DE10053276C1 - Elektrochemischer Kondensator - Google Patents
Elektrochemischer KondensatorInfo
- Publication number
- DE10053276C1 DE10053276C1 DE10053276A DE10053276A DE10053276C1 DE 10053276 C1 DE10053276 C1 DE 10053276C1 DE 10053276 A DE10053276 A DE 10053276A DE 10053276 A DE10053276 A DE 10053276A DE 10053276 C1 DE10053276 C1 DE 10053276C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- electrolyte
- electrochemical capacitor
- capacitor according
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title claims abstract description 4
- -1 counter electrode Substances 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims description 11
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical class C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001448 anionic polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000000454 electroless metal deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004602 germ cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005486 organic electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004375 physisorption Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/36—Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen elektrochemischen Kondensator aus einer Einzelzelle oder einem Stapel von Einzelzellen, wobei jede Einzelzelle eine Elektrode (10) und eine Gegenelektrode (20) aus einem elektrisch leitfähigen oder halbleitenden Material sowie einen Elektrolyten (13) umfasst. Der erfindungsgemäße Kondensator weist die folgenden Merkmale auf: DOLLAR A - die Elektrode (10) ist aus einem nanostrukturierten Film gebildet, bei dem nanostrukturierte diskrete, nadelförmige Elemente (12) auf einer Oberfläche (11) elektrisch leitfähig verankert sind, DOLLAR A - der Elektrolyt (13) ist als Dünnfilmelektrolyt ausgebildet, der die Elektrode (10) schichtförmig überzieht und einen elektronischen Kontakt zwischen Elektrode (10) und Gegenelektrode (20) verhindert; DOLLAR A - die diskreten, nadelförmigen, mit dem Elektrolyt (13) überzogenen Elemente (12) sind in der Gegenelektrode (20) eingebettet. DOLLAR A Ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Kondensators ist ebenfalls Gegenstand der Erfindung.
Description
Die Erfindung betrifft einen elektrochemischen Kondensator nach dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Elektrochemische Kondensatoren, in der Literatur auch als Doppelschichtkondensa
toren oder Superkondensatoren bezeichnet, sind elektrochemische Energiespeicher,
die sich gegenüber Batterien durch eine deutlich höhere Leistungsdichte, gegenüber
konventionellen Kondensatoren durch eine um Größenordnungen höhere Energie
dichte auszeichnen. Sie beruhen auf der potentialgesteuerten Ausbildung von
Helmholtz-Doppelschichten und/oder elektrochemischen Redoxreaktionen hoher
Ladungskapazität und Reversibilität an elektrisch leitfähigen Elektrodenoberflächen in
geeigneten Elektrolyten. Vorrangige potentielle Einsatzgebiete mit besonderer
wirtschaftlicher Bedeutung liegen beispielsweise in den Bereichen Elektrotraktion
(Kraftfahrzeuge) und Telekommunikation. Hierbei kann durch Abfangen von Leis
tungsspitzen die Nennleistung der primären Energiequelle reduziert, die Lebensdauer
und Reichweite verlängert und damit die Wirtschaftlichkeit des Gesamtsystems
wesentlich verbessert werden.
Zur Herstellung der Superkondensator-Elektroden haben sich die auf Aktivkohlen
stoffen basierenden Werkstoffkonzepte durchgesetzt (BET-Oberflächen bis zu
2000 m2/g), denen in Kombination mit organischen Elektrolyten hinsichtlich Leistungs
daten und Kosten derzeit das größte Marktpotential zugeschrieben wird. Es existie
ren erste Produkte im Kleinserienstadium, die Energiedichten von etwa 3 Wh/kg
erreichen, z. B. WO 98/15962 A1. Des weiteren existieren eine Vielzahl von Konzep
ten zur Herstellung dieser Aktivkohlenstoff-Superkondensatoren bzw. deren Elektro
den, z. B. EP 0 712 143 A2, DE 197 24 712 A1. Typischerweise lassen sich hier
maximal 50 bis 100 Farad Kapazität pro Gramm des aktiven Elektrodenmaterials
erreichen. Zur Anwendung als Spitzenlastspeicher ist bei diesen Elementen jedoch
das Verhältnis aus Nutzenergie und Speichergewicht vielfach noch zu klein, um in
realen Anwendungen ökonomisch sinnvoll zum Einsatz zu kommen. Die Optimierung
der Leistungsdaten kann sowohl über den Kondensatoraufbau (Stapeldesign) als
auch über die eigentlichen Kondensatorelektroden (Oberflächenstrukturen und
Materialien) erfolgen.
Die Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines solchen Superkondensators gemäß
Stand der Technik mit den Aktivkohleelektroden 1, 2, dem porösen Separator 3 und
den elektronischen Kontaktierungen 4, 5. Das gesamte System ist mit einem flüssigen
Elektrolyten gefüllt. Die Fig. 2 zeigt das zugehörige Ersatzschaltbild. Es wird das
Ausbilden von Helmholtz-Kapazitäten an einer großen geometrischen Oberfläche der
beiden Aktivkohleelektroden ausgenutzt (bis zu 2000 m2/g), so dass sich die Gesamt
kapazität Cges aus der Reihenschaltung der einzelnen Elektrodenkapazitäten C1 und
C2 ergibt. Die Grenzfrequenz des Kondensators wird im wesentlichen durch das
Produkt aus Cges und der Summe der designabhängigen ohmschen Verlustwiderstän
de bestimmt.
Der Kontaktwiderstand der Elektroden zum Stromabnehmer des Kondensatorgehäu
ses ist durch RC gegeben, die elektronische Leitfähigkeit der Elektrode selbst durch
REl. Der Elektrolytwiderstand RES wird durch die Leitfähigkeit des Elektrolyten in den
Poren der Elektroden bestimmt, während der Separatorwiderstand RSEP die Elektro
lytleitfähigkeit im Separatorbereich darstellt und im wesentlichen eine Funktion der
Porosität und der Dicke des Separators ist. Zur Minimierung der Verlustwiderstände
werden somit ein Elektrodenmaterial guter elektronischer Leitfähigkeit und Kontak
tierbarkeit, ein Elektrolyt mit guter ionischer Leitfähigkeit sowie ein dünner Separator
hoher Porosität benötigt.
Aktivkohlematerialien weisen zwar eine extrem hohe poröse Oberfläche auf, aber die
Verteilung der Porengrößen ist sehr breit und erstreckt sich hinunter bis in den
Bereich ≈ 1 nm. Da typische Helmholtz-Schichtdicken selbst bei bis zu 2 nm liegen,
kann bei diesem Elektrodenmaterial die Helmholtz-Speicherschicht nicht vollständig
an der tatsächlich vorhandenen Oberfläche ausgebildet werden.
Die typischerweise eher schwammartige Geometrie von Aktivkohlematerialien wirkt
sich zusätzlich auch nachteilig auf das Frequenzverhalten der Kapazität aus. Denn
sie ist für den Elektrolyten gleichbedeutend mit relativ langen und engen Wegen und
daher zwangsläufig mit einem relativ hohen Elektrolytwiderstand REL verknüpft. Dies
führt zu einer Herabsetzung der Grenzfrequenz des Gesamtbauteiles, d. h. bereits bei
moderaten Frequenzen (typischerweise etwa 1 Hz) sind nur noch Bruchteile der bei
Gleichspannung verfügbaren Elektrodenkapazität nutzbar.
Neben der bereits beschriebenen negativen Auswirkung auf das Frequenzverhalten
bewirkt ein großer ohmscher Widerstand auch dissipative Verluste, die durch die
einher gehende thermische Belastung des Bauteiles dessen Einsatzmöglichkeiten
noch weiter einschränken bzw. bei entsprechenden konstruktiven Maßnahmen
(Kühlbleche etc.) die nutzbare massen- wie auch volumenbezogene Energiespei
cherdichte drastisch reduzieren.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen elektrochemischen Kondensator zu schaffen, der
eine deutliche Reduzierung der Gesamtheit der Verlustwiderstände ermöglicht.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte
Ausführungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsge
mäßen Kondensators sind Gegenstand weiterer Ansprüche.
Der erfindungsgemäße elektrochemische Kondensator weist eine elektrisch leitfähige
oder halbleitende Elektrode auf, die aus einem nanostrukturierten Film gebildet ist,
bei dem nanostrukturierte diskrete, nadelförmige Elemente auf einer Oberfläche
elektrisch leitfähig verankert sind. Nanostrukturiertes Element im Sinne der vorliegen
den Erfindung bezeichnet dabei eine Materialstruktur mit Abmessungen wenigstens
einer Strukturdimension im Nanometerbereich (< 1 µm).
Der Elektrolyt liegt als Dünnfilmelektrolyt vor, der die Oberfläche der nanostrukturier
ten Elektrode, insbesondere die Oberfläche der nadelförmigen Elemente, schichtför
mig überzieht.
Die diskreten, nadelförmigen, mit dem Elektrolyt überzogenen Elemente sind in der
Gegenelektrode eingebettet.
Der erfindungsgemäße Kondensator weist somit eine Interdigitalstruktur auf. Elektro
de und Gegenelektrode greifen ineinander. Der Dünnfilmelektrolyt füllt den gesamten
Zwischenraum zwischen Elektrode und Gegenelektrode aus. Es wird somit ein
Superkondensator mit geometrisch deutlich verkürzten Ladewegen und verringerten
ohmschen Verlustwiderstände ermöglicht.
Der Elektrolyt übernimmt die Funktion eines geometrischen Separators und verhin
dert gleichzeitig einen elektronischen Kontakt zwischen Elektrode und Gegenelektro
de. Somit kann auf den mechanischen porösen Separator gemäß den bekannten,
oben erwähnten Kondensatoren verzichtet werden.
Der Elektrolyt ist bevorzugt als gel-artiger oder fester Dünnfilm ausgebildet. Die
Schichtdicke des Elektrolyten ist in vorteilhaften Ausführungen nicht größer als 1 µm,
bevorzugt nicht größer als 100 nm, insbesondere nicht größer als 50 nm.
Der Dünnfilmelektrolyt muss einerseits die beiden Kondensatorelektroden elektro
nisch voneinander trennen (elektronischer Isolator) andererseits eine hohe ionische
Leitfähigkeit besitzen und mit geeigneten mobilen ionischen Ladungsträgern dotiert
sein, welche zum Ausbilden von Helmholtz-Doppelschichten an den Elektrodenober
flächen benötigt werden.
Hierfür können spezielle organische oder anorganische ultradünne Schichten
eingesetzt werden, welche sich in den letzen Jahren zu einem Schwerpunkt bei der
Entwicklung nanostrukturierter Materialien entwickelt haben. Bei der Beschichtung
können oftmals einfache Selbstorganisationsverfahren (z. B. Self-Assembled-
Monolayers, SAMs) ausgenutzt werden, womit das Aufbringen dieser Monoschichten
durch einfaches Eintauchen des Substrats in die entsprechende Lösung erfolgt.
Eine wichtige Erweiterung dieses Selbstorganisationskonzepts besteht in der Ab
scheidung kationischer oder anionischer Polyelektrolyte (Polymerketten mit ionisch
dissoziierbaren Gruppen, Ionic Self Assemlbling Monolayers, ISAMs) aus wässrigen
Lösungen [G. Decher, Science 277, 1232 (1997)]. Während bei den SAMs die
Anbindung der Moleküle über Chemisorption (z. B. Thiol-Gruppe-Substrat, kova
lente Bindung) erfolgt, wird dieser Mechanismus hier vorteilhaft durch Physisorption,
also rein elektrostatische Wechselwirkungen bestimmt. Dieser Ansatz erlaubt somit
entscheidende Vorteile beim Aufbau von Vielschichtsystemen (Abwechseln positiver
und negativer Polyelektrolyte, sogenannte layer-by-layer Technik) und stellt das
allgemeinere Konzept zur Synthese supramolekularer Architekturen dar. Beispiels
weise wird in G. Decher, Adv. Mater. 9, 61 (1997) gezeigt, wie aus wässriger Lösung
negativ ladungsstabilisierte Gold-Kolloide über elektrostatische Wechselwirkung an
eine kationische Polyelektrolytschicht deckend aufgebracht werden können und
danach wiederum mit einer kationische Polyelektrolytschicht bedeckt werden können
(Sandwich-Multilayer-Struktur).
Die Schichten zeichnen sich durch äußerst geringe Defektdichte aus, und die
Schichtdicken im Bereich weniger Nanometer sind einfach über Konzentration,
Kettenlängen oder Aktivitäten der Endgruppen steuerbar.
In jüngsten Untersuchungen der physikalischen und chemischen Eigenschaften
dieser Polyelektrolytschichtsysteme [Han et al. Electrochimica Acta 45, 845 (1999)]
werden sehr gute ionische Leitfähigkeit sowie Dotierbarkeit mit ionischen Ladungs
trägern (elektrostatische Wechselwirkung) als auch verschwindende elektronische
Leitfähigkeit nachgewiesen. Das Schichtsystem kann durch einfaches Eintauchen in
entsprechende wässrige Lösungen aufgebracht werden und ist damit ein bevorzug
tes Ausführungsbeispiel für einen Dünnfilmelektrolyt in dem erfindungsgemäßen
elektrochemischen Kondensator.
Die Machbarkeit von SAMs als nur wenige Nanometer dickes Dielektrikum für
Kondensatoren wird erstmals in Rampi et al. Appl. Phys. Lett. 72, 1781 (1998)
nachgewiesen. Dabei werden zwei Monolayer als Dielektrikum (dicke ca. 9 nm)
zwischen zwei Quecksilbertropfen als Kondensatorelektroden eingebracht, die
Dielektrizität dieses Materials sowie die Durchschlagsfeldstärke bestimmt und
Fehlstellenfreiheit (d. h. Kurzschlussfreiheit) eindrucksvoll nachgewiesen.
Es sei an dieser Stelle deutlich darauf hingewiesen, dass das oben beschriebene
Polyelektrolytschichtsystem nicht die Rolle eines elektronisch isolierenden Dielektri
kums im dielektrischen Kondensator übernimmt, sondern die Rolle eines ionisch
dotierten Dünnfilmelektrolyten in einem elektrochemischen Kondensator.
Die erfindungsgemäße nanostrukturierte Elektrode aus einem Film mit nadelförmigen
Elementen weist eine große effektive Oberfläche zur Ausbildung der Helmholtz-
Speicherschicht auf. Deren Größe an einer ebenen metallischen Oberfläche beträgt
im wässrigen Elektrolyten typischerweise etwa 40 µF/cm2. Die Flächendichte der
nanostrukturierten nadelförmigen Elemente liegt bevorzugt im Bereich von 1-500 pro
µm2, deren Durchmesser bevorzugt im Bereich von 15-500 nm, womit z. B. für
metallische Strukturen die notwendige Materialstabilität gewährleistet wird. Das
Aspektverhältnis (Verhältnis zwischen Höhe und mittlerem Durchmesser) der na
nostrukturierten nadelförmigen Elemente ist in vorteilhaften Ausführungen größer als
20. Die nanostrukturierten diskreten nadelförmigen Elemente können entweder als
Vollzylinder, als Hohlzylinder (Röhrchen) oder als Vollzylinder mit innerer schwamm
artiger Porosität zu einer zusätzlichen Oberflächenvergrößerung vorliegen.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Superkondensators liegt darin, dass der
nanostrukturierte Elektrodenfilm über geeignete Herstellungsverfahren aus beliebigen
halbleitenden oder leitfähigen Materialien wie Metallen, Edelmetallen, Galvanome
tallen (galvanisch abscheidbare Metalle), insbesondere Nickel, Gold oder leitfähigen
Polymeren erzeugt werden kann.
Die Herstellung der Trägerfolie der Elektrode und hierauf das Wachstum der na
nostrukturierten Elemente kann bei Einsatz elektrochemischer Abscheidung in einem
Arbeitsschritt erfolgen. Die Dicke der Trägerfolie ist dabei vorteilhaft zwischen 1 und
20 µm einzustellen. Damit wird die elektrische Leitfähigkeit, Kontaktierbarkeit und
auch die mechanische Stabilität zum Aufbau einer Superkondensator-Einzelzelle
bzw. Stapels garantiert.
Im Gegensatz zu den bekannten schwammartigen Elektrodenstrukturen erlaubt die
diskrete - bevorzugt regelmäßige - Anordnung der nanostrukturierten Elemente der
Elektrode ein schnelleres und vollständiges Ausbilden der Helmholtz-Schichten an
der vorhandenen Oberfläche und damit eine deutliche Verbesserung der Leistungs
charakteristik.
Einige Metalloxide (z. B. RuO2) oder leitfähige Polymere erlauben in geeigneten
Elektrolyten eine Energiespeicherung durch an der Oberfläche ablaufende Redox
reaktionen. Die Umladung solcher Redoxsysteme an der Elektrodenoberfläche führt
neben der Ausbildung der Helmholtz-Doppelschicht zu einer zusätzlichen Elektroden
kapazität (Pseudokapazität). Diese Eigenschaft kann bei der Elektrode der vorlie
genden Erfindung entweder durch eine dünne (< 10 nm) Beschichtung mit einem
entsprechenden Redoxsystem (z. B. RuO2) oder durch direkte Bildung der nano
strukturierten Elemente aus eben diesem Material erreicht werden.
Zum Aufbau des Stapels werden die Einzelzellen aufeinander gestapelt. Somit
entsteht über die leitfähigen Elektrodenfilme eine Reihenschaltung einzelner Kon
densatorelemente ohne zusätzliche Kontaktierschritte.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 den prinzipiellen Aufbau eines klassischen Superkondensators gemäß Stand
der Technik, wie in der Beschreibungseinleitung erläutert;
Fig. 2 das Ersatzschaltbild eines Superkondensators, wie in der Beschreibungsein
leitung erläutert;
Fig. 3 die Prinzipskizze einer regelmäßig nanostrukturierten metallischen Dünn
schichtelektrode eines erfindungsgemäßen Superkondensators;
Fig. 4 REM-Aufnahme einer Ausführungsform einer regelmäßig nanostrukturierten
metallischen Dünnschichtelektrode eines erfindungsgemäßen Superkonden
sators;
Fig. 5 Prinzipskizze zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Superkondensators.
