CS266743B1 - Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti - Google Patents
Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti Download PDFInfo
- Publication number
- CS266743B1 CS266743B1 CS873668A CS366887A CS266743B1 CS 266743 B1 CS266743 B1 CS 266743B1 CS 873668 A CS873668 A CS 873668A CS 366887 A CS366887 A CS 366887A CS 266743 B1 CS266743 B1 CS 266743B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- single crystal
- production
- growth
- crystals
- crystallographic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Účelem řešení je zvýšení jakosti monokrystalů halogenidů rtutných, které umožňuje jejich použití jako polarizátorů, akustooptických filtrů, modulátorů, aj. Halogenid jednomocné rtuti v uzavřené ampuli po evakuaci a zataveni resublimuje na monokrystal, přičemž monokrystal se pěstuje krystalograficky orientovaným růstem, při kterém se směr růstu odchyluje od krystalografického směru (001), přičemž se odchýlení provádí v rovině odchýlené od krystalografického směru (100) o úhel 40° v kladném i záporném smyslu.
Description
Vynález se týká způsobu výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti určených pro technické účely v oboru optiky, zaměřené na optiku v infračervené' oblasti a akustooptické prvky.
Výroba monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti pro optické použití byla vyřešena způsobem popsaným v čs. patentu 147 476, podle kterého se halogenid jednomocné rtuti neprodyšně oddělí od vnějšího prostředí např. v ampuli z křemenného skla, která se zataví, přivede na teplotu nejméně 120 °C, načež se po dosažení tlaku v soustavě nejméně 2,0 Pa plynule postupně ochladí na teplotu krystalizace.
Monokrystaly halogenidů jednomocné rtuti vykazují mimořádně silnou závislost svých fyzikálních vlastností. Je to dáno tím, že jsou tvořeny lineárními molekulami Η^2Χ2 x halogen, tj. F, Cl, Br nebo J), které jsou mezi sebou vázány jen velmi slabými vazbami. Ve směru hlavní krystalografické osy c jde tedy o poměrně silné vazby ionto-kovalentní, kdežto ve směru kolmém o slabé vazby Vander Waalsovy. Tato skutečnost se výrazně projevuje ve všech vlastnostech Hg2X2· Na jedné straně je příčinou unikátních technicky perspektivních fyzikálních vlastností (vysoký optický dvoj lom, anizotropie rychlosti šíření elastických vln a j .) , na druhé straně je příčinou obtíží při přípravě zvláště jakostních monokrystalů, nebot štěpnost, pružnost, deformovatelnost, sklon k tvorbě vnitřních defektů, tepelná vodivost, tepelná roztažnost aj. jsou v mimořádné míře ovlivněny krystalografickou orientací. Při způsobu výroby, kdy krystalografická orientace monokrystalů Hg2X2 3e prakticky náhodná, nejsou proto dostatečně zabezpečeny reprodukovatelné výtěžky monokrystalů vysoké jakosti a výrobky mohou obsahovat praskliny, deformace, optické nehomogenity a jiné vady. Tato negativní skutečnost se projevuje zejména při orientaci, kdy směr krystalografické osy c je od směru růstu odchýlen o menší úhel než 5°. K tomuto poznatku je přihlédnuto při způsobu výroby podle PV 1678-87. Tento způsob řeší však shora uvedené problémy jen částečně, nebot vymezuje vhodnou krystalografickou orientaci pouze vzhledem ke směru hlavní krystalografické osy c, tj. ke směru (001) tak, že se krystalografický směr (001) odchyluje od směru růstu ,, . r o v „Λο o uhel 5 az 90 .
V praxi se ukázalo, že odstranění výše uvedených nedostatků je dosažitelné úplně definovanou krystalografickou orientací, což je účelem předloženého řešení.
Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti podle vynálezu používá způsobu podle čs. patentu 147 476, podle kterého halogenid jednomocné rtuti v uzavřené ampuli po evakuaci a zatavení resublimuje na monokrystal, a způsobu podle PV 1678-87, podle kterého se krystalografický směr (001) odchyluje od směru růstu o úhel 5° až 90°. Podstata vynálezu spočívá v tom, že odchýlení se provádí v rovině odchýlené od krystalografického směru (100) o úhel 40° s výhodou 20° v kladném i záporném smyslu.
Uvedeným způsobem je možno dosáhnout optimálních podmínek růstu, neboř krystalografická orientace se omezuje pouze na výhodné směry, při kterých během růstu a temperaci krystalů nedochází ke vzniku shora uvedených vad. Příprava krystalů je pak lépe reprodukovatelná i při výrobě objemových monokrystalů je možno zachovat nejvyšší jakost v celém výrobku a krystaly jsou použitelné i pro nejnáročnější aplikace v optice a akustooptice. Je značný rozdíl i ve velikosti vyrobených krystalů; podle známého způsobu byla velikost krystalů do 30 mm, krystaly vyrobené podle vynálezu mají i při průměru 50 mm dobrou jakost. Zvýšily se i výtěžky jakostních krystalů ze 20 % na 70 %.
Podstata vynálezu včetně dosažení vyššího účinku je zřejmá z příkladů provedení, přičemž pojem krystalografické orientace znamená směr růstu.
