DE10125528A1 - System zur Aufnahme von Strahlungsbildern - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betifft ein System zur Aufnahme von Strahlungsbildern, mit einer Strahlungsaufnahmeeinrichtung und einer deren Betrieb steuernden Steuerungseinrichtung, wobei die Strahlungsaufnahmeeinrichtung aufweist: DOLLAR A - ein in Abhängigkeit der einfallenden Strahlung elektrische Ladungen erzeugende Ladungsschicht (8) mit einer zugeordneten, mit Hochspannung (V) beaufschlagbaren Elektrodenschicht (7) zum Auslösen eines elektronenvervielfachenden Lawineneffekts in der Ladungsschicht (8), über der hochspannungsbedingt ein Potential liegt, DOLLAR A - eine Ausleseeinrichtung zum Auslesen der erzeugten Ladungen in der Ladungsschicht (8) mittels eines Elektronenstrahls (e), DOLLAR A wobei das Potential über die Ladungsschicht (8) zum Variieren der lawineneffektbedingten Verstärkung der Ladungsschicht (8) modulierbar ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein System zur Aufnahme von Strah­ lungsbildern, mit einer Strahlungsaufnahmeeinrichtung und einer deren Betrieb steuernden Steuerungseinrichtung.

Derartige Systeme zur Aufnahme von Strahlungsbildern kommen z. B. in der Medizintechnik zur Aufnahme von Röntgenstrah­ lungsbildern zum Einsatz. Sie können bei gewöhnlichen Rönt­ genanlagen verwendet werden, denkbar ist aber auch eine Ver­ wendung bei Computertomographen.

Zentrales Element eines solchen Systems ist die Strahlungs­ aufnahmeeinrichtung. Bekannt sind dabei sogenannte a-Si-Pa­ nels, die eine Szintillatorschicht, vornehmlich aus CsI, auf­ weisen, in der einfallende Röntgenquanten in sichtbares Licht gewandelt werden, das von einer nachgeschalteten amorphen Halbleiterschicht, in der eine Matrix von Fotodioden ausge­ bildet ist, denen eine dedizierte Ausleseelektronik nachge­ schaltet ist, verarbeitet wird. In den Fotodioden wird abhän­ gig von der konversionsbedingten Lichtmenge Ladung, also Elektronen generiert, die über die dedizierte Ausleseelektro­ nik ausgelesen werden kann. Problematisch bei derartigen Strahlungsaufnahmeeinrichtungen ist aber die nicht variable Lichtkopplung zwischen dem Szintillator und der Fotodioden­ matrix. Dies führt dazu, dass kaum Möglichkeiten zur Variati­ on der Wandlungseffizienz (einfallende Röntgenquanten zur Ausgangsspannung des Panels) bestehen. Konkret bedeutet dies, dass bei unterschiedlichen Betriebsweisen bzw. unterschiedli­ chen Aufnahmemodi, die mit Röntgenstrahlung unterschiedlicher Dosis arbeiten, keine Variation der Wandlungseffizienz bzw. der Verstärkung erzielt werden kann. In der Medizintechnik werden beispielsweise häufig abwechselnd sogenannte Fluoro- oder Durchleuchtungsaufnahmen und digitale Radiografie- oder digitale Subtraktions-Angiographie-Aufnahmen durchgeführt.

Die erstgenannte Betriebsweise arbeitet mit einer niedrigen Röntgenstrahlendosis bei gleichzeitiger Aufnahme vieler Bil­ der, die letztgenannten Betriebsarten arbeiten mit Röntgen­ strahlung hoher Dosis pro aufgenommenem Einzelbild. Da bei bekannten a-Si-Panels keine Variation der Wandlungseffizienz möglich ist, muss diese so gewählt werden, dass bei Aufnahme von Bildern mit Strahlung hoher Dosis keine Übersteuerung auftritt, was aber dazu führt, dass sich für Fluoro- oder Durchleuchtungsaufnahmen ein erhöhtes elektronisches Rauschen einstellt, insbesondere im Vergleich zu bekannten Röntgen­ bildverstärker-Fernseh-Systemen.

