DE10156441A1 - Device to receive semiconductor wafers for thermal treatment comprises a support with recesses for holding the wafers - Google Patents

Device to receive semiconductor wafers for thermal treatment comprises a support with recesses for holding the wafers

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DE10156441A1
DE10156441A1 DE2001156441 DE10156441A DE10156441A1 DE 10156441 A1 DE10156441 A1 DE 10156441A1 DE 2001156441 DE2001156441 DE 2001156441 DE 10156441 A DE10156441 A DE 10156441A DE 10156441 A1 DE10156441 A1 DE 10156441A1
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Martin Drechsler
Juergen Nies
Michael Grandy
Hin Yiu Chung
Paul Mantz
Ottmar Graf
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Mattson Thermal Products GmbH
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Abstract

Device for receiving semiconductor wafers for thermal treatment comprises a support with recesses for holding the wafers. An Independent claim is also included for a handling device comprising a transport arm having a holding unit for holding a wafer under low pressure. Preferred Features: The device further includes a cover for covering the recesses. The support is made from graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon nitride, ceramic and/or metal. The cover and/or the cover have a heat capacity of 0.2-0.8 J/gK.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von schei benförmigen Objekten, vorzugsweise Halbleiterwafern, zu deren thermischer Behandlung. The present invention relates to a device for recording failed benförmigen objects, preferably semiconductor wafers, to the thermal treatment. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Handhabungsvorrichtung für Objekte. The invention further relates to a handling device for objects.

Zur industriellen Fertigung elektronischer Bauteile werden Halbleitermateriali en von scheibenförmiger Gestalt, sogenannte Wafer, thermischen Behandlun gen unterzogen. For industrial production of electronic components are Halbleitermateriali s of disk-like shape, subjected to so-called wafer, thermal Behandlun gene. Insbesondere thermisches Prozessieren von Objekten, wie Wafern, mittels Schnellheizanlagen, auch RTP-Anlagen (Rapid Thermal Processing) genannt, drängt immer mehr in den Vordergrund. In particular, thermal processing of objects such as wafers, by rapid heating units, including RTP units (Rapid Thermal Processing) called, pushing more and more into the foreground. Hauptvorteil von RTP-Anlagen ist deren hoher Durchsatz, der sich auf der Möglichkeit gründet, die Wafer sehr schnell aufzuheizen. Main advantage of RTP systems is their high throughput, which is based on the ability to rapidly heat the wafer. Heizraten von bis zu 300°C/s können in RTP-Anlagen erreicht werden. Heating rates of up to 300 ° C / s can be achieved in RTP systems.

Eine RTP-Anlage besteht im wesentlichen aus einer transparenten Prozeß kammer, in der ein zu prozessierender Wafer auf geeigneten Haltevorrichtun gen angeordnet werden kann. An RTP system consists essentially of a transparent process chamber in which a wafer to prozessierender on suitable Haltevorrichtun gene can be placed. Daneben können neben dem Wafer auch diver se Hilfselemente wie z. In addition, next to the wafer can also diver se auxiliary elements such. B. eine lichtabsorbierende Platte, ein den Wafer um fassender Kompensationsring oder eine Rotations- oder Kippvorrichtung für den Wafer in der Prozeßkammer angeordnet sein. B. a light-absorbing plate, the wafer be arranged around Synthesis compensation ring or a rotary or tipping device for the wafer in the process chamber. Die Prozeßkammer kann über geeignete Gaszu- und abflüsse verfügen, um eine vorgegebene Atmo sphäre innerhalb der Prozeßkammer, in der der Wafer prozessiert werden soll, herstellen zu können. The process chamber can have adequate gas supply and outflows to a given atmos phere within the process chamber in which the wafer is to be processed, manufactured. Geheizt wird der Wafer von einer Heizstrahlung, die von einer Heizvorrichtung ausgeht, die sich entweder oberhalb des Wafers oder unterhalb des Wafers oder beidseitig befinden kann und aus einer Vielzahl von Lampen, Stab- oder Punktlampen oder einer Kombination davon aufge baut ist. the wafer is heated by a radiant heat emanating from a heater is built up either above or below the wafer of the wafer or may be located on both sides and from a plurality of lamps, rod or spot lamps, or a combination thereof. Die gesamte Anordnung kann von einer äußeren Kammer umfaßt werden, deren Innenwände ganz oder wenigstens teilweise verspiegelt sein können. The entire assembly can be comprised of an outer chamber, the inner walls may be completely or at least partially mirrored.

In alternativen RTP-Anlagen wird der Wafer auf einer Heizplatte oder Sus zeptor abgelegt und über einen thermischen Kontakt mit diesem Suszeptor vom Suszeptor geheizt. In alternative RTP systems, the wafer is placed on a hot plate or Zeptor Sus and heated via a thermal contact with the susceptor from the susceptor.

Bei Verbindungshalbleitern wie z. For compound semiconductors such. B. III-V- oder II-IV-Halbleitern wie beispiels weise GaN, InP, GaAs oder ternären Verbindungen wie z. B. III-V or II-VI semiconductors such as GaN example, InP, GaAs or ternary compounds such. B. InGaAs oder quaternären Verbindungen wie InGaAsP besteht allerdings das Problem, daß in der Regel eine Komponente des Halbleiters flüchtig ist und bei Erwärmung des Wafers aus dem Wafer ausdampft. However, as InGaAs or quaternary compounds such as InGaAsP, the problem is that usually a component of the semiconductor is volatile and evaporates on heating of the wafer from the wafer. Es entsteht überwiegend im Randbe reich solcher Wafer eine Verarmungszone mit erniedrigter Konzentration der ausgedampften Komponente. It is predominantly formed in Randbe rich wafer such a depletion region with low concentration of the evaporated component. Die Folge ist eine Veränderung der physikali schen Eigenschaften wie beispielsweise der elektrischen Leitfähigkeit des Wafers in diesem Bereich, die den Wafer zur Herstellung von elektrischen Bauteilen unbrauchbar machen können. The consequence is a change in the physi's properties such as the electrical conductivity of the wafer in this range, which can make the wafer useless for the production of electrical components.

Aus den beiden auf die Anmelderin zurückgehenden Druckschriften US 5 872 889 A und US 5 837 555 A ist es bekannt, Wafer aus Verbindungshalbleitern zur thermischen Behandlung in einem geschlossenen Behältnis aus Graphit anzuordnen. From the two returning to the assignee documents US 5,872,889 A and US 5,837,555 A it is known to place wafers of compound semiconductors for the thermal treatment in a closed container made of graphite. Graphit eignet sich wegen seiner Stabilität bei hohen Temperatu ren besonders gut für solche Behältnisse. Graphite is suitable because of its stability at high tempera ren particularly well for such containers. Der Wafer wird dabei auf einem Träger abgelegt, der über eine Ausnehmung zur Aufnahme des Wafers ver fügt. The wafer is then placed on a carrier which adds ver a recess for receiving the wafer. Über die Ausnehmung wird eine deckelartige Abdeckung gelegt, so daß ein geschlossener Raum entsteht, in dem sich der Wafer befindet. Over the recess has a lid-like cover is placed, so that a closed space is formed, in which the wafer is located. Dieses den Wafer beinhaltende Graphitbehältnis wird in der Prozeßkammer einer RTP- Anlage einer thermischen Behandlung unterzogen. This wafer-containing graphite container is subjected in the process chamber of an RTP system to a thermal treatment. Auf diese Weise wird ein Ausdiffundieren einer Komponente des Verbindungshalbleiters unterdrückt und der Wafer kann schadensfrei prozessiert werden. In this way, out-diffusion of a component of the compound semiconductor is suppressed and the wafer may be processed without damage.

Das beschriebene Graphitbehältnis wird überwiegend zur Prozessierung von Wafern eines Verbindungshalbleiters mit Durchmessern von 200 mm und 300 mm verwendet. The graphite receptacle described above is mainly used for the processing of wafers of a compound semiconductor having diameters of 200 mm and 300 mm. Sehr verbreitet sind aber auch Wafer von Verbindungs halbleitern mit kleinen Durchmessern von 50 mm, 100 mm oder 150 mm. Very common but also wafers of compound semiconductors are small diameter of 50 mm, 100 mm or 150 mm.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung zu schaffen, mit der Wafer aus Verbindungshalbleitern auf einfache Weise und mit hoher Pro duktivität schadensfrei prozessierbar sind. The object of the present invention is to provide a device with wafer of compound semiconductor productivity in a simple manner and with high Pro are processable without damage.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch einen Träger mit wenigstens zwei Ausnehmungen zur Aufnahme von jeweils einem Wafer gelöst. According to the invention the object is achieved by a carrier with at least two recesses for receiving in each case a wafer. Mit solchen Trägern lassen sich mehrere Wafer simultan prozessieren. With such carriers, several wafers can litigate simultaneously. Dies bedeutet ge genüber den bekannten Behandlungsverfahren eine erhebliche Erhöhung des Durchsatzes einer RTP-Anlage und stellt einen bedeutenden wirtschaftlichen Vorteil dar. This means ge genüber the known treatment methods, a significant increase in the throughput of a RTP system and represents a significant economic advantage.

Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsform weist die erfindungs gemäße Vorrichtung wenigstens eine Abdeckung zum Abdecken wenigstens einer Ausnehmung auf, um einen im wesentlichen abgeschlossenen Raum um die Objekte herum vorzusehen. According to a particularly advantageous embodiment, the fiction, modern device comprises at least a cover for covering at least one recess to provide a substantially closed space around the objects.

Beispielsweise ist eine einzige große Abdeckung möglich, die alle Ausneh mungen des Trägers mit den darin enthaltenen Wafern überdeckt. For example, a single large cover is possible, which covers all Ausneh provisions of the carrier with the wafers contained in them. Alternativ dazu kann auch jede Ausnehmung von individuellen Abdeckungen abgedeckt werden. Alternatively, each recess can be covered by individual covers. Es ist auch möglich, daß eine der Abdeckungen beliebig viele Aus nehmungen gleichzeitig, jedoch mehr als eine und nicht alle, abdeckt, oder es kann eine beliebige Anzahl der Ausnehmungen individuell abgedeckt werden und ein verbleibender Rest der Ausnehmungen verbleibt nicht abgedeckt. It is also possible that one of the covers as many recesses From the same time, however, more than one and not all, covers, or it can be any number of recesses are covered individually and a remaining rest of the recesses remains uncovered. Eine solche Abdeckung kann mit anderen Abdeckungen ähnlicher Art sowie mit individuellen Abdeckungen für jeweils eine Ausnehmung und nicht abge deckten Ausnehmungen beliebig kombiniert werden. Such a cover may communicate with other covers of a similar nature, as well as with individual covers for each of a recess and not covered recesses abge be combined arbitrarily.

Vorzugsweise ist der die Ausnehmungen aufweisende Träger aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumni trid, Keramik oder Metall gefertigt. Preferably, the carrier having the recesses of graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, Siliciumni nitride, ceramic or metal. Entsprechend kann wenigstens eine der Abdeckungen aus Graphit oder Saphir oder Quarz oder Bornitrid oder Alumi niumnitrid oder Silicium oder Siliciumcarbid oder Siliciumnitrid oder Keramik oder Metall gefertigt sein. Accordingly, one of the covers of graphite or boron nitride or sapphire or quartz, or can at least Alumi niumnitrid or silicon or silicon carbide or silicon nitride or ceramic or metal be made. Es können aber auch sowohl der Träger als auch wenigstens eine oder alle der Abdeckungen aus den genannten Materialien bestehen. but it may be made of the materials mentioned and both the carrier and at least one or all of the covers.

Vorteilhaft sind für RTP-Prozesse Träger mit wenigstens einer Abdeckung, die eine niedrige spezifische Wärmekapazität, vorzugsweise 0,2 bis 0,8 J/gK, des Trägers und/oder wenigstens einer Abdeckung aufweisen. are advantageous for RTP processes carrier with at least one cover having a low specific heat capacity, preferably 0.2 to 0.8 J / gK, the carrier and / or at least one cover. Aus diesem Grund sollte der Träger über eine möglichst geringe Dicke verfügen. For this reason, the carrier should have the smallest possible thickness.

Ebenso sind Träger mit wenigstens einer Abdeckung von Vorteil, bei denen der Träger und/oder wenigstens eine der Abdeckungen eine hohe Wärmeleit fähigkeit, vorzugsweise 10 bis 100 W/mK, aufweisen. Similarly, the carrier having at least one cover of advantage in which the carrier and / or at least one of the covers a high heat conduction capacity, preferably 10 to 100 W / mK, have.

Bevorzugt sind wenigstens Teile des Trägers oder Teile einer der Abdeckun gen oder Teile des Trägers und Teile einer der Abdeckungen beschichtet. Preferably, at least parts of the carrier, or parts of the gene are Cover or coated portions of the carrier and parts of one of the covers. So kann es beispielsweise von Vorteil sein, eine Innenfläche einer oder aller Ausnehmungen sowie eine die Ausnehmung abdeckenden Fläche einer oder mehrerer Abdeckungen wenigstens teilweise mit einer Schicht zu versehen, die inert ist gegen chemische Vorgänge, die sich beim Prozessieren des Wa fers innerhalb der abgedeckten Ausnehmungen abspielen, während äußere Flächen des Trägers unbeschichtet bleiben, um gewünschte Absorptionsei genschaften bezüglich der Heizstrahlung aufzuweisen. Thus, it may for example be advantageous to an inner surface of one or all recesses and a recess covering area of ​​one or more covers at least partially provided with a layer which is inert to chemical processes, which during the processing of the Wa fers within the covered recesses play, while outer surfaces of the carrier remain uncoated, to have desired characteristics with respect to the heat radiation Absorptionsei. In anderen Fällen las sen sich beispielsweise lokale optische Eigenschaften von Träger und Abdek kungen durch geeignete gebietsweise Beschichtungen der Oberflächen errei chen. In other cases, for example, read sen to local optical properties of the support and Abdek effects by appropriate administration, coatings of the surfaces Errei chen.

Entsprechend kann es von Vorteil sein, wenigstens Teile des Trägers oder Teile wenigstens einer der Abdeckungen oder Teile des Trägers und Teile we nigstens einer der Abdeckungen transparent für die Heizstrahlung zu gestal ten, indem man diese beispielsweise aus Quarz oder Saphir fertigt. Accordingly, it may be advantageous, at least parts of the carrier, or parts we least one of the covers or portions of the carrier and parts nigstens one of the covers to ten transparent decor with dark for the heat radiation by manufactures this example of quartz or sapphire. Vorteil hafterweise werden die Abdeckungen sowie Teile des Trägers, die den Bo denflächen der Ausnehmungen entsprechen, undurchlässig für die Heizstrah lung ausgeführt, während die anderen Teile des Trägers transparent sind. Advantageously enough, the covers as well as parts of the carrier which denflächen the Bo will correspond to the recesses run impermeable to the Heizstrah lung, while the other parts of the carrier are transparent.

Ferner ist es möglich, innerhalb abgedeckter Ausnehmungen vorbestimmte Atmosphären zu erzeugen. Further, it is possible to generate predetermined atmospheres within recesses covered. Je nach Art des zu prozessierenden Wafers, kann in jeder abgedeckten Ausnehmung eine andere Atmosphäre vorherrschen. Depending on the type of the to-be-processed wafer may prevail a different atmosphere in each recess covered. Wird beispielsweise in wenigstens einer ersten Ausnehmung ein InP-Wafer prozessiert, so wird eine phosphorhaltige Atmosphäre in der Ausnehmung vorherrschen. Is a InP wafer is processed, for example, in at least a first recess, a phosphorus-containing atmosphere in the recess will prevail. In wenigstens einer zweiten Ausnehmung, in der ein GaAs- Wafer prozessiert werden soll, kann eine arsenhaltige Atmosphäre vorherr schen. In at least one second recess in which a GaAs wafer is to be processed, an arsenic-containing atmosphere can rule Vorherr. Schließlich kann in wenigstens einer dritten, optional nicht abgedeck ten Ausnehmung, ein Wafer prozessiert werden, der aus Silicium, also keinem Verbindungshalbleiter, besteht. Finally, a wafer can be processed in at least a third, optionally not abgedeck th recess, which is made of silicon, so no compound semiconductor.

Wenigstens einige der vom Träger aufgenommenen Wafer können wenigstens teilweise beschichtet sein. At least some of the captured by the wafer carrier can be at least partially coated. Es kann aber auch das Volumenmaterial wenig stens eines der Wafer gebietsweise unterschiedlich sein, indem der Wafer beispielsweise über eine implantierte Schicht verfügt. but it can in some regions also vary the volume of material slightly least one of the wafer by the wafer for example, has an implanted layer.

Der erfindungsgemäße Träger für mehrere Wafer, die gemeinsam in einer Prozeßkammer einer thermischen Wärmebehandlung unterzogen werden, ermöglicht, während desselben Prozeßvorganges mit demselben Verlauf der Heizstrahlung für jeden Wafer unterschiedliche Prozeßergebnisse zu erzielen. The carrier according to the invention for a plurality of wafers, which are subjected together in a process chamber of a thermal heat treatment, allows during the same process operation to achieve different results with the same process history of the heat radiation for each wafer. Je nach Beschichtung oder Transparenz lokaler Gebiete des Trägers und/oder der entsprechenden Abdeckung lassen sich lokal unterschiedliche optische Gegebenheiten erreichen, die zu unterschiedlichen Temperaturen im Inneren der abgedeckten Ausnehmungen führen. Depending on the coating or transparency of local areas of the support and / or the corresponding cover locally different optical conditions can be achieved which result in different temperatures in the interior of the covered recesses. Jeder Wafer erfährt somit eine indi viduelle Prozeßtemperatur, obwohl für alle Wafer der Verlauf der Heizstrah lung derselbe ist. Each wafer thus undergoes an indi vidual process temperature, although for all of the wafer history Heizstrah lung is the same. Es lassen sich also mit einem Prozessierungsvorgang nicht nur mehrere Wafer simultan behandeln, die Wafer können dabei sogar unter schiedlichen Prozessen unterzogen werden. It can not only be treated with a Prozessierungsvorgang several wafers simultaneously, the wafers can thereby be subjected to even difference union processes. Das bedeutet, daß sich Wafer aus verschiedenen Materialien gleichzeitig behandeln lassen. This means that the wafer can be treated from different materials simultaneously.

Vorzugsweise verfügen die Ausnehmungen im Träger über die gleiche Tiefe, so daß die Wafer nach Beladen des Trägers alle parallel auf derselben Ebene angeordnet sind. Preferably, the recesses have in the carrier have the same depth, so that the wafers after loading of the carrier are all arranged in parallel on the same plane.

Es kann aber auch von Vorteil sein, die Tiefen der Ausnehmungen unter schiedlich auszuführen. but it can also be advantageous to carry out the depths of the recesses under different. In diesem Fall liegen die Wafer zwar immer noch par allel, sind aber in der Höhe gegeneinander versetzt und liegen auf verschie denen Ebenen. In this case, the wafers are still Although par allele, but are staggered in height and lie on layers'.

Bei zylinderförmigen Ausnehmungen mit flachem, waagrechtem Boden, kom men die Wafer flächig auf dem Boden der Ausnehmung zu liegen. In cylindrical recesses with a flat, ground waagrechtem, kom men the wafer surface to lie on the bottom of the recess.

Vorteilhafterweise wird eine Halterung der Wafer innerhalb wenigstens einer Ausnehmung gewählt, bei der ein Kontakt zwischen Wafer und dem Boden der Ausnehmung vermieden wird. Advantageously, a holder, the wafer is selected within at least one recess in which a contact between the wafer and the bottom of the recess is avoided. Dies erreicht man vorteilhaft durch in der Ausnehmung angeordnete stiftförmige Stützelemente, von denen der Wafer aufgenommen wird. This is achieved advantageously by arranged in the recess pin-shaped supporting elements of which the wafer is received. Dann lassen sich die Wafer bei gleicher Tiefe der Aus nehmung aber unterschiedlicher Länge der Stützelemente auf unterschiedlich hohen Ebenen anordnen. Then, the wafer blank but with the same perception of depth from different lengths of the support elements arranged at different height levels.

Eine andere bevorzugte Möglichkeit, den Wafer so anzuordnen, daß ein Kon takt mit dem Boden der Ausnehmung vermieden wird, ist den Wafer in seinem Randbereich zu stützen. Another preferred possibility to arrange the wafer so that a clock-Kon is avoided with the bottom of the recess is to support the wafer in its edge region. Dies erreicht man, indem wenigstens eine Ausneh mung konisch nach innen zulaufend ausgebildet ist. This is achieved by a Ausneh mung at least tapers conically inwards. Es wird dadurch ein nach innen abgeschrägter Rand der Ausnehmung erreicht, der zu einer Randaufla ge eines Wafers führt. It is achieved by a tapered inward edge of the recess, which leads to a Randaufla ge of a wafer. Bei einer anderen Ausführungsform ist wenigstens eine Ausnehmung konkav ausgebildet, was wiederum dazu führt, daß der Wafer mit seinem Rand auf dem Rand der Ausnehmung gelagert wird. In another embodiment, at least one recess is concave, which in turn results in that the wafer is supported on the edge of the recess with its edge. Je nach Ausformung der konischen und der konkaven Ausnehmungen, läßt sich der Wafer auf unterschiedlichen Höhen ablegen. Depending on the shape of the conical and concave recesses, the wafer can take on different heights.

Zum Beladen des Trägers werden die Wafer vorteilhaft mit einem Greifer se quenziell direkt in die Ausnehmungen oder auf Stützstiften abgelegt. To load the carrier, the wafers are advantageous with a gripper se quenziell stored directly into the recesses or support pins. Hierzu eignen sich Greifer mit Ansaugvorrichtungen, die den Wafer ansaugen. For this purpose, gripper suitable with suction devices that draw the wafer. Dies kann mittels einer Ansaugvorrichtung erfolgen, die nach dem Bernoulli-Prinzip arbeitet. This can be done by means of a suction device, which operates on the Bernoulli principle.

Vorteilhafterweise sind Stützstifte zum Beladen des Trägers vorgesehen, die vorzugsweise durch den Träger hindurchragen. Advantageously, the support pins are provided for loading of the carrier, which preferably extend through the support. Diese Stützstifte sind vorteil haft für verschiedene Ausnehmungen unterschiedlich hoch ausgebildet, um ein Beladen der vom Greifer abgewandten Ausnehmungen nicht durch die Stützstifte, die zum Beladen der dem Greifer zugewandten Ausnehmungen vorgesehen sind, zu behindern. These support pins are formed advantageous for various recesses at different heights, so as not to hinder loading of the recesses remote from the gripper by the support pins, which are provided for loading the side facing the gripper recesses.

Entsprechend können die Abdeckungen auf Stützstiften abgelegt werden, die entweder durch den Träger hindurchverlaufen oder gänzlich außerhalb des Trägers angeordnet sind. Accordingly, the covers can be placed on support pins, which pass through either the carrier or are arranged entirely outside of the support. Vorteilhafterweise sind die Stützstifte für die Abdec kungen länger als die Stützstifte für die Wafer. Advantageously, the support pins for Deca effects are longer than the support pins for the wafer.

Vorzugsweise sind die Stützstifte und der Träger relativ zueinander vertikal bewegbar. Preferably, the support pins and the supports are vertically movable relative to each other.

Sobald die Wafer auf den Stützstiften abgelegt sind, bewegen sich die Stütz stifte nach unten durch den Träger durch, wodurch die Wafer von den Stütz stiften abgehoben werden und in den ihnen zugeordneten Ausnehmungen ab gelegt werden. Once the wafers are placed on the supporting pins, the supporting pins move through by the carrier downward, whereby the wafer pins from the support be withdrawn, and in their associated recesses defined from. Alternativ dazu läßt sich auch der Träger nach oben bewegen. Alternatively, also the carrier can be moved upwards.

Eine anderes bevorzugtes Verfahren zur Beladung des Trägers dreht den Träger sequenziell um eine vertikale Achse, um jeweils die zu beladende Ausnehmung zum Greifer hin zu drehen. An Another preferred method for loading of the carrier rotates the carrier sequentially about a vertical axis in order to rotate each of the recess to be loaded to the gripper back.

Sobald der Träger mit den Wafern beladen ist, können die entsprechenden Abdeckungen vom Greifer entweder direkt auf dem Träger oder auf Stützstif ten aufgelegt werden, sofern sie nicht schon vor den Wafern auf entsprechen den Stützstiften aufgelegt worden sind. Once the carrier is loaded with the wafers, the respective covers from the gripper, either directly on the support or on Stützstif th may be launched, provided that they do not meet before the wafers on the support pins have been placed.

Vorzugsweise erfolgt ein Beladen des Trägers innerhalb der Prozeßkammer. Preferably, a loading of the carrier within the process chamber. Er kann aber auch außerhalb der Prozeßkammer beladen werden und an schließend zur thermischen Behandlung in die Prozeßkammer eingebracht werden. However, it can also be loaded outside the process chamber and introduced to closing for the thermal treatment in the process chamber.

Vorteilhafterweise lassen sich mehrere solcher Träger mit Abdeckung zum Beispiel übereinandergestapelt oder nebeneinandergelegt innerhalb einer Prozeßkammer thermisch behandeln. Advantageously, a plurality of such carriers can be stacked or, for example juxtaposed thermally treated within a process chamber cover.

Das Be- und Entladen des Trägers mit den Substraten und/oder Abdeckungen. The loading and unloading of the carrier with the substrates and / or covers. erfolgt vorzugsweise mit einer automatischen Be- und Entlade-Einrichtung, die entsprechend den Be- und Entladevorgängen entsprechend steuerbar ist. is preferably carried out with an automatic loading and unloading device, which is controllable in accordance with in accordance with the loading and unloading processes.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist vorzugsweise, jedoch nicht ausschließ lich, für Wafer aus Verbindungshalbleitern mit vorwiegend kleinen Durchmes sern besonders geeignet. The inventive apparatus is preferably, but not exclu Lich, particularly suitable for wafers of compound semiconductors with mainly small diam fibers. Die thermische Behandlung der Halbleiterwafer er folgt vorzugsweise in RTP-Anlagen, in denen vorgegebene Umgebungsbedin gungen und Temperaturverläufe einstellbar sind. The thermal treatment of the semiconductor wafers preferably it follows in RTP systems in which predetermined ambient reference conditions and temperature gradients are adjustable. Der Träger ist dabei bei den Umgebungsbedingungen und den Temperaturen während der Behandlung weitgehend stabil. The carrier is largely stable at ambient conditions and temperatures during treatment.