Příklad 1
Monokrystal chloridu rtuíného byl vypěstován na krystalovém zárodku, vyříznutém tak, že jeho krystalografická orientace byla odchýlená od směru (001) o úhel 90° a od směru (110)
CS 266 743 Bl o úhel 45°. Zárodek byl vložen do ampule, ve které byla po evakuaci a zatavení prováděna resublimace kalomelu na monokrystal. Takto zadanou orientací, kdy monokrystal roste ve směru (100) a rostoucí plochou je plocha (100), byl připraven monokrystal kalomelu, z něhož vyrobený monolitický polarizátor nevykazoval Tyndallův jev ani v řádném, ani na mimořádném světelném svazku a nevykazoval rozptyl světelného svazku He-Ne laseru ani na vzdálenost 10 m.
Příklad 2 .
.· Monokrystal bromidu rtuřného byl vypěstován na zárodku, připraveném v pěstovací ampuli při zadaném gradientu teploty tak, že směr růstu byl od směru (001) odchýlen o 30° v rovině odchýlené od směru (100) o úhel 20° v kladném smyslu. Získaný monokrystal vyhovoval svou jakostí jako výchozí materiál pro přípravu akustooptického modulátoru.
Příklad 3
Monokrystal bromidu rtuřného byl vypěstován na zárodku, připraveném v pěstovací ampuli při zadaném gradientu teploty tak, že směr růstu byl od směru (001) odchýlen o 5° v rovině odchýlené od směru (100) o úhel 40° v záporném smyslu. Monokrystal vyhovoval svou jakostí jako výchozí materiál pro přípravu akustooptických deflektorů.
Monokrystaly halogenidů jednomocné rtuti připravené podle vynálezu jsou určeny k opraco vání na polarizátory, akustooptické filtry a modulátory.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti, při kterém se halogenid jednomocné rtuti po evakuaci a zatavení v uzavřené ampuli resublimuje na monokrystal, přičemž se monokrystal pěstuje ktystalograficky orientovaným růstem, při kterém se krystalografický směr (001) odchyluje od směru růstu o úhel 5° až 90° vyznačený tím, že odchýlení se provádí v rovině odchýlené od krystalografického směru (100) o úhel 40°, s výhodou 20°, v kladném i záporném smyslu.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873668A CS266743B1 (cs) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti |
| JP63056523A JPS63295499A (ja) | 1987-03-12 | 1988-03-11 | 一価水銀ハロゲン化物単結晶の成長方法 |
| FR8803226A FR2612205A1 (fr) | 1987-03-12 | 1988-03-11 | Procede pour assurer la croissance de monocristaux d'halogenures de mercure monovalent |
| DE3808463A DE3808463A1 (de) | 1987-03-12 | 1988-03-14 | Einkristalle von quecksilber(i)-halogeniden sowie verfahren und vorrichtungen zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873668A CS266743B1 (cs) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS366887A1 CS366887A1 (en) | 1989-05-12 |
| CS266743B1 true CS266743B1 (cs) | 1990-01-12 |
Family
ID=5377421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS873668A CS266743B1 (cs) | 1987-03-12 | 1987-05-21 | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS266743B1 (cs) |
-
1987
- 1987-05-21 CS CS873668A patent/CS266743B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS366887A1 (en) | 1989-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Singh et al. | Purification and growth of mercurous chloride single crystals | |
| CN109161959A (zh) | 一种用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体及制备方法和应用 | |
| US10564514B1 (en) | Nonlinear optical crystal of cesium fluorooxoborate, and method of preparation and use thereof | |
| Tu et al. | Shape-controlled growth and characterization of a large KDP crystal | |
| US4096025A (en) | Method of orienting seed crystals in a melt, and product obtained thereby | |
| CS266743B1 (cs) | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti | |
| JPS62113798A (ja) | 炭酸カルシユウム単結晶の製造方法 | |
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| Tanabe et al. | Promotion of crystal nucleation of protein by semi-solid Agarose gel | |
| JPH0336796B2 (cs) | ||
| CN114506852A (zh) | 化合物氟铝硼酸锂钠和氟铝硼酸锂钠双折射晶体及其制备方法和用途 | |
| CS259697B1 (cs) | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti | |
| JPS63295499A (ja) | 一価水銀ハロゲン化物単結晶の成長方法 | |
| US3547596A (en) | Method for producing substantially trigonal piezoelectric selenium | |
| Chen et al. | Growth of α-LiIO3 crystal under microgravity conditions | |
| RU2705341C1 (ru) | Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaB2O4 (BBO) | |
| US6608205B1 (en) | Organic crystalline films for optical applications and related methods of fabrication | |
| CS270090B1 (cs) | Ampule pro pěstováni monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze na vloženém krystalovém zárodku | |
| CN115896950B (zh) | 化合物硒锗镁钠和硒锗镁钠红外双折射光学晶体及制备方法和应用 | |
| Lorber et al. | Biochemical aspects and handling of macromolecular solutions and crystals | |
| KR950001794B1 (ko) | 루틸(Rutile) 단결정의 제조방법 | |
| JPH049759B2 (cs) | ||
| CS198027B1 (cs) | Způsob přípravy opticky jakostních dílů z monokrystalů korundu | |
| Hirano et al. | Synthetic calcite single crystals for optical device | |
| JPH04224197A (ja) | 生体高分子結晶化方法および装置 |