DE10058769C1 - Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Objekts - Google Patents
Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen ObjektsInfo
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Abstract
Es wird eine Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Objekts mit einem rotationssymmetrischen Träger für das Objekt zur Verfügung gestellt, wobei der Träger mehrere rotationssymmetrische Kühlschlangen für den Transport eines Kühlmittels aufweist. Die Erfindung kann insbesondere bei der Kühlung eines Targets in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage zum Einsatz kommen. Die Vorteile der Erfindung liegen in einem hohem Maße von Rotationssymmetrie der Temperaturverteilung auf einem zu kühlenden Objekt, wobei Temperaturgradienten im wesentlichen nur in radialer Richtung auftreten.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Ob
jekts, insbesondere eines Targets in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage.
Bei der Kühlung von rotationssymmetrischen Objekten, wie zum Beispiel eines Targets,
in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage, das durch ein Plasma zerstäubt wird und sich
dabei erwärmt, ist eine möglichst gleichmäßige Kühlung des Targets erforderlich. Das
betrifft besonders Targetmaterialien, wie z. B. ZnS-SiO2, deren Zerstäubungsrate von
der Temperatur abhängt und deren Wärmeleitfähigkeit gering ist. Eine ungleichmäßige
Kühlung solcher Targets führt zu einer inhomogenen Beschichtung eines zu beschich
tenden Substrats.
Bekannt ist (siehe Fig. 3a), Wasser als Kühlmittel frei durch einen rotationssymmetri
schen Träger 1 mit der Achse Z fließen zu lassen, wobei das Kühlmittel durch einen
Einlaß 4 eintritt, in einem breiten Bereich den Träger durchfließt und nach einem Bogen
von 180° durch einen Auslaß 5 den Träger 1 wieder verläßt. Auf diese Weise wird von
der Rückseite des Targets, an dessen Form der Träger 1 angepaßt ist, durch das
Kühlmittel Wärme abtransportiert. Wie Fig. 3a zu entnehmen ist, wird das Wasser auf
dem Weg vom Einlaß 4 zum Auslaß 5 um zum Beispiel 9°C erwärmt. Die Folge ist, daß
am Anfang des Kühlmittelumlaufs die Kühlung effektiver ist, da das Wasser kälter ist als
am Ende des Kühlmittelumlaufs, da dort das Wasser wärmer ist. Bei einem Target mit
temperaturabhängiger Zerstäubungsrate bedeutet die unterschiedliche Kühlleistung des
Wassers, daß in Azimutalrichtung eine umlaufende Inhomogenität der Zerstäubung auf
tritt und somit zum Beispiel ein zu beschichtendes Substrat inhomogen beschichtet
wird.
Bei dem Sputter-System gemäß dem US-3,718,572 sind zwei zueinander parallel
geschaltete, spiralförmige Kühlschlangen in der Kühlplatte angeordnet.
Bei dem Wärmetauscher gemäß US-3,748,253 sind die Kühlkanäle zwar kreissym
metrisch angeordnet; die Kühlkanäle in den beiden halbkreisförmigen Kühlkanalgrup
pen sind jeweils zueinander parallel geschaltet.
Die DE-36 13 801 A1 beschreibt eine Kühlanordnung mit einem rotationssymmetrischen
Träger.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Kühlen eines rotations
symmetrischen Objekts, insbesondere eines Targets für eine Kathoden-Zerstäubungs
anlage, zur Verfügung zu stellen, bei der die Kühlung in hohem Maße rotationssymmet
risch ist und Temperaturgradienten im wesentlichen nur in radialer Richtung des Ob
jekts auftreten.
Die Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Bei der Lösung geht die Erfindung von folgenden Grundgedanken aus.
Es ist ein rotationssymmetrischer Träger für das zu kühlende Objekt vorgesehen, wobei
der Träger zwei Gruppen von mehrere rotationssymmetrischen bzw. konzentrischen
Kühlkanalabschnitten für den Transport eines Kühlmittels für das Objekt aufweist. Auf
diese Weise wird der Transport des Kühlmittels durch den Träger in mehrere Wege
aufgeteilt, die, im Vergleich zum Stand der Technik, gemäß Fig. 3a jeweils in radialer
Richtung einen geringeren Kühlbereich aufweisen. Die Folge ist, daß beim Durchlauf
durch jeweils einen Kühlkanalabschnitt das Kühlmittel nur eine geringe Temperaturdiffe
renz aufweist und somit innerhalb des Bereichs eines Kühlkanalabschnitts eine im we
sentlichen gleichmäßige Kühlung bewirkt.
