CS252633B1 - Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu - Google Patents

Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu Download PDF

Info

Publication number
CS252633B1
CS252633B1 CS863212A CS321286A CS252633B1 CS 252633 B1 CS252633 B1 CS 252633B1 CS 863212 A CS863212 A CS 863212A CS 321286 A CS321286 A CS 321286A CS 252633 B1 CS252633 B1 CS 252633B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
screened
electron microscope
image
aperture
simultaneous scanning
Prior art date
Application number
CS863212A
Other languages
English (en)
Other versions
CS321286A1 (en
Inventor
Armin Delong
Vladimir Kolarik
Ilona