CZ469799A3 - Způsob a zařízení pro injekční zapouzdřování lisovaných lícních čipů - Google Patents

Abstract

Elektrická spojení sestavy (12) čipu s integrovanými obvody tvořené čipem(20) s integrovanými obvody připojeným k substrátu, jsou zapouzdřena a vyztužena vysoce viskózním zapouzdrovacím materiálem dávkováním zapouzdřovacího materiálu otvorem (26) v substrátu do prostoru mezi čipem s integrovanými obvody, která má vyztužené elektrické spojení, kteréje odolnější vůči oslabení následkem napětí vytvořeného rozdíly v koeficientu tepelné roztažnosti mezi čipem (20) s integrovanými obvody a substrátem, ke kterému je čip (20) s integrovanými obvotfy připevněn

Description

Oblast techniky

Vynález se týká vylepšeného způsobu zapouzdřování a vyztužování elektrických propojení mezi čipem s integrovanými obvody a substrátem. Také se týká sestavy čipu s integrovanými obvody vytvořené uvedeným způsobem.

Dosavadní stav techniky

Sestava čipu s integrovanými obvody obecně obsahuje čip s integrovanými obvody připojený k substrátu, typicky nosiči Čipu nebo desce s obvodem. Nejběžněji používaný čip s integrovanými obvody je složen zejména z křemíku, který má koeficient tepelné roztažnosti kolem 2 až 4 ppm/⁰C. Nosič čipu na desce s obvodem je typicky tvořen buďto keramickým materiálem, který má koeficient tepelné roztažnosti okolo 6 ppm/°C, nebo z organického materiálu, pokud možno vyztuženého organickými nebo neorganickými články nebo vlákny, které mají koeficient tepelné roztažnosti v rozmezí kolem 6 až 50 ppm/°C.

Jedna technika dobře známá v oboru pro vzájemné propojování čipů s integrovanými obvody je flip chip bonding (spojování lícních čipů). Při technice flip chip bonding se vytvoří vzorek kuliček pájky na aktivním povrchu čipu s integrovanými obvody, který umožňuje úplné nebo částečné

7« fiftí φ φ * zaplnění aktivního povrchu propojovacími místy. Kuličky pájky, které mají typicky průměr kolem 0,00508 až 0,01524 cm (0,002 až 0,006 palců), jsou usazeny na vývodech smáčejících pájku na aktivním povrchu čipu s integrovanými obvody tvořícím vzor. Odpovídající otisk vývodů smáčejících pájku je opatřen na substrátu. Čip s integrovanými obvody je umístěn vyrovnaně se substrátem a propojení čipu se substrátem jsou vytvořena přetavením kuliček pájky. Techniku flip chip bonding lze použít k připojování čipů s integrovanými obvody k nosičům čipů nebo přímo k deskám tištěných spojů.

materiálem

Vyplňovací

Během provozu sestavy čipů s integrovanými obvody způsobují cyklické teplotní odchylky rozšiřování a smršťování substrátu a čipu s integrovanými obvody. Protože substrát a čip s integrovanými obvody mají různé koeficienty tepelné roztažnosti, rozšiřují se a smršťují se v různých poměrech, což způsobuje oslabení spojení kapičkami pájky popřípadě dokonce prasknutí následkem únavy. K odstranění této situace je v průmyslu běžným postupem vyztužit spoje kuličkami pájky teplotně vytvrzovaným polymerickým známým v oboru jako vyplňovací zapouzdření jsou typicky plněna částicemi kvůli řízení jejich reologie v nevytvrzeném stavu a kvůli vylepšení jejich tepelných a mechanických vlastností ve vytvrzeném stavu.

zapouzdření. keramickými

Vyplňovací zapouzdření byla hodně používána k vylepšení únavové životnosti sestav čipů s integrovanými obvody skládajících se z čipu s integrovanými obvody z mnoha lícních čipů připojených k substrátu vyrobeného z alumino keramického materiálu, který má koeficient tepelné roztažnosti kolem 6 ppm/°C. Poslední dobou byly vyráběny ·

• 00 «

«0 • 0 *

*

9909

0 0 sestavy integrovaných obvodů, které mají Čip s integrovanými obvody typu lícního čipu připojeného k substrátu vyrobenému z vyztuženého organického materiálu s výsledným koeficientem tepelné roztažnosti okolo 20 ppm/°C.

procesu spodního vyplnění kapalného zapouzdřovacího

V první úrovni balení se dosáhne typicky dávkováním materiálu v jednom nebo více bodech podél okraje čipu s integrovanými obvody. Zapouzdřovací materiál je vtažen do mezery mezi čipem s integrovanými obvody a substrátem kapilárními silami, přičemž podstatně vyplní mezeru a vytvoří pruh kolem obvodu čipu s integrovanými obvody. Průměr vyplňujících částic zapouzdřovacího materiálu je proveden tak, aby byl menší, než je výška mezery a nezabraňoval průtoku. Typické preparáty zapouzdřovacího materiálu mají visko2itu okolo 10 Pa-s při teplotě plnění. Poté co zapouzdřovací materiál nateče do mezery, vytvrdí se v peci při zvýšené teplotě.

Vytvrzené zapouzdřovací materiály mají typicky koeficienty tepelné roztažnosti v rozmezí okolo 20 až 40 ppm/°C a Youngův modul kolem 1 až 3 GPa, podle obsahu vyplňujícího materiálu a chemického složení polymeru. V některých případech může být žádoucí dále měnit vlastnosti vytvrzeného zapouzdřovacího materiálu, avšak požadavek na to, aby měl zapouzdřovací materiál nízkou viskozitu v nevytvrzeném stavu závažným způsobem omezuje možnosti preparátu. Například přidání více keramické výplně by snížilo výsledný koeficient tepelné roztažnosti, ale zvýšilo viskozitu v nevytvrzeném stavu.

Ve druhé úrovni balení lze zapouzdřovací materiály použít k vyztužení propojení mezi deskou se spojem a

4« · • 4 sestavou Čipů s integrovanými obvody tvořenou čipem s integrovanými obvody připojeným k nosiči čipu. V tomto typu sestavy mají kuličky pájky typicky průměr v rozmezí okolo 0,0508 až 0,0762 cm (0,020 až 0,030 palců). Je známo několik metodik k vyztužení a zapouzdření tohoto typu propojení. Různé způsoby používané k vyztužování a zapouzdřování propojení na druhé úrovni nejsou rozšiřitelné na balení první úroveň kvůli rozdílům v režimech toků kvůli různým výškám mezery. V případě sestavy lícního čipu s mezerou 0,00508 až 0,01524 cm (0,002 až 0,006 palců) jsou vlastnosti toku vyplňujícího zapouzdřovacího materiálu řízeny viskózními silami a kapilárními silami; viskózní síly brání proudění a kapilární síly povzbuzují proudění. Vhodné materiály pro první úroveň vyplňovacího zapouzdřování jsou navrhovány pečlivě tak, aby vykazovaly přísně řízené úrovně viskozity a určité vlastnosti smáčení. V případě zapouzdřování druhé úrovně, kdy je mezera vysoká okolo 0,0508 až 0,0762 (0,020 až 0, 030 palců), by běžné zapouzdřovací materiály z první úrovně protekly bez problémů přes povrch desky tištěného spoje, pokud by jim v tom nezabránila nějaká vnější překážka.

V oboru je známý způsob zapouzdřování sestavy lícního čipu, kde tělo sestavy je vytvořeno okolo obvodu lícního čipu ve dvoukrokovém procesu. Nejdříve je čip s integrovanými obvody vyplněn vespod jak bylo výše popsáno pro balení první úrovně a pak je okolo okraje čipu s integrovanými obvody vytvořeno tělo sestavy s použitím procesu lisování. V dalším známém způsobu je dodatečného vyztužení dosaženo zapouzdřením obou povrchů lícního čipu a jeho okraje v jednom kroku. V této technice byla podstatně vyloučena mezera mezi čipem s integrovanými obvody a substrátem vytvořením velkého otvoru v substrátu, který « » * v · » » · 9 * ··· ··· obsahuje alespoň 50% aktivní plochy čipu s integrovanými obvody. Tento přístup podstatně odstraňuje malou mezeru typickou pro běžné propojení čipu s integrovanými obvody se substrátem, ale má nevýhodu omezení aktivní oblasti čipu s integrovanými obvody, kterou lze použít k vytváření propojení, protože lze použít pouze obvod čipu s integrovanými obvody.

Nehledě na použití vyplňujícího zapouzdření je únavová životnost sestavy čipu s integrovanými obvody kratší, pokud jsou propojení pájkou vytvořena s organickými substráty oproti keramickým substrátům, kvůli větší neshodě v tepelné roztažnosti. Spolu s omezeními kladenými na možnosti preparátu požadavkem na nízkou viskozitu se stále vyžaduje vylepšení mechanického vyztužení propojení čipu s integrovanými obvody.