Der Vorteil der Erfindung liegt zum Beispiel bei der Verwendung zum Kühlen eines Tar
gets in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage in einer gleichmäßigen Beschichtung eines
Targets, da ein bei der Vorrichtung noch auftretender radialer Temperaturgradient bei
der Ausgestaltung der Kathode bzw. bei der Bewegung eines Plasmas über das Target
(Kathode) ausgeglichen werden kann.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine erfindungsgemäße Ausführungsform,
Fig. 2 eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform,
Fig. 3a eine bekannte Vorrichtung zum Kühlen eines Targets in einer Kathoden-
Zerstäubungsanlage, und
Fig. 3b einen Querschnitt längs der Linie A'-A" in Fig. 3a.
Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführungsform in der Draufsicht. In einem rota
tionssymmetrischen Träger für ein zu kühlendes Objekt, das vorzugsweise ein Target
für die Kathodenzerstäubung ist, sind zwei Gruppen mit jeweils drei konzentrisch ange
ordneten Kühlkanalabschnitten 2 1 bis 2 3 angeordnet, die untereinander verbunden sind
und ein Kühlmittel, vorzugsweise Wasser, von einem Einlaß 4 zu einem Auslaß 5 trans
portieren, wobei das Objekt (nicht dargestellt), das in wärmeleitendem Kontakt mit dem
Träger 1 und koaxial zu diesem ist, gekühlt wird. Das Objekt, an dessen Form der Trä
ger 1 angepaßt ist, wird jeweils in den von den Kühlkanalabschnitten 2 1 bis 2 3 über
deckten Bereichen durch das Kühlmittel 3 gekühlt. Da die Ausdehnung der Kühlberei
che bzw. Kühlkanalabschnitte in radialer Richtung geringer ist als die Gesamtringbreite,
erfolgt während eines halben Umlaufs des Kühlmittels in dem Kühlkanalabschnitt (Pfeil
richtung) jeder Gruppe nur eine verhältnismäßig geringe Erwärmung des Kühlmittels,
zum Beispiel in den Kühlkanalabschnitten 2 2 und 2 3 von 2°C bis 5°C bzw. von 5°C bis
8°C. Dementsprechend weist die Wärmeaufnahmefähigkeit des Kühlmittels während
eines halben Umlaufs nur einen geringen Unterschied auf, und die Kühlung eines Tar
gets in Umfangsrichtung ist weitgehend homogen. Gegenüber der Erwärmung des
Kühlmittels im Stand der Technik gemäß Fig. 3a, nämlich ΔT = 9°C, läßt sich die Zer
stäubungsrate eines Targets in Azimutalrichtung um den Faktor 3 homogenisieren, da
die erfindungsgemäße Vorrichtung gemäß Fig. 1 bei einem Kühlmittelumlauf nur eine
Temperaturdifferenz von ΔT = 3°C, also ein Drittel von der Temperaturdifferenz im
Stand der Technik, aufweist.
Fig. 2 zeigt eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform in der Draufsicht. Im Un
terschied zur Ausführungsform gemäß Fig. 1 weist der Träger 1 zwei Gruppen mit jeweils
fünf Kühlkanalabschnitten 2 1 bis 2 5 auf, und das Kühlmittel wird in den Kühlkanal
abschnitten von radial außen nach radial innen transportiert, während in Fig. 1 von radi
al innen nach radial außen transportiert wird. Durch die im Vergleich zu der Ausfüh
rungsform gemäß Fig. 1 geringere Breite der von den Kühlkanalabschnitten übedeckten
Kühlbereiche auf einem Target ist die Kühlmittelerwärmung während eines Kühlmittel
umlaufs noch geringer und die Zerstäubungsrate eines Targets in Azimutalrichtung läßt
sich gegenüber dem Stand der Technik um den Faktor 5 homogenisieren. Die umlau
fende Schichthomogenität eines beschichteten Substrats kann dadurch gegenüber der
Ausführungsform gemäß Fig. 1 noch verbessert werden. Ein Kühlmittelumlauf von radi
al außen nach radial innen, wie in Fig. 2 gezeigt wird, ist besonders dann von Vorteil,
wenn zum Beispiel ein Target in seinen Außenbereichen stärker erwärmt wird als in
seinen Innenbereichen, da die geringere Temperatur des Kühlmittels zum Beispiel in
dem ersten Kühlkanalabschnitt 2 1 die Kühleffektivität in dem entsprechenden Bereich
des Targets erhöht.
