DD241962A1

DD241962A1 - Verfahren zur erzeugung einer smektischen a fluessigkristallinen phase

Info

Publication number: DD241962A1
Application number: DD28193685A
Authority: DD
Inventors: Latschesar K Komitov; Minko P Petrov; Paraskeva D Simova; Gerd Hauck
Original assignee: Akad Wissenschaften Ddr
Priority date: 1985-10-22
Filing date: 1985-10-22
Publication date: 1987-01-07

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer smektischen A fluessigkristallinen Phase in Fluessigkristall-Bauelementen, die in Systemen der Aufzeichnung und Darstellung von Informationen Anwendung finden. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Erzeugung einer induzierten smektischen A fluessigkristallinen Phase ohne Anwendung eines starken aeusseren Magnetfeldes anzugeben. Diese Aufgabe wird dadurch geloest, dass eine Orientierungsschicht, die die Molekuele des fluessigkristallinen Materials unter einem Winkel zur Normalen der beiden, parallelen, eine Kuevette bildenden Glasplatte beim Uebergang Nemat-Smektik ausrichtet, auf die Innenseiten dieser beiden Glasplatten aufgebracht wird und zwischen diesen beiden gleichartigen Orientierungsschichten eine Schicht einer fluessigkristallinen Substanz, die eine nematische und eine smektische C Phase aufweist, angeordnet wird. Die Temperatur der fluessigkristallinen Substanz wird im Intervall T ind SC < T < T ind n gehalten.

Description

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Die obere Existenzgrenze der induzierten smektischen A Phase ist die untere Grenze der nematischen Phase und die untere Existenzgrenze ist die obere Grenze der smektischen C Phase, d. h. der direkte Übergang Nemat-Smektik-C des flüssigkristallinen Materials wird unter dem Einfluß der orientierenden Wirkung der Schicht 4 in einen indirekten Übergang mit einer induzierten smektischen A Zwischenphase umgewandelt: Nemat — Smektik-A — Smektik-C.

Claims

Erfindungsanspruch:

Verfahren zur Erzeugung einer smektischen A flüssigkristallinen Phase, bei dem das flüssigkristalline Material, das eine nematische und eine smektische C Phase besitzt, in einer Küvette angeordnet ist, die von zwei parallelen Glasplatten gebildet wird, wobei die Temperatur des flüssigkristallinen Materials im Intervall T_sc < T < T_n gehalten wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Orientierungsschicht, die die Moleküle des flüssigkristallinen Materials unter einem Winkel zur Normalen der beiden parallelen, eine Küvette bildenden Glasplatte beim Übergang Nemat-Smektik ausrichtet, auf die Innenseiten dieser beiden Glasplatten aufgebracht wird und zwischen diesen beiden gleichartigen Orientierungsschichten eine Schicht eines flüssigkristallinen Materials, das eine nematische und eine smektische C Phase aufweist, angeordnet wird.

Hierzu 1 Seite Zeichnung

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer smektischen Aflüssigkristallinen Phase in Flüssigkristall-Bauelementen, die in Systemen der Aufzeichnung und Darstellung von Informationen Anwendung finden.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

Es ist ein Verfahren (s. Farad. Trans. Il 12 [1973] 1752) zur Erzeugung einer smektischen Aflüssigkristallinen Phase bekannt, bei dem der Flüssigkristall, der eine nematische und eine smektische C Phase besitzt, in einer Küvette angeordnet ist. Die Küvette wird von zwei parallelen Glasplatten gebildet, zwischen denen sich eine Schicht einer flüssigkristallinen Substanz befindet. Die Flüssigkristall-Moleküle werden beim Übergang nematisch-smektisch von einem äußeren Magnetfeld orientiert, dessen Richtung mit der Normalen der Glasplatten einen Winkel von 20° bis 50° einschließt. Die Temperatur des Flüssigkristalles wird im Intervall T₅₀ < T < T_n gehalten.

Nachteilig ist, daß die Orientierung der Flüssigkristall-Moleküle mit Hilfe eines äußeren Magnetfeldes von etwa 1 T erfolgt, für dessen Erzeugung große und schwere Elektromagnete benötigt werden.

Ziel der Erfindung

Ziel der Erfindung ist die Erzeugung einer smektischen A flüssigkristallinen Phase ohne äußeres Magnetfeld.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Die technische Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Erzeugung einer induzierten smektischen A flüssigkristallinen Phase ohne Anwendung eines starken äußeren Magnetfeldes anzugeben. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß eine Orientierungsschicht, die die Moleküle des flüssigkristallinen Materials unter einem Winkel zur Normalen der beiden parallelen, eine Küvette bildenden Glasplatten beim ÜbergangNemat-Smektik ausrichtet, auf die Innenseiten dieser beiden Glasplatten aufgebracht wird und zwischen diesen beiden gleichartigen Orientierungsschichten eine Schicht einer flüssigkristallinen Substanz, die eine nematische und eine smektische C Phase aufweist, angeordnet wird. Die Temperatur der flüssigkristallinen Substanz wird im Intervall T_sc < T < T_n gehalten. Die auf den Innenseiten der zwei parallelen, die Küvette bildenden Glasplatten aufgebrachte Orientierungsschicht bewirkt, daß die Flüssigkristall-Moleküle unter einem Winkel von 0° bis 50° zur Normalen der Platte während des Übergangs nematisch-smektisch orientiert werden. Damit wird der direkte Übergang nematisch «-» smektisch C der flüssigkristallinen Substanz in einen indirekten Übergang mit einer induzierten smektischen A Zwischenphase (nematisch <-» smektisch A<-> smektisch C) umgewandelt. Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet es, auf die Verwendung von großen und schweren Elektromagneten zu verzichten.

Ausführungsbeispiel

Nachstehend soll die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel erläutert werden. Wie Fig. 1 zeigt, ist eine Flüssigkristallschicht 1 zwischen zwei Glasplatten 2 und 3 angeordnet. Die flüssigkristalline Substanz ist 4, n-Oktoloxybenzoesäure mit einer Phasenübergangstemperatur nematisch <-» smektisch C von 108°C. Die Glasplatten 2 und 3 sind mit einer leitfähigen ITO-Schicht bedeckt. Auf diese Schicht wurde im Vakuum eine Orientierungsschicht 4 aus SiO mit einer Dicke von 50 nm unter einem Winkel von 80° zur Normalen der Platten aufgedampft. An dieser SiO-Schicht orientieren sich die Flüssigkristall-Moleküle in der nematischen Phase unter einem Winkel von 38° zur Normalen der Glasplatten. Mit Hilfe derthermostatierenden Einrichtung 5 wird die Temperatur des Flüssigkristalls im notwendigen Intervall gehalten. In einer so hergestellten Flüssigkristallzelle von 50μιτι Dicke existiert die induzierte smektische A Phase stabil in einem Temperaturintervall von 106,5°C bis 108°C bei einer kleinen Änderungsgeschwindigkeit der Temperatur (0,2KmJn"¹.)