Je předmětem tohoto vynálezu zajistit vylepšený způsob vyplnění a zapouzdření sestav lícních čipů. Je také předmětem tohoto vynálezu umožnit použití více viskózních materiálů jako vyplňujících materiálů. Je dalším předmětem zajistit způsob, který umožňuje zvýšenou rychlost pro proces zapouzdřování a umožňuje dokončení zapouzdřovacího procesu, jak vyplněni, tak přelisování, v jediném kroku s použitím jednoho zapouzdřovacího materiálu.

Podstata vynálezu

Tento vyztužování čipu podle nároku 7.

vynález zajišťuje způsob zapouzdřování a elektrických propojení sestavy integrovaného nároku 1 a sestavy integrovaného čipu podle · ’ · « 9 · • » ···9999 *

···· ···♦ • * · ΐ ··· ··· · ♦ · ··

V upřednostňovaném provedení způsob zapouzdřuje propojení kapiček pájky sestavy čipu s integrovanými obvody, která usnadňuje použití vysoce viskózních zapouzdřovacích materiálů a odstraňuje potřebu přehrady k zastavení toku. Podle upřednostňovaného provedení tohoto vynálezu je zajištěna sestava čipu s integrovanými obvody tvořená čipem s integrovanými obvody připojeným na nosič čipu nebo přímo na desku s obvodem ve vztahu s odstupem. Nosič čipu nebo deska spoje je vytvořena s otvorem, který prochází z povrchu, ke kterému je připojen čip s integrovanými obvody, k opačnému povrchu nosiče čipu nebo desky s obvodem. Čip s integrovanými obvody je připojen na nosič čipu nebo na desku s obvodem nad otvorem.

Vnější tlak se aplikuje na odkrytý povrch čipu s integrovanými obvody a odměřený objem zapouzdřovacího materiálu se dávkuje otvorem do prostoru mezi čipem s integrovanými obvody a nosičem čipu nebo deskou s obvodem. Upřednostňovaný zapouzdřovací materiál obsahuje velmi silný teplem tvrditelný dvousložkový epoxy obsahující váhově okolo 50 % keramické výplně a má viskozitu při 25° C okolo 250 Pascal-sekund měřenou s použitím viskozimetru HBT, s kuželovitou hlavou CP-52, při hlediska tohoto vynálezu je objem zapouzdřovacího materiálu ekvivalentní množství vyžadovanému k vyplnění prostoru mezi čipem s integrovanými obvody a nosičem Čipu nebo deskou s obvodem. Z jiného hlediska tohoto vynálezu je objem zapouzdřovacího materiálu ekvivalentní množství nutnému k (1) naplnění prostoru mezi čipem s integrovanými obvody a nosičem čipu a podstatně pokrývá část povrchu nosiče čipu? nebo (2) k naplnění prostoru mezi čipem s integrovanými obvody a deskou s obvodem a podstatně

Brookfield, model 2 rpm. Z jednoho

Ί pokrývá předem určené oblasti povrchu desky s obvodem. Po uvolnění požadovaného množství zapouzdřovacího materiálu se zapouzdřovací materiál vytvrdí, aby vytvořil spoj mezi čipem s integrovaným obvody a nosičem čipu nebo deskou s obvodem a vyztužil spojení s odstupem.

V dalším provedení tohoto vynálezu je nad čip s integrovanými obvody umístěn kryt, přičemž obklopuje, ale není v kontaktu s čipem s integrovanými obvody. Množství zapouzdřovacího materiálu nutné k úplnému zapouzdření čipu s integrovanými obvody stejně jako elektrického propojení mezi čipem s integrovanými obvody a substrátem je dávkováno otvorem v substrátu. Zapouzdřovací materiál se pak vytvrdí tak, aby tvořil spojení mezi čipem s integrovanými obvody a nosičem čipu na desce s obvodem a vyztužil spojení s odstupem.

Přehled obrázků na výkresech

Vynález bude blíže vysvětlen prostřednictvím konkrétních příkladů provedení znázorněných na výkresech, na kterých představuje obr 1. poněkud schematický podélný průřez čipu s integrovanými obvody připojeného na nosič čipu, který je připraven přijmout zapouzdřovací materiál podle jednoho provedení tohoto vynálezu;

obr. 2 poněkud schematický podélný průřez čipu s integrovanými obvody připojeného na nosič čipu se zapouzdřovacím materiálem dávkovaným do prostoru mezi čip s integrovanými obvody a nosič • » **· «·· » · ···· ·♦ ·· ·· obr. 3 obr. 5 obr. 6 obr. 7 čipu podle jednoho provedení tohoto vynálezu; poněkud schematický podélný průřez čipu s integrovanými obvody připojeného na nosič čipu se zapouzdřovacím materiálem dávkovaným do prostoru mezi čip s integrovanými obvody a nosič čipu podle dalšího provedení tohoto vynálezu; a poněkud schematický podélný průřez čipu s integrovanými obvody připojeného na desku s obvodem připravenou přijmout zapouzdřovací materiál podle dalšího provedení tohoto vynálezu;

poněkud schematický perspektivní pohled na sestavu čipu s integrovanými obvody vyztuženou zapouzdřovacím materiálem vytvořenou podle jednoho provedení tohoto vynálezu; a poněkud schematický pohled shora na sestavu čipu s integrovanými obvody vyztuženou zapouzdřovacím materiálem vytvořenou podle jednoho provedení tohoto vynálezu; a poněkud schematický podélný průřez čipem s integrovanými obvody připojeným na nosiči čipu a přikrytý krytem se zapouzdřovacím materiálem dávkovaným do prostoru mezi čip s integrovanými obvody a nosič čipu a zapouzdřením čipu s integrovanými obvody a elektrickým propojením mezi čipem s integrovanými obvody a nosičem čipu podle dalšího provedení tohoto vynálezu.

Příklady provedení vynalezu

S odkazem na obr. 1, je sestava čipu s integrovanými obvody, označena obecně jako 12, tvořena nosičem 14 čipu, který má vzdálený povrch 16 a montážní povrch 18 a čip 20 s integrovanými obvody, který má vzdálený povrch 22 a připevňovací povrch 24. Nosič 14 čipu má otvor 26 procházející ze vzdáleného povrchu 16 do montážního povrchu

18. Čip s integrovanými obvody 20 je připojen na nosič 14 čipu nad otvorem 26 ve vztahu s odstupem s připevňovacím povrchem 24 čipu 20 s integrovanými obvody směrem k připevňovacímu povrchu 18 nosiče 14 čipu, čímž se vytvoří prostor 28 mezi připevňovacím povrchem 24 čipu 20 s integrovanými obvody a montážním povrchem 18 nosiče 14 čipu. V typické sestavě čipů s integrovanými obvody je výška prostoru 28 okolo 0,00508 až 0,01524 cm (0,002 až 0,006 palců). Připevňovací povrch 24 čipu 20 s integrovanými obvody má na sobě uspořádáno více elektrických kontaktů 30. Každý elektrický kontakt 30 má k sobě připojenu kuličku 32 pájky. Montážní povrch 18 nosiče 14 čipu má na sobě uspořádáno více elektrických kontaktů 34, přičemž každý z uvedených elektrických kontaktů 34 je uspořádán tak, aby odpovídal kuličce 32 pájky na připevňovacím povrchu 24 čipu 20 s integrovanými obvody.

