DE10004599C2 - Vorrichtung zum Entwerfen von integrierten Halbleiterschaltungen und Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe - Google Patents
Vorrichtung zum Entwerfen von integrierten Halbleiterschaltungen und Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbeInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Entwerfen
integrierter Halbleiterschaltungen und betrifft insbesondere eine Vorrichtung zum
Entwerfen integrierter Halbleiterschaltungen, die die Verdrahtungskapazität beliebig
einstellen kann, die in einer integrierten Halbleiterschaltung enthalten ist, und ein
Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe.
Für den Transistorlayout- und -verdrahtungsprozeß beim Entwerfen
einer integrierten Halbleiterschaltung werden die Daten, die die
Transistorabmessungen, die Verdrahtungsbreite, die Kontaktgröße und andere
Faktoren eines gemäß dem Entwurfsstandard der zu entwerfenden integrierten
Halbleiterschaltung bestimmten Layouts darstellen (die hierin nachfolgend Layout-
Daten genannt werden), zuerst zum Entwerfen einer Struktur der
Transistorschaltung verwendet, und dann zum Ausführen eines Verdrahtens (von
Drahtverbindungen) entsprechend den anwendbaren Transistoren. Auf ein
Beenden einer Verdrahtung hin wird die Verdrahtungslast, die an der
Ausgangsseite jedes Transistors angeschlossen ist, bestimmt. Die
Verdrahtungslast kann, wie es beispielsweise im japanischen Patentblatt Nr.
2800881 oder der entsprechenden DE 196 30 927 A1, auf welcher der Oberbegriff
der Ansprüche 1 und 3 basiert, offenbart ist, durch Behandeln des Bereichs für
ein Transistorlayout und eine Transistorverdrahtung in der integrierten
Halbleiterschaltung (der hierin nachfolgend Layoutbereich genannt wird) als
dreidimensionaler Bereich genau bestimmt werden.
Ein nächster Prozeß besteht im Prüfen, ob die Verdrahtungskapazität
der Betriebs-Verzögerungszeit genügt, die für die Transistoren gemäß der
bestimmten Verdrahtungslast gewünscht ist. Wenn bei diesem Prüfprozeß
gefunden wird, daß die Verdrahtungskapazität der gewünschten Betriebs-
Verzögerungszeit genügt, sind die anwendbaren Layout- und
Verdrahtungsprozesse beendet.
Wenn andererseits gefunden wird, daß die Verdrahtungskapazität für die
gewünschte Betriebs-Verzögerungszeit unzureichend ist, wird das Verfahren ab
dem Transistorlayout oder ab der Verdrahtung nach einem Transistorlayout erneut
begonnen. Es ist nötig, das Layout und die Verdrahtung zu wiederholen, bis die
Verdrahtungskapazität der gewünschten Betriebs-Verzögerungszeit genügt.
Die für die gewünschte Betriebs-Verzögerungszeit zufriedenstellende
Verdrahtungskapazität kann vielleicht nicht erhalten werden, wenn die
Verdrahtungskapazität zu klein oder zu groß ist. Bei den gegenwärtig
bemerkenswert feinen Prozessen nach einer Einführung der tiefen Submikron-
Technologie ist eine parasitäre Verdrahtungskapazität zwischen
Verdrahtungsverbindungen stark gestiegen. Aus diesem Grund wird in den meisten
Fällen, in welchen die für die gewünschte Betriebs-Verzögerungszeit
zufriedenstellende Verdrahtungskapazität nicht erhalten werden kann, dies durch
eine zu große Verdrahtungskapazität verursacht.
Ein Wiederholen von Layout- und Verdrahtungsprozessen, wie es oben
beschrieben ist, führt zu einer längeren Entwicklungsperiode und ist für die
integrierte Halbleiterschaltung nicht günstig, und zwar insbesondere für die ASIC,
die einen auf einer Zelle basierenden IC enthält, für welche eine
Entwicklungsperiodenverkürzung erforderlich ist.
Ebenso kann bei der integrierten Halbleiterschaltung im allgemeinen
irgendein Signalverdrahtungs-Schräglauf im Transistor oder ein
Takttreibersignalverdrahtungs-Schräglauf im besonderen einen signifikanten Defekt
in bezug auf die Betriebs-Verzögerungszeit verursachen. Es ist jedoch sehr
schwierig, einen solchen Signalverdrahtungs-Schräglauf bei den Layout- und
Verdrahtungsprozessen gemäß den herkömmlichen Transistorlayout/-ver
drahtungs-Verfahren für die integrierte Halbleiterschaltung zu eliminieren.
Wie es oben beschrieben ist, ist es dann, wenn die Betriebszeit der
Transistoren, die durch ein solches Verfahren in bezug auf die Struktur entworfen
und verdrahtet sind, der gewünschten Betriebs-Verzögerungszeit nicht genügt,
gemäß dem herkömmlichen Transistorlayout/-verdrahtungs-Verfahren für die
integrierte Halbleiterschaltung nötig, zu dem Transistorlayout- oder
-verdrahtungsprozeß zurückzugehen und das Verfahren zu wiederholen, bis der
gewünschten Betriebs-Verzögerungszeit genügt wird. Dies verlängert die Zeit, die
für Layout- und Verdrahtungsprozesse erforderlich ist, und resultiert in einer
längeren Entwicklungs- oder Entwurfsperiode für die integrierte Halbleiterschaltung.
