CS253547B1 - Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu - Google Patents
Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu Download PDFInfo
- Publication number
- CS253547B1 CS253547B1 CS61986A CS61986A CS253547B1 CS 253547 B1 CS253547 B1 CS 253547B1 CS 61986 A CS61986 A CS 61986A CS 61986 A CS61986 A CS 61986A CS 253547 B1 CS253547 B1 CS 253547B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- magnetron
- magnets
- vacuum
- plate
- target
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
fílannetron nro magnetronovou deposlcl tenkých reaktivních i nereaktivních vrstev ve vakuu sestavený z tělesa magnetronu, z desky z feromagnetického materiélu, které je opatřena vybráními, na nichž jsou umístěny sady magnetů, magnety mají ve středové části opačnou polarizaci nežli magnety umístěné na obvodě desky. Nad magnety je target a polový nástavec, fílannetron může být noužlt i s anodickým pláštěm. (Ylagnetron lze noužit v zařízeních pro nanášení tenkých vrstev magnetronovou deposicí ve vakuu.
Description
Vynález řeší magnetron na magnetronovou deposici tenkých reaktivních i nereaktivních vrstev ve vakuu.
V současné době se využívá různých řešení magnetronů,jak pro kruhové targety,tak i pro targetybbdélníkové. Tato zařízení mají společný znak nutný pro vytvořeni magnetronového plasmatického výboje, a to negativní elektrické pole a k němu kolmé pole mag*» netické. Vlastnosti magnetronu jsou dány jednak jeho konstrukčním uspořádáním, především však velikostí a tvarem magnetického pole. Toto magnetické pole ovlivňuje pracovní volt - ampérovou charakteristiku magnetronu, deposiČní rychlost, rovnoměrnost odprašovaného materiálu, velikost oblaku horkého i studeného plasmatu, ale i využití targetu a tedy i účinnost procesu. Nejpoužívanějším řešením v současné době je řešení magnetického pole podle obr.2. Toto řešení, představující dosavadní stav techniky, má výhodu v jednoduchosti tvaru magnetického obvodu, jeho nevýhodou je ale nízká hodnota intenzity magnetického pole na povrchu targetu a vedlejší magnetické pole produkující ve vakuu para žitní výboje. Toto řešení neumožňuje umístění celého magnetronu do vakua neboť nepracovní část magnetronu a přívody chladící kapaliny a negativního napětí musí být na atmosférickém tlaku odděleně od deposiČní komory. Současně toto řešení neumožňuje bez náročných konstrukčních řešení změnu polohy magnetronu ve vakuové komoře při nutnosti změny vzdálenosti magnetron - substrát nebo magnetron - magnetron. Toto řešení je nevyhovující i z důvodu výrobní složitosti magnetického obvodu vzhledem k nutnosti provádět magnetizaci obvodu již v sestaveném stavu.
Výše uvedené nedostatky jsou z části odstraněny magnetronem dle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že v tělese magnetronu je vložena deska z feromagnetického materiálu, jejíž horní část, na níž jsou umístěny magnety, je opatřena vybrání- 2 253 547 mi. Magnety ve středové části mají opačnou polarizaci nežli magnety umístěné po obvodu desky. Délka každého magnetu je 0,9 - 1,1 maximálního rozměru magnetu v příčném řezu, přičemž nad magnety a nad tělesem magnetronu je umístěn target, opatřený těsnícím kroužkem a déle je zde umístěn pólový nástavec. Těleso magnetronu je vloženo do anodického pláště a je od něho odděleno izolačními rozpěrkami.
Magnetron dle vynálezu má vyšší intenzitu magnetického po le,při použití stejných magnetů,a menší intenzitu pole vedlejšího, což vede k nižší náchylnosti magnetronu k parazitním výbojům. Magnetron dle vynálezu je vhodný,jak pro provedení přírubové z vnější části vakuové komory, tak i pro umístění přímo do vakuové komory s možností použití pohyblivých přívodů chladící kapaliny i negativního napětí, což má za následek možnost změny polohy magnetronu ve vakuové komoře.
Na připojeném výkrese je znázorněn příklad provedení magnetronu dle vynálezu, kde značí: obr.1 v řezu je zobrazen příklad provedení magnetronu dle vynálezu, na obr. 2 je v řezu příklad magnetronu podle dosavadního stavu techniky se znázorněným hlavním a vedlejším magnetickým polem.
Magnetron na obr. 1 je tvořen tělesem magnetronu 1, které je z neferomagnetického materiálu. V tělese magnetronu χ je vybrání, do kterého je vložena deska nragsnrtak 2 s magnetickým obvodem složeným z jednotlivých magnetů χ. Deska 2 musí být z feromagnetického materiálu. Na těleso magnetronu X je přiložen target £ z odprašovaného materiálu a pólový nástavec j>. Target £ a pólový nástavec % jsou připevněny šrouby ( neznázorněno) k tělesu magnetronu χ přes těsnící kroužek Tím je isolován chladící obvod magnetronu od vakuového pro253 547
- 3 storu. Chladící kapalina se přivádí přívodem 2 a odvádí odvodem 8 . Celé zařízení je zakryto anodickým pláštěm 6, který je isolovaně od katody uložen přes isolační rozpěrné vložky 10. Anodický plášť 6 je z neferomagnetického materiálu a může být chlazen. Magnetron může být použit i bez tohoto anodického pláště 6. Těleso magnetronu i může mít tvar kruhu, čtverce nebo i obdélníku. Důležitým prvkem je zde hloubka vybrání 11 v desce 2, které ovlivňuje délku siločar. U obdélníkového tvaru magnetronu má vybrání v desce 2 tvar obdélníku, u kruhového magnetronu má vybrání tvar mezikruží.
Magnetický obvod je složen z jednotlivých magnetů 2» které jsou již ve zmagnetovaném stavu a u nichž poměr charakteristických rozměrů délky k maximálnímu rozměru v příčném řezu je 0,9 - 1,1· Tím jsou zajištěny optimální vlastnosti obvodu bez nutnosti magnetizace až po složení obvodu. Magnetický obvod je uležen na desce 2 z feromagnetického materiálu, která mé mezi opačně polovanými řadami magnetů ,3 vybrání takové, že délka siločar do desky 2 je delší, nežli vzdálenost mezi řadami magnetů 2· To umožňuje přednostní uzavírání magnetických siločar v horní oblasti směrem k targetu 2 ® tím i zvýšení intenzity magnetického pole v tomto směru. Pro omezení vlivu vedlejšího magnetického pole je před targetem 2 vložen pólový nástavec £ z feromagnetického materiálu, stahující magnetické siločáry z obvodové oblasti magnetronu před target 2· Toto řešení zvyšuje poměr mezi intenzitou hlavního magnetického pole a vedlejšího magnetického pole a tím zvyšuje odolnost magnetronu proti vzniku parazitních výbojů. Současně tento pólový nástavec roztahuje magnetické siločáry ze středu targetu 2 k okrajům a tím se rozšiřuje i erosní oblast, zvyšuje využití targetu £ i účinnost procesu. Vzhledem k tomu, že okolo magnetronu je vytvořeno po celém obvodu anodické stínění ve vzdálenosti 2-8 mm, je vliv vedlejšího mag- 4 253 547 netického pole zcela potlačen a to umožňuje vložení celého magnetronu do vakuové komory bez nutnosti utěsnění zadní části magnetronu a přívodu chladící kapaliny přívodem 2 a také přívodu negativního napětí tak, aby kolem nich byl atmosférický tlak·
Ne obr. č.2 je schematicky znázorněno hlavní a vedlejčí magnetické pole u magnetronu podle dosavadního stavu techniky·
Magnetron dle vynálezu je vhodný pro reaktivní i nere aktivní naprašování kovových, nemagnetických elektricky vodivých materiálů, jako jsou např. Ti, Cu, Ta, V, W, Cr atd. Lze jej umístit jak z vnějšku vakuové nádoby tak uvnitř vakuové nádoby·
Claims (2)
- PŘEDMÉT VYNÁLEZU1· Magnetron pro magnetronovou depozici tenkých vrstev ve vakuu opatřený přívodem záporného stejnosměrného napětí, přívodem a vývodem chladící kapaliny,vyznačující se tím,že v tělese magnetronu (1) je vložena deska (2) z feromagnetické ho materiálu, jejíž horní část, na níž jsou umístěny magnety . (3) je opatřena vybráními(11), přičemž magnety (3) ve středové části mají opačnou polarizaci nežli magnety (3) umístěné po obvodu desky (2) a délka každého magnetu (3) je 0,9 - 1,1 maximálního rozměru magnetu (3) v příčném řezu, přičemž nad magnety (3) a nad tělesem magnetronu (1) je umístěn target (4), opatřený těsnícím kroužkem (9) a pólový nástavec (5).
- 2« Magnetron pro magnetronovou depozici tenkých vrstev ve vakuu podle bodu 1,vyznačující se tím, že těleseo magnetronu (1) je vloženo do anodického pláště (6) a je od něho odděleno izolačními rozpěrkami (10)·
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS61986A CS253547B1 (cs) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS61986A CS253547B1 (cs) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS253547B1 true CS253547B1 (cs) | 1987-11-12 |
Family
ID=5338618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS61986A CS253547B1 (cs) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS253547B1 (cs) |
-
1986
- 1986-01-28 CS CS61986A patent/CS253547B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5415754A (en) | Method and apparatus for sputtering magnetic target materials | |
| US4448653A (en) | Cathode arrangement for sputtering material from a target in a cathode sputtering unit | |
| US5876576A (en) | Apparatus for sputtering magnetic target materials | |
| EP0600070B1 (en) | Improved planar magnetron sputtering magnet assembly | |
| US9580797B2 (en) | Magnetic-field-generating apparatus for magnetron sputtering | |
| US20120119861A1 (en) | Permanent Magnets Array for Planar Magnetron | |
| US20110220494A1 (en) | Methods and apparatus for magnetron metallization for semiconductor fabrication | |
| JPS62228463A (ja) | タ−ゲツト及び磁気的に強められたr.f.バイアスを分離する分離制限磁場を有するマグネトロン・スパツタ装置 | |
| EP0724652B1 (en) | Method and apparatus for sputtering magnetic target materials | |
| US5277779A (en) | Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source | |
| WO2011017314A2 (en) | Closed drift ion source with symmetric magnetic field | |
| CN103103489A (zh) | 磁控溅射装置 | |
| WO2001029874A1 (en) | Planar magnetron sputtering apparatus | |
| US20110186421A1 (en) | Target assembly for a magnetron sputtering apparatus, a magnetron sputtering apparatus and a method of using the magnetron sputtering apparatus | |
| US4597847A (en) | Non-magnetic sputtering target | |
| CS253547B1 (cs) | Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu | |
| JPH0525625A (ja) | マグネトロンスパツタカソード | |
| JP2796765B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| CN111996504A (zh) | 铁磁性靶材磁控溅射装置 | |
| JPS5562164A (en) | Sputtering unit | |
| JPS55148769A (en) | Magnetron type sputtering apparatus | |
| JP4489868B2 (ja) | カソード電極装置及びスパッタリング装置 | |
| CN111996505B (zh) | 磁控溅射铁磁性靶材的装置 | |
| CN1004495B (zh) | 复合磁控溅射靶及其镀膜方法 | |
| JPH02294476A (ja) | マグネトロンスパッタリング用カソード |