CS268870B1 - Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu - Google Patents
Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu Download PDFInfo
- Publication number
- CS268870B1 CS268870B1 CS865415A CS541586A CS268870B1 CS 268870 B1 CS268870 B1 CS 268870B1 CS 865415 A CS865415 A CS 865415A CS 541586 A CS541586 A CS 541586A CS 268870 B1 CS268870 B1 CS 268870B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- optical elements
- symbol
- denotes
- increased resistance
- general formula
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Řešení ae týké optických prvků o zvýšené vzdornoatl vůči fotochemické mu rozkladu na bázi halogenldů olova obecného vzorce Pbx2 kde symbol X zna čí jeden nebo více halogenů ze skupiny Cl, □, Br, které mohou být stejné nebo ee od sebe mohou lišit, déle které Jsou nejméně na čéati svého povrchu opatřeny antireflexní vrstvou jako je SiO2, MgF2, MgO nebo Ta20=, popřípadě Jsou nejméně no části svého povrchu opatřeny povlakem alkalického halogenldu obecněno vzorce MX, kde symbol M značí Li, Na, K, Rb nebo Cs, a symbol X značí halogen.
Description
V poslední době se rychle zvyšují požadavky na nové optické materiály, čemž ae požaduje, aby oblaat jejich optické propustnosti byla co možná nejširší λ chovala do IČ oblasti alespoň k 15/Um, popřípadě se předepisuje, aby byly použít· ?né i pro pršel s C02 lasery. Současné Je žádáno, aby tyto materiály vykazovaly vnokos optickou odolnost, to jest aby neměnily své optické vlastnosti ani při vysokýu hustotách záření. Zvláště vítány jsou přltoo ty, které jsou současně odolné vůči pi>obení rentgenového 1 Ionizujícího záření, jsou intaktní vůči vlivu elektronů, popřii^cfě i neutronů. Kromě toho nají nit výhodné parauetry ekonomické, jako jsou cena a dc>pnoet výchozích materiálů, nákladnost a náročnost technologie výroby a podobně.
V současné době je ve světové technice znána celá řada skel a monokrystc kých materiálů, které je možno použít pro uvedené účely. Osou to například skupiny sVI1 typu halogenidů žíravých zemin, skupiny AIJBVI typu chalkogenidů, skupiny AIijh typu GaAs a další. Užívané materiály však splňují shora uvedené požadavky pouze Cé»ečně, zej ména v oblasti nejnovějších aplikací ve speciální technice, ukázalo se proto ' o účelné a potřebné, aby shora uvedené náročné požadavky na optické prvky jako Jsou například čočky, hranoly, totálně odrazná zrcadla, polopropustná zrcadla. Brewsterova okénka, byly splněny pomocí nových, dosud neužívaných materiálů.
Uvedené cíle byly dosaženy tímto vynálezem, jehož předmětem jsou optické orvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu. Podstatou vynálezu Je provedení, kde optickým prvkem nebo Jeho částí Je halogenid olova obecného vzorce Pbx2, kde svnbol X značí jeden nebo více halogenů ze skupiny cl, □, Br které mohou být stejné nebo se od sebe mohou lišit. Při tom optické prvky mohou být nejméně na části svého povrchu opatřeny antireflexní vrstvou jako je SiOg, MgF2, MgO nebo Ta2o5, nebo mohou být nejméně na %ástl svého povrchu opatřeny povlakem alkalického halogenidů obecného vzorce ux, kde symbol M značí Li, Na, K, Rb nebo es, a symbol X značí halogen.
Vynález využívá poznatku, že optické prvky vyrobené z materiálu vykazují mnoho technických předností, jako jsou například vysoká optická propustnost od uv do ič spektrální oblasti nad 15 yum, velká odolnost vůči vysoké hustotě záření, velká odolnost k ionizujícímu záření elektronům atd.
Výchozí látky pro materiály podle vynálezu Jsou levné a snadno dostupné ekonomicky nenáročným postupem. Tak například lze připravit monokrystaly cotunnitu (Pbcl,), které jsou opticky propustné v rozmezí od 0,3 do 20 um, odolávají hustotě záření větší než 30 MW/cm2, snesou exposicizáření vyšší než 106 Gy, vzdorují působení elektronů a vykazují řadu dalších technicky významných vlastností. Surovina pro jejich výrobu je snadno dostupná a levná, a vzhledem k relativně nízké teplotě tání (t.t. - Pbcl2 je pouze 500 °C proti t.t. Ge., který činí 958 °C) je možno krystaly poměrně snadno vyrobit.
Příklad
Krystalisací z taveniny v uzavřeném kelímku se vypěstuje monokrystal chloridu olovnatého. Při kultivaci se povrchové napětí taveniny zvýší tak, aby tavenina nesmáčela stěny použitého kelímku, čehož se dosáhne rozpuštěním o,5 mol% plynu obsahujícího chlor v tavenině.
Výrobní kelímek se na povrchu pokryje křemíkem, aby nedošlo k smáčení povrchu kelímku. Růst krystalu se zahájí na zárodku orientovaném v krystalografickém směru [ooij ·
Kultivací získaný monokrystal o rozměrech 0 35 mm, délky 40 mm se rozřeže na destičky o tloušEce 5 mm, z kterých se potom vybrousí čočky o průměru 32 mm a tloušEce 3 mm, s ohniskovou vzdáleností 100 mm, které v celém rozsahu od 0,3 yum do 20 >um vyniovými čočkami stejných rozměrů při vlnové délce 10,6 um se zjistí, že čočky z monokrystalu chloridu olovnatého Jsou Jim ekvivalentní, ačkoliv Jsou výrazně levnější.
Claims (3)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu, vyznačující se tím, že obsahují monokrystal halogenidu olova obecného vzorce PbXg, kde symbol X značí jeden nebo více halogenů ze skupiny Cl, 3, Br, které mohou být stejné nebo se od sebe mohou lišit.
- 2. Optické prvky podle bodu 1, vyznačující se tím, že jsou nejméně na části svého povrchu opatřeny antireflexní vrstvou, například SiO?, MgF^, MgO nebo Ta^Og.
- 3. Optické prvky podle bodu 1, vyznačující se tím, že Jsou nejméně na části svého povrchu opatřeny povlakem alkalického halogenidu obecného vzorce MX, kde symbol M značí Li, Na, K, Rb nebo Cs, a symbol X znamená halogen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS865415A CS268870B1 (cs) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS865415A CS268870B1 (cs) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS541586A1 CS541586A1 (en) | 1989-09-12 |
| CS268870B1 true CS268870B1 (cs) | 1990-04-11 |
Family
ID=5399011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS865415A CS268870B1 (cs) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS268870B1 (cs) |
-
1986
- 1986-07-16 CS CS865415A patent/CS268870B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS541586A1 (en) | 1989-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0455199B1 (en) | Red, green, blue upconversion laser pumped by single wavelength infrared laser source | |
| US4315667A (en) | Fiber for optical transmission having single crystal core | |
| EP0201600B1 (en) | Solid state laser employing diamond having color centers as a laser active material | |
| KR101651306B1 (ko) | 광학 필름 | |
| US4686196A (en) | Phototropic glass with a refractive index greater than or equal to 1.59, an abbe number greater than or equal to 44 and a density less than or equal to 3.0 g/cm3 | |
| JPS638055B2 (cs) | ||
| CS268870B1 (cs) | Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu | |
| Morrison | Some properties of Bi12TiO20 and the system Bi2O3-TiO2 | |
| EP0379547A4 (en) | Photochromic polymer membrane | |
| KR920002828A (ko) | 높은 동위체 순도의 단결정 다이아몬드로부터 제조된 방사선에 견고한 광학 제품 | |
| US5073303A (en) | Photochromic emulsion | |
| US3355294A (en) | Photochromic compositions containing bleaching rate accelerators | |
| US6773635B2 (en) | UV-sensitive material | |
| Simonsen et al. | The unit-cell dimensions and space group of zinc diethyldithiocarbamate | |
| EP0409339A1 (en) | Potassium-lithium niobate crystals | |
| US4176207A (en) | Non-birefringent thallium iodide thin films for surface protection of halide optical elements | |
| US3629100A (en) | Optical shutter composition and method of producing same | |
| Herbig | The youngest stars | |
| Smakula et al. | Optical materials and their preparation | |
| JPH04292661A (ja) | 樹脂組成物 | |
| Baghdadi et al. | Silicon ribbon growth using scanned lasers | |
| EP0235038B1 (en) | Visible-ray recording hologram material | |
| US6801562B2 (en) | High repetition rate excimer laser system | |
| Savage | Halide Glasses and Chalcogenide Glasses for Ultra Low Loss Fibre Applications—A Comparison | |
| JP3080708B2 (ja) | 新しいAlF3系フッ化物ガラス |