Halbleiterwafer, insbesondere Verbindungshalbleiter-Wafer, wie sie zuvor be schrieben wurden, sind relativ dünn und weisen Dicken von 50 bis 500 µm, und üblicherweise von 200 µm auf. Semiconductor wafer, particularly compound semiconductor wafers, as previously enrolled be, are relatively thin and have thicknesses of 50 to 500 microns, and typically from 200 micrometers. Diese Wafer sind daher während der Handhabung sehr bruchgefährdet, so dass bei der herkömmlichen Handha bung per Hand oder mit Handhabungsvorrichtungen, wie Robotern usw., häu fig Waferbrüche auftreten, die die Ausbeute bei der Halbleiterfertigung we sentlich verringern. These wafers are therefore very vulnerable to breakage during handling, so that reduce sentlich in the conventional handle lo exercise by hand or with handling devices such as robots, etc., frequently fig wafer fractures occur which we yield in semiconductor manufacturing. Insbesondere bei Halbleiterwafern, die für teure Bauele mente, wie z. Particularly with semiconductor wafers, the elements for expensive Bauele such. B. Leserdioden verwendet werden, ist dies besonders augenfäl lig, da ein Zwei-Zoll-Wafer hierfür einen Wert im Bereich von 25.000 auf weist. B. readers diodes are used, this is especially augenfäl lig since a two-inch wafer for this purpose has a value in the range of 25,000 to.

Wie zuvor bereits ausgeführt wurde, werden die Wafer in Behältnissen be handelt, die beispielsweise aus Graphit bestehen und zur Behandlung der Wafer in eine Prozeßkammer gebracht werden. As already stated above, the wafers are concerns be in containers which are made for example of graphite and brought to treatment of the wafers in a process chamber. Diese sogenannten Graphit- Boxen weisen ein Gewicht von 200 bis 2000 g auf, je nach der Anzahl und der Größe der in den Boxen unterzubringenden Wafern. These so-called graphite boxes have a weight of from 200 to 2000 g, depending on the number and size of the boxes to be accommodated in the wafers.

Sowohl die Wafer als auch die Behältnisse selbst werden bei derartigen Anla gen manuell gehandhabt, da es mit herkömmlichen Handhabungsvorrichtun gen nicht möglich ist, einerseits die sehr dünnen, ein Gewicht im Bereich von 0,1 bis 20 g aufweisenden Halbleiterwafer und andererseits die demgegen über schweren Behältnisse zu handhaben, ohne dass der Ausschuß an Wa ferbruch groß ist. Both the wafer and the containers themselves are in such Appendices manually handled, as it gen with conventional Handhabungsvorrichtun is not possible, on the one hand the very thin, a weight in the range of 0.1 to 20 g comprising the semiconductor wafer and on the other hand the contrast, superheavy without the Committee at Wa is to handle containers ferbruch large.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher weiterhin die Aufgabe zugrunde, eine Handhabungsvorrichtung zu schaffen, mit der Objekte mit unterschiedlichem Gewicht sicher und zuverlässig handhabbar sind. Therefore, the present invention is further based on the object to create a handling device with which objects of different weights are safe and reliable to handle.

Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Handhabungsvorrich tung mit wenigstens einem Transportarm, der wenigstens eine Halterungsein richtung zum Halten von wenigstens einem zu handhabendem Objekt mittels Unterdruck aufweist, durch eine Unterdruck-Steuereinrichtung zur Verände rung des Unterdrucks in Abhängigkeit vom Gewicht des Objekts gelöst. The stated object is achieved with a Handhabungsvorrich processing with at least one transport arm, which has at least one Halterungsein direction for holding at least one to handhabendem object by means of vacuum, by a vacuum pressure control device for Variegated tion of the negative pressure in dependence on the weight of the object.

Aufgrund des erfindungsgemäßen Merkmals, eine Unterdruck- Steuereinrichtung vorzusehen, mit der der Unterdruck von Halterungseinrich tungen an Transportarmen in Abhängigkeit vom Gewicht des Objekts einge stellt, gesteuert oder geregelt werden kann, ist es nunmehr möglich, Objekte mit sehr unterschiedlichen Gewichten mit derselben Handhabungsvorrichtung zu transportieren und zu handhaben. Due to the inventive feature is to provide a negative pressure control device with which the negative pressure of Halterungseinrich obligations of transport arms, depending on the weight of the object inserted is can be controlled or regulated, it is now possible to transport objects with very different weights with the same handling device and to handle. Beispielsweise ist es mit der erfindungs gemäßen Handhabungsvorrichtung möglich, die Handhabung und den Trans port von Wafern und Waferbehältnissen unter Vermeidung manueller Handha bungen vorzunehmen, und zwar derart, dass einerseits beispielsweise relativ schwere Behältnisse mit der gleichen Handhabungsvorrichtung wie die sehr dünnen, zerbrechlichen Wafer mit geringem Gewicht bei Vermeidung von Waferbruch gehandhabt werden können. For example, it is possible with the fiction, modern handling apparatus, the handling and the trans port of wafers and wafer containers while avoiding manual handle lo environments make, and such that on the one hand, for example, relatively heavy containers with the same handling apparatus such as the very thin, fragile wafers with low weight can be handled while avoiding wafer breakage. Die erfindungsgemäße Handha bungsvorrichtung ermöglicht also beispielsweise sowohl das Be- und Entladen von Behältnissen in die bzw. aus der Prozeßkammer, als auch das Be- und Entladen der dünnen, zerbrechlichen Wafer in das bzw. aus dem Behältnis. Thus, the handle lo inventive exercise device allows for example, both the loading and unloading of containers into or out of the process chamber, and the loading and unloading of the thin fragile wafer into and out of the container. Abgesehen davon, dass dadurch die Möglichkeit einer vollständigen Automa tisierung des Prozessierens von Halbleitern insbesondere auch in Zusam menhang mit thermischen Behandlungen möglich ist, geschieht dies durch eine einzige Handhabungsvorrichtung, so dass die Anlagekosten dadurch ge ring gehalten werden können. Besides the fact that thereby the possibility of complete automation mation of processing of semiconductors, in particular also in assistance related to thermal treatments is possible, this is done by a single handling device, so that the plant costs characterized ge ring can be held. Mit der durch die erfindungsgemäße Handha bungsvorrichtung möglich gewordene Prozeßautomatisierung wird die Ferti gungsausbeute deutlich erhöht, da Waferbruch, wie er beim manuellen Be- und Entladen des Behältnisses und der Prozeßkammer häufig auftritt, vermie den oder zumindest wesentlich verringert wird. With the invention by the handle lo exercise device has become possible process automation Ferti is significantly increased because wafer breakage, as it often occurs during manual loading and unloading of container and the process chamber vermie, the or at least substantially reduced supply yield. Eine Behandlungsanlage mit der erfindungsgemäßen Handhabungsvorrichtung amortisiert sich daher ge genüber herkömmlichen Behandlungsanlagen aufgrund des geringen Aus schusses und der schnellen und zuverlässigen Handhabung wesentlich früher, insbesondere, wenn die Anlage für die Fertigung sehr teurer Bauelement Verwendung findet. Therefore, a treatment plant with the inventive handling device pays for itself ge genüber conventional treatment plants due to the low From Committee and the fast and reliable handling much earlier, especially if the plant for the production of very expensive component is used.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfaßt die Unter druck-Steuereinrichtung nur eine Unterdruck-Quelle und Unterdruck- Umschalteinrichtungen, beispielsweise Leitungs-Umschalter, zum Umschalten zwischen einer Leitung mit und ohne Unterdruck-Regler. According to a preferred embodiment of the invention comprises the vacuum control means only a vacuum source and vacuum switching devices, for example line switch for switching between a conduit with and without vacuum regulator. Auf diese Weise ist nur eine Unterdruck-Quelle erforderlich, wobei der Unterdruck-Regler vor zugsweise ein einstellbares Ventil ist. In this way, only a vacuum source is required, wherein the vacuum regulator is an adjustable valve before preferably. Eine alternative Ausführungsform be steht darin, wenigstens zwei getrennt steuerbare Unterdruck-Systeme vorzu sehen. An alternative embodiment be stands therein, clarify the scope for at least two separately controllable vacuum systems.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung liegt das Unter druckverhältnis für die unterschiedliche Gewichte aufweisenden, zu handha benden Objekte in einem Bereich von 10 bis 10.000. According to an advantageous embodiment of the invention is the lower pressure ratio for having different weights to handle lo reproduced objects in a range of 10 to 10,000. Dieses Unterdruck- Verhältnis hängt wesentlich von dem Gewichtsverhältnis der zu handhaben den Objekte und auch von der Ausbildung der Halterungseinrichtungen ab. This negative pressure ratio depends substantially the objects and also on the training of support mechanisms to handle from that of the weight ratio.

Gemäß einer sehr vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist ein Objekt mit kleinerem Gewicht ein Silicium-Halbleiterwafer und ein Objekt mit größe rem Gewicht ein Behältnis, in dem sich die Wafer während wenigstens eines Behandlungsschritts befinden. According to a very advantageous embodiment of the invention, an object with a smaller weight is a silicon semiconductor wafer and an object with size rem weight a container, in which the wafers are located during at least a treatment step. Behältnisse dieser Art sind zuvor beispielswei se beschrieben worden. Containers of this type have previously been described beispielswei se.

Obgleich die Halterungseinrichtungen für Objekte mit unterschiedlichem Ge wicht in derselben Weise ausgeführt sein können, ist es gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung jedoch vorteilhaft, die Halterungseinrichtun gen für die unterschiedlichen Objekte, insbesondere für Objekte mit unter schiedlichem Gewicht, auch unterschiedlich auszubilden. Although the support means for objects of different Ge weight can be carried out in the same manner, however, it is advantageous according to a further embodiment of the invention, the Halterungseinrichtun gene for the different objects, in particular for objects under schiedlichem weight form also different. Die Halterungsein richtungen sind vorzugsweise sogenannte Pads oder Auflagekissen, die über eine Leitung mit einer Unterdruck-Quelle oder einem Vakuumsystem verbun den sind. The Halterungsein devices are preferably so-called pads or rest pad which is all in a line to a vacuum source or a vacuum system are the. Die einzelnen Halterungseinrichtungen oder Pads können dabei mit dem gleichen Unterdruck beaufschlagt werden, oder sie können auch mit je weils unterschiedlichem Unterdruck versorgt werden, was in diesem Falle je doch entsprechende Steuerelemente, wie zum Beispiel Ventile oder getrennte Vakuumsysteme erforderlich macht. The individual support means or pads may be acted upon by the same negative pressure thereby, or they may be supplied with each weils varying negative pressure, which ever makes in this case, but appropriate controls, such as valves or separate vacuum systems are required.

Die Halterungseinrichtungen sind dabei vorzugsweise an die unterschiedliche Gewichte aufweisende Objekte, beispielsweise auch an die Form und Ober flächenstruktur der Objekte angepaßt. The support means are, for example, also preferably adapted to the different weights having objects to the shape and surface structure of the objects. Beispielsweise sind zum Halten des Behältnisses im allgemeinen größere Halteflächen erforderlich als zum Halten der leichten Wafer. For example, as are required for holding the light wafer for holding the container is generally larger support surfaces. Beispielsweise ist es vorteilhaft, für Wafer den Durchmes ser der Halterungseinrichtungen oder Pads mit etwa 3 mm, oder die Fläche, auf die ein Unterdruck einwirkt, pro Pad mit etwa 0,1 cm 2 zu wählen. For example, it is advantageous to diam ser the retaining means or pads about 3 mm, or the surface, acting on the wafer for a negative pressure to choose per pad with about 0.1 cm 2. Die Form der Pads ist entsprechend den gegebenen Erfordernissen zu wählen, sie kann rund oder rechteckig oder in einer anderen Weise ausgebildet sein. The shape of the pads is to be selected according to the given requirements, it can be round or rectangular or in another way. Vorzugs weise sind die Pads jedoch rund, da hier das Verhältnis Fläche/Rand am größten ist und dadurch auch bei kleiner Saugleistung der Unterdruckquelle ein sicheres Halten des Objekts, beispielsweise des Wafers gewährleistet ist. Preference, however, the pads are round, since the ratio surface / edge is greatest and thereby a secure holding of the object, for example, the wafer is ensured even with a small suction power of the vacuum source.

Damit ein Wafer mit einem Gewicht von beispielsweise 0,1 g bis 0,5 g sicher gehalten werden kann, muss die durch die Pads erzeugte Anpreßkraft, mit der der Wafer gegen die Unterlage gedrückt wird, so groß sein, dass die aus der Anpreßkraft resultierende Reibungskraft größer ist als die durch Beschleuni gung des Transportarms oder der Erdbeschleunigung erzeugten Kräfte, die auf das Objekt, beispielsweise den Wafer einwirken. Thus, a wafer can be held securely with a weight of for example, 0.1 g to 0.5 g, the pressing force generated by the pads at which the wafer is pressed against the pad shall be so large that the force resulting from the pressing force frictional force is greater than the forces generated by Accelerati supply of the transport arm or the acceleration due to gravity, acting on the object, for example the wafer. Bei Wafern wird dies bei spielsweise mittels eines Unterdrucks von etwa 0,005 bar (dies entspricht ei nem absoluten Druck von 0,995 bar) erzielt, wenn die auf den Wafer einwir kenden (horizontalen) Beschleunigungskräfte kleiner als 1 g sind. When wafers, this is achieved in play by means of a negative pressure of about 0.005 bar (corresponding ei nem absolute pressure of 0.995 bar) when the wafer einwir kenden (horizontal) acceleration forces are less than 1 g. Dabei ist der Reibungskoeffizient zwischen Wafer und Auflage zu berücksichtigen, der wiederum von den Wafertemperaturen abhängen kann. Here, the coefficient of friction between the wafer and pad is to be considered, which in turn may depend on the wafer temperatures.

