleistet wird. Somit lassen sich durch den Einsatz von Brennstrecken dauerhaft Abgleichinformationen auf dem Bauelement abspeichern.
  • Aus der DE 42 07 226 A1 ist weiterhin eine integrierte Schaltung bekannt, bei der ein Kennwert und/oder eine Funktion der Schaltung durch Anlegen mindestens eines Zündpotentials an wenigstens zwei nach außen führenden Anschlüssen der integrierten Schaltung veränderbar ist.
  • Wie in der DE 195 30 900 A1 beschrieben wird, kann es sich bei den Brennstrecken um dünne aufgedampfte Metallwiderstände handeln, die durch einen Stromfluss derart erhitzt werden, dass das metallische Material verdampft.
  • Eine konkrete Anwendung von Brennstrecken zum Abgleich von Sensorelementen wird in der DE 42 07 225 A1 beschrieben. Dabei sind Sensorelemente in den abzugleichenden Schaltungsteil integriert, wobei die Schaltung beispielsweise als Auswerteschaltung des Sensorelements vorgesehen sein kann. Da die fertigungsbedingten Toleranzen von Sensoren oft aufwendig abgeglichen werden müssen, stellt die Verwendung von irreversiblen Abgleichbauteilen, beispielsweise durch Brennstrecken, eine zeit- und kostengünstige Alternative zu sonstigen Abgleichvorgängen dar.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung beschreibt eine Vorrichtung mit einer abgleichfähigen Schaltung bzw. eine Verfahren zur Herstellung einer abgleichfähigen Schaltung. Dabei ist vorgesehen, dass der Abgleichvorgang wenigstens ein irreversibles Schalten eines Abgleichbauteils hervorruft, wobei vorgesehen ist, dass das irreversible Schalten eine Kontaktunterbrechung innerhalb einer Brennstrecke des Abgleichbauteils erzeugt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Abgleichbauteil wenigstens teilweise mit einer Passivierungsschicht bedeckt ist.
  • Vorteilhafterweise wird das Abgleichbauteil bzw. die Brennstrecke aber auch die komplette Schaltung durch die Passivierungsschicht vor aggressiven Medien geschützt, denen die Vorrichtung beispielsweise bei der Lagerung oder im Betrieb ausgesetzt ist. Somit kann ein zuverlässiger Abgleich über die Lebensdauer der Vorrichtung bzw. der Schaltung erreicht werden.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung erfolgt die Herstellung der Schaltung durch ein gängiges mikromechanisches Verfahren auf einem vorzugsweise halbleitenden Substrat. Dabei ist vorgesehen, dass das Substrat mit wenigstens einer ersten Passivierungsschicht und die Schaltung wenigstens teilweise mit einer zweiten Passivierungsschicht bedeckt ist. Darüber hinaus ist vorzugsweise vorgesehen, dass die zweite Passivierungsschicht eine kleinere Schichtdicke als die erste Passivierungsschicht aufweist.
  • Vorteilhafterweise sind bei dem Abgleichbauteil bzw. bei der Brennstrecke und/oder bei den Bondpads der Schaltung Bereiche vorgesehen, die nicht von der ersten Passivierungsschicht bedeckt sind. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, dass diese Bereiche während des Aufbringens der ersten Schicht durch entsprechende Masken ausgespart werden. Daneben ist jedoch auch denkbar, dass nach dem Aufbringen der ersten Passivierungsschicht diese Aussparungen in den entsprechenden Bereichen durch gezieltes Entfernen des ersten Passivierungsmaterials in einem weiteren Prozessschritt erreicht werden. Darüber hinaus kann vorgesehen sein, dass auch der an das Abgleichbauteil bzw. der Brennstrecke unmittelbar angrenzende Bereich auf dem Substrat ausgespart wird.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung bedeckt die zweite Passivierungsschicht wenigstens einen Teil des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke. Darüber hinaus kann vorgesehen sein, dass auch der an die Brennstrecke angrenzende Bereich des Substrats mit der ersten Passivierungsschicht bedeckt ist. Weiterhin ist denkbar, dass die zweite Passivierungsschicht auch Teile der ersten Passivierungsschicht abdeckt.
  • Als Passivierungsmaterial für die erste und/oder zweite Passivierungsschicht können vorteilhafterweise Verbindungen mit Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, organische Schutzlacke und/oder Polyimide verwendet werden.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung ist wenigstens eine Brennstrecke als Leiterbahn ausgebildet. Die für die Brennstrecke verwendete Leiterbahn kann dabei beispielsweise eine Verjüngung gegenüber den sonstigen in der Schaltung verwendeten Leiterbahnen aufweisen. Durch diese dünnere Leiterbahn ist ein effektiveres Durchschmelzen der Brennstrecke möglich. Dabei kann ganz allgemein ein Durchbrennen bzw. Durchschmelzen der Brennstrecke durch eine entsprechende Ansteuerung während eines Abgleichs, beispielsweise durch einen hohen Stromfluss, vorgenommen werden. Dieser Abgleich kann, wie bereits erwähnt, die Schaltung oder Vorrichtung, in der die Schaltung eingebettet ist, mit irreversiblen Abgleichinformationen ausstatten.
  • Vorteilhafterweise ist vorgesehen, dass die Vorrichtung mit der abgleichbaren Schaltung wenigstens ein Sensorelement aufweist, wobei die Schaltung zur Erfassung und/oder Auswertung der vom Sensorelement stammenden Sensorsignale einsetzbar ist. In einer besondere Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Sensorelement Mittel zur Erfassung einer physikalisch und/oder chemischen Größe aufweist, wobei insbesondere die Erfassung eines Drucks, einer Temperatur, einer Luftmasse, einer Beschleunigung und/oder einer Drehrate vorgesehen ist. Darüber hinaus kann vorgesehen sein, dass der Sensor im Rahmen eines mikromechanischen Herstellungsprozesses hergestellt wird, wobei das Sensorelement des Sensors und/oder die Schaltung vorzugsweise aus halbleitenden Materialien hergestellt wird.
  • In einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung wird die Schaltung mit der ersten Passivierungsschicht und die Brennstrecke mit der zweiten Passivierungsschicht bedeckt. Dabei kann selbstverständlich vorgesehen sein, dass die erste Passivierungsschicht auch Teile des Substrats und die zweite Passivierungsschicht Teile des Substrats und/oder der ersten Passivierungsschicht bedeckt. Weiterhin kann vorgesehen sein, dass die erste und die zweite Passivierungsschicht aus dem gleichen Material bestehen. Dabei kann es sich als günstig erweisen, die zweite Passivierungsschicht dünner als die erste Passivierungsschicht zu gestalten. Somit kann die zweite Passivierungsschicht dem verdampfenden Material der Brennstrecke einen gegenüber der ersten Passivierungsschicht geringeren Widerstand aufweisen. Werden jedoch zwei unterschiedliche Materialien für die beiden Passivierungsschichten gewählt, so ist lediglich das Materialverhalten der zweiten Passivierungsschicht beim aufbrechen maßgeblich für die Wahl der Dicke. Im letzteren Fall kann dabei sogar eine dickere zweite Passivierungsschicht gewählt werden, wenn das Material entsprechend geeignet ist.
  • Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. aus den abhängigen Patentansprüchen.
  • Zeichnungen
  • In den 1a bis 1c ist ein Aufbau einer Brennstrecke dargestellt, wie er aus dem Stand der Technik bekannt ist. Dagegen zeigen die 2a bis 2c den erfindungsgemäßen Aufbau mit einer passivierenden Schicht über der Brennstrecke.