Alternativ zu derartigen a-Si-Panels sind auch Strahlungsauf­ nahmeeinrichtungen bekannt, die unter Verwendung einer soge­ nannten HARP-Schicht arbeiten (HARP = Highgain Avalanche Rus­ hing amorphus Photoconductor). Eine solche HARP-Schicht be­ steht zum einen aus einer in Abhängigkeit der einfallenden Röntgenstrahlung elektrische Ladungen erzeugenden Ladungs­ schicht und einer dieser zugeordneten, mit Hochspannung beaufschlagbaren Elektrodenschicht zum Auslösen eines elekt­ ronenvervielfachenden Lawineneffekts in der Ladungsschicht, über welcher hochspannungsbedingt ein Potential anliegt. Das Auslesen erfolgt unter Verwendung eines die HARP-Schicht ab­ tastenden Elektronenstrahls. Eine solche Strahlungsaufnahme­ einrichtung ist z. B. aus DE 44 10 269 A1 bekannt. Bei dieser Strahlungsaufnahmeeinrichtung wird zwischen die Elektroden­ schicht und die den Elektronenstrahl erzeugende Emitterkatho­ de eine Hochspannung gelegt. Diese anliegende Hochspannung führt dazu, dass in der Ladungsschicht, die vorzugsweise aus amorphem Silizium besteht, hohe elektrische Felder entstehen, die letztlich einen Lawineneffekt in der amorphen Halbleiter- Ladungsschicht erzeugen. Dies vermehrt die elektrischen La­ dungen exponentiell zur Erhöhung der elektrischen Potentiale. Um diesen Lawineneffekt zu erzeugen sind starke elektrische Felder erforderlich, welche relativ einfach dadurch erreicht werden können, dass die Ladungsschicht sehr dünn ausgebildet wird. Zwar lässt sich hierdurch eine beachtliche Signalver­ stärkung erzielen, jedoch handelt es sich bei dem aus der genannten Druckschrift bekannten System ebenfalls um ein starres System, das keine Verstärkungsvariation zulässt.

Der Erfindung liegt damit das Problem zugrunde, ein System der eingangs genannten Art anzugeben, das auf einfache Weise eine dem jeweils durchzuführenden Bildaufnahmemodus angepass­ te Verstärkung zulässt.

Zur Lösung dieses Problems ist ein System zur Aufnahme von Strahlungsbildern vorgesehen, mit einer Strahlungsaufnahme­ einrichtung und einer deren Betrieb steuernden Steuerungsein­ richtung, wobei die Strahlungsaufnahmeeinrichtung aufweist:

• - eine in Abhängigkeit der einfallenden Strahlung elektri­ sche Ladungen erzeugende Ladungsschicht mit einer zugeord­ neten, mit Hochspannung beaufschlagbaren Elektrodenschicht zum Auslösen eines elektronenvervielfachenden Lawinenef­ fekts in der Ladungsschicht, über der hochspannungsbedingt ein Potential anliegt,
• - eine Ausleseeinrichtung zum Auslesen der erzeugten Ladun­ gen in der Ladungsschicht mittels eines Elektronenstrahls,

wobei das Potential über die Ladungsschicht zum Variieren der lawineneffektbedingten Verstärkung der Ladungsschicht modu­ lierbar ist.

Die Erfindung geht von einer Strahlungsaufnahmeeinrichtung aus, wie sie z. B. in DE 44 10 269 A1 beschrieben ist. Ihr liegt zur Lösung der gestellten Aufgabe die Erkenntnis zugrunde, dass eine veränderbare Verstärkung der abgreifbaren Signale, die aufgrund der einfallenden Röntgenstrahlung er­ zeugt werden, auf eine Weise dadurch erreicht werden kann, dass das Potential über die Ladungsschicht moduliert wird. Durch Modulieren der Spannung über der Ladungs- oder HARP- Schicht kann die lokale Verstärkung aufgrund des Lawinenef­ fektes variiert werden. Der Lawineneffekt bzw. seine Intensi­ tät ist davon abhängig, wie groß das Potential zwischen der freien Oberfläche der Ladungsschicht und der angekoppelten Elektrodenschicht ist. Je höher das Potential ist desto stär­ ker ist der Lawineneffekt und umgekehrt.

