DE10156915A1 - Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und dessen Verwendung - Google Patents

Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und dessen Verwendung

Info

Publication number
DE10156915A1
DE10156915A1 DE10156915A DE10156915A DE10156915A1 DE 10156915 A1 DE10156915 A1 DE 10156915A1 DE 10156915 A DE10156915 A DE 10156915A DE 10156915 A DE10156915 A DE 10156915A DE 10156915 A1 DE10156915 A1 DE 10156915A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
radiator
substrates
ceramic
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10156915A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10156915B4 (de
Inventor
Joerg Eckert
Robert Heinrich
Karl Hoefler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Noblelight GmbH
Original Assignee
Heraeus Noblelight GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Noblelight GmbH filed Critical Heraeus Noblelight GmbH
Priority to DE10156915A priority Critical patent/DE10156915B4/de
Priority to US10/293,756 priority patent/US20030095796A1/en
Publication of DE10156915A1 publication Critical patent/DE10156915A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10156915B4 publication Critical patent/DE10156915B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

Zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen von metallischen, mineralischen, organischen oder nichtmetallischen Werkstoffen bzw. Werkstoffträgern ist eine IR-Strahlenquelle aus wenigstens einem langgestreckten rohrförmigen Strahler vorgesehen, wobei elektrische Anschlüsse zur Versorgung des Strahlers sich im Kaltbereich eines Strahlergehäuses befinden; als IR-Strahlenquelle ist ein wenigstens zweiseitig gesockelter IR-Strahler (7, 8, 9, 10, 11, 12) ausgebildet, der sich mit seinem strahlenden Teil in einer zur Abstrahlrichtung geöffneten Leuchten-Kammer (1) mit reflektierender Oberfläche befindet, während die Anschlussenden des Strahlers zum Schutz gegen Erwärmung sich jeweils in gegenüber der Leuchten-Kammer (1) abgeschlossenen Seitenkammern (4, 5) befinden; die IR-Strahlenquelle weist vorteilhafterweise mehrere IR-Strahler auf, die in einer Ebene senkrecht zur Abstrahlrichtung angeordnet sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen von Werkstoffen oder Werkstoffträgern mit einer IR-Strahlenquelle mit wenigstens einem langgestreckten rohrförmigen Strahler und mit einem elektrische Anschlüsse zur Versorgung des Strahlers aufweisenden Strahlergehäuse, sowie mit Mitteln zur Erzeugung von indirekt auf die Substrate oder Oberflächen einwirkender IR-Strahlung, wobei der Anteil von indirekt auf die Substrate oder Oberflächen einwirkender Strahlung einen wesentlichen Anteil der Gesamtstrahlungsleistung bildet, sowie die Verwendung der Vorrichtung.
  • Zu den behandelten Werkstoffen (auch Beschichtungen) oder Werkstoffträgern gehören metallische, mineralische, nichtmetallische, organische und anorganische Stoffe.
  • Die indirekt auf die Substrate oder Oberflächen einwirkende Strahlung ergibt sich aus reflektierter Strahlung - beispielsweise durch Reflexion an einer Goldschicht - und Sekundärstrahlung aufgrund vorheriger Absorption von Primärstrahlung, wie sie beispielsweise aus der EP 0 554 538 B1 bekannt ist; bei der Sekundärstrahlung wird IR-Strahlung mit einem Wellenlängenbereich emittiert, der gegenüber dem der Primärstrahlung verschoben ist.
  • Ein solcher Anteil der indirekt auf die Substrate oder Oberfläche einwirkenden Strahlung an der Gesamtstrahlungsleistung wird als "wesentlicher Anteil" bezeichnet, wenn er wenigstens im Bereich von 25 bis 50% der Gesamtstrahlungsleistung liegt.
  • Aus der DE 199 38 808 A1 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von semitransparenten und/oder transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken in einem Temperaturbereich von 20°C bis 3000°C, insbesondere im Bereich von 700°C bis 1705°C, bekannt, wobei die Erwärmung durch einen Anteil direkt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkenden der Infrarot-Strahlung sowie einen Anteil indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkender Infrarot-Strahlung erreicht wird, wobei der Anteil der direkt auf das Glas und/oder die Glaskeramiken einwirkende Strahlung nicht mehr als 50% der Gesamtstrahlungsleistung beträgt. In