Wenn die Verdrahtungskapazität, die der Betriebs-Verzögerungszeit
genügt, durch das herkömmliche Layout/Verdrahtungs-Verfahren nicht erhalten
werden kann, kann irgendein Signalverzögerungs-Schräglauf im Transistor oder
insbesondere ein Takttreibersignalverzögerungs-Schräglauf in einem signifikanten
Defekt in bezug auf die Betriebs-Verzögerungszeit für die integrierte
Halbleiterschaltung resultieren.
Weiterhin ist es bei den wiederholten Layout- und
Verdrahtungsprozessen gemäß dem herkömmlichen Layout/Verdrahtungs-
Verfahren schwierig, eine Verdrahtung mit einem Separieren anderer Signaldrähte
in der Nähe zur Reduzierung der Verdrahtungskapazität nur aus den
Drahtverbindungen auszuführen, bei denen die Verdrahtungskapazität für die
gewünschte Betriebs-Verzögerungszeit ungenügend ist. Aufgrund einer immer
höheren Integration bei der integrierten Halbleiterschaltung in letzter Zeit kann der
Entwurfsentwickler bzw. Designer in Abhängigkeit von dem Layoutzustand von
Transistoren, Signaldrähten, Leistungsversorgungsleitungen und Erdungsleitungen,
die andere als die anwendbare Signal-Drahtverbindung sind keinen Raum
garantieren, wo die in Frage stehende Drahtverbindung erreicht werden kann.
Ergänzend wird noch auf die Druckschriften US-A-5,452,224, US-A-
5,761,076 und DE 199 00 980 C1 (Stand der Technik gemäß § 3, Absatz 2, Nr. 1)
verwiesen, die grundsätzlich ähnliche Verfahren bzw. Vorrichtungen zum Entwerfen
integrierter Halbleiterschaltungen, wie oben beschrieben, offenbaren.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zum
Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung zu schaffen, die die obigen
herkömmlichen Nachteile durch Implementieren der Drahtverbindungen mit einem
Berechnen und einem Prüfen der gesamten Verdrahtungskapazität löst, so daß sie
die Gesamtverdrahtungskapazität erreichen kann, die nicht über die beliebig
bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität hinausgeht, und ein
Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe zu schaffen, sowie ein
Speichermedium zu schaffen, das das Verdrahtungssteuerungsprogramm
speichert.
Gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung weist eine Vorrichtung zum
Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung, die Transistorlayout- und
-verdrahtungsprozesse in der Entwurfsphase der integrierten Halbleiterschaltung
ausführt, folgendes auf:
eine Einstelleinrichtung für einen dreidimensionalen Bereich zum derartigen Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs für jede Drahtverbindung, daß die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung implementiert ist,
eine Prioritäts-Bestimmungseinrichtung zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung,
eine Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung,
eine Verdrahtungs-Implementierungseinrichtung zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch die Einstelleinrichtung für einen dreidimensionalen Bereich eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch die Prioritäts-Bestimmungseinrichtung bestimmten Priorität, und
eine Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung, die jedesmal dann, wenn die Verdrahtungs-Implementierungseinrichtung den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet, das Ergebnis der Verdrahtung bewertet,
wobei gemäß der vorliegenden Erfindung die Einstelleinrichtung für einen dreidimensionalen Bereich den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist, und
die Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung beurteilt, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, die Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen berechnet, die im dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, wenn die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden, jede Drahtverbindung prüft, ob sie gemäß den Berechnungsergebnissen eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und eine Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einem Fall verbietet, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
eine Einstelleinrichtung für einen dreidimensionalen Bereich zum derartigen Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs für jede Drahtverbindung, daß die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung implementiert ist,
eine Prioritäts-Bestimmungseinrichtung zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung,
eine Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung,
eine Verdrahtungs-Implementierungseinrichtung zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch die Einstelleinrichtung für einen dreidimensionalen Bereich eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch die Prioritäts-Bestimmungseinrichtung bestimmten Priorität, und
eine Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung, die jedesmal dann, wenn die Verdrahtungs-Implementierungseinrichtung den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet, das Ergebnis der Verdrahtung bewertet,
wobei gemäß der vorliegenden Erfindung die Einstelleinrichtung für einen dreidimensionalen Bereich den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist, und
die Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung beurteilt, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, die Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen berechnet, die im dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, wenn die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden, jede Drahtverbindung prüft, ob sie gemäß den Berechnungsergebnissen eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und eine Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einem Fall verbietet, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
Bei einem bevorzugten Aufbau bestimmen die Prioritäts-
Bestimmungseinrichtung und die Gesamtverdrahtungskapazitäts-
Bestimmungseinrichtung die Priorität und die Gesamtverdrahtungskapazität für alle
Drahtverbindungen oder insbesondere für bestimmte Drahtverbindungen mit einer
beschränkten Gesamtverdrahtungskapazität in der zu entwerfenden integrierten
Halbleiterschaltung.
Gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung weist ein
Verdrahtungssteuerungsverfahren durch die Vorrichtung zum Entwerfen einer
integrierten Halbleiterschaltung für Transistorlayout- und -verdrahtungsprozesse in
der Entwurfsphase der integrierten Halbleiterschaltung die folgenden Schritte auf:
ein Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs für die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung für jede Drahtverbindung,
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung,
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung,
einen Schritt zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch den Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch den Prioritäts-Bestimmungsschritt bestimmten Priorität, und
einen Schritt zum Bewerten des Ergebnisses der Verdrahtung jedesmal dann, wenn der Verdrahtungs-Implementierungsschritt den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet,
wobei gemäß der vorliegenden Erfindung der Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert wird, und
der Bewertungsschritt weiterhin folgendes enthält:
einen Schritt zum Beurteilen, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist,
einen Schritt zum Berechnen der Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen, die im dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, in einem Fall, in welchem die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden,
einen Schritt zum Prüfen jeder Drahtverbindung, ob sie gemäß dem Berechnungsergebnis eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und
einen Schritt zum Verbieten einer Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einen Fall, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
ein Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs für die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung für jede Drahtverbindung,
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung,
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung,
einen Schritt zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch den Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch den Prioritäts-Bestimmungsschritt bestimmten Priorität, und
einen Schritt zum Bewerten des Ergebnisses der Verdrahtung jedesmal dann, wenn der Verdrahtungs-Implementierungsschritt den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet,
wobei gemäß der vorliegenden Erfindung der Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert wird, und
der Bewertungsschritt weiterhin folgendes enthält:
einen Schritt zum Beurteilen, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist,
einen Schritt zum Berechnen der Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen, die im dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, in einem Fall, in welchem die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden,
einen Schritt zum Prüfen jeder Drahtverbindung, ob sie gemäß dem Berechnungsergebnis eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und
einen Schritt zum Verbieten einer Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einen Fall, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
Bei einem bevorzugten Aufbau bestimmen der Prioritäts-
Bestimmungsschritt und der Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsschritt
die Priorität und die Gesamtverdrahtungskapazität für alle Drahtverbindungen oder
insbesondere für bestimmte Drahtverbindungen mit einer beschränkten
Gesamtverdrahtungskapazität in der zu entwerfenden integrierten
Halbleiterschaltung.
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden aus der detaillierten Beschreibung klar, die hierin nachfolgend angegeben
ist.
Die vorliegende Erfindung wird vollständiger aus der detaillierten
Beschreibung verstanden, die hierin nachfolgend angegeben ist, und aus den
beigefügten Zeichnungen des bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung, die
jedoch nicht als beschränkend für die Erfindung angenommen werden sollten,
sondern nur zur Erklärung und zum Verstehen dienen.
Bei den Zeichnungen ist:
Fig. 1 ein Blockdiagramm zum Darstellen der Konfiguration einer
Vorrichtung zum Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung
gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ein Ablaufdiagramm, das die Operation dieses
Ausführungsbeispiels darstellt;
Fig. 3 ein Konzeptdiagramm, das das Verfahren zum Erzeugen der
Verdrahtungs-Verbietungsinformationen gemäß diesem
Ausführungsbeispiel darstellt, und ein Diagramm, das einen
dreidimensionalen Bereich zeigt, der Verdrahtungsgitter enthält;
Fig. 4 ein Diagramm, das den Zustand darstellt, wo die
Verdrahtungsverbindung mit der höchsten Priorität im
dreidimensionalen Bereich der Fig. 3 implementiert ist; und
Fig. 5 ein Diagramm, das den Zustand darstellt, wo weiterhin eine
andere Drahtverbindung im dreidimensionalen Bereich der Fig. 4
implementiert ist.
Hierin nachfolgend wird das bevorzugte Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen diskutiert. In der folgenden Beschreibung sind zahlreiche spezifische
Details vorgestellt, um ein genaues Verstehen der vorliegenden Erfindung zu
unterstützen. Fachleuten auf dem Gebiet wird jedoch klar werden, daß die
vorliegende Erfindung ohne diese spezifischen Details ausgeführt werden kann.
Andererseits sind wohlbekannte Strukturen nicht detailliert gezeigt, damit die
vorliegende Erfindung nicht unnötig unklar wird.
Fig. 1 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau einer Vorrichtung zum
Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung darstellt. In der Figur weist eine Vorrichtung 10 zum
Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung gemäß diesem
Ausführungsbeispiel einen ersten Layoutdaten-Speicherabschnitt 11 zum
Speichern der Layoutdaten einer zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung
auf, für welche das Transistorlayout fertiggestellt worden ist, einen Einstellabschnitt
12 für einen dreidimensionalen Bereich, um die Bedingungen für eine Verdrahtung
für die zu entwerfende integrierte Halbleiterschaltung zu bestimmen, einen
Prioritäts-Bestimmungsabschnitt 13 und einen Gesamtverdrahtungskapazitäts-
Bestimmungsabschnitt 14, einen Layout-Implementierungsabschnitt 15 zum
Implementieren des Verdrahtungsprozesses gemäß den vorbestimmten
Verdrahtungsbedingungen, einen Layout-Bewertungsabschnitt 16 zum Bewerten
des Ergebnisses einer Verdrahtung durch den Layout-Implementierungsabschnitt
15 und einen zweiten Layoutdaten-Speicherabschnitt 17 zum Speichern der
Layoutdaten, wenn die Verdrahtungsprozesse beendet sind. Es ist zu beachten,
daß Fig. 1 nur die bei diesem Ausführungsbeispiel charakteristische Konfiguration
zeigt und andere allgemeine Konfigurationen wegläßt.
Die Vorrichtung 10 zum Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung
gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird beispielsweise mit einem
Personalcomputer, einer Workstation oder anderen Computersystemen realisiert,
und der Einstellabschnitt 12 für einen dreidimensionalen Bereich, der Prioritäts-Be
stimmungsabschnitt 13, der Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsabschnitt
14, der Layout-Implementierungsabschnitt 15 und der Layout-Bewertungsabschnitt
16 werden durch eine CPU, einen RAM und/oder andere interne Speicher erreicht,
die durch das Computerprogramm gesteuert werden. Der erste und der zweite
Layoutdaten-Speicherabschnitt 11 und 17 werden durch einen RAM oder andere
interne Speicher und eine Magnetplattenvorrichtung oder andere externe
Speicherebenen bzw. -schichten realisiert. Das Computerprogramm zum Steuern
der CPU ist zuvor in einer Magnetplatte, einer magnetooptischen Platte, einem
Halbleiterspeicher oder einem anderen allgemeinen Speichermedium 30
gespeichert, so daß es zum internen Speicher des Computersystems geladen wird,
um die CPU zu steuern und dadurch die Funktionen der Einzelelemente
auszuführen.
Der erste Layoutdaten-Speicherabschnitt 11 speichert die Layoutdaten,
wobei das Transistorlayout für die zu entwerfende integrierte Halbleiterschaltung
bereits fertiggestellt worden ist. Solche Layoutdaten können durch verschiedene
herkömmlich verwendete Verfahren vorbereitet werden.
Der Einstellabschnitt 12 für einen dreidimensionalen Bereich stellt
dreidimensionale Bereiche für eine Verdrahtung in der zu entwerfenden integrierten
Halbleiterschaltung ein. Der anwendbare dreidimensionale Bereich ist für jede
Drahtverbindung in der integrierten Halbleiterschaltung so angeordnet, daß die
anwendbare Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen
Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist.
Der Prioritäts-Bestimmungsabschnitt 13 bestimmt die Priorität jeder
Drahtverbindung im Verdrahtungsprozeß. Somit werden die Verdrahtungsprozesse
in einer Reihenfolge gemäß der durch den Prioritäts-Bestimmungsabschnitt 13
bestimmten Priorität ausgeführt. Die Priorität kann durch den Anwender beliebig
bestimmt werden.
Der Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsabschnitt 14 bestimmt
die Gesamtverdrahtungskapazität für jede Drahtverbindung. Die
Gesamtverdrahtungskapazität pro Verdrahtung kann durch den Anwender beliebig
bestimmt werden. Die Gesamtverdrahtungskapazität jeder Drahtverbindung kann
mit einem einzelnen Wert pro Draht oder mit mehreren Werten, die einen
bestimmten Bereich (einen geeigneten Bereich) abdecken, eingestellt werden.
Die Verdrahtungspriorität und die Gesamtverdrahtungskapazität können
für alle Drahtverbindungen in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung
bestimmt werden, oder können für bestimmte Drahtverbindungen bestimmt werden,
für die die Gesamtverdrahtungskapazität besonders beschränkt ist.
Der Layout-Implementierungsabschnitt 15 führt Verdrahtungsprozesse
für die zu entwerfende integrierte Halbleiterschaltung gemäß den durch den
Prioritäts-Bestimmungsabschnitt 13 bestimmten Prioritäten aus. Der
Verdrahtungsprozeß wird für jeden durch den Einstellabschnitt 12 für einen
dreidimensionalen Bereich auf der integrierten Halbleiterschaltung eingestellten
dreidimensionalen Bereich ausgeführt. Der Layout-Implementierungsabschnitt 15
führt zuerst den Verdrahtungsprozeß für die Drahtverbindung mit der höchsten
Priorität aus. Dann führt er den Verdrahtungsprozeß von derjenigen mit der
höchsten Priorität unter den übrigen Drahtverbindungen aus. Jedesmal dann, wenn
der Verdrahtungsprozeß für einen dreidimensionalen Bereich beendet wird, geht
das Verfahren zu einer Bewertung durch den Layout-Bewertungsabschnitt 16.
Der Layout-Bewertungsabschnitt 16 bewertet die Eignung des
Verdrahtungsprozesses für den dreidimensionalen Bereich durch den Layout-
Implementierungsabschnitt 15. Insbesondere prüft er zuerst, ob die
Verdrahtungsverbindungen mit höheren Prioritäten als die anwendbare
Drahtverbindung für den dreidimensionalen Bereich bereits fertiggestellt worden
sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist.
Wenn irgendeine Drahtverbindung mit einer höheren Priorität als die
anwendbare Drahtverbindung im dreidimensionalen Bereich existiert, wird die
Gesamtverdrahtungskapazität für jede aller Drahtverbindungen berechnet, die im
anwendbaren dreidimensionalen Bereich existieren, d. h. für die anwendbare
Drahtverbindung und jede aller Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als der
anwendbaren Drahtverbindung, die bereits im anwendbaren dreidimensionalen
Bereich existiert. Dann prüft der Layout-Bewertungsabschnitt 16 für jede
Drahtverbindung, die die Gesamtverdrahtungskapazität haben würde, die die durch
den Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsabschnitt 14 bestimmte Größe
übersteigt, ob der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, gemäß den
Berechnungsergebnissen der Gesamtverdrahtungskapazität für jede
Drahtverbindung. Wenn eine solche Drahtverbindung gefunden wird, wird eine
Verdrahtung für den Abschnitt verboten, wo noch keine Verdrahtung im
dreidimensionalen Bereich implementiert worden ist, der die anwendbare
Drahtverbindung enthält, und die Verarbeitung wird zum Layout-
Implementierungsabschnitt 15 zurückgebracht.
Somit werden dann, wenn der Layout-Implementierungsabschnitt 15 die
Verdrahtungsprozesse für alle Drahtverbindungen in der integrierten
Halbleiterschaltung mit einer Bewertung durch den Layout-Bewertungsabschnitt 16
beendet, alle Drahtverbindungen so angeordnet, daß sie die durch den
Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsabschnitt 14 bestimmte Gesamtver
drahtungskapazität nicht übersteigen.
Der zweite Layoutdaten-Speicherabschnitt 17 speichert die Layoutdaten,
wobei alle Drahtverbindungen fertiggestellt sind, wie es oben beschrieben ist.
Als nächstes wird nachfolgend unter Bezugnahme auf das
Ablaufdiagramm der Fig. 2 die Operationsfolge dieses Ausführungsbeispiels
beschrieben. Als Anfangszustand speichert der erste Layoutdaten-
Speicherabschnitt 11 bereits die Layoutdaten der integrierten Halbleiterschaltung,
wobei das Transistorlayout fertiggestellt worden ist.
Gemäß Fig. 2 stellt der Einstellabschnitt 12 für einen dreidimensionalen
Bereich zuallererst den dreidimensionalen Bereich für eine Verdrahtung ein (Schritt
201), bestimmt der Prioritäts-Bestimmungsabschnitt 13 die Prioritäten der
Drahtverbindungen (Schritt 202) und bestimmt der Gesamtverdrahtungskapazitäts-
Bestimmungsabschnitt 14 die Gesamtverdrahtungskapazität für jede
Drahtverbindung (Schritt 203). Die Operationsfolgen vom Schritt 201 bis zum
Schritt 203 können einzeln durchgeführt werden und sie werden nicht
notwendigerweise in der obigen Reihenfolge ausgeführt.
Dann liest der Layout-Implementierungsabschnitt 15 die Layoutdaten
aus dem ersten Layoutdaten-Speicherabschnitt 11 aus und führt für die
Drahtverbindung mit der höchsten Priorität, wie sie durch den Prioritäts-
Bestimmungsabschnitt 13 bestimmt ist, den Verdrahtungsprozeß für jeden
dreidimensionalen Bereich aus, wie er durch den Einstellabschnitt 12 für einen
dreidimensionalen Bereich bestimmt ist (Schritt 204). An dieser Stelle ist jedoch nur
die anwendbare Drahtverbindung mit der höchsten Priorität implementiert worden,
und keine weiteren Drahtverbindungen sind bereits im vorbestimmten
dreidimensionalen Bereich implementiert worden. Daher werden alle
Verdrahtungsprozesse für die anwendbare Drahtverbindung ohne irgendeine
Bewertung durch den Layout-Bewertungsabschnitt 16 beendet.
Dann führt der Layout-Implementierungsabschnitt 15 den
Verdrahtungsprozeß für die Drahtverbindung mit der höchsten Priorität unter allen
Drahtverbindungen, die nicht fertiggestellt worden sind, nur in einem
dreidimensionalen Bereich aus (Schritt 205). Dem folgt eine Bewertung des
Verdrahtungsergebnisses durch den Layout-Bewertungsabschnitt 16.
Der Layout-Bewertungsabschnitt 16 prüft den dreidimensionalen
Bereich, wo der Verdrahtungsprozeß gerade fertiggestellt worden ist, um zu sehen,
ob bereits Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die anwendbare
Drahtverbindung implementiert worden sind (Schritt 206). Wenn er beurteilt, daß es
keine Drahtverbindung mit einer höheren Priorität als die anwendbare
Drahtverbindung gibt, geht die Verarbeitung zurück zum Schritt 205, so daß der
Layout-Implementierungsabschnitt 15 den Verdrahtungsprozeß für den nächsten
dreidimensionalen Bereich ausführt.
Wenn der Layout-Bewertungsabschnitt 16 andererseits beurteilt, daß es
eine Drahtverbindung mit einer höheren Priorität als die anwendbare
Drahtverbindung im anwendbaren dreidimensionalen Bereich gibt, dann berechnet
er die Gesamtverdrahtungskapazität für jede aller Drahtverbindungen, die im
anwendbaren dreidimensionalen Bereich existieren, d. h. für die anwendbare
Drahtverbindung und jede aller Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die
anwendbare Drahtverbindung, die bereits im anwendbaren dreidimensionalen
Bereich existiert (Schritt 207).
Dann prüft der Layout-Bewertungsabschnitt 16 gemäß den
Berechnungsergebnissen der Gesamtverdrahtungskapazität für die
Drahtverbindungen für jede Drahtverbindung, die eine
Gesamtverdrahtungskapazität über der durch den Gesamtverdrahtungskapazitäts-
Bestimmungsabschnitt 14 bestimmten Gesamtverdrahtungskapazität haben würde,
ob der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird (Schritt 208). Wenn keine solche
Drahtverbindung gefunden wird, wird die Verarbeitung ohne irgendein Ausführen
zum Layout-Implementierungsabschnitt 15 zurückgebracht.
