DE102004016139A1 - Weisses Licht emittierende Vorrichtung - Google Patents

Weisses Licht emittierende Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102004016139A1
DE102004016139A1 DE102004016139A DE102004016139A DE102004016139A1 DE 102004016139 A1 DE102004016139 A1 DE 102004016139A1 DE 102004016139 A DE102004016139 A DE 102004016139A DE 102004016139 A DE102004016139 A DE 102004016139A DE 102004016139 A1 DE102004016139 A1 DE 102004016139A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
emitting device
light emitting
led
cyan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102004016139A
Other languages
English (en)
Inventor
Tajul Arosh Baroky
Bee Yin Janet Chua
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Publication of DE102004016139A1 publication Critical patent/DE102004016139A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/57—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
    • C09K11/572—Chalcogenides
    • C09K11/574—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/58—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing copper, silver or gold
    • C09K11/582—Chalcogenides
    • C09K11/584—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/661—Chalcogenides
    • C09K11/663—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

Die Erfindung liefert lichtemittierende Vorrichtungen, die eine Phosphorschicht aufweisen und die als Quellen von weißem Licht und für andere Anwendungen nützlich sind. Die Erfindung liefert eine lichtemittierende Vorrichtung, die eine LED und eine Phosphorzusammensetzung, die positioniert ist, um Licht von der LED zu empfangen, aufweist. Die LED ist angepaßt, um cyanfarbenes Licht zu emittieren, und die Phosphorzusammensetzung ist angepaßt, um cyanfarbenes Licht von der LED zu absorbieren und rotes Licht zu emittieren.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich allgemein auf lichtemittierende Vorrichtungen und insbesondere auf lichtemittierende Dioden mit einer Phosphorschicht, die als Quelle von weißem Licht und für andere Anwendungen nützlich sind.
  • Herkömmliche Weißlichtquellen umfassen Vorrichtungen wie Glühlampen und Leuchtstofflampen. Derartige Vorrichtungen weisen mehrere unerwünschte Charakteristika auf, unter anderem Größe, Leistungsverbrauch, begrenzte Betriebsdauer. Alternative Weißlichtquellen weisen wunschgemäß verbesserte Charakteristika auf.
  • Halbleiterbauelemente wurden bisher als alternative Weißlichtquellen mit einem Ziel untersucht, Weißlichtquellen zu finden, die sowohl leistungs- als auch kosteneffizient sind. Lichtemittierende Dioden (LEDs) sind kompakt und emittieren Licht einer klaren Farbe mit hoher Effizienz. Da sie Festkörperelemente sind, weisen LEDs lange Betriebszeiten, gute Anfangstreibercharakteristika und eine gute Schwingungsfestigkeit auf und halten wiederholten EIN-/AUS-Operationen stand. Deshalb finden sie bisher bei Anwendungen wie verschiedenen Indikatoren und verschiedenen Lichtquellen breite Verwendung. Bei vielen Anwendungen können LEDs geeignete Lichtquellen bei einem geringen Leistungsverbrauch liefern.
  • Herkömmliche LEDs weisen in der Regel ein schmales Emissionsspektrum auf (erzeugen monochromatisches Licht) und weisen somit nicht ein breites Emissionsspektrum auf, das notwendig ist, um weißes Licht zu liefern. In der letzten Zeit werden Vorrichtungen, die eine Kombination von LEDs verwenden, um drei Lichtkomponenten von Rot, Grün und Blau (R, G und B) zu liefern, verwendet, um weißes Licht zu liefern.
  • Große Bildschirm-LED-Anzeigen, die diese lichtemittierenden Dioden verwenden, sind mittlerweile in Gebrauch. Strategien zum Streuen und Mischen des durch die LEDs emittierten Lichts werden bei derartigen Vorrichtungen wichtig, um weißes Licht des gewünschten Tons, der gewünschten Luminanz und andere Faktoren der Lichtemission derartiger Vorrichtungen zu erzeugen. Außerdem erfordert ein Kombinieren von drei Dioden (R, G und B), um weißes Licht zu liefern, ein größeres Gehäuse als eine einzige Diode. Kürzlich entwickelte Vorrichtungen beinhalten mehrere lichterzeugende aktive Regionen auf einem einzigen Halbleiterchip, wobei die mehreren aktiven Regionen jeweils in einer Region einer gesonderten Wellenlänge emittieren, derart, daß die Kombination von aktiven Regionen das sichtbare Spektrum zum Emittieren von Weißlicht abdeckt.
  • Ein weiterer typischer Ansatz zum Erzeugen von Weißlicht kombiniert UV- oder blaues Licht emittierende Dioden (LEDs) mit Lumineszenzmaterialien (z.B. Phosphoren), die die LED-Emission zu Licht einer längeren Wellenlänge herunterumsetzen. Bei derartigen Vorrichtungen aktiviert die UV- oder Blaulichtemission von einer aktiven Region einer lichtemittierenden Diode eine Phosphorzusammensetzung (sie regt diese an), die positioniert ist, um das LED-emittierte Licht zu empfangen. Die angeregte Phosphorzusammensetzung wiederum emittiert Licht bei einer längeren Wellenlänge. Das Nettoergebnis ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die Licht emittiert, das eine Mehrzahl von Wellenlängen über das sichtbare Spektrum aufweist. Eine entsprechende Kombination verschiedener Wellenlängen über das sichtbare Spektrum kann durch das menschliche Auge als weißes Licht wahrgenommen werden. Die Zusammensetzung des Phosphors wird üblicherweise eingestellt, um die Farbbalance des emittierten Lichts zu verändern. In manchen Fällen enthält die Phosphorzusammensetzung mehr als einen Phosphor, wobei jeder Phosphor bei einer anderen Wellenlänge emittiert.
