DE102004013442B4 - Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie Download PDFInfo
- Publication number
- DE102004013442B4 DE102004013442B4 DE102004013442A DE102004013442A DE102004013442B4 DE 102004013442 B4 DE102004013442 B4 DE 102004013442B4 DE 102004013442 A DE102004013442 A DE 102004013442A DE 102004013442 A DE102004013442 A DE 102004013442A DE 102004013442 B4 DE102004013442 B4 DE 102004013442B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- strip
- solar cells
- production
- rotated
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001295925 Gegenes Species 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero-junctions, X being an element of Group VI of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Verfahren
zur Herstellung von bandförmigen
Solarzellen der CIS-Technologie im roll-to-roll-Verfahren mit elektrochemischer
Abscheidung des Precursors, dadurch gekennzeichnet, dass gleichzeitig zwei
Bänder
prozessiert werden, wobei diese vor dem Einlauf in die Galvanik
mit ihren Rückseiten
miteinander verklebt, anschließend
wieder getrennt und so gedreht und aneinander angenähert werden,
dass die Precursor-beschichtetenSeiten aufeinanderliegend oder in
sehr geringem Abstand bei gleichzeitiger seitlicher Abdichtung des Zwischenraums
zwischen den Bändern
den Temperofen durchlaufen.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie im roll-to-roll-Verfahren mit elektrochemischer Abscheidung des Precursors.
- Unter den Dünnschicht-Technologien zur Herstellung preisgünstiger Solarzellen nimmt die CIS-Technologie (Kupfer-Indium/Gallium-Selen/Schwefel) insofern eine Sonderstellung ein, als hierbei die Abscheidung des so genannten Precursors" (des „Vorläufers" der späteren Absorber-Schicht) galvanisch auf ein endloses, flexibles Metallband erfolgen kann (roll-to-roll-Verfahren). Üblich ist die Abscheidung von Cu, In, Ga und Se im Hochvakuum auf Glasscheiben, die zuvor mit einem dünnen Überzug aus Molybdän Versehen wurden. Es sind aber auch galvanische Bandabscheidungen auf Kupfer bekannt geworden (
DE 196 34 580 C2 ) sowie die sequentielle Elektro-Deposition, die binäre Legierungsabscheidung oder die ternäre/quaternäre Verbindungs-Halbleiter-Abscheidung auf schmalen (beispielsweise 35 mm breiten) Edelstahl- oder anderen Metallbändern (DE 199 1 758 C2 ). Ein besonderes Problem stellt hierbei die Behandlung der Bandrückseite dar, weil eine Benetzung mit Elektrolyt und somit eine unerwünschte. Abscheidung von Precursor-Materialien auf der der Bandrückseite nahezu unvermeidbar ist. Auch kann es zu unerwünschten Reaktionen des rückseitigen Bandmaterials in den durchlaufenden Elektrolyt-Bädern kommen, falls die metallische Bandrückseite ungeschützt ist. - Im Anschluss an die Precursor-Deposition durchläuft das Band eine Temperaturbehandlung (RTP = rapid thermal process), wobei es darauf ankommt, dass
- a) das Band sehr gleichmäßig über die gesamte Fläche erhitzt wird, wobei fleckige Abscheidungen auf der Bandrückseite die Homogenität beeinträchtigen würden,
- b) das Band sehr rasch auf eine hohe Temperatur (über 300 °C) gebracht wird und
- c) verhindert wird, dass Bestandteile des Precursors, insbesondere Selen oder Schwefel, abdampfen und sich die Stöchiometrie der Abscheidung hierdurch verändert.