Ist der Unterdruck größer, dh der absolute Druck kleiner, wird zwar der Wafer immer noch sicher gehalten, bzw. die Beschleunigungskraft kann 1 g über schreiten, jedoch besteht dann die Gefahr eines Waferbruchs. If the vacuum is greater, that is, the absolute pressure is lower, although the wafer is still held securely, and the acceleration force can exceed about 1 g, however, there is a risk of wafer breakage.

Allgemein ist der zu wählende Druck der Pads der maximal auftretenden Be schleunigung anzupassen, wodurch es vorteilhaft ist, wenn der Druck vor zugsweise steuerbar oder regelbar ist. Generally, the pressure to be selected of the pads of Be is the maximum occurring acceleration adapt, whereby it is advantageous when the upstream pressure is preferably controlled or regulated. Ein zu großer Unterdruck sollte ver mieden werden. Too great a negative pressure should be avoided ver. Die Druckanpassung kann dabei sowohl vor dem Start des Bewegungsablaufs als auch während der Bewegung selbst erfolgen. The pressure adjustment can take place both before the start of the motion sequence and during the movement itself. Die ma ximal zulässige Beschleunigung des Wafers hängt von der Dicke des Wafers und dessen Durchmesser, dem Material und der Art der Waferoberfläche im Auflagebereich ab, also auch davon, ob es sich um einen strukturierten oder unstrukturierten Auflagenbereich handelt. The ma ximal allowable acceleration of the wafer depends on the thickness of the wafer and its diameter, the material and the nature of the wafer surface in the bearing region from, and therefore whether it is a structured or unstructured contact area.

Werden Wafer mit unstrukturiertem Auflagenbereich gehandhabt, so wird be vorzugt eine Anordnung der Pads bei etwa 2/3 des Wafer-Radius - bezo gen auf die Wafermitte - gewählt. Be handled with unstructured wafer support area, so be vorzugt is an arrangement of the pads at about 2/3 of the wafer radius - bezo gen to the wafer center - selected. Hierdurch wird der Wafer möglichst span nungsfrei unterstützt. In this way, the wafer is possible supports voltage-free. Bei strukturierten Auflagenbereichen unterstützen die Pads den Wafer bevorzugt im Randbereich. In structured support areas, the pads support the wafer preferably in the edge region.

Vorzugsweise weist die erfindungsgemäße Handhabungsvorrichtung für das Objekt mit größerem Gewicht und/oder für das Objekt mit kleinerem Gewicht eine Drei-Punkt-Haltevorrichtung auf. Preferably, the handling device according to the invention for the object with a larger weight and / or for the object with a smaller weight on a three-point holding device.

Wie bereits ausgeführt wurde, sind die Halterungseinrichtungen dabei für die unterschiedlichen und insbesondere unterschiedlich schweren Objekte vor zugsweise unterschiedlich ausgebildet. As already stated, the support means are constructed differently for different and especially different heavy objects before preferably.

Die Halterungseinrichtungen für die insbesondere bezüglich ihres Gewichts unterschiedlichen Objekte können beide auf einer Seite des Transportarms angeordnet sein. The support means for the in particular with respect to their weight, different objects may be placed on one side of the transporting both. Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind Halterungseinrichtungen jedoch auf beiden Seiten des Trans portarms vorgesehen. According to a particularly advantageous embodiment of the invention, support means are however provided on both sides of the Trans portarms. Dadurch ist es möglich, die zu handhabenden Objekte während des Handhabungsvorgangs je nach den gegebenen Voraussetzun gen auf der Oberseite oder auf der Unterseite des Transportarms zu halten. This makes it possible to handle objects during the handling process, depending on the given Voraussetzun gen on the top or on the bottom of the transport arm to hold. Dabei ist es gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung besonders vor teilhaft, wenn auf einer Seite des Transportarms Halterungseinrichtungen für das Objekt mit größerem Gewicht und auf seiner anderen Seite Halterungs einrichtungen für das Objekt mit kleinerem Gewicht vorgesehen sind. It is according to another embodiment of the invention especially before geous when bracket means on one side of the transport arm support means for the object with greater weight and on the other side are provided for the object having a smaller weight. Die eine Seite, beispielsweise die Oberseite weist eine erste Halterungs- bzw. Padstruktur oder Halteflächenstruktur beispielsweise zum Halten von Behält nissen auf, während auf der Unterseite des Transportarms eine zweite Halte rungs- bzw. Padstruktur z. The one side, for example, the top has a first mounting support pad structure or support surface structure, for example, Nissen for holding the container, while on the underside of the transport arm a second retaining pad structure rungs- or z. B. zum Halten des Wafers ausgebildet ist. B. is formed for holding the wafer. Bei spielsweise wird der Wafer von unten und das Behältnis von oben gehalten oder umgekehrt. In play, the wafer bottom and the container top is held or vice versa. Bei einer derartigen Ausführungsform der erfindungsgemä ßen Handhabungsvorrichtung ist es auch möglich, auf eine Unterdrucksteue rung zu verzichten und beide Halterungseinrichtungen mit gleichem Unter druck zu betreiben, weil die Haltekräfte durch die unterschiedlichen Padstrukturen, insbesondere die unterschiedlichen Flächenverhältnisse, be stimmt oder mitbestimmt werden. In such an embodiment of the inventive SEN handling device it is also possible to dispense with a Unterdrucksteue tion and operate both support means with the same negative pressure because the holding forces right through the various pad structures, in particular the different surface conditions, be or be influenced. Zusätzlich können sich die Reibungskoeffi zienten der Auflageflächen von oben und unten unterscheiden. In addition, the friction coeffi cient to the bearing surfaces from above and below are different.

Eine weitere sehr vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, dass der Transportarm um 180° bezüglich seiner Längsachse drehbar ist. Another very advantageous embodiment of the invention is that the transfer arm is rotatable relative to its longitudinal axis by 180 °. Dadurch kann die Seite mit der einem entsprechenden Objekt angepaßten Halterungs einrichtung nach oben oder nach unten gedreht werden. Thereby, the side with the matched a corresponding object bracket means upward or rotated downward.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind wenigstens zwei Transportarme vorgesehen, von denen wenigstens einer zum Halten von ei nem Objekt mit größerem Gewicht und wenigstens ein weiterer zum Halten eines Objekts mit geringerem Gewicht vorgesehen ist. According to a further embodiment of the invention, at least two transport arms are provided, of which another is provided for holding an object with a lesser weight of at least one for holding ei nem object with greater weight and at least one. Auf diese Weise sind die Halterungseinrichtungen getrennt voneinander für die jeweiligen unter schiedlichen Objekte auf jeweils eigenen Transportarmen ausgebildet. In this way, the support means are formed separately from each other for the respective difference union objects on separate transport arms.

Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Unter druck-Steuereinrichtung in Abhängigkeit von einem vorgegebenen Pro grammablauf ansteuerbar. According to a further advantageous embodiment of the invention, the vacuum pressure control means in response to a predetermined program sequence Pro is controllable. Alternativ oder zusätzlich zu dieser Möglichkeit ist es besonders vorteilhaft, wenn ein das Gewicht des zu handhabenden Ob jekts messender Sensor, beispielsweise ein Dehnungsmeßstreifen, vorgese hen ist. Alternatively, or in addition to this possibility, it is particularly advantageous when a hen the weight of manageable Whether jekts measuring sensor, such as a strain gauge vorgese is. Das Ergebnis dieser Gewichtsmessung, also das Ausgangssignal des Sensors wird danach zur Ansteuerung der Unterdruck-Steuereinrichtung her angezogen. The result of this weight measurement, so the output signal of the sensor is then tightened to control the negative pressure control device forth. Der Sensor kann dabei direkt am Transportarm vorgesehen sein, es ist jedoch auch möglich, das Objekt, dessen Gewicht ermittelt werden soll, zuerst leicht anzuheben, wobei der Haltedruck zum Halten des Objekts als Maß für das Objektgewicht ermittelt wird. The sensor may be provided directly on the transport case, however, it is also possible for the object whose weight is to be determined, first slightly lift, wherein the holding pressure for holding the object is determined as a measure of the object weight. Durch Bestimmen seines individu ellen Gewichts wird das Objekt während der Bewegung sicher gehalten. the object is held securely during movement by determining its economic individu weight. Mit diesem individuellen Haltedruck wird dann das Objekt bewegt. This individual holding pressure the object is moved. Neben dem reinen Haltedruck ist es auch möglich, die maximale Beschleunigung, eine Auswahl einer zuvor festgelegten Trajektorie des Objekts, die Geschwindig keit oder andere Bewegungsparameter auszuwählen oder einzustellen. In addition to the pure holding pressure, it is also possible for the maximum acceleration, a selection of a predetermined trajectory of the object, or to adjust the speed select other motion parameter or set. Hier durch lassen sich auch sogenannte Randgreifer steuern, die das Objekt, bei spielsweise einen Wafer oder eine Box, am Rad greifen und am Rand fixierten um eine örtliche Festlegung des Objekts bezüglich der Handhabungsvorrich tung zu erreichen. also so-called edge gripper herein by can be controlled, to achieve play, engage in a wafer or a box on the wheel rim and fixed to a local determination of the object relative to the Handhabungsvorrich processing the object. Ein solches Festhalten kann z. Such adherence z can. B. mechanisch erfolgen, womit der Begriff "Haltedruck" auch im Sinne eines mechanischen Anpreß drucks mechanischer Teile der Handhabungsvorrichtung an das Objekt zu verstehen ist. B. done mechanically, whereby the term "holding pressure" is meant to the object in terms of a mechanical Anpreß pressure mechanic parts of the handling device.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausfüh rungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. The present invention is described below with reference to preferred exporting the invention with reference approximately examples explained in more detail to the drawings. Es zeigen: Show it:

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung durch eine Schnellheizanlage; Fig. 1 is a schematic sectional view through a rapid heating;

Fig. 2a) und 2b) einen Träger zur Aufnahme von sieben Wafern in Aufsicht und im Querschnitt entlang der in Fig. 2a) eingezeichneten Schnittlinie; FIG. 2a) and 2b) a support for receiving seven wafers in plan view and taken along in FIG cross-section 2a) section line.

Fig. 3a) bis 3f) verschiedene Ausführungsformen der Abdeckung von Aus nehmungen im Träger; Fig. 3a) to 3f) Various embodiments of the cover from recesses in the carrier;

Fig. 4 zwei Darstellungen alternativer Kombinationen von Ausnehmung mit Wafer und Abdeckung; Figure 4 shows two representations of alternative combinations of recess with wafer and cover.

Fig. 5 verschiedene Ausführungsformen für Ausnehmungen; FIG. 5 shows different embodiments for recesses;

Fig. 6 Mechanismus zur Be- und Entladung des Trägers; Fig. 6 mechanism for loading and unloading of the carrier; . ,

Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Transportarms einer erfindungs gemäßen Handhabungsvorrichtung in Aufsicht; Figure 7 is a schematic representation of a transport arm of a fiction, modern handling apparatus in plan view.

Fig. 8 eine Seitenansicht des in Fig. 7 dargestellten Transportarms; Fig. 8 is a side view of the transport shown in Fig. 7;

Fig. 9 die schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Unterdruck- Steuereinrichtung; Fig. 9 is a schematic representation of an embodiment of a vacuum control means;

Fig. 10a und 10b eine schematische Darstellung eines um seine Längsachse drehbaren Transportarms in Ansicht von oben und unten. Fig. 10a and 10b is a schematic illustration of a rotatable transfer arm about its longitudinal axis in view from above and below.

Fig. 1 zeigt schematisch eine typische Anlage 1 zur schnellen thermischen Behandlung von Objekten, vorzugsweise scheibenförmigen Halbleiterwafern 2 . Fig. 1 schematically illustrates a typical system 1 for rapid thermal treatment of objects, preferably disc-shaped semiconductor wafers. 2 Der Wafer 2 ist auf einer Haltevorrichtung 3 abgelegt, bei der es sich bei spielsweise um stiftförmige Stützelemente oder eine Vorrichtung handeln kann, auf der der Wafer umfänglich aufliegt oder eine Waferhalterung anderer Art. Wafer 2 samt Haltevorrichtung 3 sind im Inneren einer Prozeßkammer 4 angeordnet. The wafer 2 is placed on a holder 3, in which there may be pin-shaped support members, or a device for playing, on which the wafer rests circumferentially or a wafer holder of another kind. Wafer 2 together with the holding device 3 disposed in the interior of a process chamber 4. Bei der Prozeßkammer 4 handelt es sich um eine lichtdurchlässi ge Kammer, die vorzugsweise wenigstens abschnittsweise aus transparentem Quarz gefertigt ist. In the process chamber 4 is a lichtdurchlässi ge chamber, which is preferably at least partially made of transparent quartz. Nicht eingezeichnet sind Zu- und Abflüsse für Prozeßgase, durch die eine für den Prozeß geeignete Gasatmosphäre hergestellt werden kann. Are not shown inlets and outlets for process gases, can be prepared by an appropriate process for the gas atmosphere. Oberhalb und/oder unterhalb und/oder seitlich - letzte hier nicht einge zeichnet - der Prozeßkammer 4 sind Lampenbänke 5 und 6 angebracht. Above and / or below and / or laterally - last not be distinguished here - the process chamber 4 are mounted 5 and 6, banks of lamps. Es handelt sich dabei bevorzugt um eine Vielzahl parallel angeordneter stabför miger Wolfram-Halogenlampen, es können aber auch andere Lampen ver wendet werden. This is preferable to a large number of parallel stabför miger tungsten halogen lamps, but it can apply ver other lamps. Alternative Ausführungsformen der Kammer verzichten ent weder auf die obere Lampenbank 5 oder auf die untere Lampenbank 6 und/oder die seitlich angeordneten Lampen. Alternative embodiments of the dispense chamber ent neither to the upper bank of lamps 5, or to the lower lamp bank 6 and / or the laterally arranged bulbs. Mittels der von den Lampen emittierten elektromagnetischen Strahlung wird das Objekt 2 , beispielsweise ein Wafer, geheizt. By means of the emitted electromagnetic radiation from the lamps, the object 2, for example, a wafer is heated. Die gesamte Anordnung kann von einer äußeren Ofen kammer 7 umschlossen werden, deren Wände von Innen wenigstens ab schnittsweise verspiegelt sein können und die bevorzugt aus einem Metall wie Stahl oder Aluminium gefertigt sein kann. The entire arrangement can be enclosed by an outer furnace chamber 7, whose walls may be mirrored from the inside at least from section-wise and which can be preferably made of a metal such as steel or aluminum. Schließlich ist noch eine Meßvor richtung vorhanden, die bevorzugt aus zwei berührungslosen Meßgeräten 8 und 9 besteht. Finally, a direction Meßvor provided which preferably consists of two non-contact measuring devices. 8 and 9 Vorzugsweise handelt es sich bei den Meßgeräten 8 und 9 um zwei Pyrometer, es können aber auch CCD-Zeilen - oder andere Geräte zur Registrierung von Strahlung verwendet werden. Preferably at the meters 8 and 9 two pyrometer, but it can also CCD line - or other devices for registration of radiation are used.

Um in einer solche Anlage Verbindungshalbleiter erfolgreich thermisch be handeln zu können, müssen diese in einem Behältnis eingeschlossen werden um einem Zersetzen des Halbleitermaterials entgegenzuwirken. In order to trade thermally be compound semiconductor successfully in such a system, you must place them in a container to a decomposition of the semiconductor material to counteract. In Fig. 2a) ist ein bevorzugter runder scheibenförmiger Träger 10 in Draufsicht dargestellt. In Fig. 2a), a preferred round disc-shaped support is shown in plan view 10th Fig. 2b) zeigt einen Querschnitt durch den Träger 10 entlang der gestrichelten Linie in Fig. 2a). Fig. 2b) shows a cross section through the carrier 10 along the dashed line in Fig. 2a).

Der Träger 10 verfügt über mehrere kreisförmige Ausnehmungen 11 bis 17 gleichen Durchmessers auf einer oberen Scheibenfläche 18 zur Aufnahme von jeweils einem Wafer. The carrier 10 has a plurality of circular recesses 11 to 17 of the same diameter on an upper disk surface 18 for receiving a respective wafer. Es sind aber auch unterschiedliche Durchmesser für die Ausnehmungen möglich. but also have different diameters for the openings are possible. Dabei ist eine Ausnehmung 12 mittig zum Träger 10 angeordnet, während die übrigen sechs Ausnehmungen 11 , 13 , 14 , 15 , 16 und 17 die mittige Ausnehmung 12 auf einem zur mittigen Ausnehmung 12 und zum Trägerrand konzentrischen Kreis umgeben. In this case, a recess 12 is arranged centrally relative to the carrier 10, while the other six recesses 11, 13, 14, 15, 16 and 17, 12 surround the central recess on a concentric to the central recess 12 and to the support edge circle. Vorzugsweise beträgt der Durchmesser des Trägers 10 200 mm und der Durchmesser der gleich großen Ausnehmungen 52 mm. The diameter of the carrier 10 200 mm and the diameter of the equal-sized recesses is preferably 52 mm.

Vorzugsweise ist der Träger 10 aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Alumini umnitrid, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Keramik oder Metall gefertigt. Preferably, the support 10 made of graphite, sapphire, quartz, boron nitride, Alumini nitride, silicon, silicon carbide, silicon, ceramic or metal is made. Vorteilhafterweise ist die Oberseite 18 als auch die Unterseite 19 des Trägers glasperlenfeingestrahlt, um eine optischen Homogenität auf der Oberseite 18 und der Unterseite 19 zu gewährleisten. Advantageously, the top side 18 and the underside 19 of the carrier is glass beads fine blasted to ensure optical uniformity on the top 18 and the bottom 19th

Um geschlossene Behältnisse für die in den Ausnehmungen 11 bis 17 depo nierten Wafern 3 zu erhalten, werden diese mit wenigstens einer Abdeckung versehen, die ebenfalls glasperlenfeingestrahlt sein kann. To closed containers for the obtaining in the recesses 11 to 17 depo ned wafers 3, these are provided with at least one cover which can also be glass beads fine blasted. In Fig. 3a) sind alle Ausnehmungen 11 bis 17 mit den darin enthaltenen Wafern mittels einer gro ßen Abdeckung 20 überdeckt. In Fig. 3a), all recesses 11 are covered to 17 with the contained wafers by means of a big cover 20 SEN. Bei einer in Fig. 3b) gezeigten anderen bevor zugten Form der Abdeckung sind die Ausnehmungen 11 bis 17 individuell mit Abdeckungen 21 bis 27 versehen. In an embodiment shown in Fig. 3b) other before ferred form of the cover the recesses 11 are provided individually to 17 with covers 21 to 27. In Fig. 3c) sind die Ausnehmungen 14 und 13 von der Abdeckung 28 , die Ausnehmungen 11 und 17 von der Abdeckung 29 und die Ausnehmungen 15 , 12 und 16 von der Abdeckung 30 überdeckt. In Fig. 3c), the recesses covers 14 and 13 of the cover 28, the recesses 11 and 17 of the cover 29 and the recesses 15, 12 and 16 of the cover 30. Fig. 3d) zeigt eine alternative Form der Abdeckung, bei der eine der Abdec kungen beliebig viele Ausnehmungen gleichzeitig, jedoch mehr als eine und nicht alle, abdeckt. Fig. 3d) shows an alternative form of the cover, wherein one of the Deca fluctuations as many recesses simultaneously, but more than one and not all covering. Hier werden die Ausnehmungen 15 , 12 , 16 , 11 und 17 von der Abdeckung 31 überdeckt und die Ausnehmungen 14 und 13 von der Ab deckung 28 . Here, the recesses 15, 12, 16, 11 and 17 are covered by the cover 31 and the recesses 14 and 13 cover the down 28th In Fig. 3e) ist eine Abdeckung für mehrere Ausnehmungen mit individuellen Abdeckungen kombiniert, indem die Ausnehmungen 15 , 12 und 16 von der Abdeckung 30 abgedeckt werden, während die Ausnehmungen 14 , 13 , 11 und 17 von den entsprechenden Abdeckungen 24 , 23 , 21 und 27 ab gedeckt sind. In Fig. 3e) a cover for a plurality of recesses is combined with individual covers, by the recesses 15, 12 and 16 are covered by the cover 30, while the recesses 14, 13, 11 and 17 of the respective covers 24, 23, 21 and 27 are from covered. Fig. 3f) schließlich zeigt eine Kombination aus individuellen Ab deckungen, Abdeckungen für mehrere Ausnehmungen und nicht abgedeckten Ausnehmungen. Fig. 3f), finally, shows a combination of individual From coverings, covers for a plurality of recesses and uncovered recesses. So sind wie in Fig. 3e) die Ausnehmungen 15 , 12 und 16 von einer Abdeckung 30 , die Ausnehmungen 14 und 13 von den entsprechenden individuellen Abdeckungen 24 und 25 abgedeckt, während die Ausnehmungen 11 und 17 unbedeckt bleiben. Thus, as shown in Fig. 3e) the recesses 15, 12 and 16 of a cover 30 covers the recesses 14 and 13 of the respective individual covers 24 and 25, while the recesses 11 and 17 remain uncovered. Ganz allgemein können Abdeckungen für belie big viele Ausnehmungen mit individuellen Abdeckungen sowie nicht abge deckten Ausnehmungen in beliebiger Weise miteinander kombiniert werden. More generally covers can many recesses with individual covers for belie big and not abge covered recesses be combined in any way.

Die Abdeckungen sind nicht auf eine Oberfläche 18 des Trägers 10 be schränkt und können seitlich über den Träger 10 hinausragen. The covers are not limited to a surface 18 of the carrier 10 and be able to project laterally beyond the support 10th

Ebenso wie der Träger 10 kann wenigstens eine der in den Fig. 3 gezeig ten Abdeckungen aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Sili cium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Keramik oder Metall gefertigt sein. As well as the carrier 10 is a gezeig th in FIGS. 3 covers made of graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, Sili cium, silicon carbide, silicon nitride, ceramics or metal can be made at least. Es können aber auch sowohl der Träger 10 als auch wenigstens eine der Abdec kungen aus den genannten Materialien bestehen. But it is also both the carrier 10 and at least one of the Deca effects of the aforementioned materials.

Vorteilhaft wählt man für RTP-Prozesse Träger 10 mit wenigstens einer Ab deckung, die eine niedrige spezifische Wärmekapazität des Trägers und/oder wenigstens einer Abdeckung aufweisen. Is advantageous to select for RTP processes carrier 10 with at least one cover from having a low specific heat capacity of the carrier and / or at least one cover. Vorzugsweise liegt die Wärmekapa zität zwischen 0,8 J/gK und 0,2 J/gK. Preferably, the Wärmekapa capacity between 0.8 J / gK, and 0.2 J / gK. Aus diesem Grund sollte der Träger 10 über eine möglichst geringe Dicke verfügen, die 5 mm nicht übersteigt. For this reason, the carrier 10 should have a smallest possible thickness that does not exceed 5 mm. Bevor zugt wird eine Trägerdicke von bis zu 3 mm. Before Trains t a backing thickness of up to 3 mm.

Ebenso sind Träger 10 mit wenigstens einer Abdeckung von Vorteil, bei denen der Träger 10 und/oder wenigstens eine der Abdeckungen eine hohe Wärme leitfähigkeit aufweisen. Similarly, carrier 10 with at least one cover of advantage in which the carrier 10 and / or at least one of the covers a high heat conductivity. Vorzugsweise befindet sich die Wärmeleitfähigkeit zwischen 10 W/mK und 180 W/mK. Preferably is the heat conductivity between 10 W / mK and 180 W / mK.

Die Abdeckungen können wie die in Fig. 4a) gezeigte Abdeckung 33 auf dem Träger 10 abgelegt werden und die Ausnehmung 32 mit dem darin befindli chen Wafer 2 abdecken. The covers may be stored 33 on the carrier 10 and cover the recess 32 with the therein befindli chen wafer 2 as the cover shown in Fig. 4a). Vorteilhafterweise verfügt die Abdeckung 33 über noppenförmige Ausbildungen 34 oder ähnliche entsprechende Vorrichtungen, die sich paßgenau in entsprechende Mulden 35 auf der Oberfläche 18 des Trägers 10 fügen und die Abdeckung 33 fixieren, um ein Verrutschen zu ver hindern. Advantageously, has the cover 33 over knob-shaped formations 34 or similar suitable devices that fit snugly into corresponding recesses 35 on the surface 18 of the carrier 10 and fix the cover 33 to prevent slipping to ver. Es kann aber auch auf solche Vorrichtungen verzichtet werden. but it can also be dispensed with such devices.

Bevorzugt wird eine Ausführung, bei der die Ausnehmung 32 wie in Fig. 4b) gezeigt über eine sie kranzförmig umgebende Vertiefung 36 verfügt, in die sich die Abdeckung 33 fügt. In which the recess 32 as shown in Fig. 4b) via a it has a ring shape surrounding the recess 36 into which the cover fits 33, an embodiment is preferred. Vorteilhafterweise ist die Tiefe der Vertiefung 36 so groß wie die Dicke der Abdeckung 33 um bündig mit der oberen Fläche 18 abzuschließen und eine ebene Oberfläche des Trägers 10 zu gewährleisten. Advantageously, the depth of the recess 36 as large as the thickness of the cover 33 to complete flush with the upper surface 18 and to ensure a planar surface of the support 10th Vorteilhafterweise sind wenigstens Teile des Trägers 10 oder Teile einer der Abdeckungen 20 bis 31 oder Teile des Trägers 10 und Teile wenigstens einer der Abdeckungen 20 bis 31 beschichtet. Parts of the carrier 10 or parts of the covers 20 to 31 or parts of the carrier 10 and parts are advantageously coated at least at least one of the covers 20 to 31. So kann es beispielsweise von Vor teil sein, eine Innenfläche einer oder aller Ausnehmungen 11 bis 16 sowie ei ne die Ausnehmung abdeckende Fläche einer oder mehrerer Abdeckungen 20 bis 31 wenigstens teilweise mit einer bestimmten Schicht zu versehen, die inert ist gegen chemische Vorgänge, die sich beim Prozessieren des Wafers 3 innerhalb der abgedeckten Ausnehmungen 11 bis 16 abspielen, während äu ßere Flächen des Trägers 10 unbeschichtet bleiben, um gewünschte Absorp tionseigenschaften bezüglich der Heizstrahlung aufzuweisen. Thus, it may for example be of Prior part, an inner surface of one or all recesses 11 to 16 and egg, the recess ne covering surface of one or more covers 20 to 31 at least partially provided with a specific layer, which is inert to chemical operations which Play in the processing of the wafer 3 within the covered recesses 11 to 16, while externa ßere surfaces of the carrier 10 remain uncoated to provide desired characteristics with respect to Absorp tion have the heat radiation. In anderen Fäl len lassen sich beispielsweise lokale optische Eigenschaften von Träger 10 und Abdeckungen 20 bis 31 durch geeignete gebietsweise Beschichtungen der Oberflächen erreichen. In other FAEL len, for example, local optical characteristics of carrier 10 and covers 20 to 31 by appropriate administration, coatings of surfaces can be achieved.

Entsprechend kann es von Vorteil sein, wenigstens Teile des Trägers 10 oder Teile einer der Abdeckungen 20 bis 31 oder Teile des Trägers 10 und Teile einer der Abdeckungen 20 bis 31 transparent für die Heizstrahlung zu gestal ten, indem man diese beispielsweise aus Quarz oder Saphir fertigt. Accordingly, it may be advantageous, at least 20 to 31 th parts of the carrier 10 or parts of the covers 20 to 31 or parts of the carrier 10 and parts of one of the covers transparent for the heat radiation to decor with dark by manufactures this example of quartz or sapphire , Vorteil hafterweise werden die Abdeckungen 20 bis 31 sowie Teile des Trägers 10 , die den Bodenflächen der Ausnehmungen entsprechen, undurchlässig für die Heizstrahlung ausgeführt, während die anderen Teile des Trägers 10 transpa rent sind. Advantageous legally be the covers 20 to 31 as well as parts of the carrier 10 corresponding to the bottom surfaces of the recesses run impermeable for the heat radiation, while the other parts of the carrier 10 transpa rent are.

In einer bevorzugten Ausführung des Trägers 10 verfügen alle Ausnehmungen 20 bis 31 über eine gleiche Tiefe. In a preferred embodiment of the carrier 10 all the recesses 20 to 31 have an equal depth. Dadurch befinden sich die beladenen Wafer 2 parallel ausgerichtet alle auf einer Ebene und auf gleicher Höhe. Thus, all are the loaded wafer 2 parallel aligned on a plane and at the same height.

Es kann manchmal aber auch von Vorteil sein, die Tiefen der Ausnehmungen 20 bis 31 unterschiedlich auszuführen. It may also be advantageous but sometimes to perform the depths of the recesses 20 to 31 in different ways. In diesem Fall liegen die Wafer 2 zwar immer noch parallel, sind aber in der Höhe gegeneinander versetzt und liegen auf verschiedenen Ebenen. In this case, the wafer 2 are still in parallel, but are staggered in height and are at different levels.

Vorteilhafterweise wird eine Halterung der Wafer 2 innerhalb wenigstens einer Ausnehmung 11 bis 17 gewählt, bei der ein Kontakt zwischen dem Wafer und dem Boden der Ausnehmung vermieden wird. Advantageously, a support of the wafer 2 within at least one recess 11 is selected to 17, wherein the contact between the wafer and the bottom of the recess is avoided. Wie in Fig. 5a) gezeigt, erreicht man dies vorteilhaft durch innerhalb einer Ausnehmung 32 angeordnete stift förmige Stützelemente 37 , von denen der Wafer 2 aufgenommen wird. As shown in Fig. 5a), this is achieved advantageously by mounted within a recess 32 pin-shaped support members 37, of which the wafer is received. 2 Dann lassen sich die Wafer 2 bei gleicher Tiefe der Ausnehmungen aber unter schiedlicher Länge der Stützelemente 37 in jeder Ausnehmung auf unter schiedlich hohen Ebenen anordnen. Then, the wafer 2 at the same depth of the recesses can be arranged in each recess 37 but below differently high levels under different lengths of the support members.

Fig. 5b) zeigt eine andere bevorzugte Möglichkeit, den Wafer 2 so anzuordnen, daß ein Kontakt mit dem Boden der Ausnehmung 32 vermieden wird. Fig. 5b) shows another preferred way to arrange the wafer 2 so that a contact with the bottom of the recess 32 is avoided. Hier wird der Wafer 2 in seinem Randbereich unterstützt, indem die Ausnehmung 32 konisch nach Innen zuläuft. Here, the wafer is supported 2 in its edge region by the recess 32 is tapered inwardly. Es wird dadurch ein nach innen abgeschrägter Rand der Ausnehmung 32 erreicht, der eine Randauflage des Wafers ermög licht. It is achieved by a tapered inward edge of the recess 32, which made a peripheral support of the wafer light. Bei einer anderen in Fig. 5c) gezeigten Ausführungsform ist eine Aus nehmung 32 konkav ausgebildet, was wiederum dazu führt, daß der Wafer 2 mit seinem Rand auf dem Rand der Ausnehmung 32 gelagert wird. In another shown in Fig. 5c) embodiment, an off concaved recess 32, which in turn results in that the wafer is supported with its edge on the edge of the recess 32 2. Je nach Ausformung der konischen und der konkaven Ausnehmungen 32 , kann man den Wafer auf unterschiedlichen Höhen ablegen. Depending on the shape of the conical and concave recesses 32, one can put the wafer on different heights.

Zum Beladen des Trägers 10 kann ein Greifer verwendet werden, der über eine Ansaugvorrichtung beispielsweise nach dem Bernoulli-Prinzip verfügen kann. To load the carrier 10, a gripper can be used, which may have a suction device, for example, according to the Bernoulli principle. Dieser Greifer nimmt die Wafer 2 sukzessive auf und legt sie in die Ausnehmungen 11 bis 17 . This gripper successively takes the wafer 2 and places them in the recesses 11 to 17.

Bei einer anderen Ausführungsform werden die Wafer 2 auf Stützstiften 38 abgelegt, wie in Fig. 6a) gezeigt ist. In another embodiment, the wafer 2 is stored on support pins 38, as shown in Fig. 6a). Die Stützstifte 38 werden durch Bohrun gen 39 geführt, die im Boden einer jeden Ausnehmung 32 vorgesehen sind. The support pins 38 are passed through prepared holes 39 which are provided in the bottom of each recess 32nd Ebenso können die Abdeckungen 33 auf Stützstiften 40 angeordnet sein. Also, the covers can be placed on support pins 33 40th Die Stützstifte 40 werden entweder wie in Fig. 6a) dargestellt durch Bohrungen 41 geführt, die den Träger 10 außerhalb der Ausnehmungen 32 durchlaufen, oder aber die Stützstifte 40 verlaufen gänzlich außerhalb des Trägers 10 . The support pins 40 are shown either as in Fig. 6a) guided through bores 41, which pass through the carrier 10 outside of the recesses 32, or the support pins 40 extend entirely outside of the carrier 10. Vorteil hafterweise sind die Stützstifte 38 für verschiedene Ausnehmungen unter schiedlich hoch ausgebildet, um ein Beladen der vom Greifer abgewandten Ausnehmungen nicht durch die Stützstifte, die zum Beladen der dem Greifer zugewandten Ausnehmungen vorgesehen sind, zu behindern. Advantageously enough, the support pins 38 are formed for various recesses under differently high in order not to hinder loading of the recesses remote from the gripper by the support pins, which are provided for loading the side facing the gripper recesses. Aus denselben Gründen können die Stützstifte 40 für die Abdeckungen 33 unterschiedliche Längen aufweisen. For the same reasons, the support pins 40 can have different lengths for the covers 33rd Bevorzugt sind die Stützstifte 40 alle höher als die Stütz stifte 38 . The support pins are preferably all 40 higher than the support pins 38th

Bei einer anderen Ausführungsform wird der Träger 10 zum Beladen um eine vertikale Achse gedreht. In another embodiment, the carrier 10 is rotated to load about a vertical axis. Somit kann erreicht werden, daß immer die gerade zu beladende Ausnehmung 32 zum Greifer hinweist. Thus can be achieved that always pointed straight-loading recess 32 to the gripper.

Sobald die Wafer 2 auf den Stützstiften 38 und die Abdeckungen 33 auf den Stützstiften 40 abgelegt sind, bewegen sich diese nach unten durch den Trä ger 10 hindurch, wodurch die Wafer 10 von den Stützstiften 38 und die Ab deckungen 33 von den Stützstiften 40 abgehoben werden. Once the wafer 2 on the support pins 38 and the covers are placed 33 on the supporting pins 40, they move down through the Trä ger 10 therethrough, whereby the wafers are lifted 10 from the support pins 38 and the Ab coverings 33 of the support pins 40 , Die Wafer 2 wer den dadurch in den ihnen zugeordneten Ausnehmungen abgelegt. The wafer 2 who characterized the in their associated recesses stored. Alternativ läßt sich auch der Träger 10 nach oben bewegen. Alternatively, also the carrier 10 can move upward.

Die Beladung des Wafers 10 kann sowohl innerhalb der Prozeßkammer 4 als auch außerhalb der Prozeßkammer 4 erfolgen. The loading of the wafer 10 can be done either within the process chamber 4 and outside the process chamber. 4

Der in den Fig. 7 und 8 schematisch dargestellte Transportarm 41 der erfin dungsgemäßen Handhabungsvorrichtung, wie sie etwa im Zusammenhang mit dem Handhaben von Wafern und Behältnissen bei thermischen Behandlungs verfahren angewendet wird, weist typischerweise eine Breite b von etwa 35 mm auf, die kleiner als der Durchmesser eines strichliniert dargestellten Ob jekts, etwa eines Wafers 42 oder einen Behältnisses ist. The transport arm, shown schematically in FIGS. 7 and 8, 41 of the OF INVENTION to the invention handling apparatus, as applied methods such as in connection with the handling of wafers and containers during thermal treatment, typically has a width b of about 35 mm, which is smaller than is the diameter of a Whether jekts dashed lines shown, such as a wafer 42 or a container. Dadurch kann der Wafer, der in Kassetten beanstandet von den Nachbarwafern gestapelt und untergebracht ist, aus diesen entnommen und nach dem Prozessieren wieder in sie abgelegt werden. This allows the wafer, which is spaced in cassettes stacked from neighboring wafers and housed, are removed from these and stored back into it after processing. Die Dicke d (vgl. Fig. 8) des Transportarms 41 liegt im Bereich von 1 bis 5 mm und beträgt typischerweise 2 mm. The thickness d (see Fig.. 8) of the transport arm 41 is in the range of 1 to 5 mm, and is typically 2 mm. Die Dicke ist so gewählt, dass der Transportarm 41 zwischen zwei benachbart in den Kasset ten angeordneten Wafern paßt und damit einen Wafer 42 aus der Kassette nehmen kann. The thickness is chosen to match that of the transport arm 41 between two adjacent th in the CASSETTE arranged wafers and thus can take a wafer from the cassette 42nd Die Länge des Transportarms 41 ist den Erfordernissen ent sprechend gewählt, ebenso sein Querschnitts- und Dickenprofil. The length of the transport arm 41 is the requirements accordingly chosen to be just as cross-sectional and thickness profile. Die typische Länge eines Transportarms 41 bei der genannten Anwendungsform liegt zwi schen 20 und 70 cm. The typical length of a transfer arm 41 in the aforementioned application form is Zvi's 20 and 70 cm.

Der Wafer wird gemäß dem in den Fig. 7 und 8 dargestellten Ausführungsbei spiel mit drei Halterungseinrichtungen 43-1 , 43-2 und 43-3 , auch Pads ge nannt, gehalten, die in der dargestellten Ausführungsform auch für das Halten eines (nicht dargestellten) Behältnisses vorgesehen sind. The wafer is according to the illustrated in FIGS. 7 and 8 Ausführungsbei game with three support mechanisms 43-1, 43-2 and 43-3, even pads ge Nannt held, which is not shown in the illustrated embodiment also for holding a ( ) receptacle are provided. Alternativ ist es auch möglich, unterschiedliche Halterungseinrichtungen oder Pads für die Wafer einerseits und das Behältnis andererseits vorzusehen. Alternatively, it is also possible to provide different support bodies or pads for the wafer on the one hand and the container on the other.

Im Transportarm 41 sind Vakuum- oder Unterdruckleitungen 44 vorgesehen, die die Pads 43-1 , 43-2 und 43-3 mit einer Vakuum- oder Unterdruckquelle 45 über eine Verbindungsleitung 46 verbinden. The transfer arm 41 vacuum or low-pressure lines 44 are provided which connect the pads 43-1, 43-2 and 43-3 with a vacuum or negative pressure source 45 via a connecting line 46th In einer Vakuumleitung 44 zu ei nem der Pads 43-2 ist ein Unterdruck-Steuerelement 47 , etwa ein steuerbares Ventil, vorgesehen. In a vacuum line 44 to ei nem the pads 43-2 is a vacuum control 47, such as a controllable valve, is provided.

Der Transportarm 41 ist über ein Befestigungselement 48 mit nicht darge stellten Bauteilen und Bewegungselementen der Handhabungvorrichtung ver bunden. The transport arm 41 is via a fastener 48 with non Darge set components and moving elements of the handling device ver prevented. Im Befestigungselement 48 verlaufen ebenfalls Vakuumleitungen oder Kanäle 49 , die mit ihren den Transportarm 41 abgewandten Enden an die Verbindungsleitung 46 angeschlossen sind. In the fastening member 48 also extend vacuum lines or channels 49 which are connected at their ends remote the transport arm 41 to the connecting line 46th

Wie bereits zuvor im einzelnen ausgeführt wurde, können die Pads 43-1 , 43-2 und 43-3 entsprechend den Gegebenheiten angepaßte Formen, Maße und Ausgestaltungen aufweisen, um den zu handhabenden Wafer sowie das zu handhabende Behältnis sicher zu halten. As has been previously carried out in detail, the pads can have 43-1, 43-2 and 43-3 according to the conditions adapted shapes, sizes and configurations to keep the to-handle wafer and the manageable container safely.

Das Unterdruck-Steuerelement 47 ist gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung dafür vorgesehen, an eines der Pads einen gegenüber den üb rigen Pads unterschiedlichen Unterdruck anzulegen, wenn dies erforderlich ist. The vacuum control 47 is provided according to a further embodiment of the invention adapted to apply a compared to the ring pads üb different negative pressure on one of the pads, if this is necessary.

Auch können für jedes der Pads jeweils individuelle Unterdruck- Steuerelemente vorgesehen sein. Also can be provided for each of the pads each individual vacuum controls. In der Verbindungsleitung 46 ist beispiels weise zwischen dem Transportarm 41 und der Unterdruck- bzw. Vakuumquelle 45 eine Unterdruck-Steuereinrichtung 51 vorgesehen. In the connecting line 46, between the transport arm is Example 41 and the negative pressure or vacuum source 45 is a vacuum control device 51 is provided. Ein Ausführungsbei spiel hierfür ist in Fig. 9 schematisch dargestellt. A Ausführungsbei game of this is shown in Fig. 9 schematically. In der Verbindungsleitung 46 zwischen der Unterdruckquelle 45 und den Unterdruckleitungen 44 des Transportarms 41 sind in der Unterdruck-Steuereinrichtung 51 zwei parallele Unterdruckleitungen 52 und 53 vorgesehen, die über einen ersten und einen zweiten Umschalter 54 , 55 wahlweise in die Unterdruckleitung 46 geschaltet werden können. In the connecting line 46 between the vacuum source 45 and the vacuum lines 44 of the transport 41 51 two parallel vacuum lines 52 and 53 are provided in the negative pressure control device which can be switched via a first and a second switch 54, 55 optionally in the vacuum line 46th Die erste Unterdruckleitung 52 ist dafür vorgesehen, den von der Unterdruckquelle 45 bereitgestellten Unterdruck unverändert an die Un terdruckleitungen 44 des Transportarms 41 weiterzuleiten. The first vacuum line 52 is provided for the vacuum provided by the vacuum source 45 unchanged to the Un terdruckleitungen 44 of the transport arm 41 forward. Dagegen ist in der zweiten Unterdruckleitung 53 der Unterdruck-Steuereinrichtung 51 ein Unter druckregler 56 vorgesehen, der den Unterdruck in der zweiten Verbindungs leitung 53 verändert. In contrast, in the second vacuum line 53, the negative pressure control device 51 is provided a vacuum regulator 56, the circuit the negative pressure in the second link 53 changes.

Die Schaltung der Umschalter 54 und 55 erfolgt bei dem dargestellten Ausfüh rungsbeispiel über einen mit einer Befehls-Software gesteuerten Rechner, der schematisch mit dem Bezugszeichen 57 versehen ist und einer Schnitt stelle 58 der Unterdruck-Steuereinrichtung 51 die entsprechenden Programm befehle bereitstellt, die dann in Form von Steuersignalen über elektrische Leitungen 59 und 60 an die Umschalter 54 und 55 gelangen. The circuit of the switches 54 and 55 takes place in the illustrated exporting approximately, for example via a switch controlled by a command software computer, which is schematically indicated by the reference numeral 57 and an interface 58 of the vacuum control means 51 commands the corresponding program provides, which then in reach form of control signals via electrical lines 59 and 60 to the switch 54 and 55th

Statt der Steuerung der Umschalter 54 und 55 mittels eines Programmes ist es auch möglich, die Umschaltung in Abhängigkeit vom Ausgangssignal eines Gewichtssensors zu steuern, der das Gewicht des zu handhabenden Objekts ermittelt. Instead of the control of the changeover switches 54 and 55 by means of a program, it is also possible to control the switching in response to the output of a weight sensor which detects the weight of the object to be handled.

Bei einem zu handhabenden Objekt 42 , das ein relativ großes Gewicht auf weist, wird ein relativer großer Unterdruck, dh ein relativ kleiner absoluter Druck, dadurch an die Halterungseinrichtungen 43-1 , 43 , 2 , 43-3 angelegt, in dem die erste Unterdruckleitung 52 , die einen Unterdruck-Regler nicht auf weist, mit der in Fig. 9 dargestellten Schaltstellung der Schalter 54 und 55 mit der Unterdruckquelle 45 verbunden wird. In one-to-object 42, which has a relatively large weight, a relative great negative pressure, that is a relatively small absolute pressure, thereby applied to the support means 43-1, 43, 2, 43-3, in which the first vacuum line 52, which does not have a negative pressure regulator on, switching position of the switches shown 9, 54 and 55 connected to the vacuum source 45 to the in Fig.. Im Falle der Temperaturbehandlung von Wafern ist dies - wie zuvor im einzelnen beschrieben wurde - ein Behält nis, in dem wenigstens ein Wafer enthalten ist, und das beispielsweise aus Graphit, aus Siliciumcarbid oder Aluminiumnitrid besteht. In the case of thermal treatment of wafers it is - as previously described in detail - a container nis, in which a wafer is contained at least, and which consists for example of graphite, silicon carbide or aluminum nitride. Ein derartiges Be hältnis aus Graphit kann gemäß weiterer Ausführungsformen auch mit den Materialien Siliciumcarbid oder Aluminiumnitrid beschichtet sein. Such a loading ratio of graphite may be coated according to other embodiments, with the materials of silicon carbide or aluminum nitride. Durch den relativ großen Unterdruck wird das Behältnis sicher und zuverlässig während des Handhabungs- und Transportvorgangs an der Halterungseinrichtung mit den Pads 43-1 , 43-2 , 43-3 angedrückt und gehalten. The relatively large negative pressure, the container is safe and reliable during handling and transportation process to the support device with the pads 43-1, 43-2, 43-3 pressed and held.

Wenn dagegen mit derselben Handhabungsvorrichtung ein Objekt mit kleine rem Gewicht, beispielsweise ein Halbleiterwafer mit einem Gewicht von nur 0,1 bis 20 g, transportiert oder gehandhabt werden soll, werden die Umschal ter 54 und 55 in die Stellung umgeschaltet, in der die Pads 43-1 , 43-2 und 43-3 über die zweite Verbindungsleitung 53 mit der Unterdruckquelle 45 in Ver bindung steht. In contrast, when an object with small rem weight, for example, a semiconductor wafer with a weight of only 0.1 to 20 g transported with the same handling device, or to be handled, the Umschal be switched to the position ter 54 and 55 in which the pads 43 -1, 43-2 and 43-3 is connected via the second connecting line 53 to the vacuum source 45, in conjunction. In dieser zweiten Verbindungsleitung 53 wird der Unterdruck mit dem Unterdruck-Regler 56 verringert, der absolute Druck also erhöht, so dass der Anpreßdruck für den Wafer geringer ist als der für das Behältnis. In this second connecting line 53, the negative pressure is decreased with the negative pressure slider 56, ie the absolute pressure increases, so that the contact pressure for the wafer is lower than that for the container. Dieser Unterdruck ist also an den Wafer angepaßt und so gering, dass die Gefahr eines Bruchs durch einen zu großen Unterdruck an den Pads vermie den wird. This vacuum is thus adapted to the wafer and so low that the risk of breakage vermie by a large negative pressure to the pads to be.

In Fig. 10a und 10b ist ein Ausführungsbeispiel für einen Transportarm 41 dargestellt, der auf beiden Seiten jeweils eine Halterungseinrichtung aufweist, die sich voneinander beispielsweise hinsichtlich der Anzahl der Pads 61-1 , 61-2 , 61-3 , 62 , deren Struktur, Form und/oder Abmessungen unterschiedlich sein können, unterscheiden. In Fig. 10a and 10b shows an embodiment of a transport arm 41 is shown, having on both sides in each case a holding device differing from each other, for example as regards the number of the pads 61-1, 61-2, 61-3, 62, whose structure shape and / or dimensions may be different, different. Während in Fig. 10a eine Padstruktur dargestellt ist, die im Wesentlichen der des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 7 entspricht und für das Halten von Objekten mit kleinem Gewicht, beispielsweise Wafern vorgesehen ist, weist die andere Seite des Transportarms 41 eine Padstruktur auf, die beispielsweise nur einen relativ großflächigen, runden Pad besitzt, der mit nur einer Unterdruckleitung verbunden ist und beispielsweise für ein Objekt mit größerem Gewicht, beispielsweise für ein Waferbehältnis oder eine Graphitbox vorgesehen ist. While in Fig. A pad structure is shown 10a, which corresponds substantially to that of the embodiment of FIG. 7 and for holding objects with small weight, such as wafers is provided, the other side of the transport arm 41, a pad structure to, for example, only has a relatively large, circular pad which is connected with only one vacuum line and, for example, for an object with a larger weight, such as for a wafer container or a graphite box is provided.

Wie durch den Drehpfeil 63 angedeutet ist, ist der Transportarm 41 bei die sem Ausführungsbeispiel um seine Achse 64 um 180° drehbar, so dass je nachdem, ob das Objekt mit größerem Gewicht oder das Objekt mit kleinerem Gewicht gehalten und gehandhabt werden soll, eine der beiden Seiten des Transportarms 41 wahlweise verwendbar sind. As indicated by the rotational arrow 63, the transfer arm 41 at the sem embodiment is rotatable by 180 ° about its axis 64 so that depending on whether the object with greater weight or the object with a smaller weight to be held and handled, one of the both sides of the transport arm 41 are selectively usable.

Wenn die Handhabungsvorrichtung in der Halbleiterindustrie eingesetzt wird, sollte dessen Material und insbesondere das Material des Transportarms 41 für diesen Anwendungszweck tauglich sein und vorzugsweise aus Saphir, Ke ramik und/oder Quarz oder einer Kombination aus diesen Materialien beste hen. When the handling device is used in the semiconductor industry, the material, and particularly the material of the transport arm 41 for this purpose should be compatible, and preferably hen best of sapphire, Ke Ramik and / or quartz, or a combination of these materials. Diese Materialien haben weiterhin den Vorteil, dass die Be- und Entla dung einer Prozeßkammer bei Temperaturen bis zum 700°C erfolgen kann. These materials have the further advantage that the loading and discharge up a process chamber at temperatures may take place until 700 ° C. Saphir und Keramik haben aufgrund des hohen Elastizitätsmoduls ferner den weiteren Vorteil einer hohen Steifigkeit, dh der Transportarm 41 biegt sich selbst bei Auflagen eines Behältnisses mit einem Gewicht von 200 g wenn überhaupt, nur wenig durch. Sapphire and ceramic are due to the high modulus of elasticity also the further advantage of high rigidity, that is, the transport arm 41 flexes even in conditions of a container having a weight of 200 g if at all, only slightly by. Die Oberflächen des Transportarms 41 sollten möglichst glatt sein. The surfaces of the transport arm 41 should be as smooth as possible. Dies und eine möglichst einstückige Ausbildung des Transportarms 41 erleichtert das Reinigen und verringert einen möglichen Partikeltransport in die Prozeßkammer. This and an integral education as possible of the transport arm 41 makes cleaning easier and reduces a possible particle transport into the process chamber.

Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie nicht auf die konkreten Ausführungsbeispiele beschränkt. Although the invention has been described with reference to preferred embodiments, it is not limited to the specific embodiments. Bei spielsweise kann der Träger 10 von eckiger Form sein. In play, the support 10 of rectangular shape may be. Ebenso können die Ausnehmungen eine eckige Form aufweisen. Likewise, the recesses may have a polygonal shape. Zudem ist die Anzahl der Aus nehmungen nicht auf sieben beschränkt. In addition, the number of out is not limited to seven recesses. Auch können bei Trägern mit runden Ausnehmungen die Durchmesser der Ausnehmungen von 52 mm verschieden sein, um auch Wafer von 100 mm oder 150 mm aufnehmen zu können. Also, the diameter of the recesses of 52 mm may be different in carriers with circular recesses to accommodate wafers of 100 mm or even 150 mm. Ein Träger kann beispielsweise auch über unterschiedlich dimensionierte Aus nehmungen verfügen. A carrier may for example include actions both on different sized corner. Darüber hinaus können einzelne Merkmale der oben beschriebenen Ausführungsformen in jeder kompatiblen Art und Weise aus getauscht oder miteinander kombiniert werden. Moreover, individual features of the embodiments described above may be exchanged or combined together in any standard manner from.

Auch die erfindungsgemäße Handhabungsvorrichtung ist nicht auf die Merk male und Ausführungsform der beschriebenen Ausführungsbeispiele be schränkt. The handling device according to the invention is not painting to the watch and restricts embodiment of the embodiments be described. Beispielsweise ist es auch möglich, die Objekte, etwa die Wafer oder Behältnisse dadurch an den Halterungseinrichtungen zu halten, dass das Ansaugen über den Bernoulli-Effekt erfolgt, also in dem die Halterungsein richtungen bzw. die Pads mit Überdruck beaufschlagt werden, so dass sich eine Bernoulli-Wirkung ergibt. For example, it is also possible for the objects, such as wafers or containers thereby hold the support means that the suction via the Bernoulli effect, ie in the directions of the Halterungsein or pads are applied with pressure, so that a Bernoulli effect results. In diesem Falle müssen Beschleunigungskräfte in horizontaler Richtung mittels zusätzlicher Hilfsmittel vorgesehen werden, die z. In this case, acceleration forces must be provided in the horizontal direction by means of additional auxiliaries which z. B. Randbegrenzungen sein können, mit denen die Objekte relativ zum Transportarm 41 fixierbar sind. May be as edge boundaries with which the objects can be fixed relative to the transport arm 41st

Claims (51)

  1. 1. Vorrichtung zur Aufnahme von scheibenförmigen Objekten, vorzugsweise Halbleiterwafern zu deren thermischer Behandlung, gekennzeichnet durch einen Träger mit wenigstens zwei Ausnehmungen zur Aufnahme jeweils eines Objekts. 1. A device for receiving disc-shaped objects, preferably semiconductor wafers to thermal treatment thereof, characterized by a carrier with at least two recesses for receiving a respective object.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch wenigstens eine Ab deckung zum Abdecken wenigstens einer Ausnehmung. 2. Device according to claim 1, characterized by at least one cover for covering from at least one recess.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger und/oder wenigstens eine der Abdeckungen aus Graphit, Saphir, Quarz, Bornitrid, Aluminiumnitrid, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Keramik, und/oder Metall besteht. 3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that the support and / or at least one of the covers of graphite, sapphire, quartz, boron nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, silicon nitride, ceramics, and / or metal.
  4. 4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der Träger und/oder die Abdeckungen eine Wärmekapazität zwischen 0,2 J/gK und 0,8 J/gK aufweist bzw. aufweisen. 4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the support and / or the covers has a heat capacity of 0.2 J / gK, and 0.8 J / gK or have.
  5. 5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der Träger und/oder die Abdeckungen eine Wärmekapazität zwischen 10 W/mK und 180 W/mK aufweist bzw. aufweisen. 5. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the support and / or the cover has a thermal capacity between 10 W / mK and 180 W / mK or have.
  6. 6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens Teile des Trägers und/oder der Abdeckungen beschichtet sind. 6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that at least parts of the carrier and / or of the covers are coated.
  7. 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der Träger und/oder die Abdeckungen wenigstens in Teilbe reichen transparent ist bzw. sind. 7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the support and / or the cover is transparent at least rich in Teilbe or are.
  8. 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß in den einzelnen Ausnehmungen voneinander unterschiedli che Gas-Atmosphären vorgesehen sind. 8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that differing from each other che gas atmospheres are provided in the individual recesses.
  9. 9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die Objekte in einer Ebene angeordnet sind. 9. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the objects are arranged in one plane.
  10. 10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die Objekte in wenigstens zwei zueinander parallelen und voneinander beabstandeten Ebenen angeordnet sind. 10. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the objects are arranged in at least two mutually parallel and spaced apart planes.
  11. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei Ausnehmungen unterschiedlich tief sind. 11. Apparatus according to claim 10, characterized in that at least two recesses have different depths.
  12. 12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens ein Objekt flächig auf einer Bodenfläche der Ausnehmung aufliegt. 12. Device according to one of the preceding claims, characterized in that at least one object lies flat on a bottom surface of the recess.
  13. 13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Objekt von der Bodenfläche der Ausnehmung beab standet angeordnet ist. 13. Device according to one of claims 1 to 10, characterized in that at least beab an object from the bottom surface of the recess is arranged standet.
  14. 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Objekt auf Stützelementen aufliegt. 14. The apparatus according to claim 13, characterized in that at least one object rests on supporting elements.
  15. 15. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Objekt in seinem Randbereich aufliegt. 15. The apparatus according to claim 13, characterized in that at least one object lies in its edge region.
  16. 16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens eine Ausnehmung wenigstens in ihrem äußeren Bereich konusförmig ausgebildet ist. 16. Device according to one of the preceding claims, characterized in that at least one recess is conical at least in its outer region.
  17. 17. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens eine Ausnehmung konkav ausgebildet ist. 17. Device according to one of the preceding claims, characterized in that at least one recess is concave.
  18. 18. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens zwei Ausnehmungen unterschiedliche Abmes sungen aufweisen. 18. A device according to any one of the preceding claims, characterized in that at least two recesses have different dimen solutions.
  19. 19. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens zwei der Objekte unterschiedliche Abmessungen aufweisen. 19. Device according to one of the preceding claims, characterized in that at least two of the objects having different dimensions.
  20. 20. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die Objekte Verbindungshalbleiter sind. 20. A device according to any one of the preceding claims, characterized in that the objects are compound semiconductors.
  21. 21. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens zwei der Objekte unterschiedliche Materialien aufweisen. 21. A device according to any one of the preceding claims, characterized in that at least two of the objects are of different materials.
  22. 22. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß die Objekte wenigstens teilweise beschichtet sind. 22. The device according to any one of the preceding claims, characterized in that the objects are at least partially coated.
  23. 23. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß das Objektmaterial inhomogen ist. 23. A device according to any one of the preceding claims, characterized in that the object material is inhomogeneous.
  24. 24. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Stützstifte zum Beladen des Trägers mit Objekten und/oder Abdec kungen. restrictions 24. Device according to one of the preceding claims, characterized by support pins for loading the support with objects and / or Deca.
  25. 25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Stütz stifte durch den Träger hindurchragen. 25. The device according to claim 24, characterized in that the supporting pins extend through the carrier.
  26. 26. Vorrichtung nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützstifte unterschiedlich hoch sind. 26. The apparatus of claim 24 or 25, characterized in that the support pins have different heights.
  27. 27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeich net, daß die Stützstifte für die Abdeckungen höher sind als für die Objekte. 27. The device according to one of claims 24 to 26, characterized in that the support pins for the cover are higher than for the objects.
  28. 28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 27, dadurch gekennzeich net, daß wenigstens ein Stützstift für die Abdeckungen außerhalb des Trä gers vorgesehen ist. 28. Device according to one of claims 24 to 27, characterized in that at least one support pin for the covers outside the Trä gers is provided.
  29. 29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 28, dadurch gekennzeich net, daß der Träger und die Stützstifte relativ zueinander in vertikaler Richtung bewegbar sind. 29. Device according to one of claims 24 to 28, characterized in that the support and the support pins are movable relative to each other in the vertical direction.
  30. 30. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Stütz stifte zur Ablage der Objekte in den Ausnehmungen und/oder zur Ablage der Abdeckungen auf dem Träger vertikal nach unten bewegbar sind. 30. The device according to claim 29, characterized in that the support pins are movable for storing the objects in the recesses and / or storage of the covers on the support vertically downward.
  31. 31. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Stütz stifte zum Abheben der Objekte aus den Ausnehmungen und/oder zum Abheben der Abdeckungen vom Träger vertikal nach oben bewegbar sind. 31. The device according to claim 29, characterized in that the supporting pins for lifting the objects out of the recesses and / or for lifting the covers from the support can be moved vertically upwards.
  32. 32. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger vertikal bewegbar ist. 32. Apparatus according to claim 29, characterized in that the carrier is vertically movable.
  33. 33. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Greifer mit Ansaugvorrichtungen zum Ablegen der Objekte in die Ausnehmungen und/oder auf die Stützstifte, und/oder zum Abnehmen der Objekte aus den Ausnehmungen und/oder von den Stützstiften. 33. Device according to one of the preceding claims, characterized by a gripper with suction devices for depositing the objects in the recesses and / or on the support pins, and / or for removing the objects from the recesses and / or of the support pins.
  34. 34. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Drehvorrichtung zum Drehen des Trägers um eine vertikale Achse. 34. Device according to one of the preceding claims, characterized by a rotating device for rotating the carrier about a vertical axis.
  35. 35. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der Träger innerhalb einer Prozeßkammer beladbar ist. 35. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier can be loaded within a processing chamber.
  36. 36. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, daß der Träger außerhalb der Prozeßkammer beladbar ist. 36. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the carrier outside the process chamber can be loaded.
  37. 37. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine automatische Be- und Entlade-Einrichtung. 37. Device according to one of the preceding claims, characterized by an automatic loading and unloading device.
  38. 38. Handhabungsvorrichtung mit wenigstens einem Transportarm, der wenig stens eine Halterungseinrichtung zum Halten von wenigstens einem zu handhabenden Objekt mittels Unterdruck aufweist, gekennzeichnet durch eine Unterdruck-Steuereinrichtung zur Veränderung des Unterdrucks in Abhängigkeit vom Gewicht des Objekts. 38. Handling device with at least one transport arm of the little least has a holder means for holding at least one object to be handled by means of vacuum, characterized by an underpressure-control device for changing the negative pressure in dependence on the weight of the object.
  39. 39. Handhabungvorrichtung nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterdruck-Steuereinrichtung eine Unterdruck-Quelle und Unterdruck- Umschalteinrichtungen umfaßt. 39. Handling device according to claim 38, characterized in that the vacuum control means comprises a vacuum source and vacuum switching devices.
  40. 40. Handhabungsvorrichtung nach Anspruch 38 oder 39, dadurch gekenn zeichnet, dass die Unterdruck-Umschalteinrichtung Schalter zum Um schalten zwischen Leitungen mit und ohne Unterdruck-Regler aufweist. 40. Handling device according to claim 38 or 39, characterized in that the negative pressure-switching switch for To switch between lines and having no negative pressure regulator.
  41. 41. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterdruck-Steuereinrichtung wenigstens zwei getrennte Unterdruck-Systeme aufweist. 41. Handling device according to one of claims 38 to 40, characterized in that the vacuum control means comprises at least two separate vacuum systems.
  42. 42. Handhabungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da durch gekennzeichnet, dass das Unterdruck-Verhältnis für die unterschied liche Gewichte aufweisenden, zu handhabenden Objekte in einem Bereich von 10 von 10.000 liegt. 42. Handling device according to one of the preceding claims, characterized by that the lower pressure ratio for the difference having Liche weights to handle objects is in a range of 10 of 10,000.
  43. 43. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 42, dadurch gekennzeichnet, dass ein Objekt mit kleinerem Gewicht ein Halbleiterwafer und ein Objekt mit größerem Gewicht ein Halbleiterwafer-Behältnis ist. 43. Handling device according to any one of claims 38 to 42, characterized in that an object with a smaller weight, a semiconductor wafer and an object with a larger weight is a semiconductor wafer container.
  44. 44. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass die Halterungseinrichtung an für die unterschiedli chen Objekte unterschiedlich ausgebildet sind. 44. Handling device according to one of claims 38 to 43, characterized in that the support means are formed on different for the differing surfaces objects.
  45. 45. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 44, dadurch gekennzeichnet, dass eine Drei-Punkt-Halterungseinrichtung vorgesehen ist. 45. Handling device according to one of claims 38 to 44, characterized in that a three-point support means is provided.
  46. 46. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass Halterungseinrichtungen auf beiden Seiten des Transportarms vorgesehen sind. 46. ​​Handling device according to one of claims 38 to 45, characterized in that retaining means are provided on both sides of the transport arm.
  47. 47. Handhabungsvorrichtung nach Anspruch 38 bis 46, dadurch gekennzeich net, dass eine Seite des Transportarms Halterungseinrichtungen für das Objekt mit größerem Gewicht und seine andere Seite Halterungseinrich tungen für das Objekt mit kleinerem Gewicht aufweist. 47. Handling device according to claim 38 to 46, characterized having gekennzeich net that one side of the transport arm support means for the object with a larger weight, and its other side Halterungseinrich refunds for the object having a smaller weight.
  48. 48. Handhabungsvorrichtung nach Anspruch 46 oder 47, dadurch gekenn zeichnet, dass der Transportarm um 180° bezüglich seiner Längsachse drehbar ist. 48. Handling device according to claim 46 or 47, characterized in that the transport arm is rotatable relative to its longitudinal axis by 180 °.
  49. 49. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei Transportarme vorgesehen sind, von denen wenigstens einer zum Halten von Objekten mit größerem Ge wicht und wenigstens ein weiterer zum Halten von Objekten mit geringe rem Gewicht vorgesehen ist. 49. Handling device according to one of claims 38 to 48, characterized in that two transfer arms are provided at least, of which at least one weight for holding objects having a larger Ge and at least another for holding objects is provided with low weight rem.
  50. 50. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 49, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterdruck-Steuereinrichtung in Abhängigkeit von einem vorgegebenen Programmablauf ansteuerbar ist. 50. Handling device according to any one of claims 38 to 49, characterized in that the vacuum control means in response to a predetermined program sequence is controllable.
  51. 51. Handhabungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 38 bis 50, gekenn zeichnet durch einen das Gewicht des zu handhabenden Objekts messen den Sensor, mit dessen Ausgangssignal als die Unterdruck- Steuereinrichtung ansteuerbar ist. 51. Handling device according to any one of claims 38 to 50, characterized by a weight of the object-to-measure the sensor, with the output signal can be activated when the vacuum control device.
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