  • Beispielsweise offenbaren die US-Patentschriften Nrn. 5,813,753 und 5,998,925 lichtemittierende Vorrichtungen, bei denen eine in einer reflektierenden Schale angeordnete blaue LED von einer Phosphorzusammensetzung umgeben ist. Die blaue LED emittiert blaues Licht, von dem ein Teil die Phosphore in der Phosphorzusammensetzung anregt. Die Phosphore sind derart ausgewählt, daß sie auf eine Anregung hin rotes und grünes Licht emittieren. Die Vorrichtung emittiert üblicherweise eine Kombination aus blauem Licht (nicht absorbierte Emission von der LED) und rotes Licht und grünes Licht (von den Phosphoren). Die Kombination von Wellenlängen von Licht kann durch das menschliche Auge als weiß wahrgenommen werden. Das Phosphor altert üblicherweise über die Lebensdauer der Vorrichtung, was die Effizienz, mit der die LED-Emission in eine höhere Wellenlänge umgewandelt wird, verändert. Somit verändert sich die Ausgangslichtcharakteristik der Vorrichtung über die Lebensdauer der Vorrichtung, insbesondere wenn mehrere Phosphore verwendet werden.
  • Somit wird eine weißes Licht emittierende Vorrichtung gewünscht, die relativ klein ist, ein geringes Gewicht und eine lange effektive Betriebslebensdauer aufweist, leistungseffizient und sparsam ist.
    •
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine lichtemittierende Vorrichtung mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1 gelöst.
  • Die Erfindung widmet sich den zuvor erwähnten Unzulänglichkeiten in der Technik und liefert neuartige weißes Licht emittierende Vorrichtungen, die wünschenswerte Leistungsverbrauchscharakteristika aufweisen.
  • Die Erfindung liefert eine lichtemittierende Vorrichtung, die eine LED und eine Phosphorzusammensetzung, die positioniert ist, um Licht von der LED zu empfangen, aufweist. Die LED ist angepaßt, um cyanfarbenes Licht, üblicherweise im Bereich von 490 nm bis 530 nm, zu emittieren. Die Phosphorzusammensetzung ist angepaßt, um cyanfarbenes Licht von der LED zu absorbieren und rotes und/oder rot-oranges Licht, üblicherweise im Bereich von 590 nm bis 650 nm, zu emittieren. Die Phosphorzusammensetzung umfaßt in der Regel Phosphorpartikel und ein Bindematerial, das die Phosphorartikel auf eine Phosphor aufweisende Oberfläche immobilisiert.
  • Zusätzliche Ziele, Vorteile und neuartige Merkmale dieser Erfindung werden teilweise in den Beschreibungen und in den Beispielen, die nun folgen, dargelegt, und teilweise werden sie Fachleuten auf eine Überprüfung der folgenden Spezifikationen einleuchten oder können durch die Praxis der Erfindung erfahren werden. Die Ziele und Aufgaben der Erfindung können mittels der Instrumente, Kombinationen, Zusammensetzungen und Verfahren, die insbesondere in den angehängten Patentansprüchen aufgezeigt sind, umgesetzt um erreicht werden.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Um das Verständnis zu erleichtern, wurden identische Bezugszeichen verwendet, wo dies praktikabel war, um entsprechende Elemente, die den Figuren gemein sind, zu bezeichnen. Die Figurenkomponenten sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet.
  • Bevor die Erfindung ausführlich beschrieben wird, sollte man verstehen, daß, wenn nichts anderes angegeben ist, diese Erfindung nicht auf bestimmte Materialien, Reagenzien, Reaktionsmaterialien, Herstellungsprozesse oder dergleichen beschränkt ist, da diese variieren können. Ferner sollte man verstehen, daß die hierin verwendete Terminologie lediglich dem Zweck der Beschreibung bestimmter Ausführungsbeispiele dient und keine Einschränkung darstellen soll. Bei der vorliegenden Erfindung ist es auch möglich, daß Schritte in einer anderen Reihenfolge ausgeführt werden, wo dies logisch möglich ist. Die beschriebene Sequenz ist jedoch bevorzugt.
  • Es muß erwähnt werden, daß die Singularformen „ein", „eine", „eines", „der", „die" und „das" usw. gemäß der Verwendung in der Spezifikation und in den beigefügten Ansprüchen auch Mehrzahlbezugnahmen umfassen, wenn der Kontext nicht deutlich etwas anderes vorgibt. Somit umfaßt beispielsweise eine Bezugnahme auf „ein Phosphorpartikel" eine Mehrzahl von Phosphorpartikeln. Bei dieser Spezifikation und in den folgenden Patentansprüchen wird auf eine Anzahl von Begriffen Bezug genommen, die per Definition die folgenden Bedeutungen haben sollen, es sei denn, eine anderslautende Absicht ist offensichtlich.
