CS268946B1 - Ochranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou - Google Patents
Ochranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou Download PDFInfo
- Publication number
- CS268946B1 CS268946B1 CS873709A CS370987A CS268946B1 CS 268946 B1 CS268946 B1 CS 268946B1 CS 873709 A CS873709 A CS 873709A CS 370987 A CS370987 A CS 370987A CS 268946 B1 CS268946 B1 CS 268946B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon wafer
- silicon plate
- phase
- expansion pad
- semiconductor structure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Řešeni ochranného prvku fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou je určeno zejména pro výkonové polovodičové moduly s pájenými systémy. Křemíková deska s vytvořenou polovodičovou strukturou a proudovými vývody je připájena k měděné dilatační podložce rovněž přioájené měkkým spojem na bázi olova k pokovené části keramické elektricky izolační tepelně vodivé desce. Měděná dilatační podložka je v. horni části, přiléhající ke křemíkové desce, osazena na průměr menši než je průměr křemíkové desky. Přes obvod křemíkové desky a spodni část měděné dilatační podložky je nasazen pružný kroužek např. ze silikonového kaučuku, opatřený výřezem pro plochý výstupek měděné dilatační podložky. Spodni i horni část fázky křemíkové desky je chráněna vrstvou silikonového kaučuku.
Description
Vynález se týká ochranného prvku fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou, zejména pro výkonový polovodičový modul.
Základem každého výkonového bezpotenciálového polovodičového modulu je stavební prvek, jehož hlavni složkou je křemíková deska s diodovou, tyristorovou nebo tranzistorovou strukturou. Z anodové respektive kolektorové strany je křemíková deska připájena olověnou pájkou prostřednictvím dilatačního členu, například z mědí, popřípadě molybdenu nebo přímo ke předem pokovené keramické izolační desce a fázka křemíkové desky je opatřena povrchovou ochranou z kaučuku. Na pokovenou část keramické desky je současně napájen anodový, respektive kolektorový proudový vývod polovodičového systému. Keramická deska elektricky izoluje polovodičový systém od kovové základny vlastního modulu. Z katodové, respektive emitorové strany křemíkové desky vychází přes dilatační člen nebo přímo katodový, respektive emitorový vývod z mědi nebo stříbra. Uvedené výhody zprostředkovávají spojeni stavebního prvku s proudovými armaturami modulu.
Nevýhodou stávajícího řešení je nedostatečná ochrana fázky polovodičově desky. Běžná povrchová ochrana fázky, vytvořená silikonovým kaučukem, nezajíštuje po zapouzdření do modulu spolehlivou ochranu okraje zbroušené polovodičově desky. Po zapouzdřeni dochází k přímému styku zaLévaci hmoty modulu s neochráněným nebo nedostatečně ochráněným okrajem křemíkové desky. Také vlivem tepelných dílataci při provozu součástky dochází na styku hmoty modulu s ochráněnou fázkou křemíkové desky k narušováni povrchové ochrany ze silikonového kaučuku a následně k znečištění povrchově oblastí polovodičové desky. Toto znečištěni vlivem působení elektricky aktivních iontů z hmoty modulu má za následek degradací elektrických parametrů modulu, zejména sníženi závěrných a blokovacích napětí a zhoršování stability elektrických vlastnosti.
Uvedené nevýhody odstraňuje řešení ochranného prvku fázky výkonového polovodičového modulu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že měděná dilatační podložka je v horní části, přiléhající ke křemíkové desce osazena na průměr menší, než je průměr křemíkové desky a přes obvod křemíkové desky a spodní část měděné dilatační podložky je nasazen pružný kroužek, například ze silikonového kaučuku, opatřený výřezem pro plochý výstupek měděné dilatační podlpžky a spodní i horní část fázky křemíkové desky je chráněna vrstvou silikonového kaučuku.
Popsaně řešeni ochrany fázky polovodičového systému stavebního prvku pode vynálezu vylučuje možnost přímého styku hmoty pouzdra modulu s křemíkovou deskou, což zajištuje trvale stabilní elektrické vlastnosti modulu.
Na připojeném výkresu je přiklad provedení stavebního prvku výkonového polovodičového modulu v řezu s ochranným prvkem fázky křemikpvé desky podle vynálezu.
