DE10044226C2 - Magnetisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Magnetisches Bauelement und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Element, umfassend ein Substrat, das eine
Oberflächenrauhigkeit von kleiner als 5 nm und gesättigte Bindungen an den
Oberflächen aufweist, und einen mindestens auf einer Seite des Substrats aufge
brachten MPt3-Film mit zur Filmebene senkrechter magnetischer Anisotropie, wo
bei M aus einem Metall der 5. bis 9. Nebengruppe des Periodensystems, Nickel
oder Gadolinium ausgewählt ist, ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie die
Verwendung eines solchen Elements als magnetisches Bauelement, beispiels
weise als magnetischer Sensor oder magneto-optisches Speicherelement.
Als magnetische bzw. magneto-optische Speichermedien werden unter anderem
dünne, auf ein Substrat aufgebrachte Legierungsfilme eingesetzt. In einem sol
chen Fall werden an derartige Legierungsfilme Anforderungen wie insbesondere
eine senkrechte magnetische Anisotropie, d. h. die bevorzugte Magnetisierungs
richtung ist senkrecht zur Filmebene, mit 100% Remanenz, eine Curie-
Temperatur in einem Bereich von 100°C bis 500°C, eine geeignete Temperatur
abhängigkeit der Koerzitivfeldstärke zur Gewährleistung einer hohen Schreib-
/Lesestabilität und eine einfache Herstellung gestellt. Die Kristallitteilchen, die
derartige Filme aufbauen, sollen dabei eine kleine Korngröße aufweisen. Die
Korngröße solcher Kristallitteilchen liegt derzeit üblicherweise bei etwa 20 nm.
Eine Möglichkeit, Speichermedien mit höheren Speicherdichten zu entwickeln,
besteht u. a. darin, die Korngröße der Film-bildenden Kristallitteilchen zu verklei
nern, was zu einer Reduzierung der Bit-Speichergröße führen kann. Dies bewirkt
jedoch zwangsläufig Probleme hinsichtlich der thermischen Stabilität (superpara
magnetisches Limit) der gespeicherten Information und begrenzt die erreichbare
Speicherdichte. Materialien, welche eine größere magnetische Anisotropie auf
weisen, sollen jedoch bei einer kleineren Korngröße der Film-bildenden Kristallitteilchen
stabil bleiben.
Magnetische Speichermedien mit einer starken senkrechten Anisotropie besitzen
gegenüber herkömmlichen Speichermedien mit einer longitudinalen Anisotropie
entscheidende Vorteile, und zwar eine Stabilisierung der gespeicherten Informa
tion (bit) gegen Demagnetisierung und daher eine höhere Speicherdichte.
Derzeit werden als magnetische Speichermedien vorwiegend Materialien einge
setzt, die aus ternären Systemen, wie beispielsweise CoPtCr Legierungssyste
men, aufgebaut sind. Die Herstellung solcher Systeme erfordert jedoch aufwendi
ge und kostenintensive Verfahrensschritte, wie insbesondere die thermische Akti
vierung der einzelnen Legierungsbestandteile.
Auch bei binären Legierungssystemen werden gute magnetische bzw. magneto-
optische Eigenschaften gefunden. So beschreibt beispielsweise Appl. Phys. Lett.
69 (8), 1996, Seiten 1166 bis 1168, die strukturellen und magnetischen Eigen
schaften von FexPt1-x-Filmen, die eine große Kerr-Rotation zeigen. Auch im Stand
der Technik verfügbare Co-Pt-Legierungssysteme zeichnen sich beispielsweise
durch eine große Kerr-Rotation aus. Untersuchungen eines mittels Molekular
strahlepitaxie hergestellten CoPt3(111)-Legierungsfilms auf einer Pt(111)-
Keimschicht haben gezeigt, daß sich erst bei einer Aufdampftemperatur zwischen
550°C und 700°C eine langreichweitig chemisch geordnete fcc(111)-Phase (L12-
Phase) bildet, bei der alle Co-Atome die Ecken der Elementarzelle besetzen und
sich die Pt-Atome in den Flächenzentren befinden. Um diese geordnete Struktur
zu erhalten, muß demnach die Volumendiffusion durch thermische Aktivierung
stark erhöht werden, d. h. eine Temperatur von 550°C bis 700°C ist zwingend er
forderlich. Die derart hergestellten Filme zeigen allerdings eine longitudinale Ani
sotropie. Die für magnetische Anwendungen bevorzugte senkrechte Anisotropie
tritt aber nur bei Aufdampftemperaturen in einem Bereich von 200°C bis 400°C
auf. Diese Eigenschaft resultiert aus wachstumsinduzierten Prozessen
(Segregationstendenz).