  • Gemäß der Verwendung hierin bezieht sich der Begriff „LED" bzw. „lichtemittierende Diode" auf eine Vorrichtung, die einen Stapel von Halbleiterschichten (einen „Chip") aufweist, einschließlich einer aktiven Region, die Licht emittiert, wenn sie vorgespannt ist, um einen elektrischen Stromfluß durch die Vorrichtung zu erzeugen, und Kontakten, die an dem Stapel befestigt sind. Eine „Cyan-LED" ist eine LED, die cyanfarbenes Licht, z.B. im Wellenlängenbereich von 490 nm bis 530 nm, emittiert. Cyanfarbenes Licht ist Licht, das eine Wellenlänge im Bereich von 490 nm bis 530 nm aufweist. Rotes Licht ist Licht, das eine Wellenlänge im Bereich von etwa 610 nm bis 650 nm aufweist. Rot orangefarbenes Licht ist Licht, das eine Wellenlänge im Bereich von 590 nm bis etwa 610 nm aufweist.
  • „Phosphor" bezieht sich auf jegliche Lumineszenzmaterialien, die Licht einer Wellenlänge absorbieren und Licht einer anderen Wellenlänge emittieren. „Lichtemittierende Vorrichtung" bezieht sich auf eine Vorrichtung, die eine LED und eine Phosphorzusammensetzung umfaßt, wobei die Phosphorzusammensetzung angepaßt ist, um Licht von der LED zu empfangen und Licht, das eine längere Wellenlänge aufweist als das Anregungslicht, zu emittieren. „Weißes Licht emittierende Vorrichtung" bezieht sich auf eine lichtemittierende Vorrichtung, die in der Lage ist, weißes Licht zu erzeugen. „Weißes Licht" bzw. „Weißlicht" bezieht sich auf Licht, das von einem typischen menschlichen Beobachter als weiß wahrgenommen wird; bestimmte Ausführungsbeispiele weißen Lichts umfassen Licht, das eine „Korreliert-Farbtemperatur" (CCT – correlated color temperature) im Bereich von etwa 3000 K bis etwa 6500 K aufweist und einen Farbwiedergabeindex (CRI – color rendering index) von mehr als 85 aufweist. Bei typischeren Ausführungsbeispielen liegt die CCT im Bereich von etwa 4800 bis etwa 6500 K. Diesbezüglich ist CCT als die absolute Temperatur (in Grad Kelvin ausgedrückt) eines theoretischen schwarzen Körpers definiert, dessen Chromatizität der der Lichtquelle am stärksten ähnelt. CRI ist eine Angabe der Fähigkeit einer Lichtquelle, einzelne Farben relativ zu einem Standard zu zeigen; der CRI-Wert ist von einem Vergleich der Spektralverteilung der Lampe mit einem Standard (in der Regel einem schwarzen Körper) bei derselben Korreliert-Farbtemperatur abgeleitet. Sowohl die CCT als auch der CRI sind so, wie sie in der Industrie bekannt sind und verwendet werden.
  • Wenn man, gemäß der Verwendung hierin, von einer Lichtemission, z.B. von einer Phosphorzusammensetzung oder einer Diode, sagt, daß sie bei einer gegebenen Wellenlänge oder in einem gegebenen Wellenlängenbereich auftritt, soll es als erforderlich interpretiert werden, daß die Emission zu mindest etwa 10 % (in der Regel zumindest etwa 20 %) der größten relativen Emissionsintensität beträgt, die bei einer beliebigen Wellenlänge im Bereich von 340 nm bis 700 nm auftritt. Falls man also von einem Phosphorpartikel (oder einer Phosphorzusammensetzung) sagt, daß es (bzw. da sie) Licht emittiert, das eine Wellenlänge im Bereich von etwa 600 nm bis etwa 625 nm aufweist, so ist beabsichtigt, daß das emittierte Licht im Vergleich zu der Intensität bei der Wellenlänge, die die intensivste Emission (durch das Phosphorpartikel) über den Wellenlängenbereich von 340 nm bis 700 nm aufweist, bei einer Wellenlänge im Bereich von etwa 600 nm bis etwa 625 nm zumindest etwa 10 % (in der Regel zumindest etwa 20 %) der Intensität aufweisen sollte. Wenn man, gemäß der Verwendung hierin, davon spricht, daß eine Lichtemission, z.B. von einer Phosphorzusammensetzung oder einer LED, eine Spitzenemissionswellenlänge bei einer gegebenen Wellenlänge (oder in einem gegebenen Bereich) aufweist, so soll dies so interpretiert werden, daß es erfordert, daß die Emissionsintensität bei der gegebenen Wellenlänge (oder bei einer Wellenlänge in dem gegebenen Bereich) zumindest etwa 30 % (in der Regel zumindest etwa 40 %) der größten relativen Emissionsintensität beträgt, die bei einer beliebigen Wellenlänge im Bereich von 340 nm bis 700 nm auftritt.
    •
  • Die Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet, wenn nichts anderes angegeben ist, herkömmliche Techniken einer Halbleiterherstellung, -einhäusung, -Beschichtung, herkömmliche Techniken einer Materialiensynthese und dergleichen, die allesamt unter Fachleuten bekannt sind. Derartige Techniken sind in der Literatur vollständig erklärt.