Das bedeutet, dass das erfindungsgemäße System auf einfache Weise die Anpassung des Verstärkungsbetriebs der Strahlungs­ aufnahmeeinrichtung an den jeweils gewählten Bildaufnahmemo­ dus zulässt. Ist es also beispielsweise erforderlich, Durch­ leuchtungsbilder mit niedriger Röntgenstrahlungsdosis und Radiografiebilder mit hoher Strahlungsdosis aufzunehmen, so kann auf einfache Weise durch entsprechende Modulation des Schichtpotentials die Verstärkung zwischen den beiden unter­ schiedlichen Betriebsmodi umgeschalten werden. Bei Bildauf­ nahmen mit niedriger Strahlungsdosis ist eine hohe Verstär­ kung zu wählen, bei Aufnahmen mit niedriger Strahlungsdosis ist eine geringere Verstärkung ausreichend.

Auf einfache Weise kann das Schichtpotential durch Variieren der an die Elektrodenschicht anlegbaren Hochspannung, gesteu­ ert über die Steuerungseinrichtung, moduliert werden. Dabei kann die Spannung entweder vor oder während der Aufnahme eines Strahlungsbilds moduliert werden, indem die freie Ober­ fläche der Ladungsschicht auf ein vorgewähltes Potential um­ geladen wird. Zusätzlich kann man vorteilhaft den Effekt aus­ nützen, dass sich das Potential über die Ladungsschicht in Abhängigkeit von der Zahl der induzierten Ladungsträger etwas reduziert, so dass sich während der Belichtung eine wenn­ gleich geringe Verstärkungsreduktion von selbst ergibt. Da der Verlauf dieser Verstärkungsreduktion über die einfallende Ladungsträgermenge bekannt ist, kann trotzdem auf eine linea­ re Amplituden-Kennlinie zurückgerechnet werden, was den Vor­ teil mit sich bringt, dass es kaum Übersteuerungen gibt, wei­ terhin kann jeder Aussteuerungsbereich hinsichtlich des Sig­ nal-Rausch-Verhältnisses optimal abgetastet werden.

Zweckmäßigerweise sollte die Höhe der anlegbaren Hochspannung in Abhängigkeit der Dosis der einfallenden Strahlung vorzugs­ weise stufenlos variierbar sein, um sich so hinsichtlich der Verstärkung optimal an den verwendeten Betriebsmodus anpassen zu können.

Die Elektrodenschicht kann auf einem folienartigen Träger, insbesondere einer Glasfolie angeordnet, insbesondere aufge­ druckt sein und aus einer Vielzahl von im Wesentlichen paral­ lelen, voneinander beabstandeten Schichtstreifen bestehen. Denkbar ist aber auch eine geschlossene Elektrodenschichtflä­ che.

Die Ausleseeinrichtung kann eine Flachemittereinrichtung sein, so dass sich insgesamt eine sehr niedrige Bauweise der Strahlungsaufnahmeeinrichtung ergibt. Die Flachemitterein­ richtung kann zweckmäßigerweise lineare Elektronenemitterka­ thoden mit zugeordneten horizontalen und/oder vertikalen Ab­ lenkelektroden umfassen. Alternativ ist es auch denkbar, dass die Flachemittereinrichtung matrix- oder arrayartig angeord­ nete mikrostrukturierte Elektronenemitterkathoden aufweist, z. B. in Form von Nanoröhrchen oder kleinen Emitter-Mikro­ tips.

Zweckmäßig ist es, wenn die Strahlungsaufnahmeeinrichtung in einem Vakuum-Flachgehäuse integriert ist, in dem Stabilisati­ onselemente, insbesondere in Form von Stegen vorgesehen sind, die die doch hohen Kräfte, die zwischen den großflächigen Seiten wirken, auffangen.

