DD241326A1

DD241326A1 - METHOD FOR COMPENSATING THE RESISTANT RESISTANCE OF DYED FILM FUNCTIONAL LAYERS

Info

Publication number: DD241326A1
Application number: DD28099085A
Authority: DD
Inventors: Wolfgang Brode; Marlies Gohlke; Joerg Thieme
Original assignee: Hermsdorf Keramik Veb
Priority date: 1985-09-25
Filing date: 1985-09-25
Publication date: 1986-12-03

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Mikroelektronik. Ziel der Erfindung ist es, die unkontrollierte Verschiebung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes einer Duennfilmfunktionsschicht zu verhindern. Aufgabe ist es daher, ein neues Verfahren zum Abgleich zu schaffen. Erfindungsgemaess wird die sich auf einem Substrat befindliche und mit einer sehr duennen Abdeckschicht beaufschlagten Duennfilmfunktionsschicht an den freiliegenden Seitenkanten selektiv einem seine Homogenitaet selbst steuernden Aetzangriff ausgesetzt. Die Erfindung wird angewendet bei der Herstellung von Duennfilmelementen mit definierten Eigenschaften. Fig. 1The invention relates to the field of microelectronics. The aim of the invention is to prevent the uncontrolled shift of the temperature coefficient of the resistance of a Duennfilmfunktionsschicht. The task is therefore to create a new comparison procedure. According to the invention, the Duennfilmfunktionsschicht located on a substrate and acted upon with a very thin cover layer is selectively exposed at the exposed side edges to an etching attack which controls its homogeneity. The invention is used in the manufacture of diced film elements having defined properties. Fig. 1

Description

Hierzu 1 Seite ZeichnungFor this 1 page drawing

Field of application of the invention

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Mikroelektronik. Sie betrifft ein Verfahren zum Abgleich des ohmschen Widerstandes von Dünnfilmfunktionsschichten durch Behandeln mit einem Ätzmittel. Die Erfindung findet Anwendung bei der Herstellung von Dünnfilmelementen mit definierten Eigenschaften.The invention relates to the field of microelectronics. It relates to a method for adjusting the ohmic resistance of thin film functional layers by treatment with an etchant. The invention finds application in the manufacture of thin film elements with defined properties.

Characteristic of the known technical solutions

Die bekannten Verfahren des Abgleiches dünner Schichten verfolgen das Ziel durch Materialabtrag mittels geeigneter Mittel und Methoden bis in die Substratebene bzw. bis in die Schichtebene, eine Widerstandsänderung zu erreichen. Eines dieser bekannten Verfahren wird in der DE-OS 2926328 beschrieben. Dort wird eine Widerstandsschicht mit Hilfe eines Ätzmittels gleichmäßigThe known methods of balancing thin layers pursue the goal by material removal by means of suitable means and methods up to the substrate level or up to the layer plane to achieve a change in resistance. One of these known methods is described in DE-OS 2926328. There, a resistive layer becomes uniform with the aid of an etchant

verdünnt.diluted.

Alle diese Verfahren, ebenso wie der Abgleich durch anodische Oxidation haben den Nachteil der unkontrollierten Verschiebung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes der Dünnfilmfunktionsschicht durch morphologische Beeinflussung bzw. durch Einleitung von Oxidationsprozessen.All these methods, as well as the adjustment by anodic oxidation have the disadvantage of uncontrolled shift of the temperature coefficient of the resistance of the thin film functional layer by morphological influence or by the initiation of oxidation processes.

Aus diesem Grund muß bei diesen Verfahren die Abgleichführung so gewählt werden, daß nur eine geringeFor this reason, the alignment guide must be chosen so that only a small

Flächenbeeinflussung der wirksamen Widerstandsschicht erfolgt. Dies erfordert natürlich einen erhöhten Aufwand und beseitigt die Beeinflussung trotzdem nicht restlos.Surface control of the effective resistance layer takes place. Of course, this requires an increased effort and eliminates the influence still not completely.

Object of the invention

Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren gemäß Titel der Erfindung zu realisieren, das die unkontrollierte Verschiebung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes verhindert, sowie aufwendige Maßnahmen zur definierten Abgleichführung umgeht.The aim of the invention is to realize a method according to the title of the invention, which prevents the uncontrolled shift of the temperature coefficient of resistance, as well as complex measures for defined balancing bypasses.

Explanation of the essence of the invention

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein neues Verfahren zum Abgleichen des ohmschen Widerstandes vonThe object of the invention is a new method for balancing the ohmic resistance of

Dünnfilmfunktionsschichten zu schaffen, das eine reale Möglichkeit darstellt, um das Ziel der Erfindung zu erreichen.To provide thin film functional layers, which is a real possibility to achieve the object of the invention.

Erfindungsgemäß wird die sich auf einem Substrat befindliche und mit einer sehr dünnen Abdeckschicht beaufschlagtenAccording to the invention, which is located on a substrate and acted upon by a very thin cover layer

Dünnfilmfunktionsschicht an den freiliegenden Seitenkanten selektiv einem seine Homogenität selbst steuernden ÄtzangriffThin film functional layer at the exposed side edges selectively to its homogeneity self-controlling etching attack

ausgesetzt.exposed.

Zweckmäßigerweise wird die Homogenität des Ätzangriffes dadurch gesteuert, daß die Abdeckschicht so dünn aufgebrachtConveniently, the homogeneity of the etching attack is controlled by the cover layer applied so thinly

wird, daß sie beim Erreichen einer bestimmten Ätztiefe abreißt.is that it breaks off when reaching a certain etch depth.

In Ausgestaltung der Erfindung wird als Funktionsschicht eine Sensorschicht abgeglichen.In an embodiment of the invention, a sensor layer is adjusted as a functional layer.

Weiterhin ergibt sich eine zweckmäßige Anwendung beim Ausgleich von unterschiedlichen Unterätzungen von aus derFurthermore, there is a useful application in the compensation of different undercuts from the

Funktionsschicht hergestellten Strukturen unterschiedlicher Bahnbreite.Functional layer produced structures of different web width.

embodiment

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher beschrieben werden. Die dazugehörige Zeichnung zeigt eine Prinzipdarstellung der Stelle des Ätzangriffs.The invention will be described below with reference to an embodiment. The accompanying drawing shows a schematic representation of the location of the etching attack.

Auf ein Si-Substrat 1 wird durch ein Sputterverfahren eine 1 μιτι dicke Al-Sensorschicht 2 ganzflächig aufgebracht. Diese Funktionsschicht wird anschließend ebenfalls durch ein Sputterverfahren vollständig mit einer 5mm dicken CrNi-Abdeckschicht 3 belegt.On a Si substrate 1, a 1 μιτι thick Al sensor layer 2 is applied over the entire surface by a sputtering. This functional layer is then also completely covered by a sputtering process with a 5mm thick CrNi cover layer 3.

Zur definierten Einstellung des Widerstandswertes der Al-Sensorschicht 2 wird der so gestaltete Sensor in ein geeignetes Ätzbad gelegt, welches die Al-Sensorschicht 2 von deren offenen Seitenkante selektiv angreift. Bei diesem Unterätzen wird die eigentliche Oberfläche der Sensorschicht 2 nicht freigelegt, so daß es gelingt, die negativen Beeinflussungen hinsichtlich der unkontrollierten Verschiebungen des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes zu verhindern. Die Ätzung der in ihrer Flächengröße wesentlich kleineren offenliegenden Seitenkante führt zu keinerlei Auswirkungen auf den Temperaturkoeffizienten. Nachdem die Unterätzung bis in eine definierte Tiefe fortgeschritten ist, reißt die Abdeckschicht ab, da sie nicht selbsttragend ist. Da nun der Ort des Ätzangriffes wieder unmittelbar an der neuen Seitenkante liegt, läuft die Ätzung mit der gleichen Stärke und Geschwindigkeit ab, so daß insgesamt ein sich immer wieder selbst einstellender, homogener Ätzverlauf zu verzeichnen ist.For the defined adjustment of the resistance value of the Al sensor layer 2, the sensor designed in this way is placed in a suitable etching bath, which selectively attacks the Al sensor layer 2 from its open side edge. In this undercutting the actual surface of the sensor layer 2 is not exposed, so that it is possible to prevent the negative influences on the uncontrolled shifts of the temperature coefficient of resistance. The etching of the surface area size of the much smaller exposed side edge leads to any effects on the temperature coefficient. After the undercut has progressed to a defined depth, the cover layer ruptures because it is not self-supporting. Since now the location of the etching attack is again directly on the new side edge, the etching proceeds with the same strength and speed, so that overall a constantly self-adjusting, homogeneous etching process is recorded.

Das erfindungsgemäße Ätzen läßt sich auch anwenden, wenn Dünnschichtstrukturen unterschiedlicher Bahnbreite hergestellt werden, die beim Ätzen ungleich unterätzt wurden. Durch einen entsprechenden Nachätzvorgang gemäß der Erfindung können diese Unterschiede definiert ausgeglichen werden.The etching according to the invention can also be used if thin-film structures of different web widths are produced which were unevenly etched during etching. By a corresponding Nachätzvorgang according to the invention, these differences can be compensated defined.

Claims

Invention claim:

1. A method for adjusting the ohmic resistance of thin film functional layers by treatment with an etchant, characterized in that located on a substrate (1) and with a very thin cover layer (3)
applied thin film functional layer (2) on the exposed side edges selectively its homogeneity itself
controlling etching attack is exposed.

2. The method according to item 1, characterized in that the cover layer (3) is applied so thin that it breaks off upon reaching a certain etch depth.

3. The method according to item 1, characterized in that a sensor layer is adjusted as a functional layer (2).

4. The method according to item 1, characterized in that it is used to compensate for the different underestimations of the functional layer (2) produced structures of different web width.