  • Die folgenden Beispiele werden dargelegt, um Fachleuten eine vollständige Offenbarung und Beschreibung an die Hand zu geben, wie die hierin offenbarten und beanspruchten Verfah ren durchzuführen und wie die hierin offenbarten und beanspruchten Zusammensetzungen zu verwenden sind. Man bemühte sich, eine Genauigkeit in Bezug auf Zahlen (z.B. Mengen, Temperatur usw.) zu gewährleisten, gewisse Fehler und Abweichungen sollten aber berücksichtigt werden. Wenn nichts anderes angegeben ist, beziehen sich Teileangaben auf das Gewicht, lautet die Temperatur auf Grad Celsius und ist der Druck atmosphärisch oder nahezu atmosphärisch. Die Standardtemperatur und der Standarddruck sind als 20°C und 1 Atmosphäre definiert.
  • Unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen werden nun im folgenden Ausführungsbeispiele der beschriebenen Erfindung beschrieben. Unter Bezugnahme auf 1 ist eine lichtemittierende Vorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Die lichtemittierende Vorrichtung 100 umfaßt eine Cyan-LED 102 in Form eines Halbleiterchips. Die Cyan-LED 102 ist auf einer Montagebasis-Wärmesenke 104 angeordnet, die in einer in einem Substrat 106 gebildeten Aussparung getragen ist. Das Substrat 106 weist eine reflektierende Wand 108 zum Lenken von Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung 100 auf. Die Cyan-LED 102 ist mit einer Phosphorzusammensetzung 110 beschichtet. Kontaktanschlüsse 112a, 112, die benachbart zu dem Substrat 106 sind oder dasselbe tragen, stehen über Verbindungsdrähte 114a, 114 in elektrischer Kommunikation mit den Kontakten der Cyan-LED 102. Die Aussparung in dem Substrat 106 ist mit einer klaren Polymermatrix 116 gefüllt. Eine Kuppellinse 118 ist benachbart zu der Aussparung in dem Substrat 106 positioniert, um Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung 100 zu lenken. In diesem Kontext umfaßt ein Lenken von Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung ein Fokussieren und/oder Streuen des Lichts von der Cyan-LED und/oder der Phosphorzusammensetzung.
  • Im Gebrauch ist ein Potential über die Kontaktanschlüsse 112a, 112 angelegt, um über die aktive Region der Cyan-LED 102 eine Vorspannung anzulegen. Die Cyan-LED 102 emittiert ansprechend auf die Vorspannung über die aktive Region cyanfarbenes Licht. Das emittierte cyanfarbene Licht passiert die Phosphorzusammensetzung 110, und Phosphorpartikel in der Phosphorzusammensetzung absorbieren einen Teil des cyanfarbenen Lichts. Die Absorption des cyanfarbenen Lichts durch die Phosphorpartikel führt zu einer Herunterumsetzung (Umwandlung zu einer längeren Wellenlänge) des Lichts, wodurch Licht erzeugt wird, das eine längere Wellenlänge aufweist als das cyanfarbene Licht. Die Phosphorpartikel sind ausgewählt, um auf eine Anregung durch das cyanfarbene Licht hin rotes und/oder rot-oranges Licht zu erzeugen. Die lichtemittierende Vorrichtung emittiert somit Licht, das eine Mehrzahl von Wellenlängenkomponenten aufweist, was auf (a) cyanfarbenes Licht, das (nicht absorbiert) die Phosphorschicht passiert, und (b) rotes und/oder rotorangefarbenes Licht, das sich aus einem Herunterumsetzen von phosphorabsorbiertem, durch eine LED emittiertem cyanfarbenem Licht ergibt, zurückzuführen ist.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist in 2 veranschaulicht. Eine lichtemittierende Vorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Cyan-LED 102 in Form eines Halbleiterchips. Die Cyan-LED 102 ist auf einer Montagebasis-Wärmesenke 104 angeordnet, die in einer in einem Substrat 106 gebildeten Aussparung getragen ist. Das Substrat 106 weist eine reflektierende Wand 108 zum Lenken von Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung 100 auf. Die Cyan-LED 102 ist mit einer Phosphorzusammensetzung 110 beschichtet. Kontaktanschlüsse 112a, 112b, die benachbart zu dem Substrat 106 sind oder dasselbe tragen, stehen über Verbindungsdrähte 114a, 114b in elektrischer Kommunikation mit den Kontakten der Cyan-LED 102. Die Aussparung in dem Substrat 106 ist mit einer klaren Polymermatrix 116 gefüllt. Eine planare Linse 119 ist benachbart zu der Aussparung in dem Substrat 106 positioniert, um Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung 100 zu lenken.
  • Das in 2 veranschaulichte Ausführungsbeispiel wird zum großen Teil auf dieselbe Weise verwendet wie das in 1 beschriebene Ausführungsbeispiel. Im Gebrauch ist ein Potential über die Kontaktanschlüsse 112a, 112b angelegt, um über die aktive Region der Cyan-LED 102 eine Vorspannung anzulegen. Die Cyan-LED 102 emittiert ansprechend auf die Vorspannung über die aktive Region cyanfarbenes Licht. Das emittierte cyanfarbene Licht passiert die Phosphorzusammensetzung 110, und Phosphorpartikel in der Phosphorzusammensetzung absorbieren einen Teil des cyanfarbenen Lichts. Die Absorption des cyanfarbenen Lichts durch die Phosphorpartikel führt zu einer Herunterumsetzung des Lichts, wodurch Licht erzeugt wird, das eine längere Wellenlänge aufweist als das cyanfarbene Licht. Die Phosphorpartikel sind ausgewählt, um auf eine Anregung durch das cyanfarbene Licht hin rotes und/oder rot-oranges Licht zu erzeugen. Die lichtemittierende Vorrichtung emittiert somit Licht, das eine Mehrzahl von Wellenlängenkomponenten aufweist, was auf (a) cyanfarbenes Licht, das (nicht absorbiert) die Phosphorschicht passiert, und (b) rotes und/oder rot-orangefarbenes Licht, das sich aus einem Herunterumsetzen von phosphorabsorbiertem, durch eine LED emittiertem cyanfarbenem Licht ergibt, zurückzuführen ist.
  • Jegliche Cyan-LED, die Licht in dem gewünschten Wellenlängenbereich ausgibt, kann potentiell bei einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Derartige Cyan-LEDs wurden bereits beschrieben, und Verfahren zum Herstellen des Halbleiterstapels bei der Produktion von Cyan-LEDs sind in der Technik hinreichend bekannt. Die Cyan-LED ist in der Regel eine InGaN-LED, die Licht im Bereich von etwa 490 nm bis etwa 505 nm emittiert. Bei manchen Ausführungsbeispielen emittiert die Cyan-LED Licht im Bereich von etwa 495 nm bis etwa 525 nm. Der exakte Wellenlängenbereich wird durch eine Auswahl von verfügbaren Quellen, gewünschten Farbattributen der lichtemittierenden Vorrichtung (z.B. der „korrelierten Farbtemperatur" des emittierten weißen Lichts), der Wahl der Phosphorzusam mensetzung und dergleichen bestimmt. Angesichts der hierin gegebenen Offenbarung ergeben sich Variationen derartiger Entwurfsparameter aus der üblichen Fachkenntnis.
  • Die Cyan-LED ist üblicherweise an einem Substrat angebracht, optional über eine Montagebasis-Wärmesenke. Das Substrat kann ein beliebiges geeignetes Material sein, das für eine(s, n) oder mehrere der Cyan-LED, der Wärmesenke, jeglicher optionalen Montagebasis und/oder der Kontaktanschlüsse eine mechanische Stütze liefert. Die Cyan-LED kann an einem Siliziumcarbid oder an einer anderen Montagebasis angebracht sein. Bei bestimmten Ausführungsbeispielen ist die Cyan-LED zu Lichtkollimierungszwecken in einem optischen Hohlraum angeordnet. Die Cyan-LED weist einen Halbleiterstapel und Kontakte zum Anlegen einer Vorspannung über den Halbleiterstapel auf. Die Kontakte sind üblicherweise mit Kontaktanschlüssen drahtgebondet.
  • Bei den in 1 und 2 veranschaulichten Ausführungsbeispielen weist die Cyan-LED eine Oberfläche auf, die mit der Phosphorzusammensetzung beschichtet ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen befindet sich die Phosphorzusammensetzung anderswo als auf der Cyan-LED-Oberfläche, z.B. auf einer Oberfläche der Linse oder auf einer Oberfläche der reflektierenden Wand des Substrats, vorausgesetzt, daß die Phosphorzusammensetzung positioniert ist, um Licht von der Cyan-LED zu empfangen. Die Oberfläche, auf der die Phosphorzusammensetzung angeordnet ist, wird hierin als die Phosphor aufweisende Oberfläche bezeichnet. Die Phosphorzusammensetzung kann mittels beliebiger in der Technik anerkannter Techniken, einschließlich Lackieren, Schleuderbeschichten, Gießen, Einkapseln in einer Matrix oder anhand eines anderen geeigneten Mittels auf die Phosphor aufweisende Oberfläche aufgebracht werden. Die Dicke der Phosphorzusammensetzung auf der Phosphor aufweisenden Oberfläche liegt üblicherweise im Bereich von etwa 15 Mikrometern bis etwa 150 Mikrometern, typischer im Bereich von etwa 20 Mikrometern bis etwa 120 Mikrometern und noch typischer im Bereich von etwa 25 Mikrometern bis etwa 100 Mikrometern, obwohl bestimmte Ausführungsbeispiele auch außerhalb dieser Bereiche liegen können. Die Phosphorzusammensetzung ist üblicherweise eine konforme Beschichtung auf der Phosphor aufweisenden Oberfläche. Die konforme Beschichtung ist eine Beschichtung, die eine gleichmäßige Dicke aufweist, wobei die Dicke um nicht mehr als etwa 20 %, üblicherweise um nicht mehr als etwa 10 %, variiert. Die Phosphorzusammensetzung kann über einen elektrophoretischen Prozeß, beispielsweise einen Prozeß, der in der US-Patentanmeldung 2002/0187571 oder in der US-Patentanmeldung Nr. 10/425,860, die am 28. April 2003 eingereicht wurde, offenbart ist, auf die Phosphor aufweisende Oberfläche aufgebracht werden.
  • Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel umfaßt die Phosphorzusammensetzung Phosphorpartikel, die in einer klaren Polymermatrix, z.B. einem Harz, die bzw. das die Aussparung in dem Substrat füllt und die Cyan-LED teilweise umgibt, suspendiert sind. Desgleichen kann die Linse aus einem klaren Polymermaterial, in dem Phosphorpartikel suspendiert sind, hergestellt sein. Eine derartige Linse, die aus dem klaren Polymermaterial mit darin suspendierten Phosphorpartikeln hergestellt ist, ist positioniert, um Licht von der Cyan-LED zu empfangen und um Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung zu lenken. Derartige Ausführungsbeispiele weisen in der Regel eine größere räumliche Variation des Ausgangslichts auf, da die Weglänge des Lichts durch das Polymer üblicherweise variiert.
  • Die Phosphorzusammensetzung umfaßt üblicherweise Phosphorpartikel und ein Bindematerial, das das Phosphorpartikel auf eine Phosphor aufweisende Oberfläche immobilisiert. Das entsprechende Bindemittel wird unter Bezugnahme auf das zum Beschichten der Phosphor aufweisenden Oberfläche verwendete jeweilige Verfahren ausgewählt. Geeignete Bindemittel wurden in der Technik beschrieben und sind dort bekannt. Siehe beispielsweise Bindemittel, die in der US-Patentschrift Nr. 6,576,488 an Collins et al offenbart sind, welche beispiel hafte Bindemittel offenbart, die bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, einschließlich eines organischen Materials, z.B. ein optisches Kopplungsepoxy, ein optisches Kopplungssilikon, ein anorganisches Metalloxid oder Glasfrittenpulver (z.B. ein Glas auf PbO-Basis) oder Sol-Gel. Das Bindematerial kann durch eine selektive Aufbringung und Kapillarwirkung in die Phosphormatrix eingebracht werden, nachdem die Phosphorpartikel auf die Phosphor aufweisende Oberfläche aufgebracht wurden. Das Bindematerial kann während eines elektrophoretischen Aufbringungsprozesses zusammen mit den Phosphorpartikeln auf die Phosphor aufweisende Oberfläche aufgebracht werden. Siehe auch US-Patentschrift Nr. 6,180,029, WIPO-Veröffentlichungsnummer 00/33390, die Bindematerialien, klare Polymere und Phosphore zur Verwendung bei Phosphorumwandlungsdioden beschreiben.
  • Die Phosphorpartikel sind so charakterisiert, daß sie zu einem Herunterumsetzen von cyanfarbenem Licht fähig sind, um rotes und/oder rot-orangefarbenes Licht zu erzeugen. Typische Phosphorpartikel, die sich zur Verwendung bei der Phosphorzusammensetzung eignen, umfassen ein Material, das aus SrS:Eu2+; CaS:Eu2+; CaS:Eu2+, Mn2+; (Zn, Cd)S:Ag+; Mg4GeO5,5F:Mn4+; ZnS:Mn2+ und anderen Phosphormaterialien ausgewählt ist, die auf eine Anregung mit cyanfarbenem Licht von einer Cyan-LED hin, wie sie hierin beschrieben wurde, Emissionsspektren im Rot- oder rot-orangefarbenen Bereich des sichtbaren Spektrums aufweisen. Die Phosphorpartikel weisen üblicherweise eine Spitzenemissionswellenlänge im Bereich von etwa 590 nm bis etwa 650 nm auf. Bei bestimmten Ausführungsbeispielen weisen die Phosphorpartikel eine Spitzenemissionswellenlänge im Bereich von etwa 620 nm bis etwa 650 nm auf, üblicherweise im Bereich von etwa 625 nm bis etwa 645 nm, noch typischer im Bereich von etwa 630 nm bis etwa 640 nm. Bei manchen Ausführungsbeispielen weisen die Phosphorpartikel eine Spitzenemissionswellenlänge im Bereich von etwa 590 nm bis etwa 625 nm auf, typischerweise im Bereich von etwa 60 nm bis etwa 615 nm.
  • Bei manchen Ausführungsbeispielen emittieren die Phosphorpartikel Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von etwa 590 nm bis etwa 650 nm, typischerweise im Bereich von etwa 600 nm bis etwa 640 nm, noch typischer im Bereich von etwa 610 nm bis etwa 630 nm. Der genaue Wellenlängenbereich wird durch eine Auswahl von verfügbaren Quellen von Phosphoren, gewünschten Farbattributen der lichtemittierenden Vorrichtung (z.B. der „korrelierten Farbtemperatur" des emittierten weißen Lichts), der Wahl der LED und dergleichen bestimmt. Angesichts der hierin gegebenen Offenbarung ergeben sich Variationen derartiger Entwurfsparameter aus der üblichen Fachkenntnis.
  • Die Phosphorpartikel können üblicherweise in einer Palette von Partikelgrößen erhalten werden. Bei manchen Ausführungsbeispielen liegt der mittlere Partikeldurchmesser der Phosphorpartikel im Bereich von 2–5 Mikrometern. Größere Phosphorpartikel neigen dazu, Licht auf effizientere Weise zu emittieren; mit zunehmender Größe wird es jedoch schwieriger, gleichmäßige Beschichtungen von Phosphorpartikeln zu erhalten. Verfahren einer lektrophoretischen Aufbringung werden bei größeren Phosphorpartikeln erfolgreich eingesetzt, z.B. bei solchen, die einen mittleren Partikeldurchmesser im Bereich von etwa 13 Mikrometern bis etwa 20 Mikrometern und ein d90 im Bereich von etwa 30 Mikrometern bis etwa 45 Mikrometern aufweisen, wobei sich d90 auf die Größe bezieht, bei der 90 Prozent der Partikel kleiner sind als die angegebene Größe.