Zweckmäßig ist es weiterhin, wenn wenigstens eine Rücksetz­ lichtquelle zur Belichtung der Ladungsschicht vorgesehen ist, die über die Steuerungseinrichtung zweckmäßigerweise impuls­ weise betreibbar sein sollte. Unter Verwendung dieser Rück­ setzlichtquelle ist es bei gleichzeitiger Aktivierung eines oder mehrerer oder aller Elektronenemitter möglich, die freie Oberfläche der Ladungsschicht auf einem niedrigeren Potential zu stabilisieren, verglichen mit dem vorher anliegenden Po­ tential. Hierdurch ist es auf einfache Weise möglich, die Empfindlichkeit der Strahlungsaufnahmeeinrichtung vor der Aufnahme von Strahlungsbildern mit hoher Dosis abzusenken, der Aufnahmen mit niedriger Dosis vorausgegangen sind, wo also mit hoher Verstärkung gearbeitet wurde.

Insgesamt bietet das erfindungsgemäße System eine Reihe von Vorteilen. Zum einen kann auf die Verwendung eines mit Foto­ dioden mit zugeordneten Schaltern versehenen a-Si-Panels ver­ zichtet werden, da bei dem erfindungsgemäßen System bzw. bei der dort verwendeten Strahlungsaufnahmeeinrichtung mit einem zeilenweise abtastenden Elektronenstrahl gearbeitet wird. Dies hat den Vorteil, dass sich parasitäre Kapazitäten auf­ grund des Wegfalls der Schalterkapazitäten bei gleichzeitiger Erhöhung des Füllfaktors und der maximal abtastbaren Ladung (da der abtastende Elektronenstrahl einen erhöhten Spannungs­ hub der Pixel zulässt) vermindern. Das Fehlen der Fotodioden ist ferner dahingehend von Vorteil, als ein wesentlich güns­ tigeres Trägheitsverhalten insbesondere beim Umschalten zwi­ schen den verschiedenen Betriebsarten gegeben ist. Denn das Nachbildverhalten bekannter a-Si-Panels wird im Wesentlichen von dem Trägheitsverhalten der a-Si-Fotodioden mitbestimmt und dominiert. Diese sind jedoch nicht mehr vorhanden.

Die Verwendung insbesondere mikrostrukturierter Flachemitter­ kathoden führt weiterhin zu billigeren Gestehungskosten und langlebigeren Einrichtungen. Der aufgrund der Variationsmög­ lichkeit der Verstärkung gegebene größere Dynamikbereich lässt ferner eine Anwendung auch bei Mehrzeilen- Computertomografie-Detektoren wie auch bei Röntgen-Photonen­ zählenden Detektoren zu.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus dem im folgenden beschriebenen Ausführungs­ beispiel sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:

Fig. 1 eine Prinzipdarstellung eines erfindungsgemäßen Strahlungsbildaufnahmesystems mit in Form einer Sprengansicht gezeigter Strahlungsaufnahmeeinrich­ tung,

Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung des Bereichs II aus Fig. 1, und

Fig. 3 eine Prinzipdarstellung einer mikrostrukturierten Elektronenemitterkathode.

Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes System 1 bestehend aus einer Strahlungsaufnahmeeinrichtung 2 und einer deren Betrieb steuernden Steuerungseinrichtung 3. Die Strahlungsaufnahme­ einrichtung 2 ist in einem nicht näher dargestelltengestell­ ten Gehäuse 4 angeordnet. Sie umfasst an der mit dem Pfeil gekennzeichneten Strahleneintrittsseite ein Substrat 5, z. B. in Form eines Glasträgers, auf den eine Szintillatorschicht 6, z. B. in Form von CsI-Nadeln aufgebracht ist. Dieser folgt eine leitfähige Elektrodenschicht 7, z. B. aus ITO (Indium- Tin-Oxid) oder SnO₂. Diese Schicht sollte möglichst dünn sein (im Bereich mehrerer 100 Å), um Streueffekte zu vermeiden. Auf dieser Elektrodenschicht 7 ist eine Ladungsschicht 8 vorzugs­ weise aus amorphem Silizium aufgebracht. Bei Einfall eines Röntgenstrahls dringt dieser zunächst durch das Substrat 5 und anschließend in den Szintillator 6 ein, wo er in sichtba­ res Licht gewandelt wird. Dieses durchdringt anschließend die sehr dünne Elektrodenschicht und trifft auf die Ladungs­ schicht 8. Abhängig von der Intensität des eindringenden Lichts werden in dieser Ladungen erzeugt.

Diese Ladungen werden über eine nachgeschaltete Ausleseein­ richtung mittels eines Elektronenstrahls ausgelesen. Diese Ausleseeinrichtung umfasst eine Gegenkathode 9, gefolgt von mehreren linearen Kathoden 10, bei denen es sich z. B. um beschichtete Wolfram-Drähte handeln kann. Diese linearen Ka­ thoden 10 arbeiten als Elektronenstrahlquellen. Ferner sind vertikal konvergierende Elektroden 11, 12 vorgesehen, sowie vertikal ablenkende Elektroden 13. Weiterhin ist eine Elekt­ ronenstrahlsteuerelektrode 14 sowie eine horizontal konver­ gierende Elektrode 15 und eine horizontal ablenkende Elektro­ de 16 vorgesehen. Schließlich zeigt die Ausleseeinrichtung eine elektronenstrahlbeschleunigende Elektrode 17 und eine verzögernde Elektrode 18.

Die linearen Kathoden 10 erstrecken sich im gezeigten Bei­ spiel horizontal und ermöglichen die Erzeugung eines Elektro­ nenstrahls mit linearer horizontaler Ausdehnung. Es sind selbstverständlich mehr als die gezeigten vier Kathoden 10 vorgesehen, je nach Größe des Panels. Die Gegenelektroden 9 dienen zur Erzeugung eines Potentialgradienten mit den verti­ kal konvergierenden Elektroden 11, um die Erzeugung von Elektronenstrahlen von anderen Kathoden 10 als der zur Aus­ sendung des Elektronenstrahls angesteuerten Kathode zu ver­ hindern.

Die vertikal konvergierende Elektrode ist plattenförmig und besitzt eine Vielzahl länglicher Schlitze 19, wobei jeweils ein Schlitz gegenüber einer linearen Kathode 10 liegt. Jeder der von den Kathoden 10 emittierten Elektronenstrahlen durch­ läuft einen Schlitz 19, wodurch er vertikal konvergiert wird. Die vertikal konvergierende Elektrode 12 ist entsprechend aufgebaut.

Die vertikal ablenkenden Elektroden 13 sind den jeweiligen Schlitzen 19 zugeordnet und bestehen aus einem oberen und unteren Leiter 20, zwischen denen ein Isolator 21 vorgesehen ist. Wird zwischen zwei einander gegenüberliegenden Leitern 20 zweier verschiedener Elektroden 13 eine Spannung angelegt, so wird ein hier durchtretender Elektronenstrahl abgelenkt.

Die Elektronenstrahlsteuerelektrode 14 besteht aus einer Vielzahl einzelner Elektroden, die jeweils einen länglichen Schlitz 22 aufweisen. Ein Elektronenstrahl kann nur durch den Schlitz einer entsprechend angesteuerten Elektronenstrahl­ steuerelektrode hindurchtreten. Ein hindurchtretender Elekt­ ronenstrahl wird zum Auslesen der Signale mehrerer, z. B. zehn horizontal angeordneter Pixel, das heißt elektrischer Poten­ tialverteilungen auf der Ladungsschicht 8 verwendet. Werden die daneben liegenden zehn Pixel ausgelesen so springt die Elektrodenstrahlensteuerelektrode um eine angesteuerte Elekt­ rode weiter.

Die horizontal konvergierende Elektrode 15 ist ebenfalls plattenförmig und besitzt eine Vielzahl einzelner Schlitze 23, die jeweils gegenüberliegend den Schlitzen 22 positio­ niert sind. Hier drüber wird der Elektronenstrahl horizontal zu einem dünnen Strahl entsprechend der Größe eines Pixels bzw. einer Potentialverteilung zusammengezogen.

Auch die horizontal ablenkende Elektrode 16 hat die Form einer leitfähigen Platte, die aus einzelnen Plattenabschnit­ ten besteht. Wird zwischen zwei benachbarte Plattenabschnitte eine Spannung gelegt, so kann der Elektronenstrahl horizontal abgelenkt und die zugeordneten z. B. zehn Pixel oder Potenti­ alverteilungen horizontal abgetastet werden.

Schließlich sind die Beschleunigungselektroden 17 vorgesehen, die auch hier plattenförmig ausgebildet sind und zum Be­ schleunigen des Elektronenstrahls dienen. Die Verzögerungs­ elektrode 18 schließlich besitzt die Form eines Gitterleiters mit zahlreichen Gitteröffnungen und dient zum Verzögern des Elektronenstrahls unmittelbar vor der Ladungsschicht 8 und zum Führen des Elektronenstrahls derart, dass er unter dem richtigen Winkel auf die Ladungsschicht trifft.

Wie gezeigt wird an die Elektrodenschicht 7 eine Hochspannung V angelegt, deren Höhe über die Steuerungseinrichtung 3 ge­ steuert wird. Hierdurch liegt auch über die Ladungsschicht 8 eine Hochspannung an. Dies führt dazu, dass in der Ladungs­ schicht 8 ein Lawineneffekt induziert wird, der einerseits von der Höhe der angelegten Hochspannung abhängig ist, und andererseits von der Anzahl der konversionsbedingt erzeugten Elektronen. Durch Variation der anliegenden Hochspannung V kann nun die Verstärkung über die Ladungsschicht 8 einge­ stellt werden, so dass auf einfache Weise zwischen unter­ schiedlichen Betriebsmodi, die unterschiedlichen Verstärkun­ gen bedürfen, umgeschalten werden kann. Dies kann sehr rasch erfolgen, insbesondere unter Verwendung eines zum Belichten der Ladungsschicht 8 dienenden Rücksetzlichts 24, das über die Steuerungseinrichtung 3 beispielsweise impulsweise be­ trieben werden kann und über das das Potential der freien Oberfläche der Ladungsschicht 8 stabilisiert werden kann. Das Rücksetzlicht wird vornehmlich dann zur Potentialstabilisie­ rung und damit zur Einstellung eines gewünschten Potentials genutzt, wenn der folgenden Bildaufnahme zuvor eine Bildauf­ nahme bei niedriger Strahlendosis und damit hohe Verstärkung vorausging.

Fig. 2 zeigt in Form einer Prinzipskizze den vergrößerten Ausschnitt II aus Fig. 1. Gezeigt ist das Substrat 15 z. B. in Form der Glasplatte, auf die der Szintillator 6 aufgebracht ist. Auf diesen ist wiederum ein Zwischenträger 25, z. B. in Form einer Glasfolie aufgebracht, auf den wiederum die Elekt­ rodenschicht 7, z. B. in Form der ITO-Elektrode vornehmlich aufgedruckt ist. Die Elektrodenschicht kann aus einer Viel­ zahl paralleler, vorzugsweise vertikal angeordneter Elektro­ denstreifen bestehen. Auf die Elektrodenschicht 7 ist schließlich die Ladungsschicht 8 aufgebracht. Wie gezeigt wird an die Elektrodenschicht 7 die Hochspannung V angelegt.

Fig. 3 zeigt schließlich in Form einer Prinzipskizze ein er­ findungsgemäßes System 26 einer zweiten Ausführungsform in Form einer Prinzipskizze als Teilansicht. Der Aufbau an der Strahlungseintrittsseite (Substrat, Szintillator, Elektroden­ schicht, Ladungsschicht) ist der gleiche wie bei der vorher beschriebenen Ausführungsform. Jedoch kommt hier eine andere Ausleseeinrichtung zum Einsatz. Bei dieser ist als Flachemit­ tereinrichtung eine mikrostrukturierte Elektronenemitterka­ thode 27 vorgesehen, die hier in Form einer Prinzipdarstel­ lung gezeigt ist. Eingesetzt werden kann jede mikrostruktu­ rierte Emitterkathode z. B. in Form von Nanoröhrchen oder Mikrotips, die ein gezieltes, punktuelles Emittieren der Elektronen zulassen. Der emittierte Elektronenstrahl wird auch hier durch entsprechende nicht mehr gezeigte Elektroden geformt und abgelenkt und trifft zum Auslesen auf die La­ dungsschicht, über der auch hier wiederum ein Potential auf­ grund der an der Elektrodenschicht anliegenden Hochspannung V liegt.

Claims (13)

1. System zur Aufnahme von Strahlungsbildern, mit einer Strahlungsaufnahmeeinrichtung und einer deren Betrieb steu­ ernden Steuerungseinrichtung, wobei die Strahlungsaufnahme­ einrichtung aufweist:
eine in Abhängigkeit der einfallenden Strahlung elektri­ sche Ladungen erzeugende Ladungsschicht (8) mit einer zu­ geordneten, mit Hochspannung (V) beaufschlagbaren Elektro­ denschicht (7) zum Auslösen eines elektronenvervielfachen­ den Lawineneffekts in der Ladungsschicht (8), über der hochspannungsbedingt ein Potential liegt,
eine Ausleseeinrichtung zum Auslesen der erzeugten Ladun­ gen in der Ladungsschicht (8) mittels eines Elektronen­ strahls (e),
wobei das Potential über die Ladungsschicht (8) zum Variieren der lawineneffektbedingten Verstärkung der Ladungsschicht (8) modulierbar ist.

2. System nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die an die Elektroden­ schicht (7) anlegbare Hochspannung (V) von der Steuerungsein­ richtung (3) gesteuert variierbar ist.

3. System nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Hochspannung (V) vor oder während der Aufnahme eines Strahlungsbilds modulierbar ist.

3. System nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhe der anlegbaren Hochspannung (V) in Abhängigkeit der Dosis der einfallenden Strahlung variierbar ist.

4. System nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass die Elek­ trodenschicht (7) auf einem folienartigen Träger, insbesonde­ re einer Glasfolie (25) angeordnet ist.

5. System nach Anspruch 4, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Elektrodenschicht (7) auf den Träger (25) aufgedruckt ist.

6. System nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrodenschicht (7) aus einer Vielzahl im Wesentlichen paralleler, voneinan­ der beabstandeter Schichtstreifen besteht.

7. System nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass die Aus­ leseeinrichtung eine Flachemittereinrichtung ist.

8. System nach Anspruch 7, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Flachemittereinrichtung lineare Elektronenemitterkathoden (10) mit zugeordneten hori­ zontalen und/oder vertikalen Ablenkelektroden umfasst.

9. System nach Anspruch 7, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die Flachemittereinrichtung matrix- oder arrayartig abgeordnete mikrostrukturierte Elekt­ ronenemitterkathoden (27) aufweist.

10. System nach einem der Ansprüche 7 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, dass die Strahlungsaufnahmeeinrichtung in einem Vakuum-Flachgehäuse (4) integriert ist, in dem Stabilisationselemente, insbeson­ dere in Form von Stegen vorgesehen sind.

11. System nach einem der vorangehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, dass wenigs­ tens eine Rücksetzlichtquelle (24) zur Belichtung der La­ dungsschicht (8) vorgesehen ist.

12. System nach Anspruch 11, dadurch ge­ kennzeichnet, dass die über die Steuerungsein­ richtung (3) gesteuerte Rücksetzlichtquelle (8) impulsweise betreibbar ist.