CZ6688U1 - Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem - Google Patents
Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem Download PDFInfo
- Publication number
- CZ6688U1 CZ6688U1 CZ19976804U CZ680497U CZ6688U1 CZ 6688 U1 CZ6688 U1 CZ 6688U1 CZ 19976804 U CZ19976804 U CZ 19976804U CZ 680497 U CZ680497 U CZ 680497U CZ 6688 U1 CZ6688 U1 CZ 6688U1
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- material rod
- rod
- truncated
- diameter
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem
Oblast techniky
Vynález se týká tyče polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem v rotačně symetrickém uspořádání .
Dosavadní stav techniky
Při letmé pásmové tavbě tyčí polovodičového materiálu indukčním ohřevem v rotačně symetrickém uspořádání tyč polovodičového materiálu, indukční cívka a zárodečný krystal jsou vertikálně upevněny v zařízení, které umožňuje nezávislý axiální pohyb tyče polovodičového materiálu se zárodečným krystalem a jejich rotaci kolem osy. Tyč polovodičového materiálu je souose obklopena indukční cívkou, která zprostředkovává dodávku vysokofrekvenční energie k vytvoření roztaveného pásma. Vnitřní průměr indukční cívky je obvykle menší než průměr zpracovávané tyče polovodičového materiálu a větší než průměr zárodečného krystalu. Pásmová tavba je většinou zahajována ve spodní části tyče polovodičového materiálu, odkud se po přitavení relativně tenkého zárodečného krystalu roztavené pásmo posouvá podél tyče polovodičového materiálu při nutnosti překonávání značných rozdílů průměrů zpracovávaného materiálu. Polovodičový materiál pro letmou tavbu, např. křemík Si, je dodáván ve formě polykrystalických tyčí přibližně válcového tvaru, s odlomenými, nebo kolmo na podélnou osu odříznutými konci. Pro snazší přitavení zárodečného krystalu k začátku tyče polovodičového materiálu a pro snížení nebezpečí ztrát materiálů odkápnutím taveniny při překonávání velkých rozdílů průměrů zárodečného krystalu ke konečnému průměru zpracovávané tyče polovodičového materiálu musí být jejich začátky upraveny na tvar, usnadňující jejich následné zpracovávání. Dosud známé tyče polovodičového materiálu mají začátek upraven obroušením nebo odříznutím diamantovými nástroji do tvaru komolého kužele nebo jehlanu, pod úhlem 20° až 30° od osy tyče. Nevýhodou úpravy tyče polovodičového materiálu do tohoto tvaru jsou značné materiálové ztráty, vyšší pracnost a vyšší spotřeba obráběcích nástrojů. Při použití úhlu opracování na spodní hranici uvedeného rozmezí úhlů je snazší přitavení zárodečného krystalu a snazší překonávání rozšiřující se části tyče polovodičového materiálu při zahájení pásmové tavby, ale zvyšují se ztráty materiálu obráběním. Při použití uhlů opracování na horní hranici jsou ztráty materiálu při obrábění nižší, ale zvyšuje se nebezpečí technologických ztrát odkápnutím taveniny.
Podstata technického řešení
Shora uvedené nedostatky do značné míry odstraňuje tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem podle tohoto technického řešení, jehož podstata spočívá v tom, že zúžený začátek tyče polovodičového materiálu je upraven do tvaru komolého rotačního tělesa souosého s tyčí polovodičového materiálu, sestávajícího ze dvou na sebe plynule navazujících částí, kde povrch širší části napojené na válcovou plochu tyče polovodičového materiálu svírá s její rotační osou úhel =60° až 90°,
-1CZ 6688 Ul zatímco povrch užší části, jejíž nejmenší průměr je menší než vnitřní průměr indukční cívky, svírá s rotační osou úhel = 0° až 30°, přičemž nejmenší průměr užší části v místě její základny je srovnatelný s průměrem zárodečného krystalu. Zúžený počátek ve tvaru komolého rotačního tělesa může sestávat ze dvou komolých kuželů, kde plocha kužele s tupým vrcholovým úhlem svou širší stranou navazuje na válcovou plochu tyče polovodičového materiálu a svou užší stranou plynule přechází v širší stranu kužele s ostrým vrcholovým úhlem. K širší části komolého rotačního tělesa je indukčním svarem souose připojena jeho užší část.
Přehled obrázků na výkrese
Technické řešení bude dále blíže osvětleno na výkrese, na kterém obr. 1 znázorňuje obecný tvar zúženého začátku tyče polovodičového materiálu, na obr. 2 jeho nejjednodušší provedení a na obr. 3 provedení s použitím indukčního svaru.
Příklady provedení
Příklad 1
Shora uvedené nedostatky do značné míry odstraňuje tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem podle tohoto technického řešení, jehož podstata spočívá v tom, že zúžený začátek 1 tyče 4 polovodičového materiálu je upraven do tvaru komolého rotačního tělesa souosého s tyčí 4 polovodičového materiálu, sestávajícího ze dvou na sebe plynule navazujících částí 9a 10, kde povrch širší části 9 napojené na válcovou plochu tyče 4 polovodičového materiálu svírá s její rotační osou úhel = 60° až 90°, zatímco povrch užší části 10, jejíž nejmenší průměr je menší než vnitřní průměr indukční cívky 5, svírá s rotační osou úhel = 0° až 30°, přičemž nejmenší průměr užší části 10 v místě její základny 6 je srovnatelný s průměrem zárodečného krystalu 7. Zúžený začátek 1 ve tvaru komolého rotačního tělesa sestává ze dvou komolých kuželů 2. a 2/ kde plocha kužele 2 s tupým vrcholovým úhlem svou širší stranou navazuje na válcovou plochu tyče 4 polovodičového materiálu a svou užší stranou plynule přechází v širší stranu kužele 2 s ostrým vrcholovým úhlem. K širší části 9 komolého rotačního tělesa je indukčním svarem 8 souose připojena jeho užší část 10. Při pásmové tavbě válcové tyče 4 polovodičového křemíku o průměru 60 mm indukční cívkou 5 s asymetrickou natavovací smyčkou, o vnitřním průměru 28 mm, je optimální vrcholový úhel kužele 2 a = 75° až 80° a vrcholový úhel kužele 2 β = 1θ° až 15’ při průměru jeho základny 8 až 10 mm.
Claims (3)
- NÁROKY NA OCHRANU1. Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem, vyznačující se tím, že zúžený začátek (1) tyče (4) polovodičového materiálu je upraven do tvaru komolého rotačního tělesa souosého s tyčí (4) polovodičového materiálu, sestávajícího ze dvou na sebe plynule navazujících částí (9) a (10), kde povrch širší části (9) napojené-2CZ 6688 Ul na válcovou plochu tyče (4) polovodičového materiálu svírá s její rotační osou úhel = 60° až 90°, zatímco povrch užší části (10), jejíž nejmenší průměr je menší než vnitřní průměr indukční cívky (5), svírá s rotační osou úhel =0° až 30°, přičemž nejmenší průměr užší části (10) v místě její základny (6) je srovnatelný s průměrem zárodečného krystalu (7).
- 2. Tyč polovodičového materiálu podle nároku 1, vyznačující se tím, že zúžený začátek (1) ve tvaru komolého rotačního tělesa sestává ze dvou komolých kuželů (2) a (3), kde plocha kužele (2) s tupým vrcholovým úhlem svou širší stranou navazuje na válcovou plochu tyče (4) polovodičo* vého materiálu a svou užší stranou plynule přechází v širší stranu kužele (3) s ostrým vrcholovým úhlem.
- 3. Tyč polovodičového materiálu podle nároků la2, vyznačující se tím, žek širší části (9) komolého rotačního tělesa je indukčním svarem (8) souose připojena jeho užší část (10).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ19976804U CZ6688U1 (cs) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ19976804U CZ6688U1 (cs) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ6688U1 true CZ6688U1 (cs) | 1997-10-23 |
Family
ID=38827994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19976804U CZ6688U1 (cs) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ6688U1 (cs) |
-
1997
- 1997-06-06 CZ CZ19976804U patent/CZ6688U1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0725169B1 (de) | Vorrichtung zur Herstelllung eines Einkristalls | |
| ES2321698T3 (es) | Dispositivo en la alimentacion de alambre de soldadura. | |
| EP0854211B1 (en) | Method of manufacturing silicon monocrystal, and seed crystal used in the method | |
| DE69803198T2 (de) | Verfahren zur züchtung von silicium-einkristall ohne züchtung eines dash-halses | |
| DE112014002768B4 (de) | Einkristall-Herstellvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls | |
| DE4216519A1 (de) | Fliesszonenverfahren zur herstellung von monokristallinem silicium aus teilchenfoermigem silicium | |
| JP2874722B2 (ja) | シリコン単結晶の成長方法及び装置 | |
| CZ6688U1 (cs) | Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem | |
| KR0137336B1 (ko) | 반도체재료의 분쇄방법 및 그 장치 | |
| DE102004058547B4 (de) | Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mit großem Durchmesser | |
| JPS6042010B2 (ja) | 結晶円盤の保持方法および該方法を実施するための保持具 | |
| DE19538020A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium | |
| US3498846A (en) | Method of growing a rod-shaped monocrystal of semiconductor material by crucible-free floating zone melting | |
| US2962838A (en) | Method for making synthetic unicrystalline bodies | |
| US7326297B2 (en) | Device for the production of crystal rods having a defined cross-section and column-shaped polycrystallization structure by means of floating-zone continuous crystallization | |
| CS242841B1 (cs) | Tyč polovodičového materiálu pro letmou pásmovou tavbu indukčním ohřevem | |
| US2659181A (en) | Process of and apparatus for forming styluslike articles from corundum or spinel | |
| US6090198A (en) | Method for reducing thermal shock in a seed crystal during growth of a crystalline ingot | |
| US5238048A (en) | Round wire from strip | |
| DE102005021548B3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten von hohlen Glaskörpern | |
| JPH07157388A (ja) | 半導体単結晶成長装置 | |
| JP2002020195A (ja) | 半導体材料からなる装填物および多結晶シリコン棒のための保持系 | |
| JP3570084B2 (ja) | 底穴出湯式浮揚溶解装置 | |
| JPS63291887A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| CH252698A (fr) | Procédé pour l'obtention, à partir de corps monocristallins, d'objets présentant une partie au moins dont la surface est lisse et exempte de rayures, dispositif pour l'application de ce procédé et objet obtenu selon ce procédé. |