Somit liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, magnetische Bau
elemente, wie z. B. magnetische Sensoren oder magneto-optische Speicherelemente,
bereitzustellen, die sich durch Abscheiden einer magnetischen Schicht auf
ein Substrat bei niedrigen Abscheidetemperaturen herstellen lassen, wobei sich
die magnetische Schicht bzw. der magnetische Film durch eine hohe senkrechte
magnetische Anisotropie auszeichnen soll und gleichzeitig die Korngröße der die
magnetische Schicht bildenden Kristallitteilchen weniger als 20 nm betragen soll.
Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen gekennzeichneten Ausfüh
rungsformen gelöst.
Insbesondere wird ein Element bzw. eine Einheit bereitgestellt, das bzw. die ein
Substrat, das eine Oberflächenrauhigkeit von kleiner als 5 nm und gesättigte Bin
dungen an den Oberflächen aufweist, und einen mindestens auf einer Seite des
Substrats aufgebrachten MPt3-Film mit zur Filmebene senkrechter magnetischer
Anisotropie umfasst, wobei M aus einem Metall der 5. bis 9. Nebengruppe des
Periodensystems, Nickel oder Gadolinium ausgewählt ist.
Die verwendeten Substrate zeichnen sich durch sogenannte
Van der Waals-Oberflächen aus und zeigen eine äußerst geringe Oberflächen
rauhigkeit von kleiner als 5 nm, beispielsweise im Bereich von 1 bis 5 nm, vor
zugsweise von kleiner als 2 nm, wie beispielsweise durch Rasterkraftmikroskopie
oder Rastertunnelmikroskopie gemessen. Die Substratoberflächen sind chemisch
passivierte Oberflächen und sind somit inert, d. h. es liegen keine freien kovalen
ten oder ionischen Bindungen an den Oberflächen vor. Aufgrund dieser spezifi
schen Oberflächenbeschaffenheit der erfindungsgemäß verwendeten Substrate
stellen sich sehr schwache Oberflächenbindungen zu Adatomen, d. h. an einer
Oberfläche adsorbierte Atome, ein, so daß diese im Gegenzug eine stark erhöhte
Oberflächenbeweglichkeit zeigen. Zudem wird infolge der schwachen Bindung zu
Adatomen ein stark "entnetzendes" Wachstumsverhalten ermöglicht, was zu ei
nem granularartigen Kristallwachstum führt (Volmer-Weber-Wachstumsmodus).
Dieser stark ausgeprägte Volmer-Weber-Wachstumsmodus bewirkt zwangsläufig
ein granularartiges Kristallitwachstum, was bei entsprechenden Bedingungen zu
einer Reduzierung der Korngröße führt, wodurch wiederum die Speicherdichte
erhöht werden kann.
Als Substratmaterial kann prinzipiell jedes Material eingesetzt werden, das die
vorstehend angeführten Oberflächenbeschaffenheiten zeigt, d. h. solange das
Substratmaterial eine hohe Oberflächengüte und eine schwache Bindung (Van
der Waals-Wechselwirkungen) zu Adatomen aufweist und damit im Vergleich zu
beispielsweise metallischen Substraten, wie z. B. Platin, eine höhere Oberflächen
diffusion von Adatomen ermöglicht.
In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Substrat
aus der Gruppe, bestehend aus Schichthalbleitern, Graphit oder Polymerfilmen,
ausgewählt. Als Schichthalbleiter können in vorteilhafter Weise insbesondere Mo
Se2, MoS2, ReSe2, ReS2, WSe2 oder WS2 verwendet werden. Bei der Verwen
dung derartiger Schichthalbleiter wird eine extrem hohe Oberflächendiffusion von
Adatomen festgestellt. Beispielsweise ist die Oberflächendiffusion bzw. -beweg
lichkeit von Cobalt und Platin, abgeschieden als Adatome auf einem WSe2-
Substrat bei Raumtemperatur, 100-fach größer als auf einem Pt(111)-Substrat.
Darüberhinaus ist es möglich, die vorstehend beschriebenen Schichthalbleiter in
hoher Qualität, einfach, großflächig und preisgünstig herzustellen, was wesentli
che Anforderungen für eine großtechnische Herstellung von solchen magneti
sches Bauelementen, wie z. B. magnetische Sensoren oder magneto-optische
Speicherelemente, sind.
Die als Substrat verwendeten Polymerfilme unterliegen keinerlei Beschränkung
hinsichtlich des Polymermaterials, so lange die vorstehenden Anforderungen an
die Oberflächenbeschaffenheit erfüllt sind. Vorzugsweise werden als Polymer
filmmaterial Polyolefine verwendet, die befähigt sind, derartige Van der Waals-
Oberflächen aufzuweisen und sich durch die erfindungsgemäß gekennzeichnete
Oberflächenrauhigkeit auszuzeichnen. Beispielsweise können derartige Polyolefi
ne Polystyrol, Polyethylen, Polypropylen, Poly(meth)acrylsäure oder teilweise oder
vollständig fluorierte Polyolefine, wie z. B. Teflon®, sein. Derartige Polymerfilme
mit den vorstehend beschriebenen Oberflächeneigenschaften sind beispielsweise
durch Spin-coating-Verfahren auf z. B. Siliziumsubstraten oder Glassubstraten er
hältlich.
In einer bevorzugten Ausführungsform des Elements ist das
Metall M in dem MPt3-Film aus Cobalt, Chrom, Gadolinium, Eisen, Nickel, Mangan
oder Vanadium, mehr bevorzugt aus Cobalt, ausgewählt. In einer besonders be
vorzugten Ausführungsform ist der MPt3-Film ein granularartiger Film, der aus ein
kristallinen fcc-CoPt3-Körnern aufgebaut ist, die keine chemische Ordnung auf
weisen.
Die den MPt3-Film bildenden Kristallitteilchen des erfindungsgemäßen Elements
weisen vorzugsweise eine Korngröße in einem Bereich von 2 bis 20 nm, mehr
bevorzugt von 2 bis 8 nm, auf. Die Dicke des auf dem Substrat aufgebrachten
MPt3-Films kann in Abhängigkeit von der Anzahl der abgeschiedenen Adatomla
gen beispielsweise 2 nm bis 200 nm betragen. Das erfindungsgemäße Substrat
unterliegt hinsichtlich der Dicke keinerlei Beschränkung. Beispielsweise kann die
Dicke des erfindungsgemäß verwendeten Substrats 2 nm bis 0,1 mm betragen.
Dabei kann das erfindungsgemäß verwendete Substrat selbst wiederum als
Dünnfilm bzw. dünne Schicht auf einem Träger bzw. Trägersubstrat, wie z. B. Glas
oder ITO, abgeschieden sein.
Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines
Verfahrens zur Herstellung eines solchen Elements, umfassend die Schritte:
- a) Bereitstellen eines vorstehend definierten Substrats in einer Abscheideanla ge und
- b) gleichzeitiges Abscheiden von Pt und einem Metall M, ausgewählt aus der 5. bis 9. Nebengruppe des Periodensystems, Nickel oder Gadolinium, mit einer Abscheiderate in einem Bereich von 0,001 bis 5 nm/s, vorzugsweise 0,001 bis 0,2 nm/s, wobei die Abscheidetemperatur in einem Bereich von 0°C bis 700°C, vorzugsweise 0°C bis 200°C, mehr bevorzugt 20°C bis 200°C, liegt, unter Bildung eines MPt3-Films auf dem Substrat.
Unter Abscheidetemperatur wird dabei die Temperatur des verwendeten
Substrats verstanden. Die Abscheideraten können beispielsweise mittels eines in
der Abscheideanlage angeordneten Schwingquarzes und eines Massenspektro
meters separat eingestellt werden. Vorzugsweise erfolgt das Abscheiden von Pla
tin und dem Metall M mittels Molekularstrahlepitaxie oder Sputtertechnik, jedoch
ist auch ein Abscheiden mittels CVD- oder MOCVD-Verfahren denkbar. In einer
bevorzugten Ausführungsform wird im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfah
rens als Abscheideanlage eine Vakuumkammer mit einem Basisdruck im Bereich
von 10-4 Pa bis 10-9 Pa, vorzugsweise 10-6 Pa bis 10-8 Pa, verwendet. In einer
weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wer
den Pt und das Metall M mittels Elektronenstrahlverdampfern aufgeheizt und ver
dampft. Bei dem Elektronenstrahlverdampfungsverfahren wird ein Hochleistungs-
Elektronenstrahl auf eine Festkörperoberfläche des aufzudampfenden bzw. abzu
scheidenden Materials gerichtet. Diese Vorgehensweise ist dahingehend vorteil
haft, daß auch hochschmelzende Materialien abgeschieden werden können.
Überraschenderweise können mittels des Verfahrens durch
die spezifische Verwendung der vorstehend beschriebenen Substrate, die infolge
derartiger Van der Waals-Oberflächen eine schwache Bindung zu Adatomen auf
weisen und somit eine stark erhöhte Oberflächenbeweglichkeit der Adatome er
möglichen, bereits bei geringen Abscheidetemperaturen, wie z. B. Raumtempera
tur, magnetische MPt3-Filme bzw. Schichten erhalten werden, die sich durch eine
hohe senkrechte magnetische Anisotropie auszeichnen, wobei gleichzeitig aber
die Korngröße der die magnetische Schicht bildenden Kristallitteilchen weniger als
20 nm beträgt, was für die Erhöhung der Speicherdichte im Rahmen einer An
wendung beispielsweise als magnetischer Sensor oder magneto-optisches Spei
cherelement günstig ist. Beispielsweise ist es möglich, auf WSe2(0001) schon bei
Raumtemperatur als Abscheidetemperatur bzw. Aufdampftemperatur einen gra
nularartigen CoPt3(111)-Film in einer fcc-Phase und mit zur Filmebene senkrech
ter magnetischer Anisotropie zu erhalten.
Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Verwendung des er
findungsgemäßen Elements als magnetisches Bauelement, beispielsweise als
magnetischer Sensor oder magneto-optisches Speicherelement.
Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung näher
erläutert.
Zur Materialdeposition bzw. -abscheidung auf ein WSe2-Substrat wurde eine Molekularstrahlepitaxie-Apparatur
bei einem Basisdruck von 10-8 Pa verwendet, wo
bei Co und Pt mittels Elektronenstrahlverdampfern aufgeheizt und verdampft wur
den. Das Substrat befand sich etwa 0,5 m oberhalb der Co- und Pt-
Verdampfungsquellen und konnte durch ein in dem Substrathalter angebrachtes
Heizfilament auf die entsprechende Abscheidetemperatur eingestellt werden. Das
Abscheiden bzw. Aufdampfen des CoPt3(111)-Films auf das WSe2(0001)-Substrat
erfolgte bei Raumtemperatur als Abscheidetemperatur und einer Abscheiderate
von 0,01 nm/s. Es wurde ein granularartiger CoPt3(111)-Film, welcher eine einkri
stalline fcc-Phase aufwies, erhalten. Diese Phase bleibt bis zu einer Temperatur
von 700°C erhalten. Es wurden in analoger Weise weitere erfindungsgemäße
Elemente hergestellt, wobei die Abscheidetemperaturen in einem Bereich von
20°C bis 200°C lagen.
Die derart auf ein WSe2(0001)-Substrat aufgedampften CoPt3(111)-Filme wiesen
eine starke zur Filmebene senkrechte magnetische Anisotropie, eine Curie-
Temperatur von etwa 200°C, eine Koerzitivfeldstärke von 200-2000 Oe und
100% Remanenz auf.
Im Anfangsstadium des Kristallitwachstums von CoPt3 auf WSe2 wurde eine
wohldefinierte Größenverteilung von Kristalliten, die einkristallin vorliegen und eine
typische Korngröße von etwa 3 nm aufweisen, festgestellt. Die Kristallite wachsen
mit zunehmender Filmdicke und bilden eine granularartige Filmstruktur. Die Korn
größe dieser Kristallite liegt für 5 nm dicke CoPt3-Filme, die bei Raumtemperatur
(20°C) aufgedampft wurden, zwischen 5 und 10 nm, was für hohe Speicherdich
ten günstig ist.
Claims (14)
1. Element, umfassend ein Substrat, das eine Oberflächenrauhigkeit von
kleiner als 5 nm und gesättigte Bindungen an den Oberflächen aufweist,
und einen mindestens auf einer Seite des Substrats aufgebrachten MPt3-
Film mit zur Filmebene senkrechter magnetischer Anisotropie, wobei M
aus einem Metall der 5. bis 9. Nebengruppe des Periodensystems, Nickel
oder Gadolinium ausgewählt ist.
2. Element nach Anspruch 1, wobei das Substrat aus der Gruppe, beste
hend aus Schichthalbleitern, Graphit und Polymerfilmen, ausgewählt ist.
3. Element nach Anspruch 2, wobei der Schichthalbleiter aus der Gruppe,
bestehend aus MoSe2, MoS2, ReSe2, ReS2, WSe2 und WS2, ausgewählt
ist.
4. Element nach Anspruch 2, wobei der Polymerfilm aus einem Polyolefin,
ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Polystyrol, Polyethylen, Poly
propylen, Poly(meth)acrylsäure und teilweise oder vollständig fluorierten
Polyolefinen, aufgebaut ist.
5. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei M aus Cobalt, Chrom,
Gadolinium, Mangan, Eisen, Nickel oder Vanadium ausgewählt ist.
6. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die den MPt3-Film bil
denden Kristallitteilchen eine Korngröße in einem Bereich von 2 bis 20 nm
aufweisen.
7. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der MPt3-Film eine
Dicke in einem Bereich von 2 nm bis 200 nm aufweist.
8. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Substrat eine Dic
ke in einem Bereich von 2 nm bis 0,1 mm aufweist.
9. Element nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der MPt3-Film ein gra
nularartiger Film ist, der aus einkristallinen fcc-CoPt3-Körnern aufgebaut
ist.
10. Verfahren zur Herstellung eines Elements nach einem der Ansprüche 1
bis 9, umfassend die Schritte:
- a) Bereitstellen des Substrats in einer Abscheideanlage und
- b) gleichzeitiges Abscheiden von Pt und einem Metall M, ausgewählt aus einem Metall der 5. bis 9. Nebengruppe des Periodensystems, Nickel oder Gadolinium, mit einer Abscheiderate in einem Bereich von 0,001 bis 5 nm/s, wobei die Abscheidetemperatur in einem Be reich von 0°C bis 700°C liegt, unter Bildung eines MPt3-Films auf dem Substrat.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Abscheiden mittels Molekular
strahlepitaxie oder Sputtertechnik erfolgt.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei als Abscheideanlage eine
Vakuumkammer mit einem Basisdruck im Bereich von 10-4 Pa bis 10-9 Pa
verwendet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei Pt und das Metall
M mittels Elektronenstrahlverdampfern aufgeheizt und verdampft werden.
14. Verwendung des Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 9 als magne
tisches Bauelement, insbesondere als magnetischer Sensor oder ma
gneto-optisches Speicherelement.
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