einer Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von semitransparenten und/oder transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken sind Infrarot-Strahlenquellen zur Emission kurzwelliger Strahlung vorgesehen, wobei Mittel zur Erzeugung von indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramiken einwirkende Infrarot-Strahlung derart angeordnet und beschaffen sind, dass der Anteil der indirekt auf das Glas und/oder die Glaskeramik einwirkenden Strahlung mittels Reflexion und Streuung mit mehr als 50% einen wesentlichen Anteil der Gesamtstrahlungsleistung bildet. Die Vorrichtung umfasst eine Vielzahl von IR-Strahlern, die unterhalb eines Reflektors angeordnet sind. Durch den Reflektor wird erreicht, dass das zu erwärmende Glas bzw. die Glaskeramik von der Oberseite her erhitzt wird. Die von den IR- Strahlern abgegebene IR-Strahlung durchdringt die in diesem Wellenlängenbereich weitgehend transparenten Glasmaterialien bzw. die Glaskeramik und trifft auf eine Trägerplatte aus stark reflektierendem bzw. stark streuendem Material. Dabei befinden sich die Heizeinrichtung und das Glühgut in einem mit IR-Strahlen bestückten IR-Strahlungshohlraum; dies setzt voraus, dass die Quarzglasstrahler selbst genügend temperaturbeständig sind oder gekühlt werden. Das Quarzglasrohr ist bis etwa 1100°C einsetzbar. Bevorzugt werden dabei Quarzglasrohre eingesetzt, die erheblich länger als die eigentliche Heizwendel ausgebildet sind, so dass die Anschlüsse im Kaltbereich liegen und somit nicht überhitzt werden können.
  • Weiterhin ist aus der DE 26 37 338 C3 ein kühlbares Infrarotstrahlerelement aus Quarzglas oder Quarzgut mit einem in einem Hüllrohr angeordneten elektrischen Heizleiter als Spannungsquelle bekannt, das ein von einem Kühlmittel durchströmtes Kühlrohr und einen Reflektor aufweist, wobei mindestens 10 höchstens aber 90% der Wandfläche des Heizleiterhüllrohres gleichzeitig als Wandfläche des Kühlrohres dienen. Der Reflektor wird durch eine Reflexionsschicht gebildet wird, die auf einer Oberfläche des Kühlrohres aufgebracht ist. Als Reflexionsschicht wird vorzugsweise eine Goldschicht eingesetzt. Dabei ist ein Ende des Kühlrohres verschlossen und sein Innenraum durch einen Raumteiler unterteilt, wobei die Stutzen für die Kühlmittelzufuhr und Abfuhr an einem Ende des Strahlerelements angeordnet sind. Am entgegengesetzten Ende des Strahlerelements sind die elektrischen Anschlüsse für den Heizleiter angeordnet. Bei dem bekannten Infrarotstrahlerelement ist nicht nur eine intensive Kühlung des Heizleiterhüllrohres auch bei hoher Eigenstrahlung der Infrarotstrahlerelementumgebung sichergestellt, sondern es wird auch eine Abdampfung der Reflexionsschicht mit Sicherheit vermieden. Die Ausbildung von Infrarotstrahlerelementen erlaubt Energiekonzentrationen bis zu 400 kW/m2, wodurch es möglich ist, metallische Werkstoffe und Werkstücke in wenigen Minuten - also schockartig - bis auf ca. 1000°C zu erwärmen.
  • Weiterhin ist aus der DD 257 200 A1 eine Infrarothochleistungsstrahlungsquelle bekannt, die einen langgestreckten Glühstrahler in einem Hüllrohr aufweist, welches in einem Mantelrohr untergebracht ist. Das Hüllrohr besitzt mehrere streifenförmige Zylindersegmente als Reflexionsflächen, wie auch das Mantelrohr von einer Reflexionsfläche teilweise umschlungen ist. Zwischen dem Hüllrohr und dem Mantelrohr befindet sich ein Kühl- und Filtermedium. Das Hüllrohr ist zum Mantelrohr in der Ebene der Abstrahlungsrichtung der Strahlenquelle um 3 bis 15% versetzt angeordnet.
  • Um eine maximale Strahlungsleistung in Vorwärtsrichtung auf kleinstem Bereich zu erzielen, sind drei Zylindersegmente als Reflexionsflächen auf dem Hüllrohr angeordnet und diese sind so groß gewählt, dass der Abstand zwischen zwei Reflexionsflächen gleich der Breite einer Reflexionsfläche ist und dabei eine Reflexionsfläche symmetrisch zur Reflexionsfläche auf dem Hüllrohr zu ihm parallel verlaufend angeordnet ist. Die Temperatur des Mantelrohres und damit aller von außen berührbaren Oberflächen bleibt niedrig, so dass eine thermische Verletzungsgefahr ausgeschlossen erscheint.
  • Darüber hinaus ist es auch möglich, ähnlich wie bei der aus der eingangs genannten DE 26 37 338 C3 genannten Ausführungsform jeweils an einer Seite die elektrischen Anschlüsse vorzunehmen, welche gekühlt werden und auf der gegenüberliegenden Seite die zur Wasserzufuhr bzw. -abfuhr vorgesehenen Anschlüsse einzusetzen. Hier muss dann allerdings das Ende mit jeweils zwei elektrischen Anschlüssen eine besonders hohe thermische Leistung aufnehmen, so dass die Kühlungsintensität verbessert werden muss, bzw. eine Konvektionskühlung durch eine Zwangskühlung ersetzt werden muss.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halterung von Hochleistungsinfrarotstrahlern zu schaffen, die eine sehr hohe Energiedichte von ca. 1000 kW/m2 mit hoher Effizienz abstrahlen; dabei sollen Temperaturen im Bereich von 800 bis 3000°C erzielt werden. Da im Bereich der Einschmelzung der Strahler aufgrund der Metalldrahtdurchführung nur eine Temperatur von ca. 250°C möglich ist, soll ein Infrarotstrahlergehäuse entwickelt werden, dessen Hauptbereich die mittleren Strahlerbereiche für hohe Strahlerleistung umfasst, während davon abgeteilte Bereiche als Kaltbereiche zur Aufnahme der Anschlussenden vorgesehen sind.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die IR-Strahlenquelle zumindest als ein zweiseitig gesockelter IR-Strahler ausgebildet ist, der sich mit seinem strahlenden Teil in einer zur Abstrahlrichtung geöffneten Leuchtenkammer mit reflektierender Oberfläche befindet, während die Anschluss-Enden sich in jeweils gegenüber der Leuchtenkammer abgeteilten Seitenkammern (im Kaltbereich des Strahlergehäuses) befinden.
  • Als vorteilhaft erweist es sich, dass die gesamte Effizienz der Vorrichtung erhöht wird, während gleichzeitig die temperaturempfindlichen Anschlussenden der Strahler gegen Überhitzung geschützt sind. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass die Kühlung der Anschlussbereiche sowohl durch Zwangskonvektion als auch durch natürliche Konvektion möglich ist.
  • Bei natürlicher Konvektion tritt praktisch keine Beeinträchtigung der Strahlerleistung ein; weiterhin wird auch ein eventueller Fremdlufteinfluss auf das Substrat vermieden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen des Gegenstandes gemäß Anspruch 1 sind in den Ansprüchen 2 bis 10 sowie dessen Verwendung ist in Anspruch 11 angegeben.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung weist die LR-Strahlenquelle wenigstens einen IR-Strahler auf, der in einer Ebene senkrecht zur Abstrahlrichtung angeordnet ist. Die beiden Seitenkammern stehen in Luftverbindung mit einem Gaskanal zur Durchströmung der Seitenkammern mit Kühlluft.
  • Die Luftverbindung zu den Seitenkammern ist jedoch auch für eine natürliche Konvektion geeignet, so dass auch ohne Zwangskonvektion ein Kaltbereich für die elektrischen Anschlüsse der IR-Strahler gebildet wird.
  • Weiterhin ist wenigstens ein IR-Strahler als Doppelrohrstrahler mit zwei zueinander parallel angeordneten und verbundenen Rohren in einer Ebene parallel zur Abstrahlrichtung ausgebildet, der auf der dem Strahlenaustritt abgewandten Innenseite seines Rohres einen Teilreflektor aufweist, wobei das Rohr zur Durchströmung an jedem seiner Enden mit wenigstens einem Kühlwasseranschluss versehen ist; in der Praxis sind mehrere - beispielsweise sechs - Infrarot- Strahler in einer Ebene angeordnet, die jeweils als Doppel-Rohrstrahler mit Wasserkühlung ausgebildet sind.
  • Die Enden der Strahler werden jeweils formschlüssig von einer Seitenwand des Kanals gehalten, wobei die elektrischen Anschlüsse jeweils durch die Seitenwand vom eigentlichen Strahlungsfeld der IR-Strahler abgetrennt sind.
  • Die Leuchtenkammern und die Seitenkammern weisen jeweils Wände aus Keramik und/oder keramischem Werkstoff mit einer Temperaturbeständigkeit von mehr als 1000°C auf, wobei vorzugsweise Aluminiumoxid und/oder Siliziumoxid eingesetzt werden. Die Reflexion der Strahlung bzw. die Emission der gewandelten Strahlung (Sekundärstrahlung) wird vorzugsweise durch Keramik und/oder keramischem Werkstoff hervorgerufen, wobei als Keramik vorzugsweise Aluminiumoxid und Siliziumoxid und als keramischer Werkstoff vorzugsweise geschäumtes Aluminiumoxid eingesetzt wird.
  • Das Spektrum der ausgegebenen Infrarot-Strahlung liegt im Wellenlängenbereich oberhalb von 0,8 µm, vorzugsweise bei 0,9 bis 1,5 µm.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung wird vorzugsweise zur Behandlung von Substraten oder Oberflächen mittels IR-Strahlung verwendet.
  • Im folgenden ist der Gegenstand der Erfindung anhand der Fig. 1 und 2 näher erläutert.
  • Fig. 1 zeigt in einer perspektivischen Darstellung die Vorrichtung mit ihren drei gegenseitig abgeschlossenen Kammern, von denen in der mittleren Leuchtenkammer sich die jeweiligen Strahlungsbereiche der Doppelrohrstrahler befinden, während in den die Leuchtenkammer seitlich begrenzenden thermisch isolierten Kammern jeweils die Anschlussenden der zweiseitig gesockelten Strahler erkennbar sind, welche ihrerseits mit einer elektrischen Versorgungsleitung verbunden sind.
  • Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch eine Bestrahlungsvorrichtung, welche auf einen Behandlungstisch mit Bestrahlungsobjekt, beispielsweise Keramiksubstrat, gerichtet ist.
  • Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung weist ein Gehäuse mit drei Kammern auf, von denen eine große mittlere Leucht-Kammer 1 zur IR-Abstrahlung vorgesehen ist, die jeweils durch Seitenwände 2, 3 von Seitenkammern 4, 5 räumlich und thermisch abgeteilt ist. In der Ebene der frontalen Öffnung von Kammer 1 sind die Hauptstrahlungsbereiche von insgesamt sechs langgestreckten IR-Doppelrohr-Strahlern 7, 8, 9, 10, 11, 12 gezeigt, wobei die jeweiligen Anschlussenden 7', 8', 9', 10', 11', 12' bzw. die axial gegenüberliegenden Anschlussenden 7", 8", 9", 10", 11", 12" durch die jeweiligen Trennwände 2 und 3 formschlüssig geführt sind. Jedes der Anschlussenden ist seinerseits mit einem Anschlussleiter 13, 14, 15, 16, 17, 18 verbunden, wobei entsprechende Anschlüsse auch auf der hier nicht sichtbaren Anschlussebene in Seitenkammer 5 bzw. Klemmkästen 32 vorgesehen sind.
  • Aufgrund der Doppelrohrkonstruktion der IR-Strahler weisen die Anschlussenden zusätzlich die Möglichkeit einer Zufuhr von Kühlwasser auf, wobei die Wasser-Anschlussleiter 13', 14', 15', 16', 17', 18' aus flexiblem Rohr ausgebildet sind, so dass Kühlwasser zugeführt wird und entlang der koaxial ausgebildeten ringförmigen Zwischenräume der Strahler 7, 8, 9, 10, 11, 12 geführt werden kann.
  • In der Praxis wird die Zwangsbelüftung der beiden seitlichen Kammern 4, 5 durch den hier schematisch dargestellten Ventilator 31 zur Kühlung der Anschlussenden erreicht, es ist jedoch auch möglich, die natürliche Konvektion innerhalb der Seitenkammern 4 und 5 zur Wärmeabfuhr anzuwenden. Die Wasserzufuhr erfolgt beispielsweise über ein hier symbolisch dargestelltes Anschlussende 21.
  • Die Strahler 7, 8, 9, 10, 11, 12 weisen auf ihrer dem Strahlenaustritt aus Kammer 1 abgekehrten Seite jeweils einen Reflektor auf; der Reflektor besteht vorzugsweise aus einer dünnen Goldschicht besteht, welche infolge des durchströmenden Kühlwassers keinerlei Beschädigung durch Erwärmung erleidet.
  • Im Querschnitt gemäß Fig. 2 ist eine komplette Bestrahlungsvorrichtung 22 erkennbar, deren Oberteil 23 die erfindungsgemäße Strahlungsvorrichtung 24 so hält, dass die Strahlenaustrittsöffnung der Kammer 1 nach unten gerichtet ist.
  • Im Querschnitt sind die mittleren Bereiche der schematisch dargestellten Strahler 7, 8, 9, 10, 11, 12 erkennbar, wobei nunmehr die Strahlenaustrittsöffnung von Kammer 1 horizontal verläuft, so dass der Strahlenaustritt auf ein Substrat 26, welches von einem Träger bzw. von einer Halterung 27 getragen wird, gerichtet ist.
  • Anhand Fig. 2 ist erkennbar, dass sich alle Strahler 7, 8, 9, 10, 11, 12 in einer Ebene befinden, wobei es zur Optimierung der Bestrahlung des Substrats 26 möglich ist, den Abstand zum Substrat durch Verstellung von Substratträger bzw. Halterung 27 zu variieren, so dass eine optimale Entfernung eingestellt werden kann. Es ist jedoch auch möglich, die Strahler in einer anderen Form - beispielsweise in radialer Form - anzuordnen, so dass die Strahlenaustrittsfläche die Form eines Hohlzylinders bzw. Hohlzylinder-Segments, aufweist. Das die Strahler enthaltende Gehäuse 34 besteht vorzugsweise aus wärmeisolierender Keramik, einem keramischem Werkstoff bzw. temperaturbeständigem Werkstoff, während die Außenumhüllung und somit das Außengehäuse aus metallischem Werkstoff oder temperaturbeständigem Werkstoff mit einer Temperaturbeständigkeit von bis ca. 200°C bestehen kann.

Claims (11)

1. Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen von Werkstoffen oder Werkstoffträgern mit einer IR-Strahlenquelle mit wenigstens einem langgestreckten rohrförmigen Strahler und mit einem elektrische Anschlüsse zur Versorgung des Strahlers aufweisenden Strahlergehäuse, sowie mit Mitteln zur Erzeugung von indirekt auf die Substrate oder Oberflächen einwirkender IR-Strahlung, wobei der Anteil von indirekt auf die Substrate oder Oberflächen einwirkender Strahlung einen wesentlichen Anteil der Gesamtstrahlungsleistung bildet, dadurch gekennzeichnet, dass die IR-Strahlenquelle als ein wenigstens zweiseitig gesockelter IR-Strahler (7, 8, 9, 10, 11, 12) ausgebildet ist, der sich mit seinem strahlenden Teil in einer zur Abstrahlrichtung geöffneten Leuchtenkammer (1) mit reflektierender Oberfläche befindet, während die Anschlussenden des Strahlers sich jeweils in gegenüber der Leuchtenkammer (1) abgeschlossenen Seitenkammern (4, 5) befinden.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die IR-Strahlenquelle wenigstens zwei IR-Strahler aufweist, die in einer Ebene senkrecht zur Abstrahlrichtung angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils ein Gaskanal zur Durchströmung der Seitenkammern (4, 5) mit Kühlluft vorgesehen ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein IR-Strahler als Doppelrohrstrahler mit zwei zueinander parallel angeordneten und miteinander verbundenen Rohren eingesetzt ist, wobei das auf der der Abstrahlrichtung abgewandten Seite angeordnete Rohr zur Durchströmung mit einem Kühlwasser-Kreislauf verbunden ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die IR-Strahler (7, 8, 9, 10, 11, 12) aus jeweils zwei in einer Ebene parallel zur Abstrahlrichtung angeordneten Rohren aus Quarzglas bestehen, von denen ein erstes als IR-Strahler ausgebildet ist, während das zweite ein Kühlmittel enthält, wobei das mit Kühlmittel versehene Rohr einen Teilreflektor für IR-Strahlung aufweist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtenkammer (1) und Seitenkammern (4, 5) Wände aus Keramik und/oder aus keramischem, wärmeisolierenden Werkstoff mit einer Temperaturbeständigkeit 1000°C aufweisen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Keramik Aluminiumoxid eingesetzt ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als keramischer, wärmeisolierender Werkstoff SiO2 oder Al2O3-Keramiken eingesetzt werden.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Enden der IR-Strahler (7, 8, 9, 10, 11, 12) jeweils formschlüssig von einer Seitenwand zwischen Leuchtenkammer und Seitenkammer gehalten werden.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Spektralbereich der IR-Strahlung eine Wellenlänge oberhalb 0,8 µm aufweist.
11. Verwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10 in einer Bestrahlungsvorrichtung (22) zur Behandlung von Substraten (26) mittels IR-Strahlung.
DE10156915A 2001-11-21 2001-11-21 Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und deren Verwendung Expired - Fee Related DE10156915B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10156915A DE10156915B4 (de) 2001-11-21 2001-11-21 Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und deren Verwendung
US10/293,756 US20030095796A1 (en) 2001-11-21 2002-11-13 Apparatus for the uniform heating of substrates or of surfaces, and the use thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10156915A DE10156915B4 (de) 2001-11-21 2001-11-21 Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und deren Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10156915A1 true DE10156915A1 (de) 2003-06-05
DE10156915B4 DE10156915B4 (de) 2007-11-29

Family

ID=7706339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10156915A Expired - Fee Related DE10156915B4 (de) 2001-11-21 2001-11-21 Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und deren Verwendung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20030095796A1 (de)
DE (1) DE10156915B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006014689A1 (de) * 2006-03-28 2007-10-11 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot Bestrahlungseinheit
DE102010028958A1 (de) * 2010-05-12 2011-11-17 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10211249B4 (de) * 2002-03-13 2004-06-17 Heraeus Noblelight Gmbh Verwendung eines Glanzedelmetallpräparats
EP2039222B1 (de) * 2006-06-16 2012-09-19 Tempco Electric Heater Corporation Heizstrahler
DE202014101145U1 (de) 2014-03-13 2015-06-16 Solamagic Gmbh Elektrischer Strahler

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2637338A1 (de) * 1976-08-19 1978-02-23 Heraeus Schott Quarzschmelze Kuehlbares infrarotstrahlerelement
DE4432819A1 (de) * 1993-09-30 1995-04-06 Satir Kolorz Anne Dr Sc Techn Thermische Lichtquelle in Metallgehäuse
EP0554538B1 (de) * 1992-02-01 1998-03-04 Heraeus Noblelight GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen eines Materials
DE69418839T2 (de) * 1993-12-21 1999-09-23 Ta Instruments, Inc. Durch Infrarotstrahlung beheiztes Differenzthermogerät

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD257200B1 (de) * 1987-01-19 1991-05-23 Ardenne Forschungsinst Infrarot-hochleistungsstrahlungsquelle
US5951896A (en) * 1996-12-04 1999-09-14 Micro C Technologies, Inc. Rapid thermal processing heater technology and method of use
DE29905385U1 (de) * 1999-03-23 2000-08-03 Schott Glas Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Gläsern und/oder Glaskeramiken mit Hilfe von Infrarot-Strahlung
US6600138B2 (en) * 2001-04-17 2003-07-29 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing system for integrated circuits

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2637338A1 (de) * 1976-08-19 1978-02-23 Heraeus Schott Quarzschmelze Kuehlbares infrarotstrahlerelement
EP0554538B1 (de) * 1992-02-01 1998-03-04 Heraeus Noblelight GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen eines Materials
DE4432819A1 (de) * 1993-09-30 1995-04-06 Satir Kolorz Anne Dr Sc Techn Thermische Lichtquelle in Metallgehäuse
DE69418839T2 (de) * 1993-12-21 1999-09-23 Ta Instruments, Inc. Durch Infrarotstrahlung beheiztes Differenzthermogerät

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006014689A1 (de) * 2006-03-28 2007-10-11 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot Bestrahlungseinheit
WO2007112896A1 (de) 2006-03-28 2007-10-11 Heraeus Noblelight Gmbh Infrarot-bestrahlungseinheit
DE102010028958A1 (de) * 2010-05-12 2011-11-17 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage
DE102010028958B4 (de) * 2010-05-12 2014-04-30 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
US20030095796A1 (en) 2003-05-22
DE10156915B4 (de) 2007-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112004001402B4 (de) Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Substrats
DE19938808A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Gläsern und/oder Glaskeramiken mit Hilfe von IR-Strahlung
DE10153204A1 (de) Ultraviolettlampensystem und Verfahren
DE10029522B4 (de) Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Gläsern und/oder Glaskeramiken, Verfahren und Verwendungen
WO2014090693A1 (de) Bestrahlungsvorrichtung zur bestrahlung von pflanzen
DE102013105959B4 (de) Betriebsverfahren und Vorrichtung zur Bestrahlung eines Substrats
DE102015113766B4 (de) Strahlermodul sowie Verwendung des Strahlermoduls
EP1171392B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum homogenen erwärmen von gläsern und/oder glaskeramiken mit hilfe von infrarot-strahlung
DE10156915B4 (de) Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Substraten oder Oberflächen und deren Verwendung
DE10024709B4 (de) Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
DE4202944C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erwärmen eines Materials
DE102013113600B4 (de) Prüfvorrichtung und hochfokussierende Heizvorrichtung zur Erzeugung hoher Wärmestromdichten
DE10163087B4 (de) Infrarotstrahler zur thermischen Behandlung von Gütern
WO2017008987A1 (de) Verfahren zum betreiben einer xenon-excimer-lampe und lampensystem mit einer excimer-lampe
DE10051125A1 (de) Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
EP0322627B1 (de) Vorrichtung zum Aufheizen eines Gasstroms
DE20020149U1 (de) Strahlungsquelle und Bestrahlungsanordnung
DE69520710T2 (de) Strahlungsquelle für Infrarot-Gasanalysator und Verfahren zur Erzeugung von Infrarotstrahlung
DD257200A1 (de) Infrarot-hochleistungsstrahlungsquelle
DE102014100141B4 (de) Bestrahlungsvorrichtung zur Bestrahlung von Pflanzen
DE19736189A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung
EP2000003B1 (de) Infrarot-bestrahlungseinheit
EP1482534B1 (de) Beleuchtungsanordnung bestehend aus einer Gasentladungslampe und einer Abschirmhülse
EP4257904A1 (de) Gekühltes infrarot- oder uv-modul
WO2002051758A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum vorspannen von gläsern, insbesondere trinkgläsern

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee