CS259697B1 - Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti - Google Patents
Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti Download PDFInfo
- Publication number
- CS259697B1 CS259697B1 CS871678A CS167887A CS259697B1 CS 259697 B1 CS259697 B1 CS 259697B1 CS 871678 A CS871678 A CS 871678A CS 167887 A CS167887 A CS 167887A CS 259697 B1 CS259697 B1 CS 259697B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- monocrystals
- production
- monocrystal
- monovalent mercury
- single crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Účelem řešení je zvýšení optická Jakosti monokrystalů halogenidů rtutných, které umožňuje jejich použití jako optických prvků u výkonových laserů a jako optoelektronických elementů. Halogenid jednoraocné rtuti v uzavřené ampuli po evakuaci a zatavení resublimuje na monokrystal. Podstatou řešení je krystalograficky orientovaný růst, při kterém se krystalografický směr /&0V odchyluje od směru růstu o úhel 5° až 90°.
Description
Vynález se týká způsobu výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti určených pro technické účely v oboru optiky, zaměřené zejména na optiku v infračervené oblasti a akustooptické prvky.
Výroba monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti pro optické použití byla vyřešena způsobem popsaným v čs. patentu 147 476, podle kterého se halogenid jednomocné rtuti neprodyšně oddělí od vnějšího prostředí například v ampuli z křemenného skla která se zataví, přivede na teplotu nejméně 120 °C, načež se po dosažení tlaku v soustavě nejméně 2,0 Pa plynule postupně ochla dí na teplotu krystalizace.
♦»
Popsaný způsob stejně jako pozdější známé publikace neřešily zvýšení optické jakosti monokrystalů halogenidů rtuťných, které umožňuje jejich použití jako optických prvků u výkonnových laserů a jako optoelektronických elementů.
Uvedený nedostatek řeší způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti podle vynálezu, podle kterého halogenid jednomocné rtuti v uzavřené ampuli po evakuaci a zatavení resublimuje na monokrystal· Podstata vynálezu spočívá v tom, že monokrystal halogenidů jednomocné rtuti se pěstuje krysta259697 lograficky orientovaným růstem, při kterém se krystalografický směr [ooi] odchyluje od směru růstu o úhel 5° až 90°.
Monokrystaly halogenidu vypěstované způsobem podle vynálezu vykazují při testování ortoskopickými a laserovými metodami vyšší optickou jakost než monokrystaly halogenidů pěstovaně v jiném krystalografickém směru. Vyšší optická jakost je dána celým souborem ukazatelů, jako je nižší počet šlír a vnitřních prasklin, menší počet nehomogenit v indexu lomu v monokrystalu, nižší rozptyl světla v celém spektrálním rozsahu propustnosti a nižším stupněm vnitřního pnutí. Přitom jakost monokrystalu určuje kvalita v celém komplexu jednotlivých hodnocení, nebol i optimální kvalita hodnocená pouze z jediného hlediska negarantuje vhodnost monokrystalu pro optické využití.
Podstata vynálezu včetně dosažení vyššího účinku je zřejmá z příkladu provedení, přičemž pojem krystalografické orientace znamená směr růstu.
Příklad t
Monokrystal chloridu rtuíného byl vypěstován na krystalovém zárodku, který byl vyříznut tak, že jeho krystalografická orientace byla odchýlena od směru £θθΐ] o .úhel 45°· Zárodek byl vložen do ampule, ve které byla po evakuaci a zatavení prováděna resublimace kalomelu na monokrystal. Hotový monokrystal byl použit k výrobě Glan-Thompsonova polarizátoru, jehož stupeň polarizace byl vyšší než 99,8 %.
Příklad 2
Monokrystal bromidu rtuíného byl vypěstován s využitím termotaxie, tj. samovolného orientování zářodku monokrystalu v pěstovací ampuli v zadaném gradientu teploty tak, že jeho krystalografické orientace byla ve směru [i OOj odchýlena od směru £00lJ o úhel 50°. Požadovaného úhlu bylo dosaženo geometrickou úpravou hrotu pěstovací ampule. Kvalita monokrystalu vyhovovala pro
Λ optoelektronické prvky.
