CS270749B1 - Pozitivní elektronový rezist - Google Patents

Pozitivní elektronový rezist Download PDF

Info

Publication number
CS270749B1
CS270749B1 CS892375A CS237589A CS270749B1 CS 270749 B1 CS270749 B1 CS 270749B1 CS 892375 A CS892375 A CS 892375A CS 237589 A CS237589 A CS 237589A CS 270749 B1 CS270749 B1 CS 270749B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
methyl
mol
copolymers
hydrogen
general formula
Prior art date
Application number
CS892375A
Other languages
English (en)
Other versions
CS237589A1 (en
Inventor
Bohumil Doc Ing Csc Bednar
Vladimir Ing Csc Marousek
Oldrich Ing Csc Paleta
Original Assignee
Bednar Bohumil
Marousek Vladimir
Paleta Oldrich
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bednar Bohumil, Marousek Vladimir, Paleta Oldrich filed Critical Bednar Bohumil
Priority to CS892375A priority Critical patent/CS270749B1/cs
Publication of CS237589A1 publication Critical patent/CS237589A1/cs
Publication of CS270749B1 publication Critical patent/CS270749B1/cs

Links

Landscapes

  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

Rezist je tvořen kopolymery (fluoralkvl )-2-propenoátů obecného vzorce CH? - CX-COO-CR1R2-(CF2CF2)n*H> kde X, R1, R2 je vodík nebo methyl a n je rovno 1 až 3 s deriváty kyseliny 2-propenové obecného vzorce CH2=CX-C0-Y, kde X je vodík nebo methyl a Y je -OH, -0CH2CH?0H, -0CH2CHoCH2 -nh2, -nhch2oh, -NHCH2CH(OH)CH3 nebo -0R·5, kde R' je alifatický alkyl obsahující 1 až 6 atomů uhlíku, přičemž kopolymer je tvořen alespoň dvěma monomery a molární hmotnost kopolymerů je 5 .104 až 1.10' g.mol'1.

Description

Vynález se týká pozitivního elektronového rezistu.
Rozvoj výroby integrovaných obvodů směřuje k obvodům s velmi vysokým stupněm integrace, obsahujícím více než 106 aktivních prvků.
Pro přípravu submikronových aktivních prvků již nepostačuje klasická fotolitografie, jejímž limitujícím faktorem je vlnová délka expozičního záření. Tento problém řeší rentgemívá imtio o 1uktronnvrt litografie, vn kterých lze použít záření o vlnových délkách řádově 101 až 10'3 nm. ,
Při aplikaci elektronové litografie jsou jako rezisty používány speciální polymery s rozměry klubek menšími než 10 nm. Typickými pozitivními elektronovými rezisty jsou například homo- a kopolyméry (methyl)-2-methyl-2-propenoátu, mající citlivost řádou/ě 10 3C. .cm'2. Podstatně vyšší citlivost mají homopolymery (fluoralkyl)-2-propenoátů, -ale jejich adheze k podložce není často dostačující.
Tento nedostatek odstraňuje pozitivní elektronový rezist podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že je tvořen kopolyméry (fluoralkyl)-2-propenoátů obecného vzorce
CH2 = CX - C00 - CR1R2-(CF2CF2)n - H, 1 2 kde X, R , R je vodík nebo methyl a n je rovno 1 až 3 s deriváty kyseliny 2-propenové obecného vzorce ch2 = CX-CO-Y, kde X je vodík nebo methyl a Y je -OH, -OCH^H^H, -0CH2CHQCH2, -NH2,
-NHCHjOH,-NHCH2CH(OH)CHj nebo OR3, kde R3 je alifatický alkyl obsahující 1 až 6 atomů uhlíku, přičemž kopolymer je tvořen alespoň dvěma monomery a molární hmotnost kopolymerů je 5.104 - 1.107 g.mol'^. Podle dalšího význaku je u kopolymerů, obsahujících více než dva monomery, další monomer kyselina (meth)akrylová.nebo 2-hydroxyethy 1(meth)-akrylát nebo 2 ,3-epoxypropy1(me th)akrylát nebo akrylamid či jeho deriváty v množství 0,1 až 10 % mo 1.
Podstatnou výhodou řešení podle vynálezu je zlepšení rozpuuůtůcích charaktur i :> l ik a zvýšení adheze rezistu k podložce ve srovnání s homopolymery (fluoralkyl)-2-propenoálů při současném zachování nebo i zvýšení jejich vysoké citlivosti vůči elektronovému zářen í.
Výše uvedené elektronové rezisty jsou připravovány radikálovou polymerizací prováděnou obvykle v roztoku vhodného rozpouštědla, je však možné je připravit i blokovou nebo suspenzní polymerizací. Použité (fluoralkyl)-2-propenoáty, případně fluoralkyl-2-methyl-2-propenoáty, jsou připravovány acylací odpovídajících fluoralkanolů kyselinou akrylovou, případně methakrylovou, nebo jejich chloridy.
Volbou polymeračních podmínek a struktury komonomerů lze regulovat nejen hodnoty molárních hmotností a distribuce vznikajících polymerů, ale i jejich hodnoty Tg, adhezi k podložce, rozpouštěcí charakteristiky a litografické vlastnosti.
Příklad 1
Směs monomerů obsahující (2,2,3,3-tetrafluor-2-methyl-2-butyl)methakrylát (4,3 g), methylmethakrylát (3,2 g) a (2-hydroxyethyl)methakrylát (0,5 g) byla polymerizována v roztoku dioxanu při teplotě 60 °C po dobu 6 hodin za iniciace 2,2-azo-bis-isobutyronitrilu -2 -1 o koncentraci 1.10 mol.l . Vzniklý polymer byl vysrážen v přebytku n-heptanu a po přesrážení z roztoku v chloroformu byl sušen do konstantní hmotnosti při 25 °C/0,13 kPa. Obsah fluorovaného monomeru v kopolymeru byl 33,4 '-í mol, = 155 000 g.mol'3, Mw/Mn = 2,4.
Polymer byl nanesen na křemíkové podložky z roztoku v methylcellosolvacetátu a byl predtvrzen při teplotě 120 °C po dobu 30 minut. K expozicím byly použity vrstvy o tloušíce 0,5 až 1 jjm. Citlivost k elektronovému záření byla stanovena na elektronovém litografu BS600 při urychlujícím napětí 20 kV. Exponovaná vrstva byla vyvolávána v xylenu. Nalezená z - 2 citlivost Dp = 5,6.10 C.cm a hodnota kontrastu = 1,9.
CS 270749 Bl .
Příklad 2
Směs (3,3,4,4-tetrafluor-2-methyl-2-butyl)methakrylátu (80 '-í hmot.), (3,3,4,4,5,5,6,6-oktafluor-2-hexyl)methakrylátu (16 % hmot.) a (N-hydroxymethyl)akrylamidu (4 % hmot.) byla polymerizována v roztoku dloxanu při teplotě 70 °C po dobu 3 hodin za iniciace 2,2-azo-bis-isobutyronitrilu o koncentraci 5.10^ mol.!'.-1. Vzniklý polymer byl vysrážen v n-heptanu a vysušen. Po ozáření na lineárním urychlovači elektronů byly stanoveny hodnoty G(s) = 4,7 a G(x) = 0,7. '
Příklad 3
Kopolymer (3,3,4,4-tetrafluor-2-butyl)methakrylátu (65 % mol.) s butylmethakrylátem (35 % mol) mající Mw = 365 000 g-mol-1 a Mw/Mn = 2,2 byl připraven za obdobných· podmínek jako v příkladu 2. Rezist připravený a exponovaný stejným postupem jako v příkladu 1 měl - 6 - 2 při vyvolávání v systému methylisobutylketon-heptan citlivost 2.10 C.cm a kontrast f- 5,1.
Příklad 4
Kopolymer (3,3,4,4-tetrafluor-2-methyl-2-buty1)methakrylátu (65 % mol.), butylmethakrylátu (32 \ mol.) a 2,3-epoxypropylmethakrylátu (3 '-s mol.) byl připraven za stejných podmínek jako v příkladu 3 a měl Mw = 420 000 g.mol''·. Rezist připravený a exponovaný jako v příkladu 1 měl při vyvolání v systému methylisobutylketon-2-propanol citlivost
Op = 2,5.10 C.cm a kontrast^ = 1,7. Jeho adheze k podložce byla lepší než u kopolymeru připraveného v příkladu 3.
Příklad 5
Kopolymer obsahující 61 % mol. (3,3,4,4-tetrafluor-2-butyl)akrylátu, 37,6 % mol. 2-ethylhexylakrylátu a 1,4 % mol. 2,3-epoxypropylmethakrylátu byl připraven a zpracován • Z ^2 obdobně jako v příkladu 1. Získaný rezist měl citlivost Op = 5,4.10 C.cm a kontrast / = 2,1.

Claims (2)

PŘEDMĚT VYNÁLEZU
1. Pozitivní elektronový rezist, vyznačený tím, že je tvořen kopolymery (fluoralkyl)-2-propenoátů obecného vzorce
CH2 = CX-C00-CR1R2 *-(CF2CF2)n-H, 1 2 kde X, R , R je vodík nebo methyl a n je rovno 1 až 3 s deriváty kyseliny 2-propenové obecného vzorce ch2 = CX-CO-Y, kde X je vodík nebo methyl a Y je -OH, -0CH2CH20H, -0CH2CHgCH2> -NH2> -NHCH20H, -NHCH2CH(0H)CHj nebo -0r\ kde R^ je alifatický alkyl obsahující 1 až 6 atomů uhlíku, přičemž kupolymer je tvořen alespoň dvěma monomery a molární hmotnost kopolymerů je 5.104 * - 1.107 g.mol'1.
2. Pozitivní elektronový rezist podle bodu 1, vyznačený tím, že u kopolymerů, obsahujících více než dva monomery, je dalším monomerem kyselina (meth)akrylová nebo 2-hydroxyethyl (meth)akrylát nebo 2,3-epoxypropyl(meth)akrylát nebo akrylamid či jeho deriváty v množství t), 1 už 10 % mu 1.
CS892375A 1989-04-17 1989-04-17 Pozitivní elektronový rezist CS270749B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS892375A CS270749B1 (cs) 1989-04-17 1989-04-17 Pozitivní elektronový rezist

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS892375A CS270749B1 (cs) 1989-04-17 1989-04-17 Pozitivní elektronový rezist

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS237589A1 CS237589A1 (en) 1989-11-14
CS270749B1 true CS270749B1 (cs) 1990-07-12

Family

ID=5360731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS892375A CS270749B1 (cs) 1989-04-17 1989-04-17 Pozitivní elektronový rezist

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS270749B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS237589A1 (en) 1989-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6368773B1 (en) Photoresist cross-linker and photoresist composition comprising the same
JPS60205444A (ja) 感放射組成物及び感放射記録材料
CA1166061A (en) Method of forming a negative resist pattern by exposing to crosslink a copolymer containing halomethyl or acrylymethyl substituted styrene units
JP2648805B2 (ja) 液体適用型の水性処理可能なホトレジスト組成物
JPS6052845A (ja) パタ−ン形成材料
US4289842A (en) Negative-working polymers useful as electron beam resists
KR20000047042A (ko) 가교능을 갖는 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를이용한 포토레지스트용 조성물
JP7192779B2 (ja) 共重合体およびポジ型レジスト組成物
US5328973A (en) Radiation-sensitive mixture with a polymeric binder containing units of α,β-unsaturated carboxamides
CN107621751A (zh) 含碱性香豆素结构的聚合物树脂及其光刻胶组合物
US4315067A (en) Method for making electron sensitive negative resist
EP0119017B1 (en) Electron-beam and x-ray sensitive polymers and resists
CS270749B1 (cs) Pozitivní elektronový rezist
CA1292339C (en) Copolymers having o-nitrocarbinol ester groups, production of two-layer resists, and fabrication of semiconductor components
CN114133483B (zh) 含金刚烷结构的丙烯酸酯成膜树脂及光刻胶与制备方法
JPS58192035A (ja) ネガテイブ型レジストとして有用な重合体組成物の製造方法
US4243742A (en) Radiation-sensitive positively acting materials
GB2054617A (en) Radiation sensitive resins comprising 2-alkylglycidyl methacrylate homopolymer or copolymer
GB1484873A (en) Delineating a pattern in a negative resist composition
JPH0358104B2 (cs)
JPH05257285A (ja) 放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法
JPH087443B2 (ja) 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト
KR20170120590A (ko) 중합체 및 포지티브형 레지스트 조성물
RU2692678C1 (ru) Фоторезистивная композиция высокочувствительного позитивного электронорезиста
JP2593310B2 (ja) レジスト材料