  • Phosphorpartikel für bestimmte Ausführungsbeispiele sind von Phosphor Technology, Ltd. (Essex, England) erhältlich. Ein von dieser Quelle erhältliches geeignetes Phosphormaterial ist Strontiumsulfid: Europium (SrS:Eu) (Teilenummer: HL63/S-Dx). Dieses Phosphormaterial weist die nachfolgend gezeigte Partikelgrößenverteilung (wie sie durch einen Coulter-Zähler mit einer 50-Mikrometer-Apertur gemessen wurde) auf:
    Figure 00150001
  • Dieses Phosphormaterial weist eine Emissionswellenlängenspitze bei 615 nm und eine Anregungswellenlängenspitze im Bereich von etwa 460 bis etwa 490 nm auf. Von dieser und weiteren handelsüblichen Quellen können auch andere geeignete Phosphore zur Verwendung bei Vorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung erhalten werden. Die Herstellung von Phosphoren ist in der Literatur beschrieben, und dementsprechend können angesichts der hierin gegebenen Offenbarung geeignete Phosphore durch Fachleute hergestellt werden.
  • Alle hierin erwähnten Patentschriften, Patentanmeldungen und Veröffentlichungen sind hiermit in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme in das vorliegende Dokument aufgenommen.

Claims (16)

  1. Lichtemittierende Vorrichtung (100), die eine Cyan-LED (102) und eine Phosphorzusammensetzung (110), die positioniert ist, um Licht von der Cyan-LED zu empfangen, aufweist, wobei die Phosphorzusammensetzung in der Lage ist, Licht von der Cyan-LED zu absorbieren und rotes Licht zu emittieren.
  2. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Vorrichtung eine weißes Licht emittierende Vorrichtung ist.
  3. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von etwa 600 bis etwa 650 nm emittiert.
  4. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) eine auf einer Oberfläche der Cyan-LED (102) angeordnete konforme Beschichtung ist.
  5. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 4, bei der die konforme Beschichtung zwischen etwa 15 Mikrometern und etwa 150 Mikrometern dick ist.
  6. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die Cyan-LED (102) in einer in einem Substrat (106) gebildeten Aussparung angeordnet ist und die Phosphorzusammensetzung (110) auf einer Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei die Oberfläche reflektierend ist.
  7. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 6, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) eine klare Polymermatrix (116) aufweist, in der Phosphorpartikel suspendiert sind, wobei die klare Polymermatrix in der Aussparung um die Cyan-LED (102) herum angeordnet ist.
  8. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) auf einer Oberfläche einer Linse (118, 119) angeordnet ist, die benachbart zu der Cyan-LED (102) positioniert ist.
  9. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) eine klare Polymermatrix (116) aufweist, in der Phosphorpartikel suspendiert sind, wobei die klare Polymermatrix als Linse geformt ist, wobei die klare Polymermatrix positioniert ist, um Licht von der Cyan-LED (102) zu empfangen und um Licht von der lichtemittierenden Vorrichtung (100) zu lenken.
  10. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) ein Material umfaßt, das aus SrS:Eu2+; CaS:Eu2+; CaS:Eu2+, Mn2+; (Zn, Cd)S:Ag+; Mg4GeO5,5F:Mn4+; und ZnS:Mn2+ ausgewählt ist.
  11. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 10, bei der die Phosphorzusammensetzung ein Material umfaßt, das aus SrS:Eu2+ und CaS:Eu2+ ausgewählt ist.
  12. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß Anspruch 10 oder 11, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) ein Material umfaßt, das aus CaS:Eu2+, Mn2+ und (Zn, Cd)S:Ag+ ausgewählt ist.
  13. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) ein Material umfaßt, das aus Mg4GeO5,5F:Mn4+; und ZnS:Mn2+ ausgewählt ist.
  14. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) eine Spitzenemissionswellenlänge im Bereich von etwa 620 nm bis etwa 650 nm aufweist.
  15. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) eine Spitzenemissionswellenlänge im Bereich von etwa 600 nm bis etwa 625 nm aufweist.
  16. Lichtemittierende Vorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, bei der die Phosphorzusammensetzung (110) Phosphorpartikel umfaßt, die einen mittleren Partikeldurchmesser im Bereich von etwa 13 bis etwa 20 Mikrometern aufweisen.
