CS272611B1 - Light-sensitive layer that increases photoresist's contrast - Google Patents
Light-sensitive layer that increases photoresist's contrast Download PDFInfo
- Publication number
- CS272611B1 CS272611B1 CS692288A CS692288A CS272611B1 CS 272611 B1 CS272611 B1 CS 272611B1 CS 692288 A CS692288 A CS 692288A CS 692288 A CS692288 A CS 692288A CS 272611 B1 CS272611 B1 CS 272611B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- contrast
- photoresist
- layer
- light
- solution
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims abstract description 6
- -1 4-dimethylaminophenyl Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N n-methylidenehydroxylamine Chemical compound ON=C SQDFHQJTAWCFIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- VTWKXBJHBHYJBI-UHFFFAOYSA-N n-benzylidenehydroxylamine Chemical compound ON=CC1=CC=CC=C1 VTWKXBJHBHYJBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
Vynález rieši svetlocitlivá vrstvu zvyšujúcu kontrast fotorezistu, aplikovanú vo forme svetlocitlivej tenkej vrstvy na povrch pozitívneho fotorezistu pri fotolitogra- . fickom spracovaní polovodičových prvkov na projekčnom optickom zariadení.
Zvyšovanie rozlišovacej schopnosti pozitívneho fotorezistu pri projekčnej optickej litografii je základným predpokladom dosiahnutia mikrónových a submikrónových rozmerov pri výrobe polovodičových prvkov. V poslednej dobe je tejto problematike venovaná značná pozornosť. Jednou z metód je použitie sekundárnej svetlocitlivej vrstvy CEL, Contrast Enhacement Layer, ktorá po expozícii vytvorí vo fotoreziste latentný obraz schopný vyššieho rozlíšenia než vrstva samotného fotorezistu. Z literatúry je známe, Že na vytvorenie aktívnej fotochemickej vrstvy CEL, možno použit rôzne druhy organických látok a farbív. Vhodnost týchto látok je však obmedzená nízkou fotochemickou aktívnosťou, nízkou rozpustnosťou v polymérnych substrátoch a vznikom vedlejších produktov pri expozícii, ktoré pôsobia ako vnútorný filter pre expozičné žiarenie. fieto nedostatky rieši svetlocitlivá vrstva zvyšujúca kontrast fotorezistu podlá vynálezu, podstata ktorého spočíva v tom, že je tvorená vrstvou z roztoku 0,01 až 15 í hmot. C - (4 - dimetylaminofenyl) - ΙΓ - fenylnitrón v polystyrénovej matrici. Výhodou vrstvy zvyšujúcej kontrast pozitívneho fotorezistu je, že aplikovaná foto-aktívna látka vyžaduje na úplný rozklad nízke expozičné časy, fotolýzou nevznikajú vedíajšie produkty, ktoré svojou ábsorciou žiarenia znižujú kvantový výťažok fotochemickej premeny nitrónu, použitý fenylnitrón je dobre rozpustný v použitej polystyrénovej matrici. Kontrast zvyšujúca vrstva vytvára kompatibilnú vrstvu, ktorá nenarúša povrch fotorezistu a po expozícii sa dá lahko odstrániť.
Príkladom konkrétneho prevedenia podlá vynálezu je svetlocitlivá vrstva, ktorá sa pripraví nanesením svetlocitlivého roztoku nitrónu pri 3000 ot./min. na vysušenú vrstvu pozitívneho fotorezistu.
Svetlocitlivý roztok sa pripraví rozpustením 0,02 g C - (4 - dimetylaminofenyl) - K -- fenylnitrpnu a 2 g polystyrénu v 100 g trichlóretylénu,'
Biešenie je možné využiť vo fotolitografickom spraoovaní polovodičových prvkov.
Claims (1)
- P RE ΰ lí E Ť 7 Y Ж Á L E Z U Svetlocitlivá vrstva zvySujiíca kontrast fotorezistu, vyznačujúca sa tým, že Je tvorená vrstvou z roztoka 0,01 až 15 % hmot. 0-(4- dlmetylaminofenyl) - Ж - íenyloitrónu v polystyrénovej matrici.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS692288A CS272611B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Light-sensitive layer that increases photoresist's contrast |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS692288A CS272611B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Light-sensitive layer that increases photoresist's contrast |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS692288A1 CS692288A1 (en) | 1990-05-14 |
| CS272611B1 true CS272611B1 (en) | 1991-02-12 |
Family
ID=5417380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS692288A CS272611B1 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | Light-sensitive layer that increases photoresist's contrast |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS272611B1 (cs) |
-
1988
- 1988-10-20 CS CS692288A patent/CS272611B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS692288A1 (en) | 1990-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4116693A (en) | Photo-imaging utilizing alkali-activated photopolymerizable compositions | |
| US3501297A (en) | Photographic process using polyacetyleneicdioic acid crystals | |
| US3640718A (en) | Spectral sentization of photosensitive compositions | |
| US3567445A (en) | Presensitized lithographic plate with two differentially spectrally sensitized layers separated by a novolak resin | |
| JPS5474728A (en) | Photosensitive composition | |
| JPS5560944A (en) | Image forming method | |
| JPS63500616A (ja) | コントラスト強化層 | |
| DE69032077T2 (de) | Fotoresist für nahes U.V. | |
| US3701657A (en) | Processing of presensitized photolithographic printing plates | |
| GB1588417A (en) | Photoresist materials | |
| JPH02161445A (ja) | 可視レーザ記録用感光材料 | |
| US7022452B2 (en) | Contrast enhanced photolithography | |
| CS272611B1 (en) | Light-sensitive layer that increases photoresist's contrast | |
| DE1597623C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bildes | |
| JPS6024932B2 (ja) | 感光性像形成材料 | |
| JPS59124134A (ja) | レジスト・マスクの形成方法 | |
| US3399994A (en) | Processing of presensitized photolithographic printing plantes | |
| JPS6067937A (ja) | ネガチブ作用フオトレジスト組成物 | |
| US4414315A (en) | Process for making lithographic printing plate | |
| JP2524993B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| US3767409A (en) | Photographic triorganophosphine-azide dye forming composition and article | |
| EP0020870B1 (en) | Lithographic photoresist composition | |
| US3485629A (en) | Photo process | |
| US3310404A (en) | Offset master preparation and elements | |
| US3669667A (en) | Preventing speed loss in oxygen sensitive photo-resist layers |