Nosič 14 čipu je v jednom provedení tvořen keramickým materiálem, typicky kysličníkem hlinitým, který má koeficient tepelné roztažnosti okolo 6 ppm/°C. Nosič čipu může být také tvořen organickými materiály jako například PTFE, polyimidy, polytetrafluoroethylenem, epoxidy, triaziny, bismaleimidy, bismaleimidy/triaziny a směsi těchto materiálů. Tyto materiály mohou být vyztuženy buďto tkaným nebo netkaným neorganickým nebo organickým médiem jako «· · například sklem, vlákny nebo částicemi. Takové materiály mají typicky koeficienty tepelné roztažnosti v rozsahu okolo 6 až 50 ppm/°C. Nosič čipu má kolem svého obvodu uspořádáno více elektrických kontaktu 36. Každý elektrický kontakt 36 má k sobě připojen vývod 38 drátu kvůli propojení mezi nosičem 14 čipu a substrátem, typicky deskou s obvodem, ke kterému se má sestava čipu s integrovanými obvody připojit. Nosič 14 čipu zde může být také typu pole mřížky kuliček spíže než s okrajovými vývody 38, přičemž kuličky s pájkou, které mají průměr okolo 0,0508 až 0,0762 cm (0,020 až 0,030 palců), jsou připojeny k připevňovacímu povrchu 18 nebo vzdálenému povrchu 16 nosiče 14 čipu. Čip 20 s integrovanými obvody je typicky tvořen monokrystalickým křemíkem, který má koeficient tepelné roztažnosti okolo 2 až 4 ppm/°C. Každá kulička 32 pájky je typicky tvořena elektricky vodivým metalickým materiálem pájky. Čip 20 s integrovanými obvody je připojen k nosiči 14 čipu přetavením pájky. Během provozu jsou nosič 14 čipu a čip 20 s integrovanými obvody vystavovány opakovaným cyklům ohřívání a ochlazování. Protože nosič 14 čipu a čip s integrovanými obvody 20 mají různé koeficienty tepelné roztažnosti, roztahují se a smršťují v různých poměrech. To má za následek tepelné napětí na spoje mezi kapičkami 32 pájky a elektrickými kontakty 30 a 34, což někdy způsobuje oslabení nebo dokonce zlomení propojení mezi nosičem 14 čipu a čipem 20 s integrovanými obvody.

S odkazem na obr. 2, podle jednoho provedení tohoto vynálezu, je množství zapouzdřovacího materiálu 40 nutné k podstatnému vyplnění prostoru 28 bez podstatného přetečení na montážní povrch 18 nosiče 14 čipu dávkováno otvorem 26 do prostoru 28. V upřednostňovaném provedení obsahuje zapouzdřovací materiál 40 Hysol FP-4323, velmi silný teplem * · · tvrditelný jednosložkový epoxy obsahující váhově kolem 50 % - 70 % keramické výplně a má viskozitu při 25° C okolo 250 Pascal-sekund měřenou pomocí viskozimetru Brookfield, model HBT, s kuželovitou hlavou CP-52, při 2 rpm. Zapouzdřovací materiál 40 je dávkován otvorem 26 do prostoru 28 s použitím dávkovaciho zařízení označeného obecně jako 42. V upřednostňovaném provedení, s použitím zapouzdřovacího materiálu 40, který má viskozitu okolo 250 Pascal-sekund při 25° C, obsahuje dávkovači zařízení 42 injekční zařízení s jehlou o průměru 0,0508 cm (0,020 palců). Tlak přibližně 551, 58 kPa (80 psi) se vyžaduje ke vstříknutí zapouzdřovacího materiálu 40 do prostoru 28. V upřednostňovaném provedení je viskozita zapouzdřovacího materiálu 40 taková, že zapouzdřovací materiál 40 neteče okamžitě do prostoru 28 bez nějaké tažné síly. Zapouzdřovací materiál 40 musí být tudíž puzen otvorem 26 a do prostoru 28 pomocí dávkovaciho zařízení 42. Protože zapouzdřovací materiál 40 je vysoce viskózní a množství zapouzdřovacího materiálu 40 dávkovaného do prostoru 28 je omezeno na objem prostoru 28, způsobí povrchové napětí mezi zapouzdřovacím materiálem 40 a nosičem 14 čipu a čipem 20 s integrovanými obvody, že zapouzdřovací materiál bude nezávislý a nenastane žádný podstatný tok zapouzdřovacího materiálu 40 ven z prostoru 28. Odstraní se tudíž nutnost přehrazení kvůli zadržení toku zapouzdřovacího materiálu 40. Zapouzdřovací materiál 40 se pak zahřeje na přibližně 2 hodiny na 160° C kvůli vytvrzení zapouzdřovacího materiálu 40 a vytvoření spoje mezi čipem 20 s integrovanými obvody a nosičem 14 čipu a vyztužení spojení kuliček pájky.

V jiném provedení tohoto vynálezu, s odkazem na obr. 3, 5 a 6, ve kterých je těchto několik prvků podobných prvkům z obr. 1 a 2, je množství zapouzdřovacího materiálu 40 * · ♦

-19— ·· · * * dávkovaného otvorem 26 rovno množství nutnému k podstatnému vyplnění prostoru 28 a také přikrytí části montážního povrchu 18 nosiče 14 čipu. Zapouzdřovací materiál 40 je puzen do prostoru 28 a směrem ven na montážní povrch 18 nosiče 14 čipu. Jako v předtím popsaném provedení je zapouzdřovací materiál 40 vysoce viskózní a povrchové napětí mezi zapouzdřovacím materiálem a montážním povrchem 18 zabraňuje toku zapouzdřovacího materiálu 40 za bod, do kterého je zapouzdřovací materiál 40 nucen prostřednictvím dávkovacího zařízení 42. Zapouzdřovací materiál 40 se pak zahřeje na přibližně 2 hodiny na 160°C kvůli vytvrzení zapouzdřovacího materiálu 40 a vytvoření spoje mezi nosičem 14 čipu a čipem 20 s integrovanými obvody a vyztužení spojů kuliček pájky.

V alternativním provedení tohoto vynálezu, s odkazem na obr, 4, je čip 20 s integrovanými obvody připojen přímo na desku 44 s obvodem a nikoli na nosič, který je zase připojen k desce s obvodem. Deska 44 s obvodem má montážní povrch _46 a vzdálený povrch 48. Podobně jako v prvním popsaném provedení má deska 44 s obvodem otvor 50 procházející ze vzdáleného povrchu 48 desky 44 s obvodem do montážního povrchu 46 desky 44 s obvodem. Čip 20 s integrovanými obvody je připevněn přímo na desku 44 s obvodem nad otvorem 50 ve vztahu s odstupem s připevňovacím povrchem 24 čipu 20 s integrovanými obvody směřujícím k montážnímu povrchu £6 desky s obvodem, čímž mezi nimi vytváří prostor. Stejně jako v prvním popsaném provedení má čip 20 s integrovanými obvody uspořádán na svém připevňovacím povrchu 24 více elektrických kontaktů 30. Každý elektrický kontakt 30 má k sobě připevněnu kpličku 32 pájky. Montážní povrch 46 desky 44 s obvodem má na sobě uspořádaných více elektrických kontaktů £2. Každý elektrický kontakt 52 je uspořádán tak, w * • · ♦ · « » • · · ! ·· ··♦ • · ·· ·· aby odpovídal kuličce 32 pájky na připevňovacím povrchu 24 čipu 20 s integrovanými obvody. Množství zapouzdřovacího materiálu 40 nutné k podstatnému vyplnění prostoru mezi připevňovacím povrchem 24 čipu 20 s integrovanými obvody a montážním povrchem 46 desky 44 s obvodem; nebo k podstatnému vyplnění prostoru mezi připevňovacím povrchem 24 čipu 20 s integrovanými obvody a montážním povrchem 46 desky £4 s obvodem a podstatnému pokrytí předem určené oblasti povrchu montážního povrchu 46 desky 44 s obvodem, je dávkováno otvorem 50 a do prostoru mezi připevňovací povrch 24 čipu 2θ s integrovanými obvody a montážní povrch 46 desky 44 s obvodem. Zapouzdřovací materiál 40 se pak vytvrdí, aby vytvořil spoj mezi čipem 20 s integrovanými obvodey a deskou 44 s obvodem a vyztužil spoje kuliček pájky.

V ještě dalším provedení tohoto vynálezu, s odkazem na obr. 7, ve kterém je těchto několik prvků podobných prvkům z obr. 1, je kryt 58, který má alespoň jeden průduch 66 procházející z vnitřního povrchu 60 na vnější povrch 62, umístěn nad čip 20 s integrovanými obvody, takže existuje prostor 70 mezi vnitřním povrchem 60 krytu 58 a vzdáleným povrchem 22 čipu 20 s integrovanými obvody a prázdný prostor 64 obklopující čip 20 s integrovanými obvody. Kryt 58 muže být vyroben z kovu nebo plastu a může být opakovaně použitelný nebo jednoúčelový. Vnější tlak se aplikuje na vnější povrch 62 krytu 58 kvůli přilepení krytu 58 k montážnímu povrchu 18 nosiče 14 čipu. Množství zapouzdřovacího materiálu 40 nutné k podstatnému vyplnění prostoru 70, prázdného prostoru 64 a prostoru 28, je dávkováno otvorem 26 a tak zapouzdří čip 20 s integrovanými obvody. Zapouzdřovací materiál 40 se pak zahřeje přibližně na 2 hodiny na 160°C kvůli vytvrzení zapouzdřovacího materiálu 40 a vytvoření spojení mezi čipem 20 ·

4 • 4 • 44 4444 • 44 4

4 • •44 β 4 · · ··· ··* 4 · ·· s integrovanými obvody a nosičem 14 čipu a vyztužení spojení kuliček pájky. Kryt 58 se muže odstranit před nebo po vytvrzení. Tento způsob lze také použít k vyztužení elektrických spojů mezi čipem s integrovanými obvody a deskou s obvodem.

Zastupuje:

Dr. Petr Kalenský v.r.

• * • « • · »·· ·«·« ··· ··· * · <· ··

JUDr. Petr Kalenský - 15 - .· advokát

120 00 Praha 2, Hálkova 2

Claims (9)

1. PATENTOVÉ NÁROKY

   1. Způsob zapouzdřování a vyztužování elektrických propojení sestavy čipu s integrovanými obvody, vyznačující se tím, že obsahuje kroky:

   zajištění substrátu, který má otvor procházející ze vzdáleného povrchu substrátu na montážní povrch substrátu a čip s integrovanými obvody, který má připevňovací povrch a vzdálený povrch; připevňovací povrch čipu s integrovanými obvody je připevněn nad otvorem k montážnímu povrchu substrátu ve vztahu s odstupem a tím vymezuje mezi nimi prostor, přičemž tento prostor má výšku okolo 0,00508 až 0,01524 cm (0,002 až 0,006 palců);

   zajištění objemu zapouzdřovacího materiálu nutného alespoň k vyplnění prostoru, kde zapouzdřovací materiál obsahuje teplem tvrzený polymer, který má viskozitu v rozmezí okolo 250 až 1 000 Pascal-sekund při dávkovači teplotě;

   dávkování objemu zapouzdřovacího materiálu otvorem do prostoru; a vytvrzení zapouzdřovacího materiálu, aby vytvořil spojení mezi substrátem a čipem s integrovanými obvody.
2. 2. Způsob podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále obsahuje krok:

   umístění krytu nad čip s integrovanými obvody, přičemž

   27 78 885 kryt má alespoň jeden průduch procházející z vnitřního povrchu krytu na vnější povrch krytu, přičemž vnitřní povrch krytu směřuje ke vzdálenému povrchu čipu s integrovanými obvody ve vztahu s odstupem, a tím vymezuje prázdný prostor;

   kde je otvorem poskytnut objem zapouzdřovacího materiál, aby podstatně vyplnil prostor a prázdný prostor.
3. 3. Způsob podle nároku 1 nebo 2, vyznačující se tím, že připevňovací povrch čipu s integrovanými obvody je připevněn k montážnímu povrchu substrátu s použitím více kuliček pájky.
4. 4. Způsob podle nároku 1 až 3, vyznačující se tím, že substrát obsahuje nosič čipu.
5. 5. Způsob podle nároku 1 až 3, vyznačující se tím, že substrát obsahuje desku s obvodem.
6. 6. Sestava čipu s integrovanými obvody vytvořená podle způsobu kteréhokoli z nároků 1 až 5.
7. 7. Sestava čipů s integrovanými obvody, vyznačující se tím, že obsahuje:

   čip s integrovanými obvody, který má obvod, připevňovací povrch a vzdálený povrch více vodivých kontaktů uspořádaných na připevňovacím povrchu, přičemž každý z vodivých kontaktů má k sobě připevněno spojení s odstupem;

   substrát, který má montážní povrch a vzdálený povrch a »

   9 · • · ··· • · ♦ ♦ ·· otvor procházející z montážního povrchu na vzdálený povrch;

   více elektrických kontaktů uspořádaných na montážním povrchu, přičemž každý z elektrických kontaktů je připevněn k jednomu z odsazených spojení;

   zapouzdřovací materiál dávkovaný mezi montážní povrch a připevňovací povrch, který podstatně zapouzdřuje odsazená spojení, elektrické kontakty a vodivé kontakty, kde zapouzdřovací materiál obsahuje velmi silný teplem tvrzený polymer, ' který má viskozitu v rozmezí okolo 250 až 1 000 Pascal-sekund při dávkovači teplotě.
8. 8. Sestava čipu s integrovanými obvody podle nároku 7, vyznačující se tím, že více elektrických kontaktů vymezuje prostor mezi připevňovacím povrchem a montážním povrchem; a zapouzdřovací materiál podstatně vyplňuje tento prostor.
9. 9. Sestava čipu s integrovanými obvody podle nároku 7, vyznačující se tím, že zapouzdřovací materiál zapouzdřuje čip s integrovanými obvody a zakrývá část montážního povrchu kolem obvodu.

   Zastupuje: