CS258548B1 - Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu - Google Patents

Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu Download PDF

Info

Publication number
CS258548B1
CS258548B1 CS866803A CS680386A CS258548B1 CS 258548 B1 CS258548 B1 CS 258548B1 CS 866803 A CS866803 A CS 866803A CS 680386 A CS680386 A CS 680386A CS 258548 B1 CS258548 B1 CS 258548B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
magnetron
magnets
target
pole piece
vacuum
Prior art date
Application number
CS866803A
Other languages
English (en)
Other versions
CS680386A1 (en
Inventor
Oldrich Rybar
Jiri Stanislav
Josef Matuska
Karel Dadourek
Milan Exner
Augustin Frey
Miroslav Fidransky
Original Assignee
Oldrich Rybar
Jiri Stanislav
Josef Matuska
Karel Dadourek
Milan Exner
Augustin Frey
Miroslav Fidransky
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oldrich Rybar, Jiri Stanislav, Josef Matuska, Karel Dadourek, Milan Exner, Augustin Frey, Miroslav Fidransky filed Critical Oldrich Rybar
Priority to CS866803A priority Critical patent/CS258548B1/cs
Publication of CS680386A1 publication Critical patent/CS680386A1/cs
Publication of CS258548B1 publication Critical patent/CS258548B1/cs

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Jedná se o planární magnetron s magnety uloženými po obvodě. Uvnitř je pólový nástavec. Magnetron je obdélníkový, má chladicí desku a na ní je připevněn target. Směr polarizace magnetů je souhlasný v celém magnetickém obvodě. Magnetron je vhodný pro nanášení vrstev ve vakuu z materiálů jako Ti, Cu, Al, V, W, Cr, popřípadě i k odprašováni materiálů ze slinutých karbidů. Lze ho umístit uvnitř vakuové nádoby nebo i z vnějšku.

Description

Vynález řeší planární magnetron pro depozici tenkých reaktivních i nereaktivních vrstev ve vakuu.
V současné době jsou využívána různá řešení planárních magnetronú. Tato řešeni mají značná geometrická omezení velikosti targetu z důvodu tvarování magnetického pole tak, aby velikost magnetické indukce nepoklesla pod určitou kritickou hodnotu na povrchu targetu, která je pro složky Bx a By v rozmezí 100 až 200 mT. Vzhledem k tomu, že velikost složek magnetické indukce Bx, By klesá s rostoucí vzdáleností od magnetů, je v mnoha případech velice nesnadná realizace magnetronú s nepřímým chlazením targetu s ohledem na příliš velkou vzdálenost povrchu targetu od roviny magnetů a tím i malou hodnotu magnetické indukce na povrchu targetu.
Tento pokles magnetické indukce je spojen navíc, u klasicky řešených magnetronú, se změnou poměru intenzity hlavního a vedlejšího magnetického pole a tím dochází ke zhoršení provozních vlastností magnetronú. Tento negativní jev lze do určité míry kompenzovat použitím permanentních magnetů na bázi vzácných zemin (např. Co-Sm, AlNiCo), které dávají vyšší intenzity magnetického pole, jejich nevýhodou je však malá dostupnost a vyšší cena.
Výše uvedené nedostatky jsou odstraněny magnetronem dle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že do vybrání v tělese magnetronú, který je z feromagnetického materiálu, je vložena chladicí deska, na níž je připevněn target a pod ní je uložen vnitřní pólový nástavec z feromagnetického materiálu, přičemž do dutiny mezi tělesem magnetronú a vnitřním pólovým nástavcem jsou vloženy magnety. Celé těleso magnetronú je umístěno v anodickém plášti na isolačních rozpěrkách. Magnety v celém magnetickém obvodě jsou polarizovány souhlasně.
Magnetron dle vynálezu má vyšší hodnotu magnetické indukce na povrchu targetu něžli klasické magnetrony bez vyvedených magnetických pólů a s nepřímým chlazením targetu a to obou složek Bx a By. Jejich velikost dosahuje 500 až 700 ml ve vzdálenosti 15 mra nad povrchem magnetů. Nemá žádné vedlejší magnetické pole a tudíž není náchylný k vytváření vedlejších parazitních výbojů. Má vysoký koeficient využití plochy'targetu a hlavní erosní oblast zasahuje až k okrajům targetu.
Na rozdíl od klasicky řešených magnetronú, které mají variabilní délku a jejich šířka je dána úrovní intenzity magnetického pole použitých magnetů, při tomto konstrukčním uspořádání není šířka omezena a je jí možno rozšiřovat zvyšováním počtu magnetů uložených vedle sebe mezi tělesem magnetronú a vnitřním pólovým nástavcem.
Vysoká hodnota magnetické indukce snižuje pracovní napětí magnetronú a tím se zmenšuje nebezpečí elektrických průrazů k anodě. Současně však i stahuje plasmaťické pole před magnetronem směrem k targetu a tím se zmenšuje teplotní pole před targetem. To umožňuje nanášet vrstvy na substráty s nižšími teplotami tání při zachování vysokých deposičních rychlostí.
Na připojeném obrázku je znázorněn příklad provedení magnetronú dle vynálezu. Zobrazení magnetronú je v půdorysu a v příčném řezu. Obr. 1 je příčný řez magnetronem z obr. 2, vedený příčnou osou, obr. 2 je řez magnetronem při pohledu shora.
Magnetron na obr. 1 je tvořen tělesem 2 magnetronú, které je z feromagnetického materiálu. Ve vybrání tělesa 2 magnetronú je uložena dutá chladící deska 5, která je tvořena dvojicí desek vakuově svařených nebo spájených a v jejichž dělicí rovině jsou vyfrézovány chladící kanály pro chladicí médium. Na této chladicí desce 5 je uložen target 4 připevněný na obvodě a ve střední části šrouby k chladicí desce 2 (neznázorněno).
Ve střední části magnetronú pod chladicí deskou 5 je uložen vnitřní pólový nástavec 2·
Do dutiny mezi tělesem 2 magnetronú a vnitřním pólovým nástavcem 3 jsou vloženy magnety 2, jejichž směr magnetizace je po celém obvodě shodný a je dle obrázku č. 1 a č. 2. Zadní strana magnetronú (spodek) je uzavřena zadní deskou Q, která je z feromagnetického materiálu, a v této části uzavírá magnetické pole.
Celé těleso 2 magnetronu je vloženo do anodického pláště 2» které je od vlastního tělesa 2 magnetronu odděleno isolačními rozpěrkami 2· Anodický plášt J_ je z neferomagnetického materiálu a může být chlazen. Na obr. č. 2 je řez magnetronem při pohledu shora. Zde je znázorněno uložení magnetů 2 po obvodě. Tvar magnetronu může být obdélníkový.
Magnety 2_ jsou uloženy do tělesa z feromagnetického materiálu, a to tím způsobem, že směr magnetizace všech magnetů v celém magnetickém obvodě je stejný od vnitřního pólového nástavce k tělesu 2 magnetronu, které působí jako druhý pólový nástavec. Tímto způsobem je zaručeno vyvedení obou pólů magnetického pole. na nejvyšší úroveň, a to u vnitřního pólu pod chladicí desku 5 a u vnějšího pólu na úroveň horní roviny chladící desky 2 popř. i nad ni. Na těleso 2 magnetronu je přivedeno stejnosměrné napájecí napětí o velikosti 200 až 500 V.
Magnetron dle vynálezu je vhodný pro reaktivní i nereaktivní naprašování vrstev na bázi kovových nemagnetických elektricky vodivých materiálů jako jsou např. Ti, Cu, Al,
Ta, V, W, Cr apod. a je vhodný i k odprašování materiálů z targetů vyrobených ze slinutých prášků, které jsou porézní. Lze jej umístit jak z vnější strany vakuové nádoby, tak i dovnitř, vakuové komory.

Claims (1)

  1. předmEt vynálezu
    Magnetron pro depozici tenkých vrstev ve vakuu opatřený přívodem stejnosměrného záporného napětí, přívodem a vývodem chladicí kapaliny vyznačující se tím, že do vybrání v tělese (1) magnetronu z feromagnetického materiálu je vložena chladicí deska (5), na níž je připevněn target (4) a pod níž je uložen vnitřní pólový nástavec (3) z feromagnetického materiálu, přičemž do dutiny mezi tělesem (1) magnetronu a vnitřním pólovým nástavcem (3) jsou vloženy magnety (2) a celé těleso (1) magnetronu je umístěno v anodickém plášti (7) přes izolační rozpěrky (8), přičemž magnety (2) v celém magnetickém obvodě jsou polarisovány souhlasně.
CS866803A 1986-09-22 1986-09-22 Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu CS258548B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS866803A CS258548B1 (cs) 1986-09-22 1986-09-22 Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS866803A CS258548B1 (cs) 1986-09-22 1986-09-22 Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS680386A1 CS680386A1 (en) 1987-12-17
CS258548B1 true CS258548B1 (cs) 1988-08-16

Family

ID=5415899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS866803A CS258548B1 (cs) 1986-09-22 1986-09-22 Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS258548B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS680386A1 (en) 1987-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5061897A (en) Eddy current control in magnetic resonance imaging
US4324631A (en) Magnetron sputtering of magnetic materials
WO2001053557A1 (en) Sputtering assembly and target therefor
JPH11505400A (ja) ソレノイドにより励起される間隙付き磁気回路およびその用途
US20110220494A1 (en) Methods and apparatus for magnetron metallization for semiconductor fabrication
EP0999456B1 (en) Magnet having a shim for a laminated pole piece
CN101970713B (zh) 旋转磁铁溅射装置
US5277779A (en) Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
JPS593546B2 (ja) スパツタ装置
US4597847A (en) Non-magnetic sputtering target
US9754771B2 (en) Encapsulated magnetron
CS258548B1 (cs) Magnetron pro depozicitenkých vrstev ve vakuu
CN112831762B (zh) 一种Halbach永磁体结构的磁控溅射靶枪
JPH0881769A (ja) スパッタ装置
JP2002516922A (ja) 低歪みの磁気配向にするための薄膜処理用電磁石
JPH0525625A (ja) マグネトロンスパツタカソード
CS269498B1 (cs) Magnetron pro depozici tenkých vrstev ve vakuu
US7182843B2 (en) Rotating sputtering magnetron
JPS5562164A (en) Sputtering unit
CN111996504A (zh) 铁磁性靶材磁控溅射装置
JP2003171765A (ja) 成膜装置
CS253547B1 (cs) Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu
US2958005A (en) Magnet and holder assemblies for magnetron tubes
JPH02294476A (ja) マグネトロンスパッタリング用カソード
JPS6367328B2 (cs)