DE10115796A1 - Verfahren zum Einstellen der Frequenz einer elektronischen Komponente - Google Patents

Abstract

Ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines elektronischen Komponentenbauelements umfaßt den Schritt des Ätzens einer Elektrode, die auf einer Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements angeordnet ist, durch Ausstrahlen eines Ionenstrahls auf die Elektrode. Die Ionenstrahlbestrahlung wird durchgeführt, während zumindest entweder das elektronische Komponentenbauelement oder der Ionenstrahl in Richtungen entlang der Oberfläche, auf der die Elektrode angeordnet ist, bewegt werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zum Einstellen der Frequenzen von elektronischen Komponenten wie z. B. piezoelektrischen Oszillatoren und Oberflächen­ wellenbauelementen bzw. Akustooberflächenwellenbauelemen­ ten, und insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfin­ dung auf Verfahren zum Einstellen der Frequenzen von elek­ tronischen Komponenten durch Ionenstrahlätzen.

Herkömmlicherweise umfaßt ein herkömmliches Verfahren zum Einstellen der Frequenz von piezoelektrischen Oszillatoren und Oberflächenwellenbauelementen das Bestrahlen einer Elektrode, die auf einem piezoelektrischen Substrat ange­ ordnet ist, mit einem Ionenstrahl, um Ätzen auf derselben durchzuführen. In diesem Fall ist das piezoelektrische Sub­ strat, auf dem die Elektrode angeordnet ist, feststehend angeordnet. Der Ionenstrahl wird von einer Ionenkanone an­ gelegt, die feststehend in einem vorbestimmten Abstand von der Oberfläche angeordnet ist, auf der die Elektrode des piezoelektrischen Substrats angeordnet ist.

Zusätzlich ist in der japanischen ungeprüften Patentanmel­ dungsveröffentlichung Nr. 8-181558 ein Verfahren zum Ändern des Abstands zwischen einer Tonenkanone und einer elektro­ nischen Komponente, um eine Ätzgeschwindigkeit zu steuern, geschaffen. Ferner sind in der japanischen ungeprüften Pa­ tentanmeldungsveröffentlichung Nr. 4-196707, der japani­ schen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 4- 196708, und anderen Veröffentlichungen Vorrichtungen zum Ändern der Richtung von Ionenstrahlen mit magnetischen Fel­ dern und elektrischen Feldern geschaffen, um es nur neutra­ len Teilchen zu erlauben, mit den Elektroden von elektroni­ schen Komponenten zusammen zu stoßen.

Ein Ionenstrahl weist eine Intensitätsverteilung auf. Folg­ lich treten, wie bei den herkömmlichen Verfahren, wenn Io­ nenstrahlen einfach von der Ionenkanone, die hinsichtlich der Elektrode einer elektronischen Komponente feststehend angeordnet ist, angelegt werden, gemäß den Positionen Schwankungen im Verarbeitungsumfang auf. Folglich beein­ flussen die Verarbeitungsschwankungen, abhängig vom Typ der elektronischen Komponenten, die Charakteristika derselben wesentlich, mit der Folge, daß die Frequenz der elektroni­ schen Komponenten nicht mit hoher Qualität und hoher Genau­ igkeit eingestellt werden kann.

Die Verarbeitungsschwankungen, die durch das Ionenstrahlät­ zen verursacht werden, können in gewissem Grad durch Vari­ ieren des Abstands zwischen der Tonenkanone und der elek­ tronischen Komponente, der Entladungszustände, und der Kon­ figuration eines Strahlenemissionslochs reduziert werden. Bei solchen Lösungsansätzen gibt es jedoch eine Begrenzung der Reduzierung der Verarbeitungsschwankungen.