  • Ausführungsbeispiel
  • Auswerteschaltungen von mikromechanischen Sensoren werden häufig mit (monolithisch) integrierten Schaltungen auf einem Halbleitersubstrat realisiert. Da die Kenndaten dieser Schaltungen bei der Herstellung Schwankungen unterliegen, ist ein nachträglicher Abgleich notwendig, um eine ausreichende Genauigkeit bei der Erfassung bzw. Auswertung der Sensorsignale zu ermöglichen. Neben den Schwankungen bei der Herstellung der Schaltungen können auch Qualitätsschwankungen bzw. Ungenauigkeiten bei der Herstellung der Sensoren durch einen Abgleich der Schaltung kompensiert werden.
  • Der Abgleich einer integrierten Schaltung kann dabei über die Verwendung von speziellen Abgleichelementen erfolgen, die innerhalb der Schaltung vorgesehen sind. Derartige Abgleichelemente können beispielsweise Zenerdioden oder Brennstrecken enthalten, die durch eine entsprechende Ansteuerung eine irreversible Modifikation der Schaltung hervorrufen können. Durch eine geeignete Auslegung der Schaltung können somit Abgleichinformationen dauerhaft in der Schaltung gespeichert werden.
  • Eine Möglichkeit, eine Schaltung dauerhaft abzugleichen, besteht, wie bereits erwähnt, in der Verwendung von Brennstrecken. Dabei werden die als dünne lange Metalleiterbahnen ausgebildeten Brennstrecken mit einem Strom beaufschlagt, der die Leitfähigkeit der Brennstrecken verändert, beispielsweise indem der elektrische Kontakt unterbrochen wird. So ist denkbar, dass bei einer geeigneten Dimensionierung der entsprechenden Brennstrecke und dem Einsatz eines hohen Stromes ein gezieltes Verdampfen der Metallleiterbahn erreicht werden kann.
  • In einem besonderen Ausführungsbeispiel sind die Brennstrecken in der obersten Metallisierungsebene der Auswerteschaltung durch aufgedampfte Metallwiderstände realisiert. Alternativ bzw. optional können die Brennstrecken auch gegenüber den übrigen Metallleiterbahnen eine Verjüngung aufweisen. Eine entsprechende Verjüngung der Metalleiterbahn 120 ist in 1a dargestellt, wobei die Breite 130 der Brennstrecke deutlich kleiner als die Breite 140 der normalen Metallleiterbahn 120 ist.
  • Allgemein ist in 1a eine Brennstrecke zum Abgleich dargestellt, wie sie bereits aus dem Stand der Technik bekannt ist. Dabei wird im Rahmen der Prozessierung einer (integrierten) Schaltung eine Metalleiterbahn 120 bzw. 150 auf einem Substrat 100, z.B. einem Siliziumsubstrat erzeugt. Anschließend wird auf die Schaltung eine Passivierungsschicht 110 aufgebracht, um die leitenden Elemente der Schaltung vor korrodierenden Bestandteilen der Umgebung zu schützen. Da die Brennstrecke 150 (beispielsweise als Teil der Metalleiterbahn 120) beim Abgleich verdampft werden soll, um den Kontakt durch die Metallleitung 120 irreversibel zu unterbrechen, ist vorgesehen, dass über der Brennstrecke 150 keine Passivierung vorgenommen wird. Diese Aussparung der Passivierungsschicht 110 über der Brennstrecke 150 kann dabei mittels entsprechender Masken beim Aufbringen des Passivierungsmaterials erfolgen. Alternativ hierzu kann jedoch auch nach dem Aufbringen des Passivierungsmaterials auf die Substratoberfläche bzw. auf die Auswerteschaltung die Passivierungsschicht an bestimmten Stellen wie beispielsweise über der Brennstrecke oder auch den Bondpads wieder geöffnet werden. Als Resultat eines derartigen Herstellungsprozesses erhält man eine Schaltung, die wenigstens teilweise mit dem Passivierungsmittel bedeckt ist und wobei die Brennstrecke 150 gemäß der 1b bzw. 1c frei liegt.
  • Der Nachteil einer derartigen Ausbildung der Brennstrecke 150 liegt darin, dass aggressive Medien bzw. korrosive Bestandteile des Umgebungsmediums die Brennstrecken, die nicht durch einen Abgleichvorgang aufgeschmolzen werden sollen, im Laufe der Zeit, z.B. während des Betriebs der Schaltung durchkorrodieren können. Somit kann im Laufe der Zeit eine beim ursprünglichen Abgleich nicht gewollte elektrische Trennung der Brennstrecke erfolgen und die Abgleichinformationen verändern.
  • Eine Möglichkeit, dieser ungewollten Veränderung der Abgleichinformationen entgegenzutreten besteht darin, die Passivierungsschicht 110 auch über die Brennstrecke 150 auszudehnen. Würde man jedoch die relativ dicke Standard-Schaltungspassivierung (z.B. eine Siliziumnitridschicht mit einer Schichtdicke von ca. 800 nm) über der Brennstrecke 150 belassen, so könnte das Metall beim Abgleich nicht mehr verdampfen oder unbeabsichtigte Wirkungen entfalten. Eine konkrete Gefahr besteht infolge der Verdampfung darin, dass der Druck unter dem Passivierungsmaterial bei der Verdampfung so groß werden kann, dass die Passivierung über der Brennstrecke 150 weggesprengt werden würde. Dabei sind Risse in der Passivierung und im Substrat, die sich bis in den aktiven Schaltungsbereich erstrecken, nicht auszuschließen. Es ist offensichtlich, dass eine derartige Schaltungs- bzw. Substrateinheit mechanische und elektrische Instabilitäten aufweisen kann.
  • Um dieser Gefahr zu entgehen, kann vorgesehen sein, auf die Brennstrecke eine zusätzliche Passivierungsschicht 200 aufzubringen, wie es in der 2a bzw. 2b dargestellt ist. Diese zweite, zusätzliche Passivierungsschicht 200 weist dabei vorzugsweise eine geringere Schichtdicke d (220) als die Schichtdicke D (210) der ersten Passivierungsschicht 110 auf. Mit dieser dünneren zweiten Passivierungsschicht 200 kann erreicht werden, dass das Aufschmelzen der Brennstrecke 150 während des Abgleichs ohne Beeinträchtigung der übrigen Schaltungselemente bzw. des Substrats 100 durchgeführt werden kann. Dies liegt vor allem daran, dass das Material, welches durch einen hohen Strom verdampft wird, durch eine dünne Passivierungsschicht 200 weit weniger Widerstand zum Entweichen erfährt, als durch eine dickere Passivierungsschicht 110. Somit ist ein Aufbrechen der dünneren zweiten Passivierungsschicht 200 möglich, ohne dass die erste Passivierungsschicht 110 oder das Substrat 100 in Mitleidenschaft gezogen wird.
  • Neben der Schichtdicke muss auch das Material für die zweite Passivierungsschicht entsprechend gewählt werden. So sind Passivierungsmaterialien für die zusätzliche Passivierungsschicht zu wählen, die den Abgleichvorgang der Schaltung nicht behindern bzw. beim Verdampfen des Metalls der Brennstrecke leicht aufbrechen. Als geeignet für eine derartige Passivierung haben sich dünne Siliziumnitridschichten, dünne Siliziumcarbidschichten oder ganz allgemein organische Schutzlacke bzw. Polyimide gezeigt.
  • In einem speziellen Ausführungsbeispiel kann vorgesehen sein, die Passivierung der Schaltung durch eine erste Standardpassivierungsschicht bspw. aus Siliziumnitrid mit einer Schichtdicke von 800 nm und die zweite dünnere Passivierungsschicht bevorzugt mit einer Schichtdicke von weniger als 300 nm durchzuführen.
  • Vorteilhafterweise kann die zweite Passivierungsschicht, die nach der ersten Passivierungsschicht aufgebracht wird, über den Bondpads geöffnet bzw. beim Aufbringen ausgespart werden, um eine Kontaktierung der Schaltung in einem nachfolgenden Prozessschritt zu ermöglichen.
  • Allgemein kann sowohl das Passivierungsmaterial der ersten als auch der zweiten Passivierungsschicht derart gewählt werden, dass die Materialien einzeln oder kombiniert einen maximalen Schutz der Schaltung bzw. Teile der Schaltung vor applikationsspezifischen aggressiven Medien ermöglichen.
  • Weiterhin kann das Material für die zweite Passivierungsschicht in Abhängigkeit weiterer anschließender Prozessschritte gewählt werden. So ist beispielsweise denkbar, dass die Schaltung mit Brennstrecken, wie sie in der vorliegenden Erfindung beschrieben wird, im Rahmen der Herstellung eines Sensors mittels mikromechanischer Halbleitertechnologien auf dem gleichen Substrat wie das Sensorelement erzeugt wird. Dabei kann die Schaltung sowohl zur Steuerung bzw. Erfassung von Signalen durch das Sensorelement als auch zur Auswertung der Sensorsignale vorgesehen sein. Somit lassen sich durch einen Abgleichvorgang, der nach der Herstellung des Sensorelements erfolgt, Ungleichmäßigkeiten, die durch den Herstellungsprozess des Sensorelements hervorgerufen werden, kompensieren. Derartige Ungleichmäßigkeiten sowohl bei der Herstellung der Schaltung als auch bei Herstellung des Sensorelements treten dabei regelmäßig bei Prozessen in der Halbleitertechnologie auf.
  • Allgemein ist die Erfindung jedoch nicht auf Schaltungen beschränkt, die im Zusammenhang mit insbesondere mikromechanischen Sensoren stehen. Vielmehr kann eine oben beschriebene zusätzliche zweite Passivierungsschicht zur Abdeckung von Abgleichelementen bzw. Brennstrecken bei jeder Art von Schaltungen eingesetzt werden, bei denen ein Abgleich zeitversetzt zur Herstellung durchgeführt wird. Die zusätzliche Passivierung ermöglicht dabei den langfristigen Schutz der Abgleichelemente vor korrodierenden Medien.
  • In einem besonderen Ausführungsbeispiel ist dabei vorgesehen, dass die zweite Passivierungsschicht nur auf den von der ersten Passivierungsschicht ausgesparten Bereichen des Substrats bzw. der Schaltung aufgebracht wird.

Claims (13)

  1. Vorrichtung mit einer Schaltung bei der ein Abgleich der Schaltung durch ein irreversibles Schalten von einem leitenden zu einem isolierenden Zustand wenigstens eines Abgleichbauteils möglich ist, wobei das Abgleichbauteil wenigstens eine Brennstrecke (150) aufweist, die durch eine geeignete Ansteuerung in Abhängigkeit vom durchzuführenden Abgleich das irreversible Schalten ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, dass das Abgleichbauteil wenigstens teilweise mit einer Passivierungsschicht (110, 200) bedeckt ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltung mittels eines mikromechanischen Verfahrens auf einem Substrat (100) erzeugt wird, wobei – das Substrat (100) wenigstens eine erste Passivierungsschicht (110) und – die Schaltung wenigstens teilweise eine zweite Passivierungsschicht (200) aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die zweite Passivierungsschicht (110) eine kleinere Schichtdicke als die erste Passivierungsschicht (200) aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Passivierungsschicht (110) Aussparungen – im Bereich – des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke (150) und/oder – von Bondpads und/oder – auf dem Substrat (100) in unmittelbarer Nähe des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke (150) aufweist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Passivierungsschicht (200) wenigstens einen Teil des Bereichs des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke (150) bedeckt, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die zweite Passivierungsschicht (200) wenigstens einen Teil – des an die Brennstrecke (150) angrenzenden Substrats und/oder – der ersten Passivierungsschicht (110) bedeckt.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder die zweite Passivierungsschicht – Siliziumnitrid und/oder – Siliziumcarbid und/oder – organische Schutzlacke und/oder – Polyimide aufweist.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Brennstrecke (150) eine Leiterbahn (120) aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Brennstrecke (150) – eine im Vergleich zu den übrigen Leiterbahnen der Schaltung dünnere Leiterbahn aufweist und/oder – zum Abgleich der Schaltung mittels einer entsprechenden Ansteuerung irreversibel durchbrennt.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung – einen insbesondere mikromechanischen Sensor und – eine Schaltung zur Erfassung und/oder Auswertung von Sensorsignalen aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Sensor wenigstens – ein Mittel zur Erfassung – eines Drucks oder – einer Temperatur oder – einer Luftmasse oder – einer Beschleunigung oder – einer Gierrate und/oder – halbleitende Materialien aufweist.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Schaltung, insbesondere einer Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der ein Abgleich der Schaltung durch ein irreversibles Schalten von einem leitenden zu einem isolierenden Kontakt wenigstens eines Abgleichbauteils möglich ist, wobei das Abgleichbauteil wenigstens eine Brennstrecke (150) aufweist, die durch eine geeignete Ansteuerung in Abhängigkeit vom durchzuführenden Abgleich das irreversible Schalten ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der Schaltung das Abgleichbauteil wenigstens teilweise mit einer Passivierungsschicht (110, 200) bedeckt wird.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltung mittels eines mikromechanischen Herstellungsverfahrens auf einem Substrat (100) aufgebracht wird, wobei vorgesehen ist, dass auf das Substrat (100) wenigstens eine erste Passivierungsschicht (110) und auf die Schaltung wenigstens teilweise eine zweite Passivierungsschicht (200) aufgebracht wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die zweite Passivierungsschicht (200) – nach der ersten Passivierungsschicht (110) aufgebracht wird und/oder – eine dünnere Schichtdicke als die erste Passivierungsschicht (110) aufweist.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Passivierungsschicht (110) Aussparungen – im Bereich – des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke (150) und/oder – von Bondpads und/oder – auf dem Substrat (100) in unmittelbarer Nähe des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke (150) aufweist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Aussparungen – mittels einer entsprechenden Maske beim Aufbringen der ersten Passivierungsschicht (110) und/oder – durch Herauslösen von Teilen der ersten Passivierungsschicht (110) nach dem Aufbringen erzeugt werden.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Passivierungsschicht (200) wenigstens teilweise im Bereich des Abgleichbauteils bzw. der Brennstrecke (150) aufgebracht wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die zweite Passivierungsschicht (200) wenigstens einen Teil – des an die Brennstrecke (150) angrenzenden Substrats und/oder – der ersten Passivierungsschicht (110) bedeckt.
  12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder die zweite Passivierungsschicht – Siliziumnitrid und/oder – Siliziumcarbid und/oder – organische Schutzlacke und/oder – Polyimide aufweist.
  13. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Brennstrecke (150) durch eine Leiterbahn (120) realisiert wird, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass die Brennstrecke (150) durch eine im Vergleich zu den übrigen Leiterbahnen der Schaltung dünnere Leiterbahn erzeugt wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5847596Y2 (ja) * 1979-09-05 1983-10-29 富士通株式会社 半導体装置
JP2695548B2 (ja) * 1991-09-04 1997-12-24 富士通株式会社 半導体装置
US5622892A (en) * 1994-06-10 1997-04-22 International Business Machines Corporation Method of making a self cooling electrically programmable fuse
EP0762498A3 (de) * 1995-08-28 1998-06-24 International Business Machines Corporation Fenster für Sicherung mit kontrollierter Sicherungsoxiddicke

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