CS265840B1 - Způsob úpravy epitaxní vrstvy před měřením epitaxní struktury indiumfosfidu - Google Patents

Abstract

Před vlastním měřením se substrát s nanesenou epitaxní strukturou indiumfosfidu ponoří do redestilované vody zahřáté na bod varu po dobu jedné až dvou minut.

Description

(57),. Před vlastním měřením se substrát s nanesenou epitaxní strukturou indiumfosfidu ponoří do redestilované vody zahřáté na bod varu po dobu jedné až dvou minut.

CS 265840 Bl

265 840

Vynález se týká způsobu úpravy epitaxní vrstvy před měřením epitaxní struktury indiumfosfidu metodou snímání charakteristik, kapacita-napětí na přechodu Schottkyho přechodu pomocí rtuťové sondy.

V praxi se pro zjišťování profilu koncentrace aktivních příměsí ve struktuře polovodičů křemíku a galiumarsenidu používá standardní metoda snímání charakteristik Kapacita-napětí”, tzv. metoda C-V měření na Schottkyho přechodu pomocí rtuťové sondy. Uvedenou metodu je obtížné aplikovat na polovodič indiumfosfid, neboť má malou Šířku zakázaného pásu. Problém se řeší vytvořením struktury obsahující sériovou kombinaci kovu-dielektrika polovodiče, tzv. struktury MIS, čímž se zvýší potenciální bariéra a měření epitaxní struktury lze provést standartní metodou C-V. Potřebnou izolační vrstvu lze vytvořit oxidací povrchu epitaxní struktury indiumfosfidu během několikahodinové expozice povrchu epitaxní vrstvy okolní atmosférou nebo ponořením epitaxní vrstvy na dobu. delší než dvě minuty do čtyřprocentního leptacího roztoku bromu v metanolu s následovným několikanásobným mytím v redestilované vodě a sušením. Nevýhodou první metody je dlouhá doba trvání oxidace povrchu epitaxní struktury, nevýhodou druhé metody je nutnost použití roztoku bromu v metanolu, přičemž brom není levná ani běžně dostupná chemikálie a metanol je ve smyslu vyhlášky o jedech prudce jedovatý. Uvedený roztok je nestálý a prudce těkavý, unikají z něj do vzduchu zdraví škodlivé výpary, a proto práce s ním vyžaduje zavedení nezbytných bezpečnostních opatření a kromě toho je nutní· jej připravit krátce před každým měřením. Další nevýhodou je, že při operaci leptání a několikanásobném mytí povrchu křehkých indiumfosidových struktur při čištění od leptadel dochází k částečnému úběru epitaxní vrstvy, čímž se podstatně zhoršuje kvalita povrchu epitaxní struktury, a tím také přesnost měření.

265 840

Uvedené nevýhody z velké části odstraňuje způsob úpravy epitaxní struktury indiumfosfidu před jejím měřením metodou snímání charakteristik kapacita-napětí na Schottkyho přechodu pomocí rtuťové sondy podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se substrát s nanesenou epitaxní strukturou n-typu vodivosti ponoří do redestilované vody, zahřáté na bod varu po dobu lei 2 minut.

Výhodou způsobu úpravy epitaxní vrstvy podle vynálezu oproti první v popisu stavu techniky uvedené metodě je význačné snížení časových ztrát před měřením. Výhodou oproti druhé uvedené metodě je především zlepšení přesnosti a reprodukovatelnosti výsledků měření epitaxní struktury. Zároveň, protože odpadají operace leptání a několikanásobného mytí povrchu křehkých indiumfosfidových struktur při čištění od leptadel a nedochází k úběru povrchu epitaxní vrstvy, zůstává zachován kvalitní povrch epitaxní struktury, na kterém značnou měrou závisí kvalita mikrovlnných prvků, z ní vyráběných. Další výhodou je, že vařící redestiiovená voda jako použitý oxidační prostředek odstraňuje potřebu zavádět zvláštní bezpečnostní opatření.

Způsob příkladového provedení úpravy epitaxní vrstvy před měřením epitaxní struktury bude popsán na vzorku substrátu indiumfosf idu s nanesenou epitaxní strukturou n-typu vodivosti, určeného k měření profilu koncentrace aktivních příměsí do struktury indiumfosf idu a tloušlky epitaxní struktury. Vzorek se vloží do teflonové ho držáku, který se ponoří do zahřívané kádinky s vařící redestilovanou vodou na dobu 1 až 2 minut, během níž vařící vodou uvolňovaný kyslík reaguje s indiem a fosforem epitaxní struktury a vytváří na povrchu epitaxní vrstvy izolační vrstvu kysličníku india a kysliční ku fosforu o tloušlce v rozmezí 5 až 10 · 10*^ m. Po uplynutí této doby se držák se vzorkem substrátu z vařící vody vyjme, osuší se proudem čistého dusíku, a t^m je připraven k měření. Kvalita povrchu epitaxní struktury při tomto způsobu úpravy epitaxní vrstvy, na kte ré do značné míry závisí reprodukovatelnost měření C-V metodou, zůstává zachována.

Claims (1)

1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU

   265 840

   Způsob úpravy epitaxní vrstvy před měřením epitaxní struktury indiumfosfidu metodou snímání charakteristik Kapacita-napětí na Schottkyho přechodu pomocí rtutové sondy, vyznačující se tím, že se substrát s nanesenou epitaxní n-strukturou n-typu vodivosti ponoří do redestilované vody, zahřáté na bod varu po dobu jedné až dvou minut.