Fig. 3b zeigt einen Querschnitt längs der Linie A'-A" in Fig. 3a, wobei der Träger 1 um
90° aus der Zeichnungsebene der Fig. 3a gedreht ist. Der Träger 1 ist über O-Ringe 8a
und 8b gegen eine Verbindungsplatte 7 mit dem Target 6 abgedichtet und das Kühlmit
tel 3 fließt von dem Einlaß 4 auf einer Ringbahn zu dem Auslaß 5. In ähnlicher Weise
sind die Träger 1 der erfindungsgemäßen Ausführungsformen gemäß Fig. 1 und 2 mit
dem Target verbunden, wobei bei den erfindungsgemäßen Ausführungsformen die
Kühlkanalabschnitte durch Rippen oder Wände im Bereich 9 von Fig. 3b ausgebildet
sind.
Bevorzugt ist eine Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung beim Kühlen eines
Targets in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage vorgesehen. Besonders bevorzugt ist
dabei eine Verwendung in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage, wobei ein Plasma un
ter dem Einfluß eines Magnetfeldes radial über ein Target bewegt wird; dabei kann in
vorteilhafter Weise der durch den radialen Temperaturgradienten bewirkte radiale Zer
stäubungsratengradient durch geeignete Steuerung des Magnetfeldes wieder kompen
siert und somit eine Beschichtung mit hoher Dickenhomogenität erreicht werden.
Claims (7)
1. Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Objekts, mit einem rotati
onssymmetrischen Träger (1) für das Objekt, wobei der Träger zwei Gruppen von
mehreren in radialer Richtung aufeinanderfolgenden coaxialen, halbkreisförmi
gen Kühlkanalabschnitten (2 1, 2 2 . . . 2 5) zum Durchleiten eines Kühlmittels (3) zwi
schen einem Einlaß (4) und einem Auslaß (5) aufweist,
dadurch gekennzeichnet:
- a) dass die Kühlkanalabschnitte (2 1, 2 2 . . . 2 5) jeder Gruppe zwischen dem Einlaß (4) und dem Auslaß (5) mäanderförmig in Reihe geschaltet sind und
- b) dass die beiden Kühlkanalabschnittgruppen zwischen dem Einlaß (4) und dem Auslaß (5) parallel geschaltet sind, wobei die beiden Kühlkanalabschnittgruppen einen gemeinsamen Einlaß (4) und einen gemeinsamen Auslaß (5) aufweisen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei in jeder Gruppe drei Kühlkanalabschnitte
(2 1 . . . 2 3) vorgesehen sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei in jeder Gruppe fünf Kühlkanalabschnitte
(2 1 . . . 2 5) vorgesehen sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Kühlmittel Wasser ist.
5. Verwendung der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zum Kühlen ei
nes Targets (6) in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage.
6. Verwendung nach Anspruch 5, wobei der Träger (1) auf der Rückseite einer Ver
bindungsplatte (7) mit dem Target (6) befestigt ist.
7. Verwendung nach Anspruch 5 oder 6 in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage, in
der ein Plasma gesteuert radial über das Target bewegt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000158769 DE10058769C1 (de) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Objekts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2000158769 DE10058769C1 (de) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Objekts |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=7664787
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000158769 Expired - Fee Related DE10058769C1 (de) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | Vorrichtung zum Kühlen eines rotationssymmetrischen Objekts |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10058769C1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1659193A1 (de) * | 2004-11-19 | 2006-05-24 | Applied Films GmbH & Co. KG | Gekühlte Rückenplatte für ein Sputtertarget und Sputtertarget bestehend aus mehreren Rückenplatten |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3718572A (en) * | 1971-10-07 | 1973-02-27 | Hewlett Packard Co | Sputtering system with spirally coiled coolant coil |
US3748253A (en) * | 1972-01-24 | 1973-07-24 | Gte Automatic Electric Lab Inc | Apparatus with labyrinth heat exchanger for the sputtering depositionof thin films |
DE3613801A1 (de) * | 1985-06-20 | 1987-01-02 | Balzers Hochvakuum | Anordnung zur kuehlung von flaechen |
-
2000
- 2000-11-27 DE DE2000158769 patent/DE10058769C1/de not_active Expired - Fee Related
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US7959776B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-06-14 | Applied Films Gmbh & Co. | Cooled backing plate for a sputtering target, and sputtering target comprising a plurality of backing plates |
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