Wenn außerdem ein sehr kleiner Teil, wie z. B. die Elektro­ de einer elektronischen Komponente, mit einem Ionenstrahl bestrahlt wird, um geätzt zu werden, und falls eine leichte Abweichung der Mitte des Ionenstrahls auftritt, ist die Symmetrie einer Ätzregion zerstört, mit der Folge, daß der Einfluß auf die Charakteristika noch weiter erhöht ist. Da­ her erfordert die Einstellung der Position der Tonenkanone sehr hohe Genauigkeit. Daher tritt ein Problem dadurch auf, daß die Wartung und Einstellung der Ionenkanone sehr kom­ pliziert sind.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah­ ren zum Einstellen der Frequenz einer elektronischen Kompo­ nente zu schaffen, das eine genauere und/oder einfachere Frequenzeinstellung erreicht.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 13 gelöst.

Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, schaffen be­ vorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz einer elektroni­ schen Komponente, das die Schwankungen beim Ätzen mini­ miert, wenn ein Ionenstrahlätzen an der Elektrode der elek­ tronischen Komponente durchgeführt wird, um eine sehr ge­ naue Frequenzeinstellung zu erreichen. Zusätzlich kann mit dem Verfahren der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vor­ liegenden Erfindung die Frequenzeinstellung mit hoher Qua­ lität und hoher Genauigkeit durchgeführt werden, während sie komplizierte Arbeiten, wie z. B. die Wartung und Ein­ stellung einer Tonenkanone, vereinfacht.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines elektronischen Komponentenbauelements durch Bestrahlen ei­ ner Elektrode, die auf einer Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements angebracht ist, mit einem Ionen­ strahl, um das Ätzen durchzuführen, wobei die Ionenstrahl­ bestrahlung durchgeführt wird, während zumindest entweder das elektronischen Komponentenbauelement oder der Ionen­ strahl in Richtungen entlang der Oberfläche, auf der die Elektrode angeordnet ist, bewegt wird.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt, während zumindest entweder das elektronische Komponenten­ bauelement oder der Ionenstrahl in einer Richtung entlang der Oberfläche, auf der die Elektrode angeordnet ist, be­ wegt wird.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung definiert ein Oberflächenwellenbauele­ ment das elektronische Komponentenbauelement und umfaßt ei­ nen Interdigitalwandler mit einer Mehrzahl von Elektroden­ fingern, die auf einer Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats angeordnet sind, wobei die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während zumindest entweder das Oberflä­ chenwellenbauelement oder der Ionenstrahl in eine Richtung, in der sich die Elektrodenfinger erstrecken, bewegt wird.

Bei einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung wird, wenn die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, der Ionenstrahl durch Anlegen eines elektrischen Felds oder eines magnetischen Felds gebogen.

Bei dem Verfahren zum Einstellen der Frequenz einer elek­ tronischen Komponente gemäß einem weiteren bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wird eine Elektrode des elektronischen Komponentenbauelements oder ein Substrat durch Ionenstrahlätzen geätzt, um sehr genaue Frequenzeinstellungen zu erreichen. In diesem Fall wird die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt, während zumindest ent­ weder das elektronischen Komponentenbauelement oder der le­ nenstrahl in Richtungen entlang einer Oberfläche, auf der die Elektrode angeordnet ist, bewegt wird. Damit werden Schwankungen des geätzten Umfangs einer Ätzregion mini­ miert, mit der Folge, daß die Frequenzeinstellung mit hoher Qualität und hoher Genauigkeit durchgeführt wird.

Bei dem herkömmlichen Verfahren wird die Ionenstrahlbe­ strahlung durchgeführt durch Anordnen einer Tonenkanone und eines elektronischen Komponentenbauelements auf feststehen­ de Weise. Folglich ist die Symmetrie des Verarbeitungsum­ fangs zerstört, wenn die Mitte des Ionenstrahls auch nur leicht abweicht, wodurch eine Erhöhung der Einflüsse auf die Charakteristika der elektronischen Komponente verur­ sacht wird. Im Gegensatz dazu wird bei der vorliegenden Er­ findung verhindert, daß die Verarbeitungssymmetrie zerstört wird, da die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, wäh­ rend zumindest entweder das elektronischen Komponentenbau­ element oder der Ionenstrahl in den Richtungen entlang der Oberfläche, auf der die Elektrode angeordnet ist, durchge­ führt wird. Folglich kann das Positionieren und die Wartung einer Ionenkanone vereinfacht werden, und dieselben führen zu einer viel genaueren Frequenzeinstellung.

Insbesondere, wenn der Ionenstrahlungsbereich breiter ge­ macht wird als die Oberfläche, auf der die Elektrode des elektronischen Komponentenbauelements angeordnet ist, ist es unnötig, die Positionen von beiden Enden des Bereichs, in dem der Ionenstrahl bezüglich desselben bewegt wird, einzustellen. Folglich sind das Positionieren und die War­ tung der Tonenkanone viel einfacher.

Wenn die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während zumindest entweder das elektronischen Komponentenbauele­ ments oder der Ionenstrahls in Richtung entlang der Ober­ fläche, auf der die Elektrode angeordnet ist, bewegt wird, ist es nur notwendig, zumindest entweder das elektronischen Komponentenbauelement oder den Ionenstrahl nur in eine be­ stimmte Richtung zu bewegen. Folglich werden durch die ver­ einfachte Vorrichtung und Steuerung große Vorteile erzielt.

Zum Zweck der Darstellung der vorliegenden Erfindung, wer­ den in den Zeichnungen verschiedene Formen gezeigt, die derzeit bevorzugt werden, es wird jedoch darauf hingewie­ sen, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die genauen gezeigten Anordnungen und Einrichtungen beschränkt ist.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht zum Darstellen von Einstellungen der Frequenz einer elektronischen Komponente gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

Fig. 2 eine Draufsicht, die ein Oberflächenwellenbauele­ ment als eine elektronischen Komponente mit einer Frequenz zeigt, die durch das Verfahren gemäß ei­ nem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung eingestellt wird.

Fig. 3 eine schematische perspektivische Ansicht zum Darstellen eines Frequenzeinstellungsverfahrens gemäß einem in Fig. 1 gezeigten modifizierten Beispiel des bevorzugten Ausführungsbeispiels.

Fig. 4 eine schematische perspektivische Ansicht zum Darstellen eines Frequenzeinstellungsverfahren gemäß einem zweiten modifizierten Beispiel des in Fig. 1 gezeigten bevorzugten Ausführungsbei­ spiels.

Fig. 5 eine schematische perspektivische Ansicht zum Darstellen eines Frequenzeinstellungsverfahrens gemäß einem dritten modifizierten Beispiel des in Fig. 1 gezeigten bevorzugten Ausführungsbei­ spiels.

Fig. 1 ist eine schematische perspektivische Ansicht zum Darstellen eines Verfahren zum Einstellen der Frequenz ei­ ner elektronischen Komponente gemäß einem bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Fig. 2 ist ei­ ne Draufsicht, die schematisch die Elektrodenstruktur eines Oberflächenwellenbauelements als ein elektronisches Kompo­ nentenbauelement zeigt, mit einer Frequenz, die mit dem Verfahren gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der in Fig. 1 dargestellten vorliegenden Erfindung eingestellt wird.

Wie in Fig. 1 gezeigt, wird eine Ionenkanone 2 über einem Oberflächenwellenbauelement 1 angeordnet. In Fig. 1 ist das Oberflächenwellenbauelement 1 schematisch gezeigt, und die Elektrodenstruktur des Oberflächenwellenbauelements 1 ist ausgelassen.

Wie in Fig. 2 gezeigt, ist in dem Oberflächenwellenbauele­ ment 1 ein Interdigitalwandler 4 auf einer oberen Oberflä­ che 3a eines piezoelektrischen Substrats 3 angeordnet. Der Interdigitalwandler 4 umfaßt eine Mehrzahl von Elektroden­ fingern 4a und 4b, die ineinander greifen.

Die Elektrode, die den Interdigitalwandler 4 definiert, ist vorzugsweise aus einem geeigneten leitfähigen Material, wie z. B. Al oder Ag, oder einem anderen geeigneten Material hergestellt.

In diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel werden entweder die Elektrodenfinger 4a und 4b oder das piezoelektrische Substrat 3, oder beide dieser Elemente geätzt, um die Fre­ quenz des Oberflächenwellenbauelements 1 einzustellen.

Wie in Fig. 1 gezeigt, ist das Oberflächenwellenbauelement 1 auf einer beweglichen Bühne angeordnet, die in der Figur nicht gezeigt ist. In diesem bevorzugten Ausführungsbei­ spiel ist die bewegliche Bühne so angeordnet, daß das Ober­ flächenwellenbauelement 1 in die Richtung des Pfeils X und die Richtung des Pfeils Y, die in der Figur gezeigt sind, bewegt werden kann, d. h. die Richtung der kurzen Seiten­ länge und Richtung der langen Seitenlänge des piezoelektri­ schen Substrats 3. Die bewegliche Bühne kann eine Bühne zum Befestigen des Oberflächenwellenbauelements 1 und eine Treibereinheit umfassen, die es der Bühne ermöglicht, sich in die X-Richtung und die Y-Richtung zu bewegen. Die Trei­ bereinheit ist keine spezifische, und kann einen Motor und einen geeigneten Kopplungsmechanismus oder dergleichen um­ fassen, der mit dem Motor gekoppelt ist.

Die Ionenkanone 2 kann eine geeignete herkömmliche Ionenka­ none sein, die Bestrahlung mit einem Ionenstrahl durchfüh­ ren kann.

Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird in der An­ fangssituation das Oberflächenwellenbauelement 1 auf der beweglichen Bühne befestigt, und die Ionenkanone 2 wird oberhalb des Oberflächenwellenbauelements 1 angeordnet. Mit einem Ionenstrahl A, der von der Ionenkanone 2 angelegt wird, wird entweder an dem Elektrodenfinger 4a und 4b des Interdigitalwandlers 4 oder an dem piezoelektrischen Sub­ strat oder an beiden dieser Elemente Ätzen ausgeführt, um die Frequenz einzustellen. In diesem Fall ist vorzugsweise ein Meßsystem zum Messen der Charakteristika des Oberflä­ chenwellenbauelements 1 mit dem Oberflächenwellenbauelement 1 verbunden. Dann ist es vorzuziehen, daß während dem Messen der Frequenzcharakteristika des Oberflächenwellenbauele­ ments 1 der Ionenstrahl A von der Ionenkanone 2 angelegt wird. Wenn der Ionenstrahl A angelegt wird, wird die beweg­ liche Bühne in die X-Richtung und/oder die Y-Richtung be­ wegt. In anderen Worten, die Bestrahlung mit dem Ionen­ strahl A wird durchgeführt, während das Oberflächenwellen­ bauelement 1 in die X-Richtung und/oder in die Y-Richtung bewegt wird.

Folglich werden in einer Region des Oberflächenwellenbau­ elements 1, an dem die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, Schwankungen bei der Intensitätsverteilung des Ionen­ strahls minimiert, so daß die Ätzmenge einheitlich ist. Als Folge wird die Verschlechterung der Charakteristikaqualität aufgrund von Nichteinheitlichkeit bei dem Verarbeitungsum­ fang verhindert, und sehr genaue Frequenzeinstellungen wer­ den durchgeführt.

Die Effekte, die durch Reduzieren der Verarbeitungsschwan­ kungen erhalten werden, verändern sich mit dem Abstand und der Geschwindigkeit, die erforderlich sind, wenn das Ober­ flächenwellenbauelement 1 in die X-Richtung und/oder Y- Richtung bewegt wird. Die Effekte können gemäß dem erfor­ derlichen Umfang, um die Frequenz und das Oberflächenwel­ lenbauelement 1 als das Ziel für die Einstellung einzustel­ len, geeignet eingestellt sein.