Základní keramická elektricky izolační a tepelné vodivá deska 1, například z korundu, je pokovena kovovou vrstvou 2, například titanu a niklu. K této kovové vrstvě 2 je pájkou 3, například PbAg připájena svým větším průměrem měděná dilatační podložka 4, na jejíž horní osazenou část s menším průměrem je připájena křemíková deska 5 s vytvořenou tyristorovou strukturou a oboustrannou fázkou. K horní ploše křemíkové desky 5 je připájen stříbrný řídicí vývod 10 a katodový proudový vývod 6 také ze stříbra. Přes okraj křemíkové desky 5 a spodní část měděné dilatační podložky 4 je nasazen pružný kroužek 7 ze silikonového kaučuku, opatřený výřeze» pro plochý výstupek 2 měděné podložky 4. Do plochého výstupku 9 je zalisován anodový proudový vývod 11 kruhového průřezu, vytvořený ze stříbra. Spodní i horní část fázky křemíkově desky 5 je chráněna vrstvou 8 silikonového kaučuku.
CS 268946 Bl
Uvedeni řeéent zaručuje ochranu polovodičového systému před stykem se zalévaci hmotou pouzdra a je vhodné pro véechny typy výkonových polovodičových struktur určených pro pájené typy bezpotencíálových modulu.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNALEZUOchranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou, zejména pro výkonový polovodičový modul, který obsahuje polovodičovou strukturu kotoučového tvaru s katodovým, respektive emitorovým a řídicím proudovým vývodem, k jejíž anodové, respektive kolektorové straní je měkkým spojem na bázi olova připájená dilatační podložka kotoučového tvaru, opatřená na boku plochým výstupkem pro připojeni anodového, respektive kolektorového proudového vývodu, jejíž spodní část je mřkkým spojem na bázi olova připájená k pokovené časti keramické elektricky izolační a tepelní vodivé desky, vyznačující se tím, že měděná dilatační podložka /4/ je v horní částí, přiléhající ke křemíkové desce /5/ osazena na průměr menší, než je průměr křemíkové desky /5/ a přes vnější obvod křemíkově desky /5/ a spodní část měděné dilatační podložky /4/ je nasazen pružný kroužek ΠΙ, například ze silikonového kaučuku, opatřený výřezem pro plochý výstupek /9/ měděné dilatační podložky /4/, přičemž spodní i horní část fázky křemíkově desky /5/ je zalita vrstvou /8/ silikonového kaučuku.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873709A CS268946B1 (cs) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Ochranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873709A CS268946B1 (cs) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Ochranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS370987A1 CS370987A1 (en) | 1989-09-12 |
| CS268946B1 true CS268946B1 (cs) | 1990-04-11 |
Family
ID=5377936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS873709A CS268946B1 (cs) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Ochranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS268946B1 (cs) |
-
1987
- 1987-05-22 CS CS873709A patent/CS268946B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS370987A1 (en) | 1989-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849803A (en) | Molded resin semiconductor device | |
| US6326242B1 (en) | Semiconductor package with heat sink and method of fabrication | |
| JP3256636B2 (ja) | 圧接型半導体装置 | |
| KR101493865B1 (ko) | 구조가 단순화된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP5492367B2 (ja) | 窒化ガリウム半導体デバイス用のパッケージ | |
| US8343811B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6396138B1 (en) | Chip array with two-sided cooling | |
| US20010000631A1 (en) | Chip scale surface mount package for semiconductor device and process of fabricating the same | |
| US8129225B2 (en) | Method of manufacturing an integrated circuit module | |
| US6461893B2 (en) | Method for manufacturing an electronic device | |
| JPH11163419A (ja) | 発光装置 | |
| US20070045785A1 (en) | Reversible-multiple footprint package and method of manufacturing | |
| US4709253A (en) | Surface mountable diode | |
| US4719500A (en) | Semiconductor device and a process of producing same | |
| US4136351A (en) | Photo-coupled semiconductor device | |
| JPH11191561A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CS268946B1 (cs) | Ochranný prvek fázky křemíkové desky s polovodičovou strukturou | |
| US6876067B2 (en) | Semiconductor device | |
| GB2197126A (en) | A light emitting semi- conductor device having current overload protection | |
| JPH07176664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CZ6389U1 (cs) | Ochranný prvek fazety křemíkové desky s polovodičovou strukturou | |
| KR100260996B1 (ko) | 리드프레임을 이용한 어레이형 반도체패키지 및 그 제조 방법 | |
| WO2016150583A1 (en) | Power semiconductor device and power semiconductor module comprising a power semiconductor device | |
| EP4148777A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN111052510A (zh) | 半导体装置 |