DE10134518A1 - Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung - Google Patents
Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische PoliervorrichtungInfo
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000211181 Manta Species 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- NFGXHKASABOEEW-LDRANXPESA-N methoprene Chemical compound COC(C)(C)CCCC(C)C\C=C\C(\C)=C\C(=O)OC(C)C NFGXHKASABOEEW-LDRANXPESA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
Ein verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung kann die Festigkeit des Diaphragmas erhöhen und die auftretende Beanspruchung verringern, wobei das Diaphragma aus einer Kautschukschicht und einer Faserschicht zusammengesetzt ist. Die Größe und Form des Diaphragmas sind entsprechend einem Spalt und einer Relativverschiebung zwischen der Dreheinheit und dem Halter ausgelegt, um eine Faltenbildung des Diaphragmas zu verhindern und um eine Reibung mit einer Seitenwand der Dreheinheit und des Halters zu verringern. Dadurch kann die Lebensdauer des Diaphragmas gesteigert und die Wartungshäufigkeit der Poliervorrichtung verringert sowie die Produktausbeute gesteigert werden.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine chemische mechanische Poliervorrichtung
oder eine chemische mechanische polierende (CMP) Maschine und insbesondere auf ein
Diaphragma zwischen einer Dreheinheit und einem Halter für einen Kissenkonditionierer in
der CMP-Maschine, das die Festigkeit und Dauerhaftigkeit verbessern kann, um eine Fal
tenbildung während des Betriebs zu unterbinden und um die Lebensdauer des Diaphragmas
zu erhöhen.
Die Oberflächenplanarisierung ist ein sehr wichtiges Verfahren, das die Genauigkeit eines
Fotolithografieprozesses direkt beeinflusst. Nur dann, wenn die Oberfläche planarisiert ist,
kann ein Streueffekt des Belichtungs-Lichts zur wiedergabegetreuen Übertragung eines
Musters vermieden werden.
Zur Zeit werden zwei Planarisierungsverfahren in der Industrie in weitem Umfang verwendet,
zu denen das "Drehen auf-Glas" (SOG) und das chemische mechanische Polieren (CMP)
gehören. Da das Halbleiterherstellungsverfahren den tiefen Submikronbereich erreicht hat,
kann der erforderliche Planaritätsgrad bei Anwendung der Drehen auf-Glas-Technik nicht er
reicht werden. Das einzige Verfahren zur Bereitstellung des geforderten Planaritätsgrads bei
der Hochintegration (VLSI) oder Ultrahochintegration (ULSI) ist das chemische mechanische
Polieren. Bei dem chemischen mechanischen Polierverfahren wird mit Hilfe eines chemi
schen Reagens eine Polierweise eingesetzt, die ähnlich der ist, wie sie bei einer Schleifein
richtung zur Anwendung gelangt. Auf diese Weise wird das unebene Oberflächenprofil ge
glättet. Bei einer geeigneten Einstellung der Polierparameter kann bei Verwendung des
chemischen mechanischen Polierens eine Planarität von etwa 90% erreicht werden.
Bei einer chemischen mechanischen Poliervorrichtung oder bei einer chemischen mechani
schen polierenden (CMP) Maschine wird durch einen Halter ein Wafer auf einem Polierkis
sen gehalten und gedreht, auf das eine Polieraufschlämmung aufgebracht wird. Da etwas
Abrasivstoff in der Polieraufschlämmung während eines Langzeitpolierens von Substrat zu
Substrat in dem Polierkissen eingebettet und eingeschlossen wird, wird das Polierkissen mit
der Zeit unbrauchbar. Das auf dem Polierkissen polierte Substrat wird von dem eingebette
ten Abrasivstoff zerkratzt und beschädigt, was die Poliergleichförmigkeit verschlechtert. Des
halb wird in einer CMP-Maschine gewöhnlich ein Kissenkonditionierer verwendet, um das
eingesetzte Polierkissen zu rekonditionieren und um die ursprüngliche Polierbedingung und
den ursprünglichen Polierzustand wieder herzustellen. Der Kissenkonditionierer umfasst ge
wöhnlich hauptsächlich eine Dreheinheit und einen Halter. Im Boden des Halters sitzt eine
Diamantscheibe, die zum Entfernen von eingebettetem Abrasivstoff und Verunreinigungs
aufschlämmung und zur Wiederherstellung des ursprünglichen Polierzustands verwendet
wird. Zur weiteren Beschreibung des Kissenkonditionierers einer CMP-Maschine wird auf die
US-Anmeldung 09/052,798 Bezug genommen.