Zusätzlich wird bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel Bestrahlung mit dem Ionenstrahl A vorzugsweise durchge­ führt, während das Oberflächenwellenbauelement 1 in die Richtung, in der sich die Elektrodenfinger 4a und 4b des Interdigitalwandlers 4 erstrecken, bewegt, d. h. in die X- Richtung. In anderen Worten, bei dem Oberflächenwellenbau­ element beeinflussen in vielen Fällen Schwankungen bei dem Ätzumfang in der Richtung, in der sich die Elektrodenfinger 4a und 4b erstrecken, die Frequenzcharakteristika wesent­ lich. Daher wird Bestrahlung mit dem Ionenstrahl A durchge­ führt, während das Oberflächenwellenbauelement 1 in die X- Richtung bewegt wird, wodurch Schwankungen beim Ätzen in der X-Richtung minimiert werden. Als Folge wird das Auftre­ ten von Welligkeit verhindert, so daß zufriedenstellendere Frequenzcharakteristika erhalten werden können. Wie hier gezeigt, werden diese Vorteile nur durch Bewegen des Ober­ flächenwellenbauelements 1 in nur eine Achsenrichtung er­ reicht. Folglich kann die Bewegung des Oberflächenwellen­ bauelements 1 leicht gesteuert werden, und die großen Vor­ teile können mit einem solchen vereinfachten Mechanismus erhalten werden.

Bei dem in Fig. 1 gezeigten ersten bevorzugten Ausführungs­ beispiel ist die Ionenkanone 2 feststehend angeordnet, und das Oberflächenwellenbauelement 1, das auf der beweglichen Bühne angeordnet ist, wird zusammen mit der beweglichen Bühne in X-Richtung und Y-Richtung bewegt. Nach Anordnen des Oberflächenwellenbauelements 1 auf feststehende Weise kann jedoch, wie in Fig. 3 gezeigt, die Ionenkanone in X- Richtung und/oder Y-Richtung bewegt werden. In Fig. 3 stel­ len die Strich-Zweipunkt-Linien B bis E die Positionen der bewegten Ionenkanone 2 dar.

Ferner ist es bei dem Frequenzeinstellungsverfahren gemäß dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung nur notwendig, Bestrahlung mit dem Io­ nenstrahl durchzuführen, während der Ionenstrahl in die Richtungen entlang der Oberfläche, auf der die Elektrode des elektronischen Komponentenbauelements angeordnet ist, bewegt wird. Es gibt keine spezifische Beschränkung für den Weg zum Bewegen der Ionenkanone 2. Beispielsweise kann die Ionenkanone 2, wie in Fig. 4 gezeigt, auf solche Weise be­ wegt werden, daß sich eine untere Oberfläche 2A, auf der sich das Bestrahlungsloch der Ionenkanone 2 befindet, um die Achsenrichtung der Ionenkanone 2 dreht. In anderen Wor­ ten, der Ionenstrahl A kann in X-Richtung und/oder in Y- Richtung bewegt werden, indem es der Ionenkanone 2 ermög­ licht wird, sich wie durch die Strich-Zweipunkt-Linien F und G gezeigt, zu bewegen.

Zusätzlich kann, während das Ätzen durch Bestrahlen mit dem Ionenstrahl A durchgeführt wird, ein elektrisches Feld oder magnetisches Feld angelegt werden, wie es durch die Pfeile H und I in Fig. 5 gezeigt ist. Mit dieser Anordnung kann der Ionenstrahl A elektromagnetisch gebogen werden, um an die Elektrode der oberen Oberfläche des Oberflächenwellen­ bauelements 1 angelegt zu werden.

Wenn bei den oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbei­ spielen und modifizierten Beispielen das Ionenätzen auf den Elektrodenfingern 4a und 4b auf der oberen Oberfläche des Oberflächenwellenbauelements 1 durchgeführt wird, wird zu­ mindest entweder das Oberflächenwellenbauelement 1 oder die Ionenkanone 2 in X-Richtung und/oder in Y-Richtung bewegt.

Es kann jedoch sowohl das Oberflächenwellenbauelement 1 als auch die Ionenkanone 2 bewegt werden. Ferner ist die Bewe­ gungsrichtung nicht auf die X-Richtung und/oder die Y- Richtung beschränkt. In anderen Worten, gemäß der Konfigu­ ration einer Elektrode, die auf einer Oberfläche einer elektronischen Komponente angeordnet ist, und Ionen­ strahlätzen unterzogen wird, um die Frequenzeinstellungen durchzuführen, ist die Bewegungsrichtung nicht auf die X- Richtung und die Y-Richtung beschränkt, solange die Rich­ tung eine Richtung innerhalb der Oberfläche ist, auf der die Elektrode angeordnet ist.

Ferner beschreiben die oben beschriebenen bevorzugten Aus­ führungsbeispiele und modifizierten Beispiele das Verfahren zum Durchführen des Ionenstrahlätzens eines Abschnitts der Elektrodenfinger 4a und 4b des Oberflächenwellenbauelements 1, das in Fig. 2 gezeigt ist. Das Verfahren zum Einstellen der Frequenz einer elektronischen Komponente gemäß der vor­ liegenden Erfindung ist jedoch nicht nur auf den Fall eines Oberflächenwellenbauelements beschränkt. Das Verfahren kann für andere elektronische Komponenten, wie z. B. piezoelek­ trische Oszillatoren, bei denen eine Oszillationselektrode auf einem piezoelektrischen Substrat angeordnet ist, und andere elektronische Komponenten angewendet werden.

Ferner ist bei dem obigen Oberflächenwellenbauelement der Interdigitalwandler 4 auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet. Das "piezoelektrische Substrat" der vorliegen­ den Erfindung umfaßt jedoch nicht nur ein solches piezo­ elektrisches Substrat, sondern auch ein isolierendes Sub­ strat, auf dem ein piezoelektrischer Dünnfilm angeordnet ist.

Claims (21)

1. Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines elektroni­ schen Komponentenbauelements (1), wobei das Verfahren folgende Schritte umfaßt:
Bereitstellen eines elektronischen Komponentenbauele­ ments (1) mit einer Elektrode, die auf einer Oberflä­ che desselben angeordnet ist;
Ätzen der Elektrode, die auf der Oberfläche des elek­ tronischen Komponentenbauelements (1) angeordnet ist, durch Ausstrahlen eines Ionenstrahls (A) auf die Elek­ trode; wobei
die Ionenstrahlbestrahlung ausgeführt wird, während zumindest entweder das elektronische Komponentenbau­ element (1) oder der Ionenstrahl (A) in zumindest ei­ ner Richtung entlang der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements (1), auf dem die Elektrode an­ geordnet ist, bewegt wird.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem die Ionenstrahlbe­ strahlung durchgeführt wird, während zumindest entwe­ der das elektronische Komponentenbauelement (1) oder der Ionenstrahl in einer Mehrzahl von Richtungen in­ nerhalb der Oberfläche des elektronischen Komponenten­ bauelements (1), auf dem die Elektrode angeordnet ist, bewegt wird.

3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Ionen­ strahlbestrahlung durchgeführt wird, während sowohl das elektronische Komponentenbauelement (1) als auch der Ionenstrahl (A) in zumindest einer Richtung inner­ halb der Oberfläche des elektronischen Komponentenbau­ elements (1), auf dem die Elektrode angeordnet ist, bewegt werden.

4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während das elektronische Komponentenbauelement (1) festste­ hend ist und der Ionenstrahl (A) in zumindest einer Richtung innerhalb der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements (1), auf dem die Elektrode an­ geordnet ist, bewegt wird.

5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während der Ionenstrahl (A) feststehend ist und das elektroni­ sche Komponentenbauelement (1) in zumindest einer Richtung innerhalb der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements (1), auf dem die Elektrode an­ geordnet ist, bewegt wird.

6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die zumindest eine Bewegungsrichtung entlang einer Längenabmessung der Oberfläche des elektronischen Kom­ ponentenbauelements (1) verläuft.

7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die zumindest eine Bewegungsrichtung entlang einer Breitenabmessung der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements (1) verläuft.

8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die zumindest eine Bewegungsrichtung entlang einer an­ deren Richtung als eine Längenabmessung oder eine Breitenabmessung der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements (1) verläuft.

9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem das elektronische Komponentenbauelement (1) ein Ober­ flächenwellenbauelement (1) ist.

10. Verfahren gemäß Anspruch 9, bei dem das Oberflächen­ wellenbauelement (1) ein piezoelektrisches Substrat (3) und einen Interdigitalwandler (4) mit einer Mehr­ zahl von Elektrodenfingern (4a und 4b), die auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrats (3) ange­ ordnet sind, umfaßt, und bei dem die Ionenstrahlbe­ strahlung während des Bewegens von zumindest entweder dem elektronischen Komponentenbauelement oder dem Io­ nenstrahl (A) in einer Richtung, in die sich die Elek­ trodenfinger (4a und 4b) erstrecken, durchgeführt wird.

11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die elektronische Komponente einen piezoelektrischen Oszillator umfaßt.

12. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem, wenn die Ionen­ strahlbestrahlung durchgeführt wird, der Ionenstrahl (A) durch Anlegen eines elektrischen Felds oder eines magnetischen Felds gebogen wird.

13. Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines elektroni­ schen Komponentenbauelements (1), wobei das Verfahren folgende Schritte umfaßt:
Bereitstellen eines elektronischen Komponentenbauele­ ments (1) mit einer Elektrode, die auf einer Oberflä­ che desselben angeordnet ist;
Ätzen der Elektrode, die auf der Oberfläche des elek­ tronischen Komponentenbauelements (1) angeordnet ist, durch Ausstrahlen eines Ionenstrahls (A) auf die Elek­ trode; wobei
die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während zumindest entweder das elektronische Komponentenbau­ element (1) oder der Ionenstrahl entlang einer Längen­ abmessung und einer Breitenabmessung der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauelements (1), auf dem die Elektrode angeordnet ist, bewegt wird.

14. Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem die Ionenstrahl­ bestrahlung durchgeführt wird, während sowohl das elektronische Komponentenbauelement (1) als auch der Ionenstrahl (A) in zumindest einer Richtung innerhalb der Oberfläche des elektronischen Komponentenbauele­ ments (1), auf dem die Elektrode angeordnet ist, be­ wegt werden.

15. Verfahren gemäß Anspruch 13 oder 14, bei dem die Io­ nenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während das elektronische Komponentenbauelement (1) feststehend ist und der Ionenstrahl (A) entlang der Längenabmes­ sung und der Breitenabmessung der Oberfläche des elek­ tronischen Komponentenbauelements (1), auf dem die Elektrode angeordnet ist, bewegt wird.

16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, bei dem die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während der Ionenstrahl (A) feststehend ist und das elektroni­ sche Komponentenbauelement entlang der Längenabmessung und der Breitenabmessung der Oberfläche des elektroni­ schen Komponentenbauelements (1), auf dem die Elektro­ de angeordnet ist, bewegt wird.

17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, bei dem die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während zumindest entweder das elektronische Komponentenbau­ element (1) oder der Ionenstrahl (A) entlang einer an­ deren Richtung als der Längenabmessung und der Brei­ tenabmessung der Oberfläche des elektronischen Kompo­ nentenbauelements (1) bewegt wird.

18. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, bei dem das elektronische Komponentenbauelement (1) ein Ober­ flächenwellenbauelement (1) ist.

19. Verfahren gemäß Anspruch 18, bei dem das Oberflächen­ wellenbauelement (1) ein piezoelektrisches Substrat (3) und einen Interdigitalwandler (4) mit einer Mehr­ zahl von Elektrodenfinger (4a und 4b), die auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrats (3) ange­ ordnet sind, umfaßt, und die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, während zumindest entweder das elektronische Komponentenbauelement (1) oder der 10- nenstrahl (A) in einer Richtung, in der sich die Elek­ trodenfinger (4a und 4b) erstrecken, bewegt wird.

20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, bei dem die elektronische Komponente einen piezoelektrischen Oszillator umfaßt.

21. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, bei dem, wenn die Ionenstrahlbestrahlung durchgeführt wird, der Ionenstrahl (A) durch Anlegen eines elektri­ schen Felds oder eines magnetischen Felds gebogen wird.