DE10047525A1 - Verfahren zum Herstellen eines Sinterkörpers aus Siliziumcarbid - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Sinterkörpers aus SiliziumcarbidInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein neuartiges Verfahren zum Herstellen eines Sinterkörpers aus Siliziumcarbid.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1.
Bekannt ist es, die zum Herstellen von Leiterbahnen, Anschlüssen usw. benötigte
Metallisierung auf einer Keramik, z. B. auf einer Aluminium-Oxid-Keramik mit Hilfe des
sogenannten "DCB-Verfahrens" (Direct-Copper-Bond-Technology) herzustellen, und
zwar unter Verwendung von die Metallisierung bildenden Metall- bzw. Kupferfolien
oder Metall- bzw. Kupferblechen, die an ihren Oberflächenseiten eine Schicht oder
einen Überzug (Aufschmelzschicht) aus einer chemischen Verbindung aus dem Metall
und einem reaktiven Gas, bevorzugt Sauerstoff aufweisen. Bei diesem beispielsweise
in der US-PS 37 44 120 oder in der DE-PS 23 19 854 beschriebenen Verfahren bildet
diese Schicht oder dieser Überzug (Aufschmelzschicht) ein Eutektikum mit einer
Schmelztemperatur unter der Schmelztemperatur des Metalls (z. B. Kupfers), so daß
durch Auflegen der Folie auf die Keramik und durch Erhitzen sämtlicher Schichten
diese miteinander verbunden werden können, und zwar durch Aufschmelzen des
Metalls bzw. Kupfers im wesentlichen nur im Bereich der Aufschmelzschicht bzw.
Oxidschicht.
Dieses DCB-Verfahren weist dann z. B. folgende Verfahrensschritte auf:
- - Oxidieren einer Kupferfolie derart, daß sich eine gleichmäßige Kupferoxidschicht ergibt;
- - Auflegen des Kupferfolie auf die Keramikschicht;
- - Erhitzen des Verbundes auf eine Prozeßtemperatur zwischen etwa 1025 bis 1083°C, z. B. auf ca. 1071°C;
- - Abkühlen auf Raumtemperatur.
Ziel der Erfindung ist es, Sinterkörper aus einem neuartigen Material aufzuzeigen, die
(Sinterkörper) preiswert gefertigt werden können und insbesondere auch im Bereich
der Elektronik als mechanische Träger, Kühlkörper, Gehäuse usw. geeignet sind. Zur
Lösung dieser Aufgabe ist ein Verfahren entsprechend dem Patentanspruch 1
ausgebildet.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich der Sinterkörper in der jeweils
gewünschten Form einfach und rationell fertigen. Der mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellte Sinterkörper besitzt auch speziell für die Anwendung im Bereich
der Elektronik optimale Eigenschaften, so beispielsweise im Vergleich zu Metallen
einen stark reduzierten Wärmeausdehnungskoeffizienten in der Größenordnung von
6,0 - 10 × 10-6 [1/°K]. Weiterhin erlaubt das erfindungsgemäße Verfahren eine sehr
preiswerte Herstellung des Sinterkörpers.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an verschiedenen
Ausführungsbeispielen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1-3 in vereinfachten Flußdiagrammen unterschiedliche Ausführungsformen des
erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Sinterkörpers aus
Siliziumcarbid;
Fig. 4 in vereinfachter Darstellung ein mit Kupfer beschichtetes Partikel aus
Silziumcarbid des Verfahrens der Fig. 2 oder 3;
Fig. 5 in vereinfachtem Flußdiagramm die Verfahrensschritte bei einer weiteren,
abgewandelten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
Fig. 6 in einer ähnlichen Darstellung wie Fig. 4 ein mit Nickel und Kupfer
beschichtetes Partikel aus Siliziumcarbid bei dem Verfahren der Fig. 4;
Fig. 7-9 in Teildarstellungen das Flußdiagramm weitere mögliche Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Die Fig. 1 zeigt die wesentlichen Verfahrensschritte einer ersten möglichen
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines
Sinterkörpers 1, beispielsweise einer Platte, der bzw. die zumindest aus Siliziumcarbid
(SiC) und Kupfer (Cu) besteht.
Der Sinterkörpers 1 dient beispielsweise als mechanische Kühlplatte oder Kühlfläche
zum Kühlen von elektrischen Bauelementen. Der Sinterkörper 1 zeichnet sich durch
einen besonders niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten in der Größenordnung
von ungefähr 6,0 - 10 × 10-6 [1/°K] aus.