DE102004016139A 2003-06-27 2004-04-01 Weisses Licht emittierende Vorrichtung Ceased DE102004016139A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/609,160 US7075225B2 (en) 2003-06-27 2003-06-27 White light emitting device
US10/609,160 2003-06-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004016139A1 true DE102004016139A1 (de) 2005-01-20

Family

ID=33540779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004016139A Ceased DE102004016139A1 (de) 2003-06-27 2004-04-01 Weisses Licht emittierende Vorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7075225B2 (de)
JP (1) JP2005019997A (de)
DE (1) DE102004016139A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005037455A1 (de) * 2005-08-09 2007-03-01 Wei-Jen Hsu Weißlicht-Leuchtdiode
DE102014101804A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4231418B2 (ja) * 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
KR101433343B1 (ko) 2004-05-05 2014-08-22 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광 소스
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
US20050248259A1 (en) * 2004-05-10 2005-11-10 Roger Chang Bent lead light emitting diode device having a heat dispersing capability
US7471040B2 (en) * 2004-08-13 2008-12-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Mixed-color light emitting diode apparatus, and method for making same
US20060038198A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Chua Janet B Y Device and method for producing output light having a wavelength spectrum in the visible range and the infrared range using a fluorescent material
US7679672B2 (en) * 2004-10-14 2010-03-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic flash, imaging device and method for producing a flash of light having a wavelength spectrum in the visible range and the infrared range using a fluorescent material
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
JP5329091B2 (ja) * 2004-11-29 2013-10-30 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 多色光源の光の設定を調節するための方法及びシステム
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
US8088302B2 (en) 2005-05-24 2012-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
KR100601200B1 (ko) 2005-06-17 2006-07-13 서울반도체 주식회사 적색 형광체와 이를 이용한 발광 다이오드
CN101138104B (zh) 2005-06-23 2011-08-24 伦斯勒工业学院 利用短波长led和下变频材料产生白光的封装设计
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
TWI274430B (en) * 2005-09-28 2007-02-21 Ind Tech Res Inst Light emitting device
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
TW200735327A (en) * 2005-12-14 2007-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Collimation arrangement and illumination system and display device using the same
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
JP2007281146A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Sharp Corp 半導体発光装置
TWI357435B (en) * 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
JP4520437B2 (ja) * 2006-07-26 2010-08-04 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。
US7703942B2 (en) 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP2008218511A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
US7864381B2 (en) * 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8297061B2 (en) * 2007-08-02 2012-10-30 Cree, Inc. Optoelectronic device with upconverting luminophoric medium
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US9041285B2 (en) * 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
EP2335295B1 (de) * 2008-09-25 2021-01-20 Lumileds LLC Beschichtete lichtemittierende vorrichtung und beschichtungsverfahren dafür
CN102171843B (zh) * 2008-09-26 2014-03-26 徐镇 具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法
JP5325526B2 (ja) * 2008-10-17 2013-10-23 三星電子株式会社 可視光通信システム、及び可視光通信方法
US20100123386A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
CN105713599B (zh) 2009-08-14 2018-09-11 三星电子株式会社 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
TWI552369B (zh) * 2009-09-25 2016-10-01 伊穆諾萊特公司 用以改良太陽能電池效能或其它能量轉換之上、下轉換系統
US9797580B2 (en) * 2010-05-24 2017-10-24 Abl Ip Holding Llc LED light fixture
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR101274045B1 (ko) * 2011-03-30 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
KR101933189B1 (ko) * 2012-01-31 2019-04-05 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
US11295680B2 (en) 2019-04-11 2022-04-05 PixelDisplay, Inc. Method and apparatus of a multi-modal illumination and display for improved color rendering, power efficiency, health and eye-safety

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5302966A (en) * 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2001513828A (ja) * 1997-02-24 2001-09-04 スーペリア マイクロパウダーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 酸素含有蛍光粉体、該蛍光粉体の製造方法、該蛍光粉体を利用してなる装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US5929999A (en) * 1998-09-01 1999-07-27 Hewlett-Packard Company Light source for tristimulus colorimetry
TW455908B (en) 1999-04-20 2001-09-21 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting system
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6603258B1 (en) 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
GB2373368B (en) 2001-03-12 2004-10-27 Arima Optoelectronics Corp Light emitting devices
US6632379B2 (en) * 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
WO2003034508A1 (en) 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
US7184111B2 (en) * 2003-04-28 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor for use in white semiconductor light sources and a white light source utilizing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005037455A1 (de) * 2005-08-09 2007-03-01 Wei-Jen Hsu Weißlicht-Leuchtdiode
DE102014101804A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005019997A (ja) 2005-01-20
US7075225B2 (en) 2006-07-11
US20040263073A1 (en) 2004-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004016232B4 (de) Weisses Licht emittierende Vorrichtung
DE102004016139A1 (de) Weisses Licht emittierende Vorrichtung
DE102006009955B4 (de) Weiße Lichtquelle und Beleuchtungsvorrichtung, die die weiße Lichtquelle verwendet
EP1259990B1 (de) Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement
DE69702929T3 (de) Lichtemittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung
EP1277242B1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement und verfahren zur dessen herstellung
EP2211392B1 (de) Luminophor und Lichtquelle zur Erzeugung von weißem Licht
EP0907969B1 (de) Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
DE102005014453A1 (de) Phosphormischung aus orangem/rotem ZnSe0,5S0,5:Cu,Cl und grünem BaSrGa4S7:Eu für eine weiße Phosphorumwandlungs-LED
DE112005000396T5 (de) Lichtemittierendes Element und Beleuchtungsmittel
DE102013207308B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe und optoelektronische Baugruppe
DE102005020695B4 (de) Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
DE102010012423A1 (de) Lumineszenzdiodenanordnung, Hinterleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
DE112006003161T5 (de) Ladungskompensierte Nitridphosphore zur Verwendung in Beleuchtungsanwendungen
KR20100080930A (ko) 조명 장치
DE102009019909A1 (de) Leuchtdiodengehäuse, Leuchtdiodensysteme und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102013215382A1 (de) Leuchtstoff-LED
DE10065381B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE102004054093A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Emittieren von Ausgangslicht unter Verwendung eines Gruppe-IIB-Element-Selenid-basierten Phosphormaterials und/oder eines Thiogallat-basierten Phosphormaterials
DE102010009456A1 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Konversionselement und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2016180930A1 (de) Strahlungsemittierendes optoelektronisches bauelement
WO2014161748A1 (de) Elektromagnetische strahlung emittierende baugruppe und verfahren zum herstellen einer elektromagnetische strahlung emittierenden baugruppe
DE102013211525A1 (de) LED-Modul mit LED-Chips
DE102007020011B4 (de) Halbleiterleuchtvorrichtung
DE10344568A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Weißlichtquelle

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES ECBU IP (SINGAPORE) PTE. LTD.,

8131 Rejection