CS253547B1 - Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu - Google Patents

Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu Download PDF

Info

Publication number
CS253547B1
CS253547B1 CS61986A CS61986A CS253547B1 CS 253547 B1 CS253547 B1 CS 253547B1 CS 61986 A CS61986 A CS 61986A CS 61986 A CS61986 A CS 61986A CS 253547 B1 CS253547 B1 CS 253547B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
magnetron
magnets
vacuum
plate
target
Prior art date
Application number
CS61986A
Other languages
English (en)
Inventor
Oldrich Rybar
Karel Dadourek
Jiri Stanislav
Milan Exner
Augustin Frey
Original Assignee
Oldrich Rybar
Karel Dadourek
Jiri Stanislav
Milan Exner
Augustin Frey
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oldrich Rybar, Karel Dadourek, Jiri Stanislav, Milan Exner, Augustin Frey filed Critical Oldrich Rybar
Priority to CS61986A priority Critical patent/CS253547B1/cs
Publication of CS253547B1 publication Critical patent/CS253547B1/cs

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

fílannetron nro magnetronovou deposlcl tenkých reaktivních i nereaktivních vrstev ve vakuu sestavený z tělesa magnetronu, z desky z feromagnetického materiélu, které je opatřena vybráními, na nichž jsou umístěny sady magnetů, magnety mají ve středové části opačnou polarizaci nežli magnety umístěné na obvodě desky. Nad magnety je target a polový nástavec, fílannetron může být noužlt i s anodickým pláštěm. (Ylagnetron lze noužit v zařízeních pro nanášení tenkých vrstev magnetronovou deposicí ve vakuu.

Description

Vynález řeší magnetron na magnetronovou deposici tenkých reaktivních i nereaktivních vrstev ve vakuu.
V současné době se využívá různých řešení magnetronů,jak pro kruhové targety,tak i pro targetybbdélníkové. Tato zařízení mají společný znak nutný pro vytvořeni magnetronového plasmatického výboje, a to negativní elektrické pole a k němu kolmé pole mag*» netické. Vlastnosti magnetronu jsou dány jednak jeho konstrukčním uspořádáním, především však velikostí a tvarem magnetického pole. Toto magnetické pole ovlivňuje pracovní volt - ampérovou charakteristiku magnetronu, deposiČní rychlost, rovnoměrnost odprašovaného materiálu, velikost oblaku horkého i studeného plasmatu, ale i využití targetu a tedy i účinnost procesu. Nejpoužívanějším řešením v současné době je řešení magnetického pole podle obr.2. Toto řešení, představující dosavadní stav techniky, má výhodu v jednoduchosti tvaru magnetického obvodu, jeho nevýhodou je ale nízká hodnota intenzity magnetického pole na povrchu targetu a vedlejší magnetické pole produkující ve vakuu para žitní výboje. Toto řešení neumožňuje umístění celého magnetronu do vakua neboť nepracovní část magnetronu a přívody chladící kapaliny a negativního napětí musí být na atmosférickém tlaku odděleně od deposiČní komory. Současně toto řešení neumožňuje bez náročných konstrukčních řešení změnu polohy magnetronu ve vakuové komoře při nutnosti změny vzdálenosti magnetron - substrát nebo magnetron - magnetron. Toto řešení je nevyhovující i z důvodu výrobní složitosti magnetického obvodu vzhledem k nutnosti provádět magnetizaci obvodu již v sestaveném stavu.
Výše uvedené nedostatky jsou z části odstraněny magnetronem dle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že v tělese magnetronu je vložena deska z feromagnetického materiálu, jejíž horní část, na níž jsou umístěny magnety, je opatřena vybrání- 2 253 547 mi. Magnety ve středové části mají opačnou polarizaci nežli magnety umístěné po obvodu desky. Délka každého magnetu je 0,9 - 1,1 maximálního rozměru magnetu v příčném řezu, přičemž nad magnety a nad tělesem magnetronu je umístěn target, opatřený těsnícím kroužkem a déle je zde umístěn pólový nástavec. Těleso magnetronu je vloženo do anodického pláště a je od něho odděleno izolačními rozpěrkami.
Magnetron dle vynálezu má vyšší intenzitu magnetického po le,při použití stejných magnetů,a menší intenzitu pole vedlejšího, což vede k nižší náchylnosti magnetronu k parazitním výbojům. Magnetron dle vynálezu je vhodný,jak pro provedení přírubové z vnější části vakuové komory, tak i pro umístění přímo do vakuové komory s možností použití pohyblivých přívodů chladící kapaliny i negativního napětí, což má za následek možnost změny polohy magnetronu ve vakuové komoře.
Na připojeném výkrese je znázorněn příklad provedení magnetronu dle vynálezu, kde značí: obr.1 v řezu je zobrazen příklad provedení magnetronu dle vynálezu, na obr. 2 je v řezu příklad magnetronu podle dosavadního stavu techniky se znázorněným hlavním a vedlejším magnetickým polem.
Magnetron na obr. 1 je tvořen tělesem magnetronu 1, které je z neferomagnetického materiálu. V tělese magnetronu χ je vybrání, do kterého je vložena deska nragsnrtak 2 s magnetickým obvodem složeným z jednotlivých magnetů χ. Deska 2 musí být z feromagnetického materiálu. Na těleso magnetronu X je přiložen target £ z odprašovaného materiálu a pólový nástavec j>. Target £ a pólový nástavec % jsou připevněny šrouby ( neznázorněno) k tělesu magnetronu χ přes těsnící kroužek Tím je isolován chladící obvod magnetronu od vakuového pro253 547
- 3 storu. Chladící kapalina se přivádí přívodem 2 a odvádí odvodem 8 . Celé zařízení je zakryto anodickým pláštěm 6, který je isolovaně od katody uložen přes isolační rozpěrné vložky 10. Anodický plášť 6 je z neferomagnetického materiálu a může být chlazen. Magnetron může být použit i bez tohoto anodického pláště 6. Těleso magnetronu i může mít tvar kruhu, čtverce nebo i obdélníku. Důležitým prvkem je zde hloubka vybrání 11 v desce 2, které ovlivňuje délku siločar. U obdélníkového tvaru magnetronu má vybrání v desce 2 tvar obdélníku, u kruhového magnetronu má vybrání tvar mezikruží.
Magnetický obvod je složen z jednotlivých magnetů 2» které jsou již ve zmagnetovaném stavu a u nichž poměr charakteristických rozměrů délky k maximálnímu rozměru v příčném řezu je 0,9 - 1,1· Tím jsou zajištěny optimální vlastnosti obvodu bez nutnosti magnetizace až po složení obvodu. Magnetický obvod je uležen na desce 2 z feromagnetického materiálu, která mé mezi opačně polovanými řadami magnetů ,3 vybrání takové, že délka siločar do desky 2 je delší, nežli vzdálenost mezi řadami magnetů 2· To umožňuje přednostní uzavírání magnetických siločar v horní oblasti směrem k targetu 2 ® tím i zvýšení intenzity magnetického pole v tomto směru. Pro omezení vlivu vedlejšího magnetického pole je před targetem 2 vložen pólový nástavec £ z feromagnetického materiálu, stahující magnetické siločáry z obvodové oblasti magnetronu před target 2· Toto řešení zvyšuje poměr mezi intenzitou hlavního magnetického pole a vedlejšího magnetického pole a tím zvyšuje odolnost magnetronu proti vzniku parazitních výbojů. Současně tento pólový nástavec roztahuje magnetické siločáry ze středu targetu 2 k okrajům a tím se rozšiřuje i erosní oblast, zvyšuje využití targetu £ i účinnost procesu. Vzhledem k tomu, že okolo magnetronu je vytvořeno po celém obvodu anodické stínění ve vzdálenosti 2-8 mm, je vliv vedlejšího mag- 4 253 547 netického pole zcela potlačen a to umožňuje vložení celého magnetronu do vakuové komory bez nutnosti utěsnění zadní části magnetronu a přívodu chladící kapaliny přívodem 2 a také přívodu negativního napětí tak, aby kolem nich byl atmosférický tlak·
Ne obr. č.2 je schematicky znázorněno hlavní a vedlejčí magnetické pole u magnetronu podle dosavadního stavu techniky·
Magnetron dle vynálezu je vhodný pro reaktivní i nere aktivní naprašování kovových, nemagnetických elektricky vodivých materiálů, jako jsou např. Ti, Cu, Ta, V, W, Cr atd. Lze jej umístit jak z vnějšku vakuové nádoby tak uvnitř vakuové nádoby·

Claims (2)

  1. PŘEDMÉT VYNÁLEZU
    1· Magnetron pro magnetronovou depozici tenkých vrstev ve vakuu opatřený přívodem záporného stejnosměrného napětí, přívodem a vývodem chladící kapaliny,vyznačující se tím,že v tělese magnetronu (1) je vložena deska (2) z feromagnetické ho materiálu, jejíž horní část, na níž jsou umístěny magnety . (3) je opatřena vybráními(11), přičemž magnety (3) ve středové části mají opačnou polarizaci nežli magnety (3) umístěné po obvodu desky (2) a délka každého magnetu (3) je 0,9 - 1,1 maximálního rozměru magnetu (3) v příčném řezu, přičemž nad magnety (3) a nad tělesem magnetronu (1) je umístěn target (4), opatřený těsnícím kroužkem (9) a pólový nástavec (5).
  2. 2« Magnetron pro magnetronovou depozici tenkých vrstev ve vakuu podle bodu 1,vyznačující se tím, že těleseo magnetronu (1) je vloženo do anodického pláště (6) a je od něho odděleno izolačními rozpěrkami (10)·
CS61986A 1986-01-28 1986-01-28 Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu CS253547B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS61986A CS253547B1 (cs) 1986-01-28 1986-01-28 Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS61986A CS253547B1 (cs) 1986-01-28 1986-01-28 Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS253547B1 true CS253547B1 (cs) 1987-11-12

Family

ID=5338618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS61986A CS253547B1 (cs) 1986-01-28 1986-01-28 Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS253547B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5415754A (en) Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
US4448653A (en) Cathode arrangement for sputtering material from a target in a cathode sputtering unit
US5876576A (en) Apparatus for sputtering magnetic target materials
EP0600070B1 (en) Improved planar magnetron sputtering magnet assembly
US9580797B2 (en) Magnetic-field-generating apparatus for magnetron sputtering
US20120119861A1 (en) Permanent Magnets Array for Planar Magnetron
US20110220494A1 (en) Methods and apparatus for magnetron metallization for semiconductor fabrication
JPS62228463A (ja) タ−ゲツト及び磁気的に強められたr.f.バイアスを分離する分離制限磁場を有するマグネトロン・スパツタ装置
EP0724652B1 (en) Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
US5277779A (en) Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
WO2011017314A2 (en) Closed drift ion source with symmetric magnetic field
CN103103489A (zh) 磁控溅射装置
WO2001029874A1 (en) Planar magnetron sputtering apparatus
US20110186421A1 (en) Target assembly for a magnetron sputtering apparatus, a magnetron sputtering apparatus and a method of using the magnetron sputtering apparatus
US4597847A (en) Non-magnetic sputtering target
CS253547B1 (cs) Itiagnetron pro deposlcl tenkých vrstev ve vakuu
JPH0525625A (ja) マグネトロンスパツタカソード
JP2796765B2 (ja) 薄膜形成装置
CN111996504A (zh) 铁磁性靶材磁控溅射装置
JPS5562164A (en) Sputtering unit
JPS55148769A (en) Magnetron type sputtering apparatus
JP4489868B2 (ja) カソード電極装置及びスパッタリング装置
CN111996505B (zh) 磁控溅射铁磁性靶材的装置
CN1004495B (zh) 复合磁控溅射靶及其镀膜方法
JPH02294476A (ja) マグネトロンスパッタリング用カソード