CZ306708B6 - Zařízení pro hmotnostní spektrometrii - Google Patents

Zařízení pro hmotnostní spektrometrii Download PDF

Info

Publication number
CZ306708B6
CZ306708B6 CZ2015-517A CZ2015517A CZ306708B6 CZ 306708 B6 CZ306708 B6 CZ 306708B6 CZ 2015517 A CZ2015517 A CZ 2015517A CZ 306708 B6 CZ306708 B6 CZ 306708B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
source
ion
mass spectrometry
gas
inert gas
Prior art date
Application number
CZ2015-517A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ2015517A3 (cs
Inventor
Libor Sedláček
Jaroslav Jiruše
Original Assignee
Tescan Brno, S.R.O.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tescan Brno, S.R.O. filed Critical Tescan Brno, S.R.O.
Priority to CZ2015-517A priority Critical patent/CZ306708B6/cs
Priority to US15/218,732 priority patent/US9721781B2/en
Publication of CZ2015517A3 publication Critical patent/CZ2015517A3/cs
Publication of CZ306708B6 publication Critical patent/CZ306708B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/26Mass spectrometers or separator tubes
    • H01J49/34Dynamic spectrometers
    • H01J49/40Time-of-flight spectrometers
    • H01J49/401Time-of-flight spectrometers characterised by orthogonal acceleration, e.g. focusing or selecting the ions, pusher electrode
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2255Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
    • G01N23/2258Measuring secondary ion emission, e.g. secondary ion mass spectrometry [SIMS]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/252Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J49/00Particle spectrometers or separator tubes
    • H01J49/02Details
    • H01J49/10Ion sources; Ion guns
    • H01J49/14Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
    • H01J49/142Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers using a solid target which is not previously vapourised
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/05Arrangements for energy or mass analysis
    • H01J2237/057Energy or mass filtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448Secondary particle detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/25Tubes for localised analysis using electron or ion beams
    • H01J2237/2505Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
    • H01J2237/2516Secondary particles mass or energy spectrometry
    • H01J2237/2527Ions [SIMS]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Vynález se týká zařízení pro hmotnostní spektrometrii v kontinuálním provozu, využívajícího iontového tubusu s plazmovým zdrojem, které lze dále vybavit také zdrojem fokusovaného elektronového svazku či zdrojem laserového záření zahrnující vakuovou komoru, stolek pro umístění vzorku, iontový tubus s plazmovým zdrojem pro vytváření svazku primárních iontů a hmotnostní spektrometr sekundárních iontů pro analýzu sekundárních iontů, přičemž iontový tubus je připojen ke zdroji inertního plynu a ke zdroji reaktivního plynu a uzpůsoben k současnému přivádění alespoň dvou plynů ze zdroje inertního plynu a zdroje reaktivního plynu a hmotnostní spektrometr sekundárních iontů je typu ortogonální Time-Of-Flight pro zajištění funkce při kontinuálním provozu iontového tubusu.

