CS259949B1 - Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků - Google Patents
Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků Download PDFInfo
- Publication number
- CS259949B1 CS259949B1 CS873067A CS306787A CS259949B1 CS 259949 B1 CS259949 B1 CS 259949B1 CS 873067 A CS873067 A CS 873067A CS 306787 A CS306787 A CS 306787A CS 259949 B1 CS259949 B1 CS 259949B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- vacuum
- heating elements
- substrate
- outer tube
- cells
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Očelem řešení je zlepšení kvality vytvářených vrstev při epitaxi z molekulárních svazků (MBE). Vakuová aparatura sestává z růstové komory se substrátem, ke které je připojena vývěva a která je uzavřena přírubou nesoucí efusní cely s elektrickými topnými elementy. Každá efusní cela je tvořena dvojicí do sebe zasunutých trubic, z nichž vnitřní trubice je zaslepena uvnitř tělesa efusní cely a otevřeným koncem, přivráceným k substrátu, je vakuotěsně spojena s vnější trubicí. Vnější trubice je vakuotěsně spojena s přírubou. V prstencovém prostoru mezi oběma trubicemi jsou uloženy topné elementy a mezi nimi a vnější trubicí je uspořádán tepelně odrazný plášt. Topné elementy jsou odděleny od evakuovaného prostoru obklopujícího vypařovanou chemickou látku nalézající se v kelímku zasunutém do vnitřní trubice. Proto nečistoty uvolňující se za provozu z topných elementů nemohou ovlivňovat kvalitu vakua a tím i vytvářených vrstev na substrátu.
Description
Vynález se týká vakuové aparatury pro epitaxi z molekulárních svazků (MBE), určené k řízenému vypařování různých chemických látek ve vakuu za účelem jejich ukládání do vrstev na substrátu, používaných pro výrobu elektronických a optoelektronických prvků. Úkolem vynálezu je zlepšeni kvality vytvářených vrstev.
Dosud známá technologická zařízení pro epitaxi z molekulárních svazků mají pouze jeden společný prostor vyčerpávaný vývěvou, v němž jsou umístěny spolu se substrátem a výchozími chemickými látkami v efusních celách také topné elementy pro vyhřívání těchto cel. Podle známého konstrukčního provedení se jednotlivé efusní cely, zakončené přírubou s průchodkami el. proudu, zasouvají do trubek s hrdly. Tyto trubky jsou přivařeny k přírubě uzavírající růstovou komoru a cely jsou svými přírubami k hrdlům trubek přišroubovány a přes vložená těsnění vakuově dotěsněny. Topné elementy jednotlivých efusních cel ústí tedy do růstové komory se substrátem. Vrstvy takto získané nejsou zcela kvalitní, neboř obsahují nečistoty, které se uvolňují z topných elementů efusních cel v průběhu technologického procesu.
Uvedené nedostatky odstraňuje vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků, zahrnující růstovou komoru se substrátem, napojenou na vývěvu a efusní cely s topnými elementy podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že příruba nesoucí efusní cely s topnými elementy rozděluje aparaturu na dvě části. Jednu část tvoří růstová komora se substrátem napojená na vývěvu a do druhé části napojené na pomocnou vývěvu jsou vyústěny topné elementy efusních cel.
Efusní cely jsou tvořeny dvojicí do sebe zasunutých trubic, z nichž vnitřní trubice je zaslepena uvnitř tělesa efusní cely, přičemž otevřeným koncem je přivrácena k substrátu a při tomto konci je obvodově vakuotěsně spojena s vnější trubici, která je u protilehlého konce obvodově vakuotěsně upevněna v přírubě. V prstencovém prostoru mezi oběma topnými trubicemi jsou uloženy topné elementy a mezi topnými elementy a vnější trubicí je uspořádán tepelně odrazný plášt. Část vakuové aparatury napojená na pomocnou vývěvu může být tvořena komorovým členem, v jehož stěnách jsou upraveny průchodky pro elektrické přívody k topným elementům, případně pro mechanické ovládání clon efusních cel.
Výhoda předmětného řešení spočívá v tom, že topné elementy efusních cel ústi mimo prostor růstové komory, takže nemohou negativně působit na kvalitu vakua v růstové komoře. Tím je zajištěno dosažení nejvyšší možné čistoty vytvářených vrstev.
Na výkresech je znázorněno provedení vakuové aparatury podle vynálezu. Na obr. 1 je schéma vakuové aparatury a na obr. 2, 3 a 4 jsou tři různá konstrukční provedení efusní cely v podélném řezu.
Na obr. 1 je znázorněna růstová komora f! se substrátem T_, uzavřená přírubou ke které jsou upevněny efusní cely 10. K růstové komoře J3 je připojena vývěva 9. Otevřené konce všech efusních cel 10 ústi za přírubou 2 do dutiny v komorovém členu ld, která je napojena na pomocnou vývěvu 13. Ve stěnách komorového členu 11 jsou upraveny vakuově těsné průchodky 12 pro elektrické přívody k topným elementům, případně pro mechanické ovládání clon.
Na obr. 2 sestává efusní cela 10 z vnitřní trubice 2. a vnější trubice 5, která je na konci přivráceném k substrátu stažena na zmenšený průměr tak, že ji lze přímo svařit s vnitřní trubicí 2 a na opačném konci je obvodově přivařena k přírubě 1_. Mezi vnitřní trubicí 2 a vnější trubicí 5> jsou topné elementy _3 obklopené na vnější straně tepelně odrazným pláštěm 2· Topné elementy _3 jsou rozděleny do nezávislých sekcí z důvodu regulace teplotního pole uvnitř efusní cely Π). V prostoru vnitřní trubice 2. je vložen keramický kelímek s vypařovanou látkou. Proud molekul vypařované látky prochází perforovaným uzávěrem v ústí kelímku do růstové komory jl k substrátu ]_.
Na obr. 3 je vnitřní trubice 2 a vnější trubice efusní cely 10 vytvořena z jednoho kusu.
Na obr. 4 je vnitřní trubice 2 spojena s vnější trubicí 2 pomocí mezikruží 6.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNALEZU1. Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků zahrnující růstovou komoru se substrátem, napojenou na vývěvu a efusní cely s topnými elementy vyznačená tím, že příruba (1) nesoucí efusní cely (10) s topnými elementy (3) rozděluje aparaturu na dvě části, kde jednu část tvoří růstová komora (8) se substrátem napojená na vývěvu (9) a do komorového členu (11) napojeného na pomocnou vývěvu (13) jsou vyústěny topné elementy (3) efusních cel (10), přičemž každá efusní cela (10) je tvořena dvojicí do sebe zasunutých trubic (2, 5), z nichž vnitřní trubice (2) je zaslepena uvnitř tělesa efusní cely (10), zatímco otevřeným koncem je přivrácena k substrátu (7) a při tomto konci je obvodově vakuotěsně spojena s vnější trubicí (5), která je u protilehlého konce obvodově vakuotěsně upevněna v přírubě (1), přičemž v prstencovém prostoru mezi oběma trubicemi (2, 5) jsou uloženy topné elementy (3) a mezi topnými elementy (3) a vnější trubicí (5) je uspořádán tepelně odrazný plášt (4).
- 2. Vakuová aparatura podle bodu 1 vyznačená tím, že část napojená n.a pomocnou vývěvu (13) je tvořena komorovým členem (11), v jehož stěnách jsou upraveny průchodky (12).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873067A CS259949B1 (cs) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873067A CS259949B1 (cs) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS306787A1 CS306787A1 (en) | 1988-03-15 |
| CS259949B1 true CS259949B1 (cs) | 1988-11-15 |
Family
ID=5369666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS873067A CS259949B1 (cs) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS259949B1 (cs) |
-
1987
- 1987-04-30 CS CS873067A patent/CS259949B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS306787A1 (en) | 1988-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0581496A2 (en) | Molecular beam epitaxy (MBE) effusion source utilizing heaters to achieve temperature gradients | |
| CN1204289C (zh) | 真空蒸镀设备用的蒸镀装置 | |
| US4553022A (en) | Effusion cell assembly | |
| KR20080007110A (ko) | 증착 장치 | |
| US6039802A (en) | Single crystal growth method | |
| US4518846A (en) | Heater assembly for molecular beam epitaxy furnace | |
| KR100877992B1 (ko) | 승화정제장치 | |
| US3303320A (en) | Vapor-coating apparatus | |
| CS259949B1 (cs) | Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků | |
| US4794614A (en) | Discharge tubes | |
| US5222074A (en) | Thermal decomposition cell | |
| US3795783A (en) | Apparatus for surface coating articles | |
| KR20130049935A (ko) | 승화정제용 관체 | |
| US4862475A (en) | Hollow-cathode type metal vapor laser tube | |
| KR20060004000A (ko) | 유도 가열식 선형 증발원 | |
| JPH01136383A (ja) | レーザ管 | |
| RU2191452C2 (ru) | Разрядная трубка лазера на парах металлов | |
| JP2004059981A (ja) | 真空蒸着方法 | |
| JPH072617Y2 (ja) | Pbnルツボの均一加熱機構 | |
| US2459791A (en) | Vacuum tube | |
| KR200310598Y1 (ko) | 유기물 증착장치의 도가니 | |
| KR100625966B1 (ko) | 유기 el소자의 박막 증착방법 및 그 장치 | |
| SU991528A1 (ru) | Полый катод | |
| KR20170048080A (ko) | 단열벽을 갖는 증발원 및 증발원 단열벽 제조 방법 | |
| KR20240083726A (ko) | 고주파 유도를 이용한 내플라즈마성 유리 부품의 제조장치 |