Ein herkömmlicher Kissenkonditionierer hat gewöhnlich einen Robotarm. An einem Ende des
Arms ist eine Dreheinheit montiert, die mittels einer Stromzuführungsvorrichtung aktiviert
wird, um einen darunter befindlichen Halter zum Drehen zu bringen. Der Halter mit der Dia
mantscheibe in seinem Boden wird zum Entfernen von eingebetteten Abrasivstoffen und
Verunreinigungsaufschlämmung auf einem Polierkissen und zur Wiederherstellung des ur
sprünglichen Polierzustands des Polierkissens verwendet. Zwischen der Dreheinheit und
dem Halter ist ein elastisches und flexibles Kautschuk-Diaphragma angeordnet. Während
des Wiederherstellungsvorgangs des Kissenkonditionierers wird das Kautschuk-Diaphragma
gestaucht und verdreht und bildet dadurch eine Falte aufgrund der Relativverschiebung von
Dreheinheit und Halterung. Auf das Diaphragma wirkt zwangsweise eine Reibung ein, die
vom Scheuern des Diaphragmas an der Seitenwand der Dreheinheit und des Halters erzeugt
wird. Die summierte Beanspruchung des Diaphragmas durch die Reibung führt zu Ermüdung
und Verfall und schließlich zu einem Reißen. Dadurch wird die Lebensdauer des Diaphrag
mas verringert, die Wartungsfrequenz der CMP-Maschine steigt und es ergibt sich eine Re
duzierung der Durchsatzleistung der CMP-Maschine.
Die vorliegende Erfindung stellt ein verbessertes Diaphragma für eine chemische mechani
sche Poliervorrichtung bereit. Das Diaphragma, das in geeigneter Weise entsprechend der
Spaltdistanz und der relativen Verschiebedistanz zwischen Dreheinheit und Halter ausgelegt
ist, kann die Festigkeit und Dauerhaftigkeit verbessern und die Reibung von der Seitenwand
der Dreheinheit und des Halters verringern, um die Lebensdauer des Diaphragmas zu ver
längern.
Die vorliegende Erfindung stellt ein verbessertes Diaphragma für eine chemische mechani
sche Poliervorrichtung bereit. Das Diaphragma hat eine Kautschukschicht zur Verbindung
einer Dreheinheit und eines Halters und eine an der Kautschukschicht befestigte Faser
schicht zur Verstärkung der Festigkeit der Kautschukschicht. Der Halter ist in die Dreheinheit
eingepasst und der Spalt zwischen der Dreheinheit und dem Halter wird von der Kautschuk
schicht und der Faserschicht abgedichtet.
Die vorliegende Erfindung stellt auch ein verbessertes Diaphragma für eine chemische me
chanische Poliervorrichtung bereit. Das Diaphragma hat einen äußeren Dichtungsring, der
an einer inneren Seitenwand einer Dreheinheit angebracht ist, einen inneren Dichtungsring,
der an einer äußeren Seitenwand eines Halters angebracht ist, und einen Verbindungsring,
der glatt zwischen dem äußeren Dichtungsring und dem inneren Dichtungsring angeschlos
sen ist. Der Verbindungsring ist entsprechend einer Spaltdistanz und einer maximalen Rela
tiwerschiebungsdistanz zwischen der Dreheinheit und dem Halter ausgelegt. Der äußere
Dichtungsring, der Verbindungsring und der innere Dichtungsring können in einem Stück
hergestellt werden. Der äußere Dichtungsring, der Verbindungsring und der innere Dich
tungsring können jeweils aus einer Faserschicht und einer Kautschukschicht hergestellt wer
den.
Die vorstehenden Aspekte und viele der zugehörigen Vorteile diese Erfindung werden unter
Bezugnahme auf die folgende ins Einzelne gehende Beschreibung in Verbindung mit den
beiliegenden Zeichnungen deutlicher, in denen
Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht eines Kissenkonditionierers in einer CMP-
Maschine nach dem Stand der Technik ist,
Fig. 2 eine schematische Schnittansicht eines Kissenkonditionierers in einer CMP-Maschine
gemäß der vorliegenden Erfindung ist,
Fig. 3 Bauteile eines Diaphragmas der vorliegenden Erfindung zeigt,
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht des Diaphragmas der vorliegenden Erfindung ist,
Fig. 5 eine schematische Draufsicht auf das Diaphragma der vorliegenden Erfindung ist,
Fig. 6 eine schematische dreidimensionale Ansicht des Diaphragmas der vorliegenden Erfin
dung ist und
Fig. 7 eine Konstruktionszeichnung des Diaphragmas der vorliegenden Erfindung ist.
Die vorliegende Erfindung stellt ein verbessertes Diaphragma für eine chemische mechani
sche Poliervorrichtung bereit, das aus einer Faserschicht und einer Kautschukschicht zu
sammengesetzt ist, wodurch die Festigkeit und Dauerhaftigkeit des Diaphragmas gesteigert
werden kann. Die Größe und Form des Diaphragmas sind entsprechend der Spaltdistanz
und der Relativverschiebungsdistanz zwischen der Dreheinheit und dem Halter ausgelegt,
um eine Faltenbildung zu vermeiden und um die Lebensdauer des Diaphragmas zu erhöhen.
Fig. 1 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines Kissenkonditionierers einer
CMP-Maschine nach der vorliegenden Erfindung. Der Kissenkonditionierer 10 hat einen Ro
botarm 12. An einem Ende des Arms 12 ist eine Dreheinheit 20 montiert, während am ande
ren Ende des Arms 12 eine Leistungszuführungsvorrichtung (nicht gezeigt), beispielsweise
ein Motor, angeordnet ist. Die Dreheinheit 20 wird von der Leistungszuführungsvorrichtung
über eine Leistungstransmissionsvorrichtung (nicht gezeigt), beispielsweise einen Transmis
sionsriemen, aktiviert. Ferner kann in der CMP-Maschine ein Steuersystem (nicht gezeigt)
eingesetzt werden, um die Bewegung des Arms 12 für das Bewegen eines Halters 40 auf ei
nem Polierkissen 60 zu steuern. An der Unterseite des Halters 40, der mit der Dreheinheit 20
gedreht wird, befindet sich eine Diamantscheibe, die zum Entfernen von eingebettetem
Abrasivstoff und von Verunreinigungsaufschlämmung und zur Wiederherstellung des ur
sprünglichen Polierzustands des Polierkissens 60 eingesetzt wird.
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Schnittansicht den Kissenkonditionierer in der CMP-
Maschine nach der vorliegenden Erfindung. Die Dreheinheit 20 hat einen oberen Abschnitt
22 und einen unteren Abschnitt 24, der Halter 40 hat eine Welle 42 und eine Scheibe 44, die
am Boden der Welle 42 angeordnet ist. In der unteren Mitte der Dreheinheit 20 ist ein zylind
risches Loch 26 vorgesehen. Die Welle 42 des Halters 40 ist in das Loch 26 der Dreheinheit
20 eingesetzt. Zwischen der Dreheinheit 20 und der Welle 42 ist eine Diaphragma 30 nach
der vorliegenden Erfindung angeordnet. Das Diaphragma 30 hat das Aussehen einer ring
förmigen Scheibe. Der äußere Abschnitt des Diaphragmas 30 ist in die Dreheinheit 20 ein
gebettet, wobei es insgesamt an dem oberen Abschnitt 22 und dem unteren Abschnitt 24
eingeklemmt ist, und der innere Abschnitt des Diaphragmas 30 ist in die Welle 42 eingebet
tet.
Wenn die Dreheinheit 20 aktiviert ist und gedreht wird, drehen sich das Diaphragma 30 und
die Welle 42 mit der Dreheinheit 20, um den Halter 40 zu drehen. Am Boden des Halters 40
befindet sich eine Diamantscheibe 44, die mit einem Diamantraster bedeckt ist. Durch Dre
hen der Diamantscheibe 44 können auf dem Polierkissen 60 eingeschlossene Abrasivstoffe
und Verunreinigungsaufschlämmung entfernt werden und kann der ursprüngliche Polierzu
stand wiederhergestellt werden.
Fig. 3 zeigt die Bauteile des Diaphragmas 30 der vorliegenden Erfindung. Das Diaphragma
30 ist aus einer flexiblen elastischen Kautschukschicht 304 und aus einer Faserschicht 302
mit einer Netzstruktur zusammengesetzt, die an der Kautschukschicht 304 befestigt ist. Für
die Kautschukschicht 304 kann für das Diaphragma 30 ein herkömmliches Kautschukmateri
al verwendet werden. Die Faserschicht 302 ist aus einer Verstärkungsfaser, wie Nylon 66,
oder aus anderen ähnlichen Materialien hergestellt. Zum Verbinden der Faserschicht 302
und der Kautschukschicht 304 kann ein geeigneter Klebstoff verwendet werden.
Aufgrund der Verwendung der Faserschicht 302 auf dem Diaphragma 30 der vorliegenden
Erfindung kann die Festigkeit und Dauerhaftigkeit des Diaphragmas 30 gesteigert und die
durch die Reibung verursachte Beanspruchung ausgeschlossen werden. Man erhält eine
verbesserte Qualität des Diaphragmas 30, wodurch ein Reißen auch dann vermieden wird,
wenn sich das Diaphragma 30 dreht und eine Relativbewegung ausführt, so dass die Le
bensdauer des Diaphragmas 30 verbessert werden kann.
Nachstehend wird der Aufbau des Diaphragmas beschrieben. Fig. 4, 5 und 6 zeigt jeweils
schematisch eine Schnittansicht, eine Draufsicht und eine dreidimensionale Ansicht des Dia
phragmas der vorliegenden Erfindung. Gemäß Fig. 4, 5 und 6 ist die Welle 42 in die Dreh
einheit 20 eingesetzt. Die Innenfläche der Dreheinheit 20 hat eine innere Seitenwand 25, die
Außenfläche der Welle 42 eine äußere Seitenwand 45. Zwischen der Dreheinheit 20 und der
Welle 42, d. h. zwischen der inneren Seitenwand 25 und der äußeren Seitenwand 45, besteht
ein Spalt mit einer Distanz d.
Das Diaphragma 30 der vorliegenden Erfindung sieht wie eine ringförmige Scheibe aus und
kann in einem Stück ausgebildet werden. Das Diaphragma 30 hat drei Abschnitte, einen äu
ßeren Dichtungsring 32, einen inneren Dichtungsring 36 und dazwischen einen Verbindungs
ring 34. Die äußere Unterseite des äußeren Dichtungsrings 32 hat einen äußeren Ringvor
sprung 31, der mit einer Nut des unteren Abschnitts 24 in Eingriff steht, wodurch der äußere
Dichtungsring 32 in der Dreheinheit 20 eingeschlossen und daran gehalten ist. Für eine
zweckmäßige Installierung befindet sich der äußere Dichtungsring 32 insgesamt zwischen
dem oberen Abschnitt 22 und dem unteren Abschnitt 24. In ähnlicher Weise hat die innere
Unterseite des inneren Dichtungsrings 36 einen inneren Ringvorsprung 35 für den Eingriff
mit dem inneren Dichtungsring 36 in einer Nut der Welle 42 und ein haltendes Befestigen
darin.
Der Verbindungsring 34 ist glatt angeschlossen und zwischen dem äußeren Dichtungsring
32 und dem inneren Dichtungsring 36 integriert. Das Diaphragma 30 kann den Spalt zwi
schen der Dreheinheit 20 und der Welle 42 des Halters 40 so abdichten, dass der innere
Raum 26 luftdicht abgeschlossen ist. Wesentlich ist die Größenbemessung des Verbin
dungsrings 34. Wenn der Verbindungsring 34 zu breit ist, kann sich leicht eine Falte zwi
schen der Welle 42 und der Dreheinheit 20 aufgrund der Dreh- und Relativbewegung bilden,
was zu einer Verwindung und Verwerfung und schließlich zu einem Reißen führt. Die Breite
des Verbindungsrings 34 kann folglich entsprechend der Spaltdistanz d und der maximalen
Relativverschiebungsdistanz L zwischen dem äußeren Dichtungsring 32 und dem inneren
Dichtungsring 36 ausgelegt werden. Die Breite des Diaphragmas 30 kann ein klein wenig
größer als (L2 + d2)1/2 sein, vorzugsweise das 1,1 bis 1,6-fache und besonders bevorzugt das
1,1 bis 1,3-fache betragen. Der unnötige Abschnitt des Verbindungsrings 34 wird entfernt,
wodurch die Wahrscheinlichkeit einer Faltenbildung reduziert werden kann. Die Reibung des
Verbindungsrings 34 zwischen der inneren Seitenwand 25 und der äußeren Seitenwand 45
kann deshalb reduziert werden. Dadurch wird die Lebensdauer des Diaphragmas 30 erhöht.
Zum besseren Verständnis der Vorteile und Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung wird
als Beispiel ein ins Einzelne gehendes Auslegungsschema verwendet. Gemäß Fig. 7 kann
der Innendurchmesser R1 des inneren Lochs des unteren Abschnitts 24 35 mm und der Au
ßendurchmesser H1 der Welle 42 26 mm betragen. Die Dicke t1 des Diaphragmas 30 mit der
Faserschicht 302 und der Kautschukschicht 304 kann 2 mm betragen. Der Außendurchmes
ser D1 des Diaphragmas 30 kann 46 mm, der Innendurchmesser D2 19,5 mm betragen. Zur
Montage des Diaphragmas 30 im unteren Abschnitt 24 und in der Welle 42 kann die Breite P
und die Dicke (t2-t1) des äußeren Ringvorsprungs 31 und des inneren Ringvorsprungs 35
1,8 mm bzw. 1 mm betragen. Die Distanz d des Spalts zwischen der Dreheinheit 20 und der
Welle 42 kann bei 4,5 mm, die Relativverschiebungsdistanz L bei 6 mm liegen. Deshalb kann
die Breite des Verbindungsrings 34 etwas größer als 7,5 mm sein. Die Verbindungsabschnitte
des Verbindungsrings 34 zwischen dem äußeren Dichtungsring 32 und dem inneren Dich
tungsring 36 können bogenförmig ausgelegt sein, um eine Fokussierung einer Spannung
darin zu verhindern. Der Krümmungsradius R in den Verbindungsabschnitten kann 1,5 mm
betragen. Um eine scharfe Ecke im unteren Abschnitt 24 nahe dem Verbindungsabschnitt
und somit eine Beschädigung des Diaphragmas 30 zu vermeiden kann die Ecke auch bo
genförmig ausgelegt werden. Dadurch kann die Reibung auf das Diaphragma 30 merklich
verringert werden. Das vorstehende Konstruktionsbeispiel der vorliegenden Erfindung soll
die vorliegende Erfindung nur veranschaulichen, aber nicht beschränken und innerhalb des
Rahmens der beigefügten Ansprüche liegen.
Nach der vorstehenden Beschreibung offenbart die vorliegende Erfindung ein verbessertes
Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung. Das aus einer Faserschicht
und einer Kautschukschicht hergestellte Diaphragma kann die Festigkeit und Dauerhaftigkeit
erhöhen, wodurch das Diaphragma langlebiger wird. Die Größe und Form des Diaphragmas
kann entsprechend der Spaltdistanz und der Relativverschiebungsdistanz zwischen der
Dreheinheit und der Welle in geeigneter Weise ausgelegt werden, um eine Faltenbildung zu
verhindern und um Reibung zwischen dem Diaphragma und den Seitenwänden aufzuheben.
Dadurch kann die Lebensdauer des Diaphragmas ausgedehnt werden. Dementsprechend
kann die Wartungsfrequenz der chemischen mechanischen Poliervorrichtung verringert und
die Durchsatzleistung entsprechend gesteigert werden.
Wie der Fachmann weiß, dienen die bevorzugten Ausgestaltungen der vorliegenden Erfin
dung nur für deren Veranschaulichung und sollen sie nicht beschränken. Es sollen viele Mo
difizierungen und ähnliche Anordnungen abgedeckt sein, wie sie 6 m Rahmen der beiliegen
den Ansprüche umfasst sind, wobei deren Rahmen die breiteste Interpretierung entsprechen
soll, um alle solchen Modifizierungen und ähnliche Aufbauten einzuschließen.