Description

Zařízení pro hmotnostní spektrometrii
Oblast techniky
Vynález se týká zařízení pro hmotnostní spektrometrii v kontinuálním provozu, využívajícího iontového tubusu s plazmovým zdrojem, které lze dále vybavit také zdrojem fokusovaného elektronového svazku či zdrojem laserového záření.
Dosavadní stav techniky
V současnosti jsou známá řešení kombinovaných zařízení skenovacích elektronových mikroskopů (Scanning Electron Microscope, zkráceně SEM) a tubusů fokusovaných iontových svazků (Focused Ion Beam, zkráceně F1B), často rozšířená také o systém pro vstřikování plynů (Gas Injection System, zkráceně GIS). Všeobecným trendem u těchto řešení je integrace více analytických zařízení, jako je například detekce charakteristického rentgenového záření (Energy/Wavelength Dispersive X-ray Spectroscopy, zkráceně EDS a WDS), elektronová difrakce (Electron Backscatter Diffraction, zkráceně EBSD), detekce katodoluminiscenčního záření (Cathode Luminescence, zkráceně CL) a další, do jedné vakuové komory. Pro úspěšnou integraci je obvykle nutné tato zařízení patřičně adaptovat. Mimo jiné se často jedná o jejich zmenšování nebo alespoň zmenšování jejich ústí umístěných v analytické komoře, aby bylo možné všechny umístit co nejblíže jednomu sledovanému vzorku.
Vyskytly se i snahy takto integrovat hmotnostní spektrometr sekundárních iontů (Secondary Ion Mass Spectrometry, zkráceně SIMS), který poskytuje informaci o prvkovém, nebo izotopickém složení vzorku na základě detekce sekundárních iontů. Ty vzniknou při odprášení materiálu ze vzorku primárním iontovým svazkem, jehož zdrojem je často FIB. Sekundární ionty jsou následně v detektoru separovány na základě poměru jejich hmotnosti k elektrickému náboji v elektrickém poli, nebo magnetickém poli, nebo v čase a detekovány. Běžně jsou pro SIMS využívány detektory na bázi segmentové (Sector Field Mass Spectrometer) nebo kvadrupólové (Quadrupole Mass Spectrometer, zkráceně QMS) separace iontů, případně detektory založené na době letu, zkráceně nazývané TOF (Time-Of-Flight). Většina z těchto zařízení pracuje v pulzním režimu primárního zdroje. To znamená, že primární iontový svazek je generován vždy jen po velmi krátký časový úsek, po kterém následuje analýza sekundárních iontů v detektoru. Pulzování primárním svazkem pro zajištění vhodného množství sekundárních iontů však nelze u FIB zařízení vždy dobře realizovat neboje kvůli časové náročnosti nevýhodné nebo omezuje použití. Například při potřebě odstranění velkého množství materiálu je žádoucí generovat nepřetržitě svazek primárních iontů o vysokém proudu.
Pouze některá SIMS zařízení však dokáží současně měřit široké spektrum iontů v kontinuálním režimu, kdy primární iontový svazek dopadá na vzorek nepřetržitě. Při použití ortogonální konstrukce TOF lze ponechat primární svazek iontů v nepřetržitém kontinuálním chodu a k časové separaci iontů použít elektrostatického pulzu pro sekundární ionty ve směru kolmém k jejich původní dráze letu. Jiné TOF SIMS pracují nekontinuálně a měří sekundární ionty v jednotlivých pulzech vytvořených svazkem primárních iontů. Pro zvýšení výtěžnosti sekundárních iontů se ve spektrometrii často využívá připouštění reaktivního plynu, jako je například kyslík, jod, páry cesia nebo chlor. Plyn se adsorbuje na povrch vzorku, ze kterého je iontovým svazkem odprášen spolu s materiálem vzorku, se kterým následně reaguje a tvoří jeho ionty. Je například známo, že připouštěním kyslíku lze zvýšit výtěžnost sekundárních iontů některých prvků o 1 až 3 řády. K lokálnímu připouštění plynu přímo do blízkosti analyzovaného místa na vzorku je výhodné využít zařízení GIS. Alternativně lze plynem také naplnit celou komoru analytického zařízení. Oba tyto způsoby jsou však z pohledu integrovaných zařízeních nevýhodné, protože kvůli udržení vysokého vakua je možné použít jen relativně malou koncentraci reaktivního plynu, který navíc může nežádoucím způsobem chemicky interagovat s jinými částmi zařízení, jako jsou na
-1 CZ 306708 B6 příklad části tubusů iontů či elektronů nebo systému EDS. Použití těchto způsobů není také příliš vhodné pro TOF SIMS v kontinuálním provozu. Důvodem je to, že při kontinuálním dopadání svazku primárních iontů na povrch vzorku, např. při obrábění nebo rastrování vzorku, se reaktivní plyn nestačí na povrchu vzorku v dostatečném množství usadit a výtěžnost sekundárních iontů tak není dostatečně zvýšena.
Podstata vynálezu
Podstatou vynálezu je zařízení pro hmotnostní spektrometrii zahrnující vakuovou komoru, stolek pro umístění vzorku, iontový tubus s plazmovým zdrojem pro vytváření svazku primárních iontů a hmotnostní spektrometr sekundárních iontů pro analýzu sekundárních iontů, přičemž iontový tubus je připojen ke zdroji inertního plynu a ke zdroji reaktivního plynu, jehož podstata spočívá v tom, že je iontový tubus 4 dále uzpůsoben k současnému přivádění alespoň jednoho plynu ze zdroje inertního plynu a alespoň jednoho plynu ze zdroje reaktivního plynu a že hmotnostní spektrometr sekundárních iontů je typu ortogonální Time-Of-Flight pro zajištění funkce při kontinuálním provozu iontového tubusu.
Ve výhodném provedení je primární iontový svazek fokusovaný. V dalším výhodném provedení je využit plazmový zdroj typu ECR (Electron Cyclotrone Resonance).
V jiném výhodném provedení vynálezu je zdrojem reaktivního plynu zdroj kyslíku.
V dalších výhodných provedeních je zdrojem inertního plynu xenon, argon nebo helium.
Dle výhodného provedení dále vynález zahrnuje zařízení pro vytváření fokusovaného elektronového svazku, např. skenovací elektronový mikroskop, anebo také zdroj laserového záření.
Podstatou vynálezu je tedy využití připouštění reaktivního plynu přímo do plazmového zdroje, takže svazek primárních iontů obsahuje též ionty reaktivního plynu a pro hmotnostní spektrometrii je použit hmotnostní spektrometr sekundárních iontů typu TOF v ortogonálním provedení umožňující vytvoření vysokonapěťového pulzu pro směrování sekundárních iontů a změření jejich doby letu. Tímto je iontovému tubusu umožněno pracovat kontinuálně. To je výhodné pro běžné operace FIB, jako obrábění či pozorování vzorku, nezávisle na tom, zda měření SIMS probíhá či nikoliv. Další výhodou je, že lze použít běžný iontový tubus používaný u vícesvazkových zařízení bez nutnosti jeho rekonstrukce pro včlenění pulzního zařízení pro SIMS. Pulzní zařízení je součástí analyzátoru TOF a neomezuje konstrukčně či provozně iontový tubus. Tímto vzniká zcela unikátní technologie umožňující připojení SIMS do systému s iontovým tubusem s plazmovým zdrojem, zařízením pro vytváření fokusovaného elektronového svazku a například zdrojem laserového záření primárně určených kjiným úkonům, jako jsou například obrábění vzorku, depozice libovolného materiálu na vzorek anebo pozorování vzorku. Tento typ TOF SIMS má oproti ostatním SIMS (segmentovým nebo kvadrupólovým) dále tu zásadní výhodu, že je schopen kontinuálního měření celého hmotnostního spektra iontů.
Objasnění výkresu
Na obrázku č. 1 je schematicky znázorněn příklad umístění jednotlivých prvků v zařízení s kombinovanými iontovými a elektronovými svazky.
Na obrázku č. 2 je znázorněn detail ortogonálního TOF SIMS.
-2CZ 306708 B6
Příklady uskutečnění vynálezu
V příkladu provedení zařízení pro hmotnostní spektrometrii v kontinuálním provozu na obr. 1 je znázorněna vakuová komora 1, v níž se nachází stolek 2, na němž je umístěn zkoumaný vzorek 3. K vakuové komoře je dále připojen iontový tubus 4, vytvářející svazek primárních iontů 5, s výhodou fokusovaný, který slouží k pozorování vzorku 3, obrábění vzorku 3 anebo k depozici libovolného materiálu na vzorek 3. Z mnohých důvodů zřejmých odborníkovi znalému této oblasti techniky je výhodné, aby byl svazek primárních iontů 5 pro pozorování nebo obrábění kontinuální a přitom bylo možné současně sledovat materiálové složení materiálu odprašovaného z oblasti na vzorku 3. To je například výhodné pro zjišťování toho, jaký materiál je ze vzorku 3 právě odprašován. Toto zajišťuje ortogonální hmotnostní spektrometr 6 sekundárních iontů (SIMS) typu TOF analýzou sekundárních iontů 7. Jako příklad provedení je využita kompaktní verze hmotnostního spektrometru 6 sekundárních iontů s menší prostorovou zástavbou, což je zvláště výhodné u kombinovaných zařízení, které jsou kromě iontového tubusu 4 vybaveny také například elektronovým mikroskopem 10 nebo zdrojem laserového záření, tedy u takzvaných vícesvazkových zařízení. Výtěžek sekundárních iontů 7 je závislý na typu primárních iontů generovaných iontovým zdrojem, jejich množství a energii, úhlu dopadu fokusovaného svazku primárních iontů, materiálového složení vzorku a dalších podmínkách. Při nízkém výtěžku sekundárních iontů 7 není možné analýzu pomocí SIMS provést nebo je nedostatečně citlivá. K plazmovému zdroji iontového tubusu 4 je pro získání dostatečného výtěžku sekundárních iontů připojen zdroj 8 inertního plynu, např. argonu, xenonu nebo helia a zdroj 9 reaktivního plynu, např. jodu, chloru, kyslíku nebo cesiových par. Ve výhodném provedení je iontový tubus 4 s plazmovým zdrojem typu ECR. Ve výhodném provedení se používá xenon a kyslík pro zvýšení výtěžku kladně nabitých iontů a kombinace xenonu a par cesia pro zvýšení výtěžku záporně nabitých iontů. Alternativně je možné k tvorbě primárních iontů použít jiné známé typy plazmových zdrojů.
S výhodou může být zařízení pro hmotnostní spektrometrii v kontinuálním provozu dále vybaveno elektronovým mikroskopem 10 pro vytváření elektronového svazku _H. Sjeho pomocí lze zobrazovat vzorek 3 s vyšším rozlišením, než jaké by umožňoval iontový tubus 4. Nej výhodnější je použití skenovacího elektronového mikroskopu 10. Alternativně však lze využít transmisního elektronového mikroskopu 10 nebo skenovacího transmisního elektronového mikroskopu 10. Dále může být zařízení podle vynálezu vybaveno zdrojem laserového záření, například femtosekundovým laserem, který běžně dosahuje vyšší rychlosti obrábění než iontový tubus 4 a je tak vhodný k opracování větších objemů vzorku.
Zmíněný TOF SIMS 6 znázorněný na obr. 2 je uzpůsobený pro kontinuální měření širokého spektra iontů. Využívá vysokonapěťového pulzu k urychlení sekundárních iontů 7, u nichž je měřena doba letu. Sekundární ionty 7 vstupují nejprve do optiky 12 pro přenos a fokusaci sekundárních iontů 7, poté do komory 13 TOF SIMS a jsou urychlovány vysokonapěťovým (HV) pulserem 14, což je v tomto provedení elektroda na vysokém potenciálu. Sekundární ionty 7 se stejnou kinetickou energií směřují na známé vzdálenosti mezi HV pulserem 14 a detektorem 15 iontů. Sekundární ionty 7 dosahují různých rychlostí, na základě jejich poměru hmotnosti k náboji. Z údaje o době letu po známé dráze je určena rychlost sekundárního iontu a k ní přiřazen specifický poměr hmotnosti k náboji, ze kterého je určen typ iontu. V jednom z provedení TOF SIMS 6 jsou sekundární ionty 7 směřovány HV pulserem 14 na protilehlý detektor přímo, v jiném provedení může být detektor 15 iontů umístěn pod úhlem jiným než nulovým a sekundární ionty 7 mohou být na detektor 15 iontů nasměrovány pomocí elektrostatického zrcadla nebo podobných prvků částicové optiky. Detektor iontů může být například typu kanálkového násobiče či dalších známých typů.

Claims (9)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii zahrnující vakuovou komoru (1), stolek (2) pro umístění vzorku (3), iontový tubus (4) s plazmovým zdrojem pro vytváření svazku (5) primárních iontů a hmotnostní spektrometr sekundárních iontů pro analýzu sekundárních iontů (7), přičemž iontový tubus (4) je připojen ke zdroji (8) inertního plynu a ke zdroji (9) reaktivního plynu, vyznačující se tím, že je iontový tubus (4) dále uzpůsoben k současnému přivádění alespoň jednoho plynu ze zdroje (8) inertního plynu a alespoň jednoho plynu ze zdroje (9) reaktivního plynu a že hmotnostní spektrometr sekundárních iontů je typu ortogonální Time-Of-Flight pro zajištění funkce při kontinuálním provozu iontového tubusu (4).
  2. 2. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle nároku 1, vyznačující se tím, že plazmový zdroj je typu Electron Cyclotrone Resonance.
  3. 3. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle nároku 1 nebo 2, vyznačující se tím, že iontový tubus (4) vytváří fokusovaný svazek iontů.
  4. 4. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle kteréhokoliv z předchozích nároků, vyznačující se tím, že zdrojem (9) reaktivního plynuje zdroj kyslíku.
  5. 5. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle kteréhokoliv z předchozích nároků, vyznačující se tí m , že zdrojem (8) inertního plynuje zdroj xenonu.
  6. 6. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle kteréhokoliv z předchozích nároků, vyznačující se tím, že zdrojem (8) inertního plynuje zdroj argonu.
  7. 7. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle kteréhokoliv z předchozích nároků, vyznačující se t í m , že zdrojem (8) inertního plynu je zdroj helia.
  8. 8. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle kteréhokoliv z předchozích nároků, vyznačující se tím, že dále zahrnuje zařízení pro vytváření fokusovaného elektronového svazku (11).
  9. 9. Zařízení pro hmotnostní spektrometrii podle kteréhokoliv z předchozích nároků, vyznačující se tím, že dále zahrnuje zdroj laserového záření.
CZ2015-517A 2015-07-24 2015-07-24 Zařízení pro hmotnostní spektrometrii CZ306708B6 (cs)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2015-517A CZ306708B6 (cs) 2015-07-24 2015-07-24 Zařízení pro hmotnostní spektrometrii
US15/218,732 US9721781B2 (en) 2015-07-24 2016-07-25 Device for mass spectrometry

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2015-517A CZ306708B6 (cs) 2015-07-24 2015-07-24 Zařízení pro hmotnostní spektrometrii

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2015517A3 CZ2015517A3 (cs) 2017-02-01
CZ306708B6 true CZ306708B6 (cs) 2017-05-17

Family

ID=57837859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2015-517A CZ306708B6 (cs) 2015-07-24 2015-07-24 Zařízení pro hmotnostní spektrometrii

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9721781B2 (cs)
CZ (1) CZ306708B6 (cs)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU100109B1 (en) 2017-02-28 2018-09-07 Luxembourg Inst Science & Tech List Ion source device
EP3477682B1 (en) * 2017-10-30 2020-03-11 FEI Company Improved sims secondary ion mass spectrometry technique
EP3477683A1 (en) * 2017-10-30 2019-05-01 FEI Company Improved sims spectrometry technique using fluorine catalysis
LU100773B1 (en) * 2018-04-24 2019-10-24 Luxembourg Inst Science & Tech List Multiple beam secondary ion mass spectometry device
CN111223753B (zh) * 2018-11-27 2021-07-09 中国科学院大连化学物理研究所 一种离子迁移谱-飞行时间质谱联用仪的控制方法
CN110530966A (zh) * 2019-09-25 2019-12-03 清华大学 一种可视化阵列式高通量质谱检测装置及方法
US20240090111A1 (en) * 2022-09-09 2024-03-14 Applied Materials, Inc. Multiple plasma ion source for inline secondary ion mass spectrometry

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090085211A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Tokyo Electron Limited Electrical contacts for integrated circuits and methods of forming using gas cluster ion beam processing
US20100193701A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 Tel Epion Inc. Multiple nozzle gas cluster ion beam system

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930155A (en) * 1973-01-19 1975-12-30 Hitachi Ltd Ion microprobe analyser
US5825035A (en) * 1993-03-10 1998-10-20 Hitachi, Ltd. Processing method and apparatus using focused ion beam generating means
KR960014922A (ko) * 1994-10-14 1996-05-22 가나이 쯔또무 표면해석방법 및 장치
US7459693B2 (en) * 2003-04-04 2008-12-02 Bruker Daltonics, Inc. Ion guide for mass spectrometers
US7701138B2 (en) * 2003-07-02 2010-04-20 Canon Kabushiki Kaisha Information acquisition method, information acquisition apparatus and disease diagnosis method
JP4636859B2 (ja) * 2004-11-25 2011-02-23 キヤノン株式会社 情報取得方法
JP2008185547A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Canon Inc 情報取得方法及び情報取得装置
US7931784B2 (en) * 2008-04-30 2011-04-26 Xyleco, Inc. Processing biomass and petroleum containing materials
WO2013036885A1 (en) * 2011-09-08 2013-03-14 The Regents Of The University Of California Metabolic flux measurement, imaging and microscopy
JP2015087237A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 キヤノン株式会社 質量分布計測方法及び質量分布計測装置
JP2015087236A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 キヤノン株式会社 質量分布計測方法及び質量分布計測装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090085211A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Tokyo Electron Limited Electrical contacts for integrated circuits and methods of forming using gas cluster ion beam processing
US20100193701A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 Tel Epion Inc. Multiple nozzle gas cluster ion beam system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Akiya, K., et al: J. Surf. Sci. Nanotech 2014, 12, 75 - 78 *

Also Published As

Publication number Publication date
US9721781B2 (en) 2017-08-01
CZ2015517A3 (cs) 2017-02-01
US20170025264A1 (en) 2017-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ306708B6 (cs) Zařízení pro hmotnostní spektrometrii
US10620142B2 (en) X-ray spectroscopy in a charged-particle microscope
US8350213B2 (en) Charged particle beam detection unit with multi type detection subunits
JP2018088402A (ja) 時間分解された荷電粒子顕微鏡法
WO2014181132A1 (en) Method of reducing the thickness of a target sample
US10153144B2 (en) Imaging spectrometer
CN107818904A (zh) 复合射束装置
EP2355125B1 (en) Particle beam device and method for operation of a particle beam device
JP4606270B2 (ja) 試料イオンの飛行時間測定用装置,飛行時間型質量分析装置,飛行時間型質量分析方法
CN109841473A (zh) 具有可调整光束能散度的透射带电粒子显微镜
US20100158189A1 (en) Mossbauer spectrometer
JP2015028921A (ja) イオン群照射装置、二次イオン質量分析装置、および二次イオン質量分析方法
Saha et al. A combined electron-ion spectrometer for studying complete kinematics of molecular dissociation upon shell selective ionization
EP3477682B1 (en) Improved sims secondary ion mass spectrometry technique
Djurić et al. Measurement of light fragments in dissociative excitation of molecular ions: CD+
Welander et al. A field ionizer for photodetachment studies of negative ions
US11133166B2 (en) Momentum-resolving photoelectron spectrometer and method for momentum-resolved photoelectron spectroscopy
JP6624790B2 (ja) 投影型の荷電粒子光学系、およびイメージング質量分析装置
Martin et al. Experimental Methods
Vokhmyanina et al. About a contactless transmission of 10 keV electrons through tapering microchannels
US20170018397A1 (en) Sample holder for charged particle beam device, and charged particle beam device
Rossnagel Pushing the space-charge limit in electron momentum microscopy
Ye Velocity-Map Imaging for Emittance Characterization of Field Emitter Arrays
EP3477683A1 (en) Improved sims spectrometry technique using fluorine catalysis
Marler Highly charged ion beams and their applications