Fig. 3 zeigt eine Elektrode, wie sie in dem erfindungsgemäßen Superkondensator
eingesetzt wird. Sie besteht in dieser Ausführung aus einer freitragenden Folie 11
und hierauf verankerten nanostrukturierten, diskreten Elementen 12, die nadelförmig
ausgebildet sind. Diskret im Sinne der vorliegenden Erfindung bedeutet, dass es sich
um voneinander getrennte Elemente mit jeweils eigener Struktur handelt, also nicht
um miteinander verbundene Elemente, wie dies z. B. bei einer schwammartigen
Struktur der Fall ist.
Fig. 4 zeigt die REM-Aufnahme einer Elektrode für den erfindungsgemäßen Super
kondensator. Sie besteht aus einer freitragenden Metall-Folie 11 und hierauf veran
kerten nanostrukturierten metallischen Elementen 12. Die nanostrukturierten nadel
förmigen Elemente sind in dieser Ausführung im wesentlichen senkrecht zur Ober
fläche der Folie orientiert und gleichmäßig über die Oberfläche der Folie verteilt.
Fig. 5 zeigt in schematischer Darstellung die Herstellung eines erfindungsgemäßen
Superkondensators mit Interdigitalstruktur. Man geht aus von einer nanostrukturier
ten, insbesondere metallischen Elektrode 10 mit diskreten, nadelförmigen Elementen
12, die bevorzugt regelmäßig angeordnet sind. Auf die Oberfläche der Elektrode 10,
insbesondere auf die nadelförmigen Elemente 12, wird der Dünnfilmelektrolyt 13
mittels Tauchbeschichtung aufgebracht. Als Elektrolyt 13 kann z. B. ein Polyelektrolyt
eingesetzt werden. Der Abstand der nadelförmigen, nanostrukturierten Elemente 12
ist so eingestellt, dass nach der Polyelektrolyt-Beschichtung die verbleibenden
Zwischenräume mit einem Metall aufgefüllt werden können, so dass sich eine leit
fähige, zusammenhängende Gegenelektrode 20 ergibt. Die Gegenelektrode füllt
somit die Zwischenräume zwischen den nadelförmigen Elementen 12 vollständig
aus. Die nadelförmigen Elemente 12 erstrecken sich in das Material der Gegenelekt
rode hinein und sind allseitig (mit Ausnahme an ihrer Basisfläche) von dieser umge
ben. Die Kontaktierung von Elektrode 10 und Gegenelektrode 20 erfolgt über ent
sprechende stromleitenden Kontakte 15, 16. Wie man aus der Fig. 5 gut erkennen
kann, nimmt die Elektrolytschicht 13 den gesamten Zwischenraum zwischen Elektro
de und Gegenelektrode ein. Es ergeben sich gegenüber den Kondensatoren nach
dem Stand der Technik wesentlich verringerte Ladewege. Ein zusätzlicher mechani
scher Separator wird nicht benötigt.
Im nachfolgenden Beispiel wird die Herstellung eines erfindungsgemäßen Konden
sators im Labormaßstab beschrieben. Im großtechnischen Maßstab können prinzi
piell ähnliche Methoden zur Anwendung kommen.
Bei der anodischen Oxidation eines Aluminiumsubstrats entsteht ein nanoporöser
Oxidfilm mit parallelen, durchgehend zylinderförmigen und senkrecht zur Substrat
oberfläche ausgerichteten Poren. Die Porendurchmesser können im Bereich von
15-500 nm, die Flächendichte der Poren von ca. 1 bis 500 pro µm2, und die Poren
länge bis zu 100 µm eingestellt werden. Der Oxidfilm wird vom Aluminiumsubstrat
abgelöst, so dass eine keramische nanoporöse Filtermembran entsteht. Diese
Membran wird auf einer Seite mit einem metallischen Film als Kontaktelektrode
bedampft. Die Filmdicke wird so gewählt, dass die Oxidporen verschlossen werden.
Zur Erzeugung nanostrukturierter Gold-Elemente auf einem Gold-Film wird die
bedampfte Membran kontaktiert und in ein galvanisches Goldbad eingebracht. Bei
galvanischer Abscheidung werden einerseits die Oxidporen von der aufgedampften
Grundelektrode her mit den gewünschten nanostrukturierten Elementen aufgefüllt,
andererseits wird die Grundelektrode zu einem metallischen Film im Mikrometerbe
reich aufgedickt. Anschließend kann die Oxidkeramik nasschemisch selektiv abge
beizt werden, so dass der gewünschte Elektrodenfilm mit leitfähig angebundenen
nanostrukturierten Gold-Elementen entsteht.
Die Gold-Elektrode wird in heißem Ethanol/Chloroform (1 : 1) gereinigt, in Wasser
gespült und getrocknet und anschließend durch Eintauchen in eine Aminoethanthi
ol/Ethanol-Lösung mit einem SAM beschichtet, welcher in neutralen und wässrigen
Lösungen eine positive Oberflächenladung trägt [Han et al. Electrochimica Acta 45,
845 (1999)]. Dann wird durch abwechselndes Eintauchen in eine wässrige Na-PSS-
Lösung (+NaCl) Spülen und Eintauchen in eine wässrige PAH-Lösung (+NaCl) ein
Polyelektrolytschichtsystem aus anionischen und kationischen Polyelektrolytschich
ten aufgebracht. Die Schichtdicke kann durch die Anzahl der Schichten bis auf ca.
10 nm eingestellt werden. Für die weitere Beschichtung ist es vorteilhaft, mit einer
kationischen Polyelektrolytschicht abzuschließen.
Die Dotierung des somit gebildeten Dünnfilmelektrolyten erfolgt durch elektrostati
sche Einlagerung geeigneter Ionen, welche in die Elektrolytschicht aus wässriger
Lösung eindiffundieren können, z. B. Fe(CN)6 4 (Han et al. s. o.)
Zum Bilden der Gegenelektrode empfiehlt es sich, auf die letzte kationische Poly
elektrolytschicht negativ ladungsstabilisierte Goldkolloide (s. o.) aufzubringen. Diese
Kolloide mit einem ausreichend kleinen Durchmesser (< 10 nm) dienen dann als
Keimzellen für die nachfolgende stromlose Metallabscheidung auf den Dünnfilmelekt
rolyten. Es wird der verbleibende Zwischenraum mit Gold aufgefüllt, so dass eine
zusammenhängende metallische Gegenelektrode entsteht.
Das so beschriebene Beispiel verwendet Gold als Elektrodenmaterial, analoge
Verfahren sind aber auch für Nickel und andere stromlos abscheidbaren Metalle
möglich.
Claims (14)
1. Elektrochemischer Kondensator aus einer Einzelzelle oder einem Stapel von
Einzelzellen, wobei jede Einzelzelle eine Elektrode (10) und eine Gegenelektro
de (20) aus einem elektrisch leitfähigen oder halbleitenden Material sowie einen
Elektrolyten (13) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass
- - die Elektrode (10) aus einem nanostrukturierten Film gebildet ist, bei dem nanostrukturierte diskrete, nadelförmige Elemente (12) auf einer Oberfläche (11) elektrisch leitfähig verankert sind,
- - der Elektrolyt (13) als Dünnfilmelektrolyt ausgebildet ist, der die Elektrode (10) schichtförmig überzieht und einen Kontakt zwischen Elektrode (10) und Gegenelektrode (20) verhindert;
- - die diskreten, nadelförmigen, mit dem Elektrolyt (13) überzogenen Elemente (12) in der Gegenelektrode (20) eingebettet sind.
2. Elektrochemischer Kondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die Schichtdicke des Elektrolyten (13) nicht größer als 1 µm, bevorzugt
nicht größer als 100 nm, insbesondere nicht größer als 50 nm ist.
3. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrolyt (13) aus einem gel-artigen
Ionenleitermaterial besteht.
4. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrolyt (13) aus einem Festkörper-
Ionenleitermaterial besteht.
5. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche
dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrolyt aus einem Schichtsystem anioni
scher und/oder kationischer Polyelektrolyte besteht.
6. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass der Elektrolyt (13) mit beweglichen ionischen
Ladungsträgern dotiert ist.
7. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Flächendichte der nanostrukturierten Ele
mente (12) der Elektrode (10) zwischen 1 und 500 pro µm2 liegt.
8. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die nanostrukturierten Elemente (12) der
Elektrode (10) ein Aspektverhältnis größer als 20 aufweisen.
9. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die nanostrukturierten Elemente (12) der Elekt
rode (10) einen Durchmesser zwischen 15 und 500 nm aufweisen.
10. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die nanostrukturierten Elemente (12) der
Elektrode (10) als Hohlzylinder oder Vollzylinder ausgebildet sind.
11. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die nanostrukturierten Elemente (12) der
Elektrode (10) eine innere Porosität aufweisen.