Claims (19)
1. Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung
mit einer Kautschukschicht zum Verbinden einer Dreheinheit und eines Halters, wo bei der Halter in die Dreheinheit eingesetzt ist und ein Spalt zwischen der Dreheinheit und dem Halter durch die Kautschukschicht abgedeckt ist, und
mit einer Faserschicht, die an der Kautschukschicht zur Verstärkung der Festigkeit der Kautschukschicht befestigt ist.
mit einer Kautschukschicht zum Verbinden einer Dreheinheit und eines Halters, wo bei der Halter in die Dreheinheit eingesetzt ist und ein Spalt zwischen der Dreheinheit und dem Halter durch die Kautschukschicht abgedeckt ist, und
mit einer Faserschicht, die an der Kautschukschicht zur Verstärkung der Festigkeit der Kautschukschicht befestigt ist.
2. Diaphragma nach Anspruch 1, bei welchem der Aufbau der Faserschicht ein Netzaufbau
ist.
3. Diaphragma nach Anspruch 1, bei welchem die Kautschukschicht und die Faserschicht
einen Ringaufbau haben.
4. Diaphragma nach Anspruch 1, bei welchem das Diaphragma mit der Dreheinheit gedreht
wird.
5. Diaphragma nach Anspruch 1, bei welchem die Unterseite des Halters einen Diamantfilm
aufweist.
6. Diaphragma nach Anspruch 5, bei welchem der Halter ein Polierkissen durch Drehen
darauf rekonditioniert.
7. Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung
mit einem äußeren Dichtungsring, der an einer inneren Seitenwand einer Dreheinheit angebracht ist,
mit einem inneren Dichtungsring, der an einer äußeren Seitenwand eines Halters angebracht ist, wobei der Halter in die Dreheinheit eingesetzt ist und die äußere Sei tenwand des Halters zu der inneren Seitenwand der Dreheinheit benachbart ist, und
mit einem Verbindungsring, der glatt zwischen dem äußeren Dichtungsring und dem inneren Dichtungsring angeschlossen ist, wobei die Breite des Verbindungsrings ge mäß einer Spaltdistanz und einer maximalen Relativverschiebungsdistanz zwischen dem äußeren Dichtungsring und dem inneren Dichtungsring ausgelegt ist.
mit einem äußeren Dichtungsring, der an einer inneren Seitenwand einer Dreheinheit angebracht ist,
mit einem inneren Dichtungsring, der an einer äußeren Seitenwand eines Halters angebracht ist, wobei der Halter in die Dreheinheit eingesetzt ist und die äußere Sei tenwand des Halters zu der inneren Seitenwand der Dreheinheit benachbart ist, und
mit einem Verbindungsring, der glatt zwischen dem äußeren Dichtungsring und dem inneren Dichtungsring angeschlossen ist, wobei die Breite des Verbindungsrings ge mäß einer Spaltdistanz und einer maximalen Relativverschiebungsdistanz zwischen dem äußeren Dichtungsring und dem inneren Dichtungsring ausgelegt ist.
8. Diaphragma nach Anspruch 7, bei welchem der äußere Dichtungsring, der Verbindungs
ring und der innere Ring einstückig ausgebildet sind.
9. Diaphragma nach Anspruch 7, bei welchem der äußere Dichtungsring, der Verbindungs
ring und der innere Ring aus einer Faserschicht und einer Kautschukschicht zusammen
gesetzt sind.
10. Diaphragma nach Anspruch 9, bei welchem der Aufbau der Faserschicht ein Netzaufbau
ist.
11. Diaphragma nach Anspruch 7, bei welchem das Diaphragma mit der Dreheinheit gedreht
wird.
12. Diaphragma nach Anspruch 7, bei welchem die Unterseite des Halters weiterhin einen
Diamantfilm aufweist.
13. Diaphragma nach Anspruch 12, bei welchem der Halter ein Polierkissen durch Drehen
darauf rekonditioniert.
14. Chemische mechanische Poliervorrichtung, wenigstens
mit einer Dreheinheit,
mit einem in die Dreheinheit eingesetzten Halter und
mit einem Diaphragma, das aus einer Kautschukschicht und einer Faserschicht zu sammengesetzt ist und die Dreheinheit und den Halter verbindet sowie einen Spalt zwischen der Dreheinheit und dem Halter abdichtet.
mit einer Dreheinheit,
mit einem in die Dreheinheit eingesetzten Halter und
mit einem Diaphragma, das aus einer Kautschukschicht und einer Faserschicht zu sammengesetzt ist und die Dreheinheit und den Halter verbindet sowie einen Spalt zwischen der Dreheinheit und dem Halter abdichtet.
15. Poliervorrichtung nach Anspruch 14, bei welcher der Aufbau der Faserschicht ein Netz
aufbau ist.
16. Poliervorrichtung nach Anspruch 14, bei welcher das Diaphragma einen Ringaufbau hat.
17. Poliervorrichtung nach Anspruch 14, bei welcher das Diaphragma mit der Dreheinheit
gedreht wird.
18. Poliervorrichtung nach Anspruch 14, bei welcher die Unterseite des Halters weiterhin ei
nen Diamantfilm aufweist.
19. Poliervorrichtung nach Anspruch 17, bei welcher der Halter ein Polierkissen durch Dre
hen auf ihm rekonditioniert.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW089114156A TW458853B (en) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | Diaphragm for a CMP machine |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10134518A1 true DE10134518A1 (de) | 2002-05-29 |
Family
ID=21660419
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10134519A Withdrawn DE10134519A1 (de) | 2000-07-14 | 2001-07-16 | Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung |
| DE10134518A Withdrawn DE10134518A1 (de) | 2000-07-14 | 2001-07-16 | Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10134519A Withdrawn DE10134519A1 (de) | 2000-07-14 | 2001-07-16 | Verbessertes Diaphragma für eine chemische mechanische Poliervorrichtung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6582288B2 (de) |
| JP (1) | JP2002120150A (de) |
| KR (2) | KR100832607B1 (de) |
| DE (2) | DE10134519A1 (de) |
| TW (2) | TW458853B (de) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4113509B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2008-07-09 | スピードファム株式会社 | 被研磨物保持用キャリア |
| US20080166952A1 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same |
| US7210981B2 (en) * | 2005-05-26 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Smart conditioner rinse station |
| JP4904960B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2012-03-28 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
| JP4605233B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
| CN113183031A (zh) * | 2021-05-20 | 2021-07-30 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种修整头旋转部件、抛光垫修整头和修整器 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4805585A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-21 | Bryant Grinder Corporation | Radius dressing apparatus |
| US6146259A (en) * | 1996-11-08 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US5957751A (en) * | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
| US6036583A (en) | 1997-07-11 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Conditioner head in a substrate polisher and method |
| JPH11226865A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-08-24 | Speedfam Co Ltd | キャリア及びｃｍｐ装置 |
| US6080050A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US6200199B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
| JP3614666B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2005-01-26 | 株式会社荏原製作所 | ウェーハ研磨ヘッド |
| US6033290A (en) | 1998-09-29 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
| US6165058A (en) * | 1998-12-09 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
| US6241593B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressurizable bladder |
| US6450868B1 (en) * | 2000-03-27 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multi-part flexible membrane |
-
2000
- 2000-07-14 TW TW089114156A patent/TW458853B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-06-26 TW TW089114156A patent/TW490363B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-13 US US09/905,512 patent/US6582288B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-14 KR KR1020010042643A patent/KR100832607B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-16 DE DE10134519A patent/DE10134519A1/de not_active Withdrawn
- 2001-07-16 JP JP2001215716A patent/JP2002120150A/ja active Pending
- 2001-07-16 DE DE10134518A patent/DE10134518A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-10-24 KR KR1020070107094A patent/KR100801368B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002120150A (ja) | 2002-04-23 |
| US20020072314A1 (en) | 2002-06-13 |
| KR100801368B1 (ko) | 2008-02-05 |
| US6582288B2 (en) | 2003-06-24 |
| KR20020007225A (ko) | 2002-01-26 |
| KR100832607B1 (ko) | 2008-05-27 |
| DE10134519A1 (de) | 2002-10-24 |
| TW458853B (en) | 2001-10-11 |
| TW490363B (en) | 2002-06-11 |
| KR20070110228A (ko) | 2007-11-16 |
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