Příklad 3
Monokrystal jodidu rtuíného byl vypěstován na zárodku, který byl vyříznut tak, že jeho krystalografická orientace byla ve směru {Ί 10] odchýlena od směru QOOlJ o úhel 1,0°. Po vložení zárodku do pěstovací ampule byl vypěstován monokrystal jodidu rtutného, který vykazoval vysokou propustnost v celém spektrálním oboru a stejnorodý index lomu v celém svém objemu.
Monokrystaly halogenidů jednomocné rtuti připravené podle vynálezu jsou vhodné zejména k výrobě polarizátorů, akustooptických modulátorů a akustooptických prvků.
Claims (1)
- Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti, při kterém se halogenid jednomocné rtuti po evakuaci a 2atavení v uzavřené ampuli resublimuje na monokrystal, vyznačený tím, že monokrystal se pěstuje krystalograficky orientovaným růstem, při kterém se krystalografický směr Q00t] odchyluje od směru růstu o úhel 5° až 90°·
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS871678A CS259697B1 (cs) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti |
| JP63056523A JPS63295499A (ja) | 1987-03-12 | 1988-03-11 | 一価水銀ハロゲン化物単結晶の成長方法 |
| FR8803226A FR2612205A1 (fr) | 1987-03-12 | 1988-03-11 | Procede pour assurer la croissance de monocristaux d'halogenures de mercure monovalent |
| DE3808463A DE3808463A1 (de) | 1987-03-12 | 1988-03-14 | Einkristalle von quecksilber(i)-halogeniden sowie verfahren und vorrichtungen zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS871678A CS259697B1 (cs) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS167887A1 CS167887A1 (en) | 1988-02-15 |
| CS259697B1 true CS259697B1 (cs) | 1988-10-14 |
Family
ID=5351752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS871678A CS259697B1 (cs) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS259697B1 (cs) |
-
1987
- 1987-03-12 CS CS871678A patent/CS259697B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS167887A1 (en) | 1988-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20190137843A1 (en) | Compound of cesium fluorooxoborate, nonlinear optical crystal of cesium fluorooxoborate, and method of preparation and use thereof | |
| CN108301045B (zh) | 偏硼酸钙双折射晶体及制备方法和用途 | |
| CN109161959A (zh) | 一种用于紫外可见波段的氰尿酸钡钙双折射晶体及制备方法和应用 | |
| Loiacono et al. | Growth of KH2PO4 crystals at constant temperature and supersaturation | |
| US10564514B1 (en) | Nonlinear optical crystal of cesium fluorooxoborate, and method of preparation and use thereof | |
| Shand | Single crystal growth and some properties of LiYF4 | |
| US4096025A (en) | Method of orienting seed crystals in a melt, and product obtained thereby | |
| Dressler et al. | On the inhomogeneity of refractive index of CaF2 crystals for high performance optics | |
| CS259697B1 (cs) | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti | |
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| JPS62113798A (ja) | 炭酸カルシユウム単結晶の製造方法 | |
| US7540917B2 (en) | Hydrothermal growth of rhombohedral potassium fluoroberyllium borate crystals for use in laser and non-linear optical applications and devices | |
| JPH0336796B2 (cs) | ||
| CS266743B1 (cs) | Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocnó rtuti | |
| CN106192006A (zh) | 化合物钒酸锂钠光学晶体及其制备方法和用途 | |
| JPS63295499A (ja) | 一価水銀ハロゲン化物単結晶の成長方法 | |
| Shumov et al. | KTiOPO4 (KTP) crystal growth from high‐temperature solutions containing WO3 | |
| RU2705341C1 (ru) | Способ выращивания кристалла метабората бария β-BaB2O4 (BBO) | |
| US6608205B1 (en) | Organic crystalline films for optical applications and related methods of fabrication | |
| CN112505816A (zh) | 化合物硼酸钾钡和硼酸钾钡双折射晶体及制备方法和用途 | |
| Knight et al. | Superheated ice: true compression fractures and fast internal melting | |
| US3914525A (en) | Mercury sulfide films and method of growth | |
| CN111499588B (zh) | Ba2M(C3N3O3)2化合物，其晶体及晶体的制备方法和用途 | |
| CN115896950B (zh) | 化合物硒锗镁钠和硒锗镁钠红外双折射光学晶体及制备方法和应用 | |
| Hirano et al. | Hydrothermal growth of calcite single crystal in NaCl solution. |