Gegensätzlich dazu verbietet der Layout-Bewertungsabschnitt 16 dann,
wenn gefunden wird, daß eine Drahtverbindung die bestimmte
Gesamtverdrahtungskapazität nach einem fortgeführten Verdrahtungsprozeß
übersteigt, eine Verdrahtung für den Abschnitt, wo eine Drahtverbindung noch nicht
in allen dreidimensionalen Bereichen durchgeführt worden ist, die die anwendbare
Drahtverbindung enthalten, und dann wird die Verarbeitung zum Layout-
Implementierungsabschnitt 15 zurückgebracht (Schritt 209).
Dann prüft der Layout-Implementierungsabschnitt 15, ob die
Verdrahtungsprozesse für alle Drahtverbindungen beendet worden sind, und dann,
wenn es eine Drahtverbindung gibt, für welche ein Verdrahtungsprozeß nicht
beendet worden ist, geht er zurück zum Schritt 205, so daß der
Verdrahtungsprozeß für jeden der dreidimensionalen Bereiche in der Reihenfolge
der Priorität für die anwendbaren Drahtverbindungen ausgeführt wird, die noch
nicht beendet sind (Schritt 210).
Auf eine Beendigung von Verdrahtungsprozessen für alle
Drahtverbindungen hin werden die anwendbaren Layoutdaten mit fertiggestellten
Drahtverbindungen zum zweiten Layoutdaten-Speicherabschnitt 17 gespeichert,
und die Verarbeitung wird beendet (Schritt 211).
Dann wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 4 und 5 ein
Verfahren zum Erzeugen der Verdrahtungs-Verbietungsinformationen gemäß
diesem Ausführungsbeispiel (siehe Fig. 2 und Schritt 211) detailliert beschrieben.
Ein dreidimensionaler Bereich 101, wie er in den Fig. 3 bis 5 gezeigt ist,
ist einer der dreidimensionalen Bereiche, die durch den Einstellabschnitt 12 für
einen dreidimensionalen Bereich eingestellt sind. Wie es in der Figur gezeigt ist,
enthält der dreidimensionale Bereich 101 gitterbildende Gitterlinien, die aus Linien
bestehen, die von vorne nach hinten gezeichnet sind, und aus denjenigen, die von
links nach rechts gezogen sind, und zwar mit minimalen Verdrahtungsintervallen,
wie es in Fig. 3 gezeigt ist (die hierin nachfolgend Verdrahtungsgitter genannt
werden). Es soll angenommen werden, daß die Drahtverbindungen, die im
dreidimensionalen Bereich 101 existieren können, auf dem Verdrahtungsgitter
positioniert sind. Beim Beispiel der Fig. 3 enthält der dreidimensionale Bereich 101
zwei Ebenen von Verdrahtungsgittern.
In Fig. 4 sind den Verdrahtungsgittern in der Richtung von vorne nach
hinten der Fig. 3 unter den im dreidimensionalen Bereich 101 enthaltenen
Verdrahtungsgittern Zahlen zugeteilt. Unter solchen mit Zahlen versehenen
Verdrahtungsgittern ist ein Verdrahtungsgitter Nr. 3 mit der Drahtverbindung W1
versehen. Es soll hier angenommen werden, daß die Drahtverbindung W1
diejenige mit der höchsten Priorität unter den Drahtverbindungen in der zu
entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung ist.
Fig. 5 ist ein Diagramm, das den Zustand zeigt, wo die Drahtverbindung
W2 mit der zweiten oder nachfolgenden Priorität am Verdrahtungsgitter Nr. 7 der
Fig. 4 implementiert ist. In Fig. 5 ist die Gesamtverdrahtungskapazität der
Drahtverbindung W1 deshalb, weil die Drahtverbindung W2 mit einer niedrigeren
Priorität als die Drahtverbindung W1 im dreidimensionalen Bereich 101
implementiert ist, wo die Drahtverbindung W1 angeordnet ist, gegenüber derjenigen
derselben Drahtverbindung W1 in Fig. 4 erhöht.
Es soll angenommen werden, daß die Gesamtverdrahtungskapazität für
die Drahtverbindung W1, wie sie durch den Gesamtverdrahtungskapazitäts-
Bestimmungsabschnitt 14 bestimmt ist, überschritten wird, wenn die
Drahtverbindung W2 oder irgendeine andere Drahtverbindung in dem Bereich
implementiert ist, der im dreidimensionalen Bereich 101 noch ohne irgendeine
Verdrahtung ist. In diesem Fall wird eine Verdrahtung für die Verdrahtungsgitter Nr.
1, 2, 4, 5, 6, 8, 9 und 10 und alle Verdrahtungsgitter in der Richtung von links nach
rechts der Figur vollständig verboten. Somit kann der Bereich ohne Verdrahtung im
dreidimensionalen Bereich 101 vor einer Verdrahtung geschützt werden.
Wie es oben beschrieben ist, werden gemäß der Vorrichtung zum
Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung und gemäß dem
Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe sowie gemäß dem
Speichermedium, das das Verdrahtungssteuerungsprogramm speichert, gemäß der
vorliegenden Erfindung, die Gesamtverdrahtungskapazität und die Priorität des
Verdrahtungsprozesses für die gewünschte Drahtverbindung im voraus beliebig
bestimmt, und irgendwelche beliebigen dreidimensionalen Bereiche werden auf der
zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung eingestellt. Durch Implementieren
der Drahtverbindungen aus denjenigen mit höheren Prioritäten für jeden der
dreidimensionalen Bereiche, durch Bewerten der Gesamtverdrahtungskapazität der
Drahtverbindung gemäß dem Verdrahtungsergebnis auf eine Beendigung einer
Verdrahtung in jedem dreidimensionalen Bereich hin und durch Verbieten einer
Verdrahtung für den Bereich ohne eine Drahtverbindung in den bestimmten
dreidimensionalen Bereichen, wie es erforderlich ist, kann eine
Verdrahtungskapazität, die der gewünschten Betriebs-Verzögerungszeit genügt, in
einem einzigen Verdrahtungsverfahren erhalten werden. Dies reduziert die Zeit, die
für ein Layout- und Verdrahtungsverfahren erforderlich ist, und reduziert die
Entwicklungs- oder Entwurfsperiode für die integrierte Halbleiterschaltung.
Da die Verdrahtungskapazität, die der gewünschten Betriebs- bzw.
Operations-Verzögerungszeit genügt, erhalten werden kann, kann eine Schräglauf-
bzw. Zeitversatz-Erzeugung bei der Transistorsignalverzögerung verhindert
werden.
Weiterhin ist es deshalb, weit die Verdrahtungsprozesse von den
Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten mit einem Verbieten einer Verdrahtung
für diejenigen, die einen Überschuß der vorbestimmten
Gesamtverdrahtungskapazität verursachen können, ausgeführt werden, nicht nötig,
die Drahtverbindung mit der Verdrahtungskapazität, die der gewünschten
Operations-Verzögerungszeit nicht genügt, für einen wiederholten
Verdrahtungsprozeß zu separieren. Daher eliminiert dies das Problem, daß ein
Raum für eine zu verdrahtenden Drahtverbindungs-Implementierung nicht
sichergestellt werden kann.
Obwohl die Erfindung in bezug auf ein beispielhaftes
Ausführungsbeispiel von ihr dargestellt und beschrieben worden ist, sollte es von
Fachleuten auf dem Gebiet verstanden werden, daß die vorangehenden und
verschiedene andere Änderungen, Weglassungen und Hinzufügungen dabei und
daran durchgeführt werden können, ohne vom Sinngehalt und Schutzumfang der
vorliegenden Erfindung abzuweichen. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht
als auf das oben aufgezeigte spezifische Ausführungsbeispiel beschränkt
verstanden werden, sondern derart, daß sie alle möglichen Ausführungsbeispiele
enthält, die innerhalb eines sie umfassenden Schutzumfangs und von ihren
Äquivalenten in bezug auf die in den beigefügten Ansprüchen aufgezeigten
Merkmale ausgeführt werden können.
Claims (4)
1. Vorrichtung zum Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung,
welche Vorrichtung Transistorlayout- und -verdrahtungsprozesse in der
Entwurfsphase der integrierten Halbleiterschaltung ausführt und die folgendes
aufweist:
eine Einstelleinrichtung (12) für einen dreidimensionalen Bereich, um für jede Drahtverbindung einen dreidimensionalen Bereich einzustellen, um die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung zu implementieren;
eine Prioritäts-Bestimmungseinrichtung (13) zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung;
eine Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung (14) zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung;
eine Verdrahtungs-Implementierungseinrichtung (15) zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch die Einstelleinrichtung (12) für einen dreidimensionalen Bereich eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch die Prioritäts-Bestimmungseinrichtung (13) bestimmten Priorität; und
eine Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung (16), die das Ergebnis der Verdrahtung jedesmal bewertet, wenn die Verdrahtungs- Implementierungseinrichtung (15) den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Einstelleinrichtung (12) für einen dreidimensionalen Bereich
den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist; und
die Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung (16)
beurteilt, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist,
die Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen berechnet, die in dem dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, wenn die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden,
jede Drahtverbindung prüft, ob sie gemäß den Berechnungsergebnissen eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung (14) bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und
eine Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einem Fall verbietet, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
eine Einstelleinrichtung (12) für einen dreidimensionalen Bereich, um für jede Drahtverbindung einen dreidimensionalen Bereich einzustellen, um die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung zu implementieren;
eine Prioritäts-Bestimmungseinrichtung (13) zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung;
eine Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung (14) zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung;
eine Verdrahtungs-Implementierungseinrichtung (15) zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch die Einstelleinrichtung (12) für einen dreidimensionalen Bereich eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch die Prioritäts-Bestimmungseinrichtung (13) bestimmten Priorität; und
eine Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung (16), die das Ergebnis der Verdrahtung jedesmal bewertet, wenn die Verdrahtungs- Implementierungseinrichtung (15) den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Einstelleinrichtung (12) für einen dreidimensionalen Bereich
den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist; und
die Verdrahtungs-Bewertungseinrichtung (16)
beurteilt, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist,
die Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen berechnet, die in dem dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, wenn die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden,
jede Drahtverbindung prüft, ob sie gemäß den Berechnungsergebnissen eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung (14) bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und
eine Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einem Fall verbietet, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
2. Vorrichtung zum Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung
nach Anspruch 1, wobei
die Prioritäts-Bestimmungseinrichtung (13) und die
Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung (14) die Priorität und die
Gesamtverdrahtungskapazität für alle Drahtverbindungen oder insbesondere für
bestimmte Drahtverbindungen mit einer beschränkten
Gesamtverdrahtungskapazität in der zu entwerfenden integrierten
Halbleiterschaltung bestimmen.
3. Verdrahtungssteuerungsverfahren durch eine Vorrichtung zum
Entwerfen einer integrierten Halbleiterschaltung für Transistorlayout- und -
verdrahtungsprozesse in der Entwurfsphase der integrierten Halbleiterschaltung,
welches Verfahren folgende Schritte aufweist:
einen Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs für die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung für jede Drahtverbindung;
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung;
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung;
einen Schritt zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch den Einstellschritt für einen dreidimensionalen Bereich eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch den Prioritäts-Bestimmungsschritt bestimmten Priorität; und
einen Schritt zum Bewerten des Ergebnisses der Verdrahtung jedesmal dann, wenn der Verdrahtungs-Implementierungsschritt den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Einstellschritt für einen dreidimensionalen Bereich
den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist, und
der Verdrahtungs-Bewertungsschritt weiterhin folgendes enthält:
einen Schritt zum Beurteilen, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist,
einen Schritt zum Berechnen der Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen, die im dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, in einem Fall, in welchem die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden,
einen Schritt zum Prüfen jeder Drahtverbindung, ob sie gemäß dem Berechnungsergebnis eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und
einen Schritt zum Verbieten einer Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einem Fall, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
einen Schritt zum Einstellen eines dreidimensionalen Bereichs für die Drahtverbindung in der zu entwerfenden integrierten Halbleiterschaltung für jede Drahtverbindung;
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Priorität eines Verdrahtungsprozesses für die Drahtverbindung;
einen Schritt zum beliebigen Bestimmen der Gesamtverdrahtungskapazität für die Drahtverbindung;
einen Schritt zum Ausführen des Verdrahtungsprozesses für jeden der durch den Einstellschritt für einen dreidimensionalen Bereich eingestellten dreidimensionalen Bereiche gemäß der durch den Prioritäts-Bestimmungsschritt bestimmten Priorität; und
einen Schritt zum Bewerten des Ergebnisses der Verdrahtung jedesmal dann, wenn der Verdrahtungs-Implementierungsschritt den Verdrahtungsprozeß für einen der dreidimensionalen Bereiche beendet,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Einstellschritt für einen dreidimensionalen Bereich
den dreidimensionalen Bereich für eine Drahtverbindung so einstellt, daß die Drahtverbindung wenigstens in der vorbestimmten zweidimensionalen Richtung im dreidimensionalen Bereich in der Mitte positioniert ist, und
der Verdrahtungs-Bewertungsschritt weiterhin folgendes enthält:
einen Schritt zum Beurteilen, ob die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten als die Drahtverbindung des Verdrahtungsprozesses bereits im dreidimensionalen Bereich implementiert worden sind, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist,
einen Schritt zum Berechnen der Gesamtverdrahtungskapazität aller Drahtverbindungen, die im dreidimensionalen Bereich existieren, wo der Verdrahtungsprozeß ausgeführt worden ist, in einem Fall, in welchem die Drahtverbindungen mit höheren Prioritäten gefunden werden,
einen Schritt zum Prüfen jeder Drahtverbindung, ob sie gemäß dem Berechnungsergebnis eine Verdrahtungskapazität haben würde, die die durch die Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungseinrichtung bestimmte Gesamtverdrahtungskapazität übersteigt, wenn der Verdrahtungsprozeß weiter fortgeführt wird, und
einen Schritt zum Verbieten einer Verdrahtung für den Abschnitt ohne Verdrahtung in allen dreidimensionalen Bereichen, die die Drahtverbindung enthalten, in einem Fall, in welchem eine solche Drahtverbindung gefunden wird.
4. Verdrahtungssteuerungsverfahren
nach Anspruch 3, wobei
der Prioritäts-Bestimmungsschritt und der
Gesamtverdrahtungskapazitäts-Bestimmungsschritt die Priorität und die
Gesamtverdrahtungskapazität für alle Drahtverbindungen oder insbesondere für
bestimmte Drahtverbindungen mit einer beschränkten
Gesamtverdrahtungskapazität in der zu entwerfenden integrierten
Halbleiterschaltung bestimmen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02853099A JP3230233B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 半導体集積回路設計装置及びその配線制御方法並びに配線制御プログラムを格納した記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10004599A1 DE10004599A1 (de) | 2000-10-19 |
DE10004599C2 true DE10004599C2 (de) | 2002-11-28 |
Family
ID=12251234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10004599A Expired - Fee Related DE10004599C2 (de) | 1999-02-05 | 2000-02-03 | Vorrichtung zum Entwerfen von integrierten Halbleiterschaltungen und Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3230233B2 (de) |
DE (1) | DE10004599C2 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10123464B4 (de) * | 2001-05-14 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren, Computerprogramm und Computerprogrammprodukt zur Prüfung von Layoutstrukturen von integrierten elektrischen Schaltungen |
DE10151379C1 (de) | 2001-10-18 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung |
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- 1999-02-05 JP JP02853099A patent/JP3230233B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3230233B2 (ja) | 2001-11-19 |
JP2000228447A (ja) | 2000-08-15 |
DE10004599A1 (de) | 2000-10-19 |
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