Wie in der Fig. 1 dargestellt ist, erfolgt bei diesem Verfahren in einem ersten
Verfahrensschritt zunächst das Mischen von pulver- oder partikelförmigem
Siliziumcarbid mit Kupfer, welches beispielsweise ebenfalls in Pulverform vorliegt, z. B.
als metallisches Kupfer (legiert oder unlegiert) oder als Kupferverbindung.
In einem weiteren Verfahrensschritt erfolgt dann durch Kompaktieren bzw. Formen
und Pressen des mit dem Kupfer versehenen Siliziumcarbids die Herstellung eines
Roh- oder Formlings 1', der dann in einem weiteren Verfahrensschritt bei einer
Temperatur zwischen etwa 700 und 1080°C gesintert wird, um den Sinterkörper 1 zu
erhalten.
Das Kompaktieren erfolgt beispielsweise in einer geeigneten Formpresse, die einen
Formraum aufweist, in den das Siliziumcarbid und das Kupfer eingebracht wird, und
die einen geeigneten Form- und Preßstempel zur Erzeugung des für die Kompaktierung
bzw. Formung des Rohlings 1' notwendigen Druck aufweist. Grundsätzlich besteht die
Möglichkeit, dieses Kompaktieren oder Formpressen bei erhöhter Temperatur
durchzuführen. Das Pressen beim Kompaktieren und eventuell auch beim Sintern
erfolgt beispielsweise in der Weise, daß ein im wesentlichen porenfreier Sinterkörper 1
erhalten wird.
Die bei diesem Verfahren verwendeten Mengen an Siliziumcarbid und Kupfer sind so
eingestellt, daß der Sinterkörper letztlich 30 bis 80% Siliziumcarbid aufweist.
Das Sintern kann unter unterschiedlichsten Bedingungen erfolgen, beispielsweise
drucklos oder aber unter Druck, wobei im letzten Fall beispielsweise bei der
Herstellung des plattenförmigen Sinterkörpers 1 beim Sintern auf beide
Oberflächenseiten des Rohling 1' ein Flächendruck im Bereich zwischen etwa 20 bis
2000 bar aufgebracht wird. Weiterhin besteht die Möglichkeit das Sintern unter
isostatischen Druckbedingungen durchzuführen, d. h. derart, daß der jeweilige Rohling
1' während des Sinterns an seiner gesamten Oberfläche jeweils mit dem gleichen
Druck, beispielsweise mit einem Druck im Bereich zwischen etwa 20 bis 2000 bar
beaufschlagt wird.
Vorstehend wurde davon ausgegangen, daß der Kupferanteil in Form eines
Kupferpulvers oder eines Kupfer enthaltenden Pulvers zugegeben wird.
Selbstverständlich bestehen auch noch andere Möglichkeiten für die Zugabe des
Kupfers.
Die Fig. 2 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform des Verfahrens zum
Herstellen des Sinterkörpers 1. Bei diesem Verfahrens wird wiederum ein partikel- oder
pulverförmiges Siliziumcarbid als Ausgangsmaterial verwendet. In einem ersten
Verfahrensschritt werden die Siliziumcarbid-Partikel zunächst an ihrer Oberfläche mit
einer Kupferbeschichtung oder mit einer kupferhaltigen Beschichtung versehen, wie
dies in der Fig. 4 dargestellt ist, und zwar für ein Partikel 2 aus Siliziumcarbid mit der
Kupferbeschichtung oder Kupfer enthaltenden Beschichtung 3 an der Oberfläche. Die
so beschichteten Siliziumcarbidpartikel werden dann bei diesem Verfahren durch
Kompaktieren, d. h. Formen und Pressen zu dem Rohling 1' geformt, aus dem dann
anschließend durch Sintern der Sinterkörper 1 gefertigt wird.
Das Kompaktieren bzw. Formpressen zum Herstellen des Rohlings erfolgt bei dem
Verfahren der Fig. 2 wiederum in gleicher Weise, wie dies vorstehend bei dem
Verfahren der Fig. 1 beschrieben wurde. Gleiches gilt auch für das Sintern.
Die Anteile an Siliziumcarbid, an Kupfer sowie ggf. an weiteren Bestandteilen sind
wiederum so gewählt, daß der Sinterkörper 1 im fertigen Zustand etwa zwischen 30
bis 80 Volumenprozent Siliziumcarbid enthält.
Die Fig. 3 zeigt als weitere mögliche Ausführungsform ein Verfahren, bei dem zu den
mit Kupfer beschichteten Partikeln aus Siliziumcarbid zusätzlich Kupfer zugegeben
wird, wobei dann wiederum das Kompaktieren bzw. Formpressen und das
anschließende Sintern zum Herstellen des Sinterkörpers 1 in der vorbeschriebenen
Weise erfolgt.
Die Fig. 5 und 6 zeigen eine weitere mögliche Variante des erfindungsgemäßen
Verfahrens. Bei dieser Variante werden die Siliziumcarbid-Partikel 2 an ihrer
Oberfläche zunächst mit einer Nickelschicht oder einer Nickel enthaltenden Schicht 4
versehen, auf die dann in einem weiteren Verfahrensschritt die Kupferschicht oder die
Kupfer enthaltende Schicht 3 aufgebracht wird. Diese Nickelschicht wirkt dann
insbesondere als Diffusionssperre gegenüber Kupfer beim Sinterverfahren.
Die weitere Verarbeitung der mit Nickel und Kupfer beschichteten Partikel 2 kann
dann beispielsweise entsprechend den Fig. 2 und 3 erfolgen.
Um die Anbindung an das Siliziumcarbid zu verbessern, können bei dem
erfindungsgemäßen Verfahren auch weitere metallische Elemente (Aktivelemente) in
die Matrix aus Siliziumcarbid und Kupfer vor dem Formen des Rohlings eingebracht
werden, beispielsweise auch in Form von Legierungen und/oder als
Legierungselemente des Kupfers. Als weitere metallische Elemente eignen sich
insbesondere solche, die bei der Sintertemperatur, d. h. beispielsweise bei der
Temperatur zwischen 700 und 1080°C mit dem Silizium Silizide oder Carbide bilden
und sich außerdem zumindest in geringen Mengen in Kupfer lösen. Derartige
metallische Aktivelemente sind dann beispielsweise Al, Cr, Zr, Hf, Ta, Fe, Ge, Ti, Mg,
Be, Ca und Ag.
Diese Aktivelemente sind beispielsweise bezogen auf den Kupferanteil jeweils in einer
Größenordnung von etwa 0,1 bis 10 Gewichtsprozent, allerdings in Kombination nur
bis maximal 22 Gewichtsprozent enthalten.
Die Fig. 7 zeigt als weitere mögliche Ausführungsform der Erfindung ein Verfahren,
bei dem auf den durch Kompaktieren bzw. Pressen und Formen gebildeten
plattenförmigen Rohling 1' auf wenigstens eine Oberflächenseite, d. h. bei der
dargestellten Ausführungsform auf beide Oberflächenseiten jeweils eine Kupferfolie 5
aufgelegt und der so mit den Kupferfolien 5 versehene Rohling 1' anschließend
gesintert wird, um einen Sinterkörper 1a zu erhalten, der beidseitig mit jeweils einer
von einer Kupferfolie 5 gebildeten Metallisierung versehen ist. Die Verbindung
zwischen jeder Kupferfolie 5 und dem Sinterkörper 1a wird dadurch erreicht, daß in
der Matrix dieses Sinterkörpers in einem genügenden Anteil Kupfer vorhanden ist, das
mit dem Kupfer der jeweiligen Kupferfolie 5 eine feste Verbindung eingeht.
Die Fig. 8 zeigt in Teildarstellung eine weitere Möglichkeit des erfindungsgemäßen
Verfahrens. Bei diesem Verfahren wird auf dem Rohling 1' vor dem Sintern ein Substrat
6 aufgelegt, welches aus einer Keramikschicht 7, beispielsweise aus einer Schicht einer
Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitrid-Keramik besteht und welches beidseitig mit
einer Metallschicht 8, beispielsweise einer Kupferschicht versehen ist. Die beiden
Metallschichten 8 sind beispielsweise von Kupferfolien gebildet, die unter
Verwendung des bekannten DCB-Verfahrens oder des bekannten Aktiv-Löt-Verfahrens
auf die Keramikschicht 7 (Aluminiumoxid- oder Keramik oder Aluminiumnitrid-
Keramik) aufgebracht sind.
Beim Sintern, vorzugsweise beim Sintern unter Druck (zweiseitiger Flächendruck oder
isostatischer Druck) wird ein Sinterkörper 1b erhalten, der an einer Oberflächenseite
mit der unteren Metallschicht 8 des Substrates 6 fest verbunden ist.
Bei dieser Ausführung bildet der Sinterkörper 1b z. B. eine mechanische Trag- und/oder
Kühlplatte, die mit dem Metall-Keramik-Substrat 6 verbunden ist. Letzteres kann dann
an der Metallisierung 8 an der im Sinterkörper 1b abgewandten Metallisierung 8 zur
Bildung von Leiterbahnen, Kontaktflächen usw. strukturiert und mit elektrischen
Bauelementen (Leistungsbauelementen) bestückt werden.
Die Verbindung zwischen dem Sinterkörper 1b und der benachbarten Metallisierung 8
des Keramik-Metall-Substrates 6 erfolgt wiederum durch Reaktion des Metalls der
Metallisierung 8 mit dem Kupfer des Rohlings 1'.
Die Fig. 9 zeigt schließlich eine Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum
Herstellen des Sinterkörpers 1c, der an einer Oberflächenseite mit einem
Keramiksubstrat 9 versehen ist, welche aus der Keramikschicht 7 besteht, aber nur an
der dem Sinterkörper 1c abgewandten Oberflächenseite die Metallisierung 8 aufweist.
Die Keramikschicht 7 ist direkt mit dem Sinterkörper 1c verbunden. Zur Herstellung
dieses Sinterkörpers wird zunächst ein Rohling 1' gefertigt, und zwar nach einem der
vorstehend beschriebenen Verfahren, wobei allerdings der Matrix aus Siliziumcarbid,
Kupfer sowie ggf. weiteren Bestandteilen ein metallisches Element zugegeben wird,
welches direkt mit der Keramik der Keramikschicht 7 reagiert, beispielsweise Ti, Zr,
Hf. Vor dem Sinterprozeß wird das Substrat 9 mit der Keramikschicht 7 auf den
Rohling 1' aufgelegt, wobei dann das Sintern entweder drucklos oder unter Druck
erfolgt.
Die Herstellung des Rohlings 1' erfolgt bei den Verfahren nach den Fig. 7-9
beispielsweise in gleicher Weise, wie bei den vorstehend beschriebenen Verfahren.
Die Erfindung wurde voranstehend an verschiedenen Ausführungsformen beschrieben.
Es versteht sich aber, daß die Erfindung nicht allein auf diese beispielhaft
beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist, sie vielmehr alle vom Umfang der
Patentansprüche umfaßten Abwandlungen einschließt. Insbesondere können auch
verschiedene, mit Bezug auf eine Ausführungsform beschriebene Merkmale mit
Merkmalen kombiniert werden, die mit Bezug auf eine andere Ausführungsform
beschrieben wurden, ohne daß dadurch vom Umfang der Erfindung abgewichen wird.
1
,
1
a,
1
b,
1
c Sinterkörper, beispielsweise plattenförmiger Sinterkörper
1
' Rohling oder Pressling
2
Siliziumcarbid-Partikel
3
Kupferbeschichtung
4
Nickelbeschichtung
5
Kupferfolie
6
Metall-Keramik-Substrat
7
Keramikschicht
8
Metallisierung
9
Metall-Keramik-Substrat
Claims (22)
1. Verfahren zum Herstellen eines Sinterkörpers aus Siliziumcarbid, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Siliziumcarbid in Pulver- oder Partikelform sowie Kupfer
enthaltendes Sintermaterial kompaktiert und bei einer Temperatur im Bereich
zwischen 700 bis 1800°C gesintert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Sintermaterial
zusätzlich zu Kupfer noch weitere Metalle enthält, insbesondere solche Metalle, die
Silizide oder Carbide bilden und sich in Kupfer lösen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Sintermaterial
zusätzlich zu Kupfer noch wenigstens ein weiteres Metall aus der Gruppe Al, Cr, Zr,
Hf, Ta, Ag, Ge, Ti, Mg, Be, Fe, Ca enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Metall
bezogen auf das Kupfer in einer Konzentration von 0,1 bis 10 Gewichtsprozent
enthalten ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
weiteren Metalle in Kombination bis maximal zu einem Gesamtanteil von 22
Gewichtsprozent bezogen auf das Kupfer im Sintermaterial enthalten sind.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintermaterial Kupfer in Pulverform, beispielsweise unlegiert oder mit
wenigsten einem weiteren Metall legiert enthält.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ein
Sintermaterial, bei dem zumindest ein Teil des Siliziumcarbids von mit einem
Metall beschichteten Siliziumcarbid-Partikeln gebildet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumcarbid-
Partikel an ihrer Oberfläche mit einer Schicht (3, 4) versehen sind, die Kupfer-
und/oder wenigstens eines der weiteren Metalle enthält.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die
Verwendung eines Sintermaterials, bei dem bei wenigstens einem Teil des
Siliziumcarbids zwischen einer äußeren Kupfer und/oder ein weiteres Metall
enthaltenden Beschichtung eine als Diffusionsbariere wirkende Metallbeschichtung,
beispielsweise eine Nickel enthaltende Beschichtung vorgesehen ist.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die
Verwendung eines Sintermaterials, welches das Siliziumcarbid in einer
Partikelgröße zwischen 10 und 300 µm enthält.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet, durch die
Verwendung eines Sintermaterials, welches pulverförmiges Kupfer in einer
Partikelgröße zwischen etwa 10 und 50 µm enthält.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anteil an Siliziumcarbid so gewählt ist, daß der Sinterkörper 30 bis 80
Volumenprozent Siliziumcarbid enthält.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintermaterial unter Druck in einen dem Sinterkörper entsprechenden Preß-
oder Rohling geformt wird.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintern drucklos erfolgt.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintern unter Ausübung eines wenigstens zweiseitigen Flächendrucks auf
dem Preßling oder Rohling, beispielsweise eines Flächendrucks in der
Größenordnung von etwa 20 bis 2000 bar erfolgt.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Sintern unter isostatischen Bedingungen erfolgt, beispielsweise unter einem
Druck zwischen 20 und 2000 bar.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß mit dem Sinterkörper unter Einwirkung von Hitze wenigstens eine
beispielsweise von einer Folie (5, 8) gebildete Metallschicht verbunden wird, und
zwar durch Reagieren eines Metalls dieser Metallschicht mit dem Kupfer des
Sinterkörpers oder des Sintermaterials.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbinden während
des Sinterns erfolgt.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens
eine Metallschicht (5, 8) auf den Rohling vor dem Sintern aufgelegt wird.
20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die wenigstens eine Metallschicht Bestandteil eines Metall-Keramik-Substrates
(6) ist, welches beim Sintern auf dem Rohling oder Preßling (1') aufliegt und
vorzugsweise gegen diesen angepreßt wird.
21. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß während des Sinterns zumindest ein Element (7) aus Keramik, beispielsweise
eine Keramikschicht (7) mit dem Sinterkörper (1c) verbunden wird, und daß hierfür
das Sintermaterial wenigstens ein Metall enthält, welches mit der Keramik reagiert,
beispielsweise Ti, Zr, Hf.
22. Sinterkörper, gekennzeichnet durch seine Herstellung nach dem Verfahren nach
einem der vorhergehenden Ansprüche.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000147525 DE10047525B4 (de) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | Verfahren zum Herstellen eines Formkörpers unter Verwendung eines Ausgangsmaterials, welches Siliziumcarbid in Pulver- oder Partikelform sowie Kupfer enthält und so hergestellte Formkörper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2000147525 DE10047525B4 (de) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | Verfahren zum Herstellen eines Formkörpers unter Verwendung eines Ausgangsmaterials, welches Siliziumcarbid in Pulver- oder Partikelform sowie Kupfer enthält und so hergestellte Formkörper |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10047525A1 true DE10047525A1 (de) | 2002-04-18 |
DE10047525B4 DE10047525B4 (de) | 2005-06-30 |
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ID=7657591
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000147525 Expired - Fee Related DE10047525B4 (de) | 2000-09-22 | 2000-09-22 | Verfahren zum Herstellen eines Formkörpers unter Verwendung eines Ausgangsmaterials, welches Siliziumcarbid in Pulver- oder Partikelform sowie Kupfer enthält und so hergestellte Formkörper |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE10047525B4 (de) |
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---|---|---|---|---|
US3744120A (en) * | 1972-04-20 | 1973-07-10 | Gen Electric | Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic |
DE2319854C2 (de) * | 1972-04-20 | 1983-12-29 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum direkten Verbinden eines Metallteiles mit einem aus nichtmetallischem Material bestehenden Substraten |
US4775414A (en) * | 1986-06-26 | 1988-10-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Inorganic adhesive |
EP0987231A1 (de) * | 1998-09-14 | 2000-03-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Kompositwerkstoff auf Siliciumcarbidbasis und Herstellungsverfahren dafür |
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2000
- 2000-09-22 DE DE2000147525 patent/DE10047525B4/de not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|
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