CS276342B6 - Sposob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr - Google Patents

Abstract

Využitie zmien podmienok mikroanalýzy charakteristického róntge- nového žiarcnia v rastrovacom elektrono- vom mikroskope pre získanie informácií o prvkovej distribúcii nehomogenních vrstevnatých štruktúr. To Sa zistuje v hlbke 0,5 .um, pri uhle snímania do 30° pri náklone vzorky nad 45° a urých- íovacom napatí do dvojnásobku excitač- nej energie prvku. ípósob mikroanalýzy. je možné použit všade tam, kde je potřebné zistit híbkovú distribúciu prvkov.vrstevnatých štruktúr v inter- - vale híbky 1 nm až 0,5 .um od po ­vrchu.

Description

(57) Anotace : Využitie z.mien podmienok mikroanalýzy charakteristického rentgenového žiarenia v rastrovacom elektronovom mikroskope pre získanie informácií o prvkovej distribúcii nehomogenných vrstevnatých štruktúr. To Sa zistuje v híbke 0,5 .um, pri uhle snímania do 30° pri náklone vzorky nad 45° a urýchíovacom napatí do dvojnásobku excitačnej energie prvku. ípúsob mikroanalýzy. je možné použit všade tam, kde je potřebné zistit híbkovú distribúciu prvkov,vrstevnatých štruktúr v inter-vale híbky 1 nm až 0,5 .um od povrchu. '

276

342 (13) Druh dokumentu : 06 (51) Int. Cl.⁵ :

G 01 N 23/02

I f

··· £

>·.

i ř

i ř

V δ

I ;·

CS 276342 Θ6 i

Vynález sa týká spósobu prvkovej iiiikroanalýzy vrstevnatých štřuktúr.

.1.

CS 276 342 36

Zo změny podmienok mikroanalýzy pomocou charakteristického rontgenového žiarenia na rastrovacom elektrónovom mikroskope sa získajú inforinácie o prvkovej distribúcii nehomogénnych vrstevnatých štřuktúr.

Pre získanic informácií o bíbkovej distribúcii prvkov v pevných látkách Sa používajú predovšetkým chemické a fyzikálně postupy spočívajúce v analýze tenkých povrchových oblastí při postupnom odstraňovaní povrchových vrstiev. Spoločným nedostatkem týchto metod je ich deštruktívny charakter spočívajúci v odstraňovaní analyzovanej oblasti. Použitie kolmých, resp. šikmých rezov vrstevnatého materiálu je viazané na použitie lokálnej mikroanalýzy o veími malom analyzovanom objeme.

Uvedené nevýhody sú odstránené použitím prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štruktúr pře získanie informácií o bíbkovej distribúcii prvkov v nehomogénnych vrstevnatých Struktúrach podía vynálezu.

Jeho podstatou je spósob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štřuktúr pri ktorom sa zistuje híbková distribúcia prvkov vrstevnatých štřuktúr v híbke do 0,5 yum při uhle snímania do 30°, při náklone vzorky do 45° a urychíovacej energií elektronového zvazku do dvojnásobku excitačnej energie sledovaného prvku.

Využívá sa tak změna geometrických podmienok a energie primárných elektronov při mikroanalýze. Pri zmene urychíovacieho napatia primárného elektronového, lúča, uhla dopadu primárných elektronov a uhla snímania emitovaného rontgenového žiarenia sa zákonitým sposobom mění intenzita snímaného charakteristického rontgenového žiarenia sledovaných prvkov. Z charakteru týchto zmien možno usudzovat na distribúciu sledovaných prvkov od povrchu pevných látok smerom dovnútra vzorky, predovšetkým v oblasti 1 nm áž 0,5 yum.

Příklad

Pomocou rastrovacieho elektronového mikroskopu Tesla 0Ξ 300 a EDX analyzátora EDAX

9100/60 bola meraná závislost intenzity P,,„ žiarenia emitovaného z povrchu vzorky ocele ^Ka 17 . . ,?

dávky 10^χ_' ionov/cm~ od urýchíovacieho napatia ^_1θ Λ. Při kons ionovo implantovaným fosforem elektronového zvazku v intervale 7 až 20 kV, při prúde zvazku 6,5 . 10 štantnom urýchíovacom napatí 12 kV bola meraná uhlová závislost intenzity žiarenia. Změna uhla snímania emitovaného žiarenia bola dosiahnutá rotováním vzorky okolo zvislej osi. Uhol medzi rovinou vzorky a osou rotácie bol zhodný s elevačným uhlom detektora (v danom případe 35°). Týmto sposobom bol určený koncentračný gradient fosforu do híbky 0,3 /um od povrchu vzorky.

Uvedený spósob analýzy podía vynálezu možno využit všade tom, kde je potřebné nedeštruktívnym spósobom zistit bíbkovú distribúciu prvkov, ktoré sú tíetekovateíhé využívanou metodou. Využívá sa najdená možnost plynulej změny uhla snímania emitovaného rontgenového žiarenia aj keď detektor žiarenia je v elektrónovom mikroskope fixně zabudovaný.

Claims (1)

1. PATENTOVÉ

   Spósob prvkovej mikroanalýzy vrstevnatých štřuktúr pre nedešťruktívne zistenie' prvkovej distribúcie nehomogénnych vrstevnatých štřuktúr změnou geometrických podmienok a energie, vyznačujúci sa tým, že híbková distribúcia prvkov sa zistuje v híbke do

   0,5 yum pri uhle snímania do 30°, pri náklone vzorky do 45° a urýchíovacom -napatí elektronového zvázku do dvojnásobku excitačnej energie prvku.