- Einzelne CIS-Solarzellen werden daher bei verschiedenen Herstellern in geschlossenen Graphit-Boxen dem RTP unterworfen, was bei einem roll-to-roll-Prozess offensichtlich nicht praktikabel ist. Für ein durchlaufendes Band wurde eine Konstruktion des Temperofens vorgeschlagen, bei welcher das Band durch einen engen, mit Quarzgläsern abgeschlossenen, tunnelartigen Raum geführt wird. Zusätzlich wird für diesen Temperofen (
DE 100 06 772 C2 ) vorgeschlagen, eine „Deckelung" durch ein zweites flexibles Metallband vorzunehmen, das zusammen mit dem dort kondensierten Selen nachfolgend als Abfall verworfen wird. Beide Lösungswege erscheinen realisierbar, jedoch wenig elegant. Die inDE 100 06 778 C2 geschützte, bandunter- und oberseitig getrennte und unterschiedliche Temperaturführung erscheint nicht erforderlich, so sie denn überhaupt realisierbar ist. - Aus
US 5,821,597 A ist ein roll-to-roll-Verfahren zum Herstellen von bandförmigen Solarzellen bekannt, bei dem zur Produktivitätssteigerung statt einer Bandführung parallel zu den Elektrodenplatten des Plattenreaktors ein Zickzack-Weg des Bandes im Reaktor empfohlen wird. Zur weiteren Verdopplung der Produktivität wird empfohlen, zwei bandförmige Substrate. back-to-back zu verhindern. Es werden bei diesem Verfahren Absorber aus Silizium mittels plasmaverstärkter Gasphasenabscheidung erzeugt. Außerdem bestehen die bandförmigen Substrate aus organischen Materialien wie PET oder Polyimid. - Die Lösung nach
DE 42 07 411 A1 verwendet ein roll-to-roll-Verfahren zur Herstellung von Solarzellen und verbindet zwei bandförmige Substrate ebenfalls back-to-back, scheidet Absorberschichten ab und trennt die Substrate wieder, um diese getrennt wieder aufzuwickeln. - Die vorliegende Erfindung hat es sich zur Aufgabe gemacht, eine Bandführung durch die galvanische Abscheidung und durch den nachfolgenden RTP-Durchlauf-Ofen vorzuschlagen, der die genannten Nachteile vermeidet.
- Hierzu werden erfindungsgemäß immer zwei Bänder. gleichzeitig durch die Anlage geführt.
- In einem ersten Verfahrensschritt werden die vertikal angeordneten Bänder mit ihren Rückseiten flüssigkeitsdicht, zugleich aber leicht lösbar miteinander verklebt, indem eine Adhäsionsfolie zwischengelegt oder eine dünne Schicht Silikon bzw. ein anderes rückstandsfrei und einfach ablösbares Klebemittel bandrückseitig aufgebracht wird.
- Nach Durchlaufen der Elektrolyt-Bäder werden die Bänder wieder getrennt, die Adhäsionsfolie bzw. Klebstoffreste vollständig entfernt und die laufenden Bänder so gedreht, dass sie „face to face", d.h. mit ihren Precursor-Seiten aufeinanderliegend oder mit sehr geringem Abstand der Precursor-Seiten voneinander in den RTP-Ofen einlaufen und in eben dieser Anordnung bei gleichzeitig seitlicher Abdichtung durch den Ofen geführt werden.
- Anschließend werden die beiden Bänder erneut getrennt und entweder einzeln oder nach einer erneuten Verklebung „Rückseite gegen Rückseite" den folgenden Prozessschritten, z.B. einer KCN-Ätzung und einer bandgeeigneten Deposition der Puffer-Schicht, zugeleitet. Eine erneute Verklebung (durch Adhäsionsband) ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Fensterschicht-Abscheidung nasschemisch erfolgt, was angestrebt wird, bisher jedoch noch nicht etablierter Stand der Technik ist.
- Soweit bisher weltweit galvanische roll-to-roll-Prozesse für die Abscheidung von flexiblen CIS-Bandzellen bekannt sind, ergeben sich, im Vergleich hierzu, durch die erfindungsgemäße Bandführung folgende Vorteile:
- a) Eine aufwändige Beschichtung der Rückseite des Bandes zum Schutz gegen unerwünschte Abscheidung, gegen Reaktionen mit den Elektrolyten oder gegen Kontamination des Precursors durch Rückseiten-Material entfällt.
- b) Zusatzmaßnahmen im Durchlauf-Temperofen wie Graphit-Boxen, Quarzglas-Verkapselungen oder Abdeckung durch zusätzliche Materialien/Bänder entfallen.
- c) Da die im RTP-Ofen eingesetzte Infrarot-Wärmestrahlung direkt auf das Band auftrifft und nicht erst durch eine Graphit-Schicht o.ä. absorbiert und dann ggf. per Wärmeleitung ungleichmäßig an das Zellenband weitergegeben wird, wird der Energieverbrauch minimiert, die Aufheizgeschwindigkeit erhöht und die Regelung der Absorber-Temperatur vereinfacht.
- d) Von einer Herstellungsanlage, die für die beiderseitige galvanische Precursor-Beschichtung nur vergleichsweise geringfügig zu modifizieren ist, wird die doppelte Bandmenge produziert.
- Es versteht sich, dass zwischen der Trennung der Bänder nach dem Durchlaufen der Precursor-Abscheidung und der Drehung in eine face-to-face-Position ein oder mehrere Prozessschritte liegen können, in welchen die Bänder einzeln behandelt werden. Beispielsweise kann es vorteilhaft sein, dass das Band einer „Rückseiten-Schwärzung" unterzogen wird. Bekanntlich reflektieren Metalle im infraroten Spektralbereich vergleichsweise gut, so dass RTP-Öfen, die bei anderen Materialien (beispielsweise Silizium) eine hohe Erwärmungsgeschwindigkeit aufweisen, diese erwünschte Eigenschaft bei einem metallischen Substrat nicht zu besitzen scheinen. Eine Schwärzung der Bandrückseite, die vor dem Einlauf in den RTP-Ofen vorzunehmen ist, schafft diesbezüglich Abhilfe.
Claims (3)
- Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie im roll-to-roll-Verfahren mit elektrochemischer Abscheidung des Precursors, dadurch gekennzeichnet, dass gleichzeitig zwei Bänder prozessiert werden, wobei diese vor dem Einlauf in die Galvanik mit ihren Rückseiten miteinander verklebt, anschließend wieder getrennt und so gedreht und aneinander angenähert werden, dass die Precursor-beschichtetenSeiten aufeinanderliegend oder in sehr geringem Abstand bei gleichzeitiger seitlicher Abdichtung des Zwischenraums zwischen den Bändern den Temperofen durchlaufen.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass. zur leicht löslichen, rückseitigen Verklebung der Bänder eine Adhäsionsfolie benutzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Trägerbänder vor dem Einlauf in den Temperofen rückseitig zwecks Erhöhung der Strahlungsabsorption in infraroten Bereich behandelt werden, beispielsweise geschwärzt werden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004013442A DE102004013442B4 (de) | 2004-03-14 | 2004-03-14 | Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004013442A DE102004013442B4 (de) | 2004-03-14 | 2004-03-14 | Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102004013442A1 DE102004013442A1 (de) | 2005-10-06 |
| DE102004013442B4 true DE102004013442B4 (de) | 2006-05-24 |
Family
ID=34980629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102004013442A Expired - Fee Related DE102004013442B4 (de) | 2004-03-14 | 2004-03-14 | Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102004013442B4 (de) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4207411A1 (de) * | 1991-03-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Duennschicht-solarzelle und verfahren zu deren herstellung |
| DE19634580C2 (de) * | 1996-08-27 | 1998-07-02 | Inst Solar Technologien | Verfahren zur Herstellung einer CIS-Bandsolarzelle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US5821597A (en) * | 1992-09-11 | 1998-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| DE19917758C2 (de) * | 1999-04-10 | 2003-08-28 | Cis Solartechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer CuInSe2(CIS)Solarzelle |
| DE10006778C2 (de) * | 2000-02-09 | 2003-09-11 | Cis Solartechnik Gmbh | Verfahren und Ofen zur Wärmebehandlung von flexiblen, bandförmigen CIS-Solarzellen |
-
2004
- 2004-03-14 DE DE102004013442A patent/DE102004013442B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4207411A1 (de) * | 1991-03-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Duennschicht-solarzelle und verfahren zu deren herstellung |
| US5821597A (en) * | 1992-09-11 | 1998-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| DE19634580C2 (de) * | 1996-08-27 | 1998-07-02 | Inst Solar Technologien | Verfahren zur Herstellung einer CIS-Bandsolarzelle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE19917758C2 (de) * | 1999-04-10 | 2003-08-28 | Cis Solartechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer CuInSe2(CIS)Solarzelle |
| DE10006778C2 (de) * | 2000-02-09 | 2003-09-11 | Cis Solartechnik Gmbh | Verfahren und Ofen zur Wärmebehandlung von flexiblen, bandförmigen CIS-Solarzellen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102004013442A1 (de) | 2005-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6117703A (en) | Process and device for producing a CIS-strip solar cell | |
| EP1521308A1 (de) | Kugel- oder kornförmiges Halbleiterbauelement zur Verwendung in Solarzellen und Verfahren zur Herstellung; Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Halbleiterbauelement und Solarzelle | |
| WO2009142308A1 (ja) | Cis系薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP6976861B2 (ja) | 表示パネルマザーボード及び表示パネルの製造方法 | |
| EP1052703A2 (de) | Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ib/IIIa/VIa-Verbindungshalbleiter und Verfahren zum Herstellen einer solchen Solarzelle | |
| TW201611372A (zh) | 薄形基板及其製造方法、以及基板之搬送方法 | |
| DE102004013442B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Solarzellen der CIS-Technologie | |
| DE102009053416B4 (de) | Verfahren zur Herstellung und Verschaltung von Solarzellenanordnungen und Solarzellenanordnung | |
| KR101575658B1 (ko) | 황화아연 박막의 제조방법 및 이를 이용한 박막태양전지 | |
| DE10006778C2 (de) | Verfahren und Ofen zur Wärmebehandlung von flexiblen, bandförmigen CIS-Solarzellen | |
| US20160181224A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US10090424B1 (en) | Roll-to-roll solution process method for fabricating CIGS solar cells and system for the same | |
| DE4311173A1 (de) | Verfahren zur stromlosen Abscheidung eines Metalls über einer Halbleiteroberfläche | |
| US20160155889A1 (en) | Pressure transfer process for thin film solar cell fabrication | |
| JPH06120545A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| EP1177584A2 (de) | Solarzelle sowie verfahren zur herstellung einer solarzelle | |
| DE10257165B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen mit einer CuInSe2-Schicht auf einem metallischen, bandförmigen Substrat | |
| WO2007088146A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von alkaliionen auf die oberfläche der cigsse-absorberschicht einer chalkopyrit-solarzelle | |
| DE102008030679B4 (de) | Vorrichtung zur Diffusionsbehandlung von Werkstücken | |
| DE102004024601A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur sequentiellen Bandabscheidung von Selen auf Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzellen | |
| Hsu et al. | N-type CdS layer prepared by shallow chemical bath deposition on a 370× 470 mm2 glass substrate | |
| EP3039721B1 (de) | Haftvermittlerschicht für dünnschichtsolarzellen | |
| EP2991122A1 (de) | Wärmebehandlungsverfahren für verbindungshalbleiter-vorläuferschicht | |
| JP2006013098A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| KR101439778B1 (ko) | 전자 소자가 형성된 메탈기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: PVFLEX SOLAR PRODUKTION GMBH, 15517 FUERSTENWALDE, |
|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: PVFLEX SOLAR GMBH, 15517 FUERSTENWALDE, DE |
|
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20121002 |