12. Elektrochemischer Kondensator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die nanostrukturierten Elemente (12) der
Elektrode (10) mit einem Redox-Material beschichtet sind oder vollständig aus
diesem Material bestehen.
13. Verfahren zur Herstellung eines elektrochemischen Kondensators nach einem
der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch folgende Verfahrens
schritte:
- Aufbringen der Elektrolytschicht (13) auf die nanostrukturierte Elektrode (10)
durch Tauchbeschichtung;
- - Ausfüllen der Zwischenräume zwischen den diskreten, nadelförmigen, mit dem Elektrolyt (13) überzogenen Elementen (12) der Elektrode (10), so dass eine zusammenhängende Gegenelektrode (20) entsteht.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10053276A DE10053276C1 (de) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | Elektrochemischer Kondensator |
PCT/DE2001/003969 WO2002035564A1 (de) | 2000-10-27 | 2001-10-17 | Elektrochemischer kondensator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10053276A DE10053276C1 (de) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | Elektrochemischer Kondensator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10053276C1 true DE10053276C1 (de) | 2002-01-10 |
Family
ID=7661246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10053276A Expired - Fee Related DE10053276C1 (de) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | Elektrochemischer Kondensator |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10053276C1 (de) |
WO (1) | WO2002035564A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10331885A1 (de) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Aesculap Ag & Co. Kg | Markierelement für ein chirurgisches Navigationssystem |
EP1738378A2 (de) * | 2004-03-18 | 2007-01-03 | Nanosys, Inc. | Auf nanofaseroberflächen basierende kondensatoren |
WO2010114600A1 (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | All-electron battery having area-enhanced electrodes |
US8802287B2 (en) | 2009-01-16 | 2014-08-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Quantum dot ultracapacitor and electron battery |
DE102013104396A1 (de) * | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Elektrochemische Speichervorrichtung |
DE102015107982A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Superkondensatoren mit ausgerichteten Kohlenstoffnanoröhren und Verfahren zu deren Herstellung |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3011671A1 (fr) * | 2013-10-04 | 2015-04-10 | Thales Sa | Collecteur de courant pour supercapacite |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0712143A2 (de) * | 1994-11-02 | 1996-05-15 | Japan Gore-Tex, Inc. | Elektrischer Doppelschichtkondensator und Verfahren zur Herstellung einer Elektrode dafür |
WO1998015962A1 (en) * | 1996-10-07 | 1998-04-16 | Maxwell Technologies, Inc. | Multi-electrode double layer capacitor |
DE19724712A1 (de) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Siemens Ag | Doppelschichtkondensator |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062025A (en) * | 1990-05-25 | 1991-10-29 | Iowa State University Research Foundation | Electrolytic capacitor and large surface area electrode element therefor |
US5747180A (en) * | 1995-05-19 | 1998-05-05 | University Of Notre Dame Du Lac | Electrochemical synthesis of quasi-periodic quantum dot and nanostructure arrays |
SE9800035D0 (sv) * | 1998-01-09 | 1998-01-09 | Lionel Vayssieres | Process for producing thin metal oxide films on substrates |
-
2000
- 2000-10-27 DE DE10053276A patent/DE10053276C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-17 WO PCT/DE2001/003969 patent/WO2002035564A1/de not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0712143A2 (de) * | 1994-11-02 | 1996-05-15 | Japan Gore-Tex, Inc. | Elektrischer Doppelschichtkondensator und Verfahren zur Herstellung einer Elektrode dafür |
WO1998015962A1 (en) * | 1996-10-07 | 1998-04-16 | Maxwell Technologies, Inc. | Multi-electrode double layer capacitor |
DE19724712A1 (de) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Siemens Ag | Doppelschichtkondensator |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Decher,G.: Fuzzy Nanoassemblies: Toward hayered Polimerich Multicomposites. In: Science V. 277 29. Aug. 1997, S. 1232ff * |
Hau,S.: [u.a.] Electrochemistry at ultrathin polyelectrolyte films self-assembed at planer gold electrodes. In: Electrochemica Acta 45 (1995)S. 845-853 * |
Schmitt,J. [u.a.]: Metal Nanoparticle/Polymer Superlattice Films: Fabrication and Control of hayer Structure. In: advanced Materials, 1997, 9, No. 1, S. 61ff * |
Schueller,O. [u.a.]: Alkanthelol self-assembled monolayers as the dielectric of capacetors with nanoscale thickness In: Applied Physics letters, Vol. 72 No. 14 1998, S. 1781ff * |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10331885A1 (de) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Aesculap Ag & Co. Kg | Markierelement für ein chirurgisches Navigationssystem |
EP1738378A2 (de) * | 2004-03-18 | 2007-01-03 | Nanosys, Inc. | Auf nanofaseroberflächen basierende kondensatoren |
EP1738378A4 (de) * | 2004-03-18 | 2010-05-05 | Nanosys Inc | Auf nanofaseroberflächen basierende kondensatoren |
USRE43868E1 (en) | 2004-03-18 | 2012-12-25 | Nanosys, Inc. | Nanofiber surface based capacitors |
US8802287B2 (en) | 2009-01-16 | 2014-08-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Quantum dot ultracapacitor and electron battery |
WO2010114600A1 (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | All-electron battery having area-enhanced electrodes |
US8524398B2 (en) | 2009-04-01 | 2013-09-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | All-electron battery having area-enhanced electrodes |
DE102013104396A1 (de) * | 2013-04-30 | 2014-10-30 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Elektrochemische Speichervorrichtung |
DE102015107982A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Superkondensatoren mit ausgerichteten Kohlenstoffnanoröhren und Verfahren zu deren Herstellung |
WO2016185002A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Superkondensatoren mit ausgerichteten kohlenstoffnanoröhren und verfahren zu deren herstellung |
US10510494B2 (en) | 2015-05-20 | 2019-12-17 | Deutsches Zentrum Fur Luft-Und Raumfahrt E.V. | Supercapacitors with oriented carbon nanotubes and method of producing them |
DE102015107982B4 (de) | 2015-05-20 | 2021-12-09 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Verfahren zur Herstellung von Superkondensatoren mit ausgerichteten Kohlenstoffnanoröhren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002035564A1 (de) | 2002-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69832537T2 (de) | Fibrilkompositelektrode für elektrochemische kondensatoren | |
DE112010002700T5 (de) | Nanostrukturierte flexible Elektroden und Energiespeichereinrichtungen,welche diese verwenden | |
DE19525143A1 (de) | Elektrolytkondensator, insbesondere Tantal-Elektrolytkondensator | |
DE102010029282A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Dünnschichtbatterie | |
DE112012004734T5 (de) | Elektrode für eine elektrische Speichervorrichtung, elektrische Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Elektrode für eine elektrische Speichervorrichtung | |
DE112011102970T5 (de) | Nanostrukturierte Elektrode zur pseudokapazitiven Energiespeicherung | |
WO2010092059A1 (de) | Leistungs- und energiedichteoptimierte flächenelektroden für elektrochemische energiespeicher | |
KR20100101885A (ko) | 전이금속산화물 코팅층을 가지는 금속 전극의 제조 방법 및그에 의해 제조된 금속 전극 | |
DE102015120879A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Silizium-basierten porösen Elektrode für eine Batterie, insbesondere Lithium-Ionen-Batterie | |
WO2006012890A1 (de) | Elektrolytlösung für doppelschichtkondensatoren und doppelschichtkondensator mit der elektrolytlösung | |
EP1586100A1 (de) | Elektrode für eine elektrochemische zelle, elektrodenwickel, elektrochemische zelle und verfahren zur herstellung | |
DE10053276C1 (de) | Elektrochemischer Kondensator | |
EP1552538B1 (de) | Doppelschicht-kondensator, dessen verwendung sowie ein verfahren zur erhöhung der maximalen ladungen von doppelschicht-kondensator-elektroden | |
EP3298617B1 (de) | Superkondensatoren mit ausgerichteten kohlenstoffnanoröhren und verfahren zu deren herstellung | |
DE19948742C1 (de) | Elektrochemischer Kondensator, insb. Doppelschichtkondensator oder Superkondensator | |
WO2003096362A2 (de) | Kondensatoren hoher energiedichte | |
DE102010022831A1 (de) | Doppelschichtkondensator | |
EP1399985B1 (de) | Zellenanordnung für einen elektronischen energiewandler und verfahren zur herstellung einer solchen | |
DE10312999A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektroden für Superkondensatoren | |
EP2638551B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines kapazitiven speicherelements | |
DE102012215878A1 (de) | Elektrode und Verfahren zum Herstellen einer Elektrode | |
DE102017213377A1 (de) | Batteriezelle mit separatorseitig und/oder stirnseitig kontaktiertem Anodenschichtüberstand und/oder Kathodenschichtüberstand | |
DE2631776B2 (de) | Elektrolytkondensator | |
DE102013104396A1 (de) | Elektrochemische Speichervorrichtung | |
WO2022167111A1 (de) | Verfahren zur herstellung von hochstromkondensatoren durch lasertechnik |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |