DE10163940A1 - Silicium-Tantal- und Silicium-Niobium-Mischoxidpulver, deren Herstellung und Verwendung - Google Patents
Silicium-Tantal- und Silicium-Niobium-Mischoxidpulver, deren Herstellung und VerwendungInfo
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 title abstract 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 title description 6
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 title description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- -1 silicon compounds Silicon halides Chemical class 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- LIZIAPBBPRPPLV-UHFFFAOYSA-N niobium silicon Chemical compound [Si].[Nb] LIZIAPBBPRPPLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QUPMNPUBXDQPQU-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Si]=O Chemical class [Nb].[Si]=O QUPMNPUBXDQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003258 bubble free glass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 210000004127 vitreous body Anatomy 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
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Abstract
Siliciumdioxid-Mischoxid-Pulver mit Tantaloxid (Ta¶2¶O¶5¶) bzw. Niobiumoxid (Nb¶2¶O¶5¶) als Komponente des Mischoxides. Es wird hergestellt durch Verdampfen von Silicium- und Tantal- bzw. Niobiumhalogeniden, Vermischen mit Luft und einem Brenngas und Verbrennen des Gemisches in einem Brenner bekannter Bauart. Es kann auch hergestellt werden, indem die Mischoxidkomponente in Form eines Aerosols, enthaltend die Lösung oder Suspension eines Salzes der Mischoxidkomponente, in den Strom, enthaltend das Siliciumhalogenid, Luft und Brenngas einleitet und zusammen mit diesem verbrennt. Das Pulver kann in Dispersionen, Gläsern und Schichten enthalten sein. Es findet zum Beispiel in der Glasindustrie oder bei Polierprozessen (CMP) Verwendung.
Description
- Gegenstand der Erfindung ist flammenhydrolytisch hergestelltes Silicium-Tantal-Mischoxidpulver und Silicium- Niobium-Mischoxidpulver, deren Herstellung und Verwendung.
- Das Interesse an Tantaloxid und Tantaloxid enthaltenden Verbindungen ist aufgrund der umfangreichen Verwendungsmöglichkeiten sehr groß. So finden diese Verbindungen aufgrund ihres hohen Brechungsindexes in Gläsern und Beschichtungen Verwendung. Die hohe Die Elektrizitätskonstante macht sie zu einem interessanten Stoff für die Halbleiterindustrie. Schliesslich zeigt Tantaloxid aussergewöhnliche Katalysatoraktivität.
- Besonders Tantal-Silicium- und Niobium-Silicium-Mischoxide stehen im Mittelpunkt des Interesses. In der Regel werden solche Mischoxide mittels der Sol-Gel-Route hergestellt. Dabei werden Gemische von Silicium- und Tantal- bzw. Niobiumalkoxiden zusammen hydrolysiert und nachfolgend polykondensiert. Die erhaltenen Partikel weisen ein Netzwerk von miteinander verbundenen Poren auf. Nachteilig gegenüber weitestgehend porenfreien Partikeln mit gleicher Oberfläche ist, dass bei Anwendungen, die Stofftransportvorgänge beinhalten, die Poren nicht frei zugänglich sein können.
- Nachteilig ist ferner die langwierige Herstellung der Partikel. Ferner können die Partikel Kohlenstoffverunreinigungen enthalten, die auch beim Tempern nur unzureichend entfernt werden können.
- Schließlich ist auch die Herstellung dieser Partikel mittels der Sol-Gel-Route aufgrund teurer Ausgangsmaterialien und des langwierigen Herstellprozesses wenig wirtschaftlich.
- Aufgabe der Erfindung ist es Silicium-Tantal- und Silicium- Niobium-Mischoxide bereitzustellen, die die Nachteile des Standes der Technik vermeiden. Insbesondere sollen die Mischoxide frei von organischen Verunreinigungen sein und eine weitestgehend porenfreie Oberfläche aufweisen. Eine weitere Aufgabe ist es ein wirtschaftliches Verfahren zur Herstellung von Silicium-Tantal- und Silicium-Niobium- Mischoxiden bereitzustellen.
- Gegenstand der Erfindung ist ein flammenhydrolytisch hergestelltes Siliciumdioxid-Mischoxid-Pulver enthaltend Tantaloxid (Ta2O5) bzw. Niobiumoxid (Nb2O5) als Komponente des Mischoxides.
- Unter Flammenhydrolyse ist hierbei die Hydrolyse von Silicium- und Tantal- beziehungsweise Niobiumverbindungen in der Gasphase in einer Flamme, erzeugt durch die Reaktion von Wasserstoff und Sauerstoff, zu verstehen. Dabei werden zunächst hochdisperse Primärpartikel gebildet, die im weiteren Reaktionsverlauf zu kettenartigen Aggregaten und diese weiter zu Agglomeraten zusammenwachsen können. Je nach Wahl der Reaktionsbedingungen können bei der Synthese auch im wesentlichen sphärische Partikel erhalten werden.
- Unter Mischoxid ist die innige Vermischung von Tantal- oder Niobiumoxid und Siliciumdioxid auf atomarer Ebene unter Bildung von Si-O-Ta oder Si-O-Nb-Bindungen zu verstehen. Daneben können die Primärpartikel auch Bereiche von Siliciumdioxid neben Tantaloxid (Ta2O5) bzw. Niobiumoxid (Nb2O5) aufweisen.
- Das erfindungsgemäße Pulver kann ferner Spuren von Verunreinigungen aus den Ausgangsstoffen, wie auch durch den Prozess hervorgerufene Verunreinigungen aufweisen. Diese Verunreinigungen können bis zu 0,5 Gew.-%, in der Regel jedoch nicht mehr als 100 ppm, betragen.
- Der Anteil der Mischoxidkomponente im erfindungsgemäßen Pulver kann in einem weiten Bereich zwischen 0,01 und 99,9 Gew.-% variiert werden.
- Die BET-Oberfläche des erfindungsgemäßen Pulvers kann zwischen 5 und 400 m2/g liegen. Sie kann durch die Reaktionsbedingungen und das Verhältnis von Silicium- und Tantaloxid beeinflusst werden.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Pulvers, welches dadurch gekennzeichnet, dass man entsprechend dem später gewünschten Verhältnis der Oxide, Silicium- und Tantal- bzw. Niobiumverbindungen getrennt oder zusammen verdampft und mittels eines Inertgases in eine Mischeinheit überführt und dort mit einem sauerstoffhaltigen Gas und einem Brenngas mischt, dieses Gemisch einem Brenner bekannter Bauart zuführt und innerhalb einer Brennkammer in einer Flamme zur Reaktion bringt, anschließend die heißen Gase und den Feststoff abkühlt, dann die Gase vom Feststoff abtrennt und das Produkt gegebenenfalls durch eine Wärmebehandlung mittels Wasserdampf angefeuchteter Gase reinigt.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Pulvers, unter der Massgabe dass der Anteil der Mischoxidkomponente zwischen 0,01 und 20 Gew.-% liegt. Dabei wird in ein Gasgemisch einer Flammenhydrolyse, enthaltend eine Siliciumverbindung, ein durch Vernebelung erhaltenes Aerosol enthaltend die Lösung oder Suspension eines Salzes einer Tantal- oder Niobiumverbindung eingespeist, dieses mit dem Gasgemisch homogen vermischt, das Aerosol-Gas-Gemisch einem Brenner bekannter Bauart zugeführt und innerhalb einer Brennkammer in einer Flamme zur Reaktion gebracht, anschließend die heißen Gase und den Feststoff abgekühlt, dann die Gase vom Feststoff abgetrennt und das Produkt gegebenenfalls durch eine Wärmebehandlung mittels Wasserdampf angefeuchteter Gase gereinigt.
- Als Siliciumverbindungen können Siliciumhalogenide, Alkylsiliciumtrihalogenide, Dialkylsiliciumdihalogenide, Trialkylsiliciumhalogenide, Siliciumalkoxide und/oder Mischungen hiervon eingesetzt werden.
- Als Tantal- bzw. Niobiumverbindungen können deren Halogenide, Alkoxide und/oder deren Mischungen eingesetzt werden.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist eine Dispersion des erfindungsgemäßen Pulvers. Bevorzugt kann dies eine wässerige Dispersion sein. Der Anteil des erfindungsgemäßen Pulvers in der Dispersion kann zwischen 0,1 und 70 Gew.-% liegen. Sie kann Teilchengrößen des erfindungsgemäßen Pulvers von kleiner als 0,4 µm aufweisen. Sie kann durch Einstellung des pH-Wertes mit Säuren oder Basen oder durch Zugabe von oberflächenaktiven Substanzen stabilisiert sein. Je nach Verwendungszweck können der Dispersion Oxidationsmittel, Oxidationskatalysatoren und/oder Korrosionsinhibitoren zugesetzt sein.
- Die Dispersion kann hergestellt werden nach dem Fachmann bekannten Methoden, wie zum Beispiel mittels eines Dissolvers, mittels Rotor/Stator, Rühwerkskugelmühlen oder Hochdruckhomogenisatoren, bei denen sich ein unter hohem Druck stehender vordispergierte Ströme selbst mahlen.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Grünkörper oder ein Glas, welches unter Verwendung des erfindungsgemäßen Pulvers hergestellt wird. Das nach Dispergierung des Pulvers zunächst erhaltene Sol führt nach Gelierung und Trocknung zu einem Grünkörper, der nach anschliessender Sinterung und gegebenenfalls Aufschmelzen ein dichtgesintertes blasenfreies Glas ergibt.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung sind Schichten, wobei mindestens eine Schichtkomponente das erfindungsgemäße Pulver ist. Die Schichtdicke kann zwischen 100 nm und 1 mm, bevorzugt zwischen 1 µm und 50 µm, liegen. Das Aufbringen der Schicht kann ausgehend von einer Dispersion des erfindungsgemäßen Pulvers auf Substrate aus der Gruppe umfassend Borosilikatglas, Kieselglas, Glaskeramik, Werkstoffe mit sehr niedrigen Ausdehnungskoeffizienten (Ultra Low Expansion-, ULE-Werkstoffe), oder organische Substrate erfolgen. Das Aufbringen kann zum Beispiel erfolgen durch Dip-Coating, Besprühen oder Rakeln. Die sich anschließende thermische Behandlung kann zum Beispiel durch Tempern im Ofen oder Lasersintern erfolgen.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist die Verwendung des erfindungsgemäßen Pulvers als Glasrohstoff, als optische Faser, sowohl als Vollmaterial, als Mantel oder als Kern (Core), als optische Schalter, als optische Verstärker, als sonstige optischen Artikel, als Linsen, Gläser, als Trägermaterial, als katalytisch aktive Substanz, als Poliermaterial.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist die Verwendung der erfindungsgemäßen Dispersion zum Polieren von Metallschichten im CMP-Prozess, insbesonders von kupfer- und tantalhaltigen Schichten.
- Es werden 1,597 kg/h SiCl4 in einem Verdampfer bei ca. 100°C verflüchtigt und der Siliciumtetrachloriddampf mittels Stickstoff in die Mischkammer eines Brenners bekannter Bauart geleitet. In einem weiteren Verdampfer werden 0,052 kg/h TaCl5 bei ca. 270°C verdampft und mittels Stickstoff in den Brenner geführt. Dort wird der Gasstrom mit 0,989 Nm3/h Wasserstoff und 0,847 Nm3/h getrockneter Luft gemischt. Die Gase werden in der Reaktionskammer verbrannt und in einer anschließenden Koagulationsstrecke auf ca. 110°C abgekühlt. Das entstandene Mischoxid wird anschließend in einem Filter abgeschieden. Durch eine Behandlung des Pulvers mit feuchter Luft bei ca. 500-700°C wird anhaftendes Chlorid entfernt.
- Das entstandene Mischoxidpulver enthält insgesamt 5,8 Gew.-% Ta2O5 und 94,2 Gew.-% SiO2. Die BET-Oberfläche beträgt 52 m2/g.
- Weitere Versuche werden entsprechend der Beschreibung in Beispiel 1 durchgeführt. Variiert werden dabei das Verhältnis SiCl4/TaCl5 bzw. SiCl4/NbCl5 und die Gasmengen entsprechend Tabelle 1, wodurch sich die in Tabelle 2 zusammengefaßten Pulvereigenschaften ergeben. Tabelle 1 Prozesseinstellungen zur Herstellung der Mischoxidpulver
- Das Kernstück der Apparatur ist der Brenner bekannter Bauart wie er zur Herstellung von pyrogenen Oxiden üblicherweise verwendet wird (vgl. Beispiel 1). In dem Zentralrohr befindet sich ein Axialrohr, das einige Zentimeter vor der Düse des Zentralrohrs endet. In das Axialrohr wird ein Aerosol eingespeist, wobei auf der letzten Strecke des Zentralrohres der Aerosol-Gasstrom des Axialrohres mit dem Gasstrom des Zentralrohres homogen gemischt wird. Das Aerosol wird in dem Aerosol-Generator (Ultraschallvernebler) erzeugt.
- Es werden 4,44 kg/h SiCl4 bei ca. 130°C verdampft und in das Zentralrohr des Brenners eingeführt. In das Zentralrohr werden zusätzlich 3,25 Nm3/h Primär-Wasserstoff und 6,8 Nm3/h Luft eingespeist. Das Gasgemisch strömt aus der inneren Düse des Brenners und brennt in den Brennerraum und das sich daran anschließende wassergekühlte Flammrohr. In die Manteldüse, die die Zentraldüse umgibt, werden zur Vermeidung von Anbackungen an den Düsen 0,3 Nm3/h Mantel- oder Sekundär-Wasserstoff und 0,3 Nm3/h Stickstoff eingespeist. In den Brennerraum werden zusätzlich 50 Nm3/h Sekundär-Luft eingespeist. Aus dem Axialrohr strömt das Aerosol in das Zentralrohr. Das Aerosol ist ein Tantalsalz- Aerosol, welches durch Ultraschallvernebelung einer ca. 3,0% wäßrigen Tantal-Chlorid-Lösung in dem Aerosol-Generator in einer Menge von 229 g/h erzeugt wird. Das Tantalsalz- Aerosol wird mit Hilfe des Traggases von 2 Nm3/h Luft durch eine beheizte Leitung geführt, wobei das Aerosol bei Temperaturen um ca. 180°C in ein Gas und ein Salzkristall- Aerosol übergeht.
- Am Brennermund beträgt die Temperatur des Gasgemisches (SiCl4-Luft-Wasserstoff-Aerosol) 180°C. Die Reaktionsgase und die entstandene mit Tantal dotierte, pyrogen hergestellte Kieselsäure werden durch Anlegen eines Unterdrucks durch ein Kühlsystem gesaugt und dabei auf ca. 100 bis 160°C abgekühlt. In einem Filter oder Zyklon wird der Feststoff vom Gasstrom abgetrennt.
- Das Silicium-Tantal-Mischoxid fällt als weißes feinteiliges Pulver an. In einem weiteren Schritt werden bei erhöhter Temperatur durch Behandlung mit wasserdampfhaltiger Luft die anhaftenden Salzsäurereste von dem Pulver entfernt. Die BET-Oberfläche beträgt 85 m2/g. Der Gehalt an Ta2O5 beträgt nach RFA-Analyse 0,16 Gew.-%.
- 245 g destilliertes Wasser werden in einem Becherglas vorgelegt und mit einer organischen Base, vorzugsweise TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid), auf den pH-Wert 11 eingestellt.
- Anschließend werden mittels eines Dissolvers mit Dissolverscheibe 105 g des in Beispiel 1 hergestellten Pulvers in das Wasser eingetragen. Die Drehzahl des Dissolvers beträgt dabei ca. 1000 U/min. Nachdem das Pulver vollständig in die Dispersion eingearbeitet ist, wird die Dispersion mittels Dissolver noch zwischen 10 und 30 min. vordispergiert. Anschließend wir die Dispersion mit einem Ultra-Turrax Rotor-Stator-Dispergieraggregat bei 10 000 U/min. zwischen 10 und 30 min. dispergiert. Die Viskosität der Dispersion beträgt bei einer Rotationsgeschwindigkeit von 5 rpm 80 mPas. Tabelle 2 Eigenschaften der Mischoxidpulver
- 17,2 g des in Beispiel 1 hergestellten Pulvers werden mit 27 ml destilliertem Wasser und 2,57 ml TMAH zu einer homogenen Dispersion (wie in Bsp. 7 beschrieben) angerührt. Nach Fertigstellung der Dispersion werden 10 ml Essigsäureethylester zugegeben und die Dispersion sofort in eine Form gegossen.
- Nach 12 Minuten ist die Dispersion geliert und der entstandene Gelkörper wird nach einer Stunde der Form entnommen und bei Raumtemperatur 6 Tage getrocknet. Durch die Trocknung entsteht ein mikroporöser Grünkörper. Dieser wird mittels Zonensinterung unter Vakuum bei 1400°C für vier Stunden gesintert. Es entsteht ein Sinterglaskörper ohne sichtbare Blasen oder Poren.
Claims (14)
1. Flammenhydrolytisch hergestelltes Siliciumdioxid-
Mischoxid-Pulver enthaltend Tantaloxid (Ta2O5) bzw.
Niobiumoxid (Nb2O5) als Komponente des Mischoxides.
2. Pulver nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der
Anteil der Mischoxidkomponente zwischen 100 ppm und 99,9 Gew.-%
liegt.
3. Pulver nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die BET-Oberfläche zwischen 5 und
400 m2/g liegt.
4. Verfahren zur Herstellung des Pulvers gemäß den
Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass man
entsprechend dem später gewünschten Verhältnis der
Oxide, Silicium- und Tantal- bzw. Niobiumverbindungen
getrennt oder zusammen verdampft und mittels eines
Inertgases in eine Mischeinheit überführt und dort mit
einem sauerstoffhaltigen Gas und einem Brenngas mischt,
dieses Gemisch einem Brenner bekannter Bauart zuführt
und innerhalb einer Brennkammer in einer Flamme zur
Reaktion bringt, anschließend die heißen Gase und den
Feststoff abkühlt, dann die Gase vom Feststoff abtrennt
und das Produkt gegebenenfalls durch eine
Wärmebehandlung mittels Wasserdampf angefeuchteter Gase
reinigt.
5. Verfahren zur Herstellung des Pulvers gemäß den
Ansprüchen 1 bis 3, unter der Massgabe, dass der Anteil
der Mischoxidkomponente zwischen 0,01 und 20 Gew.-%
liegt, dadurch gekennzeichnet, dass man in ein
Gasgemisch einer Flammenhydrolyse enthaltend ein
Siliciumverbindung, ein durch Vernebelung erhaltenes
Aerosol enthaltend die Lösung oder Suspension eines
Salzes einer Tantal- oder Niobiumverbindung einspeist,
dieses mit dem Gasgemisch homogen mischt, das Aerosol-
Gas-Gemisch einem Brenner bekannter Bauart zuführt und
innerhalb einer Brennkammer in einer Flamme zur Reaktion
bringt, anschließend die heißen Gase und den Feststoff
abkühlt, dann die Gase vom Feststoff abtrennt und das
Produkt gegebenenfalls durch eine Wärmebehandlung
mittels Wasserdampf angefeuchteter Gase reinigt.
6. Verfahren nach Ansprüchen 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, dass als Siliciumverbindungen
Siliciumhalogenide, Alkylsiliciumtrihalogenide,
Dialkylsiliciumdihalogenide, Trialkylsiliciumhalogenide,
Siliciumalkoxide und/oder Mischungen hiervon eingesetzt
werden.
7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, dass als Tantal- bzw.
Niobiumverbindungen deren Halogenide, Alkoxide und/oder
deren Mischungen eingesetzt werden.
8. Dispersion hergestellt unter Verwendung des Pulvers
gemäß den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
dass der Anteil an Pulver zwischen 0,1 und 70 Gew.-%
liegt.
9. Dispersion nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass
die mittlere sekundäre Teilchengröße in der Dispersion
kleiner als 0,4 µm ist.
10. Dispersion nach Anspruch 8 oder 9, dadurch
gekennzeichnet, dass der Dispersion Additive in Form von
Säuren, Basen, oberflächenaktiven Substanzen,
Oxidationsmitteln, Oxidationskatalysatoren und/oder
Korrosionsinhibitoren zugesetzt sind.
11. Grünkörper oder ein Glas hergestellt unter Verwendung
des Pulvers nach den Ansprüchen 1 bis 3.
12. Schichten, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens
eine Schichtkomponente das Pulver gemäß den Ansprüchen 1
bis 3 ist.
13. Verwendung des Pulvers gemäß den Ansprüchen 1 bis 3,
als Glasrohstoff, als optische Faser, sowohl als
Vollmaterial, als Mantel oder als Kern (Core), als
optische Schalter, als optische Verstärker, als sonstige
optischen Artikel, als Linsen, Gläser, als
Trägermaterial, als katalytisch aktive Substanz, als
Poliermaterial.
14. Verwendung der Dispersion gemäß den Ansprüchen 8 bis
10 zum Polieren von Metallschichten im CMP-Prozess,
insbesonders von kupfer- und tantalhaltigen Schichten.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10163940A DE10163940A1 (de) | 2001-12-22 | 2001-12-22 | Silicium-Tantal- und Silicium-Niobium-Mischoxidpulver, deren Herstellung und Verwendung |
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DE10163940A DE10163940A1 (de) | 2001-12-22 | 2001-12-22 | Silicium-Tantal- und Silicium-Niobium-Mischoxidpulver, deren Herstellung und Verwendung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10163940A1 true DE10163940A1 (de) | 2003-07-17 |
Family
ID=7710851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10163940A Ceased DE10163940A1 (de) | 2001-12-22 | 2001-12-22 | Silicium-Tantal- und Silicium-Niobium-Mischoxidpulver, deren Herstellung und Verwendung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10163940A1 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE69601054T2 (de) * | 1995-06-28 | 1999-06-10 | At&T Ipm Corp., Coral Gables, Fla. | Verfahren zum Sintern von Glasvorformen für die Herstellung von planären optischen Wellenleitern |
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- 2001-12-22 DE DE10163940A patent/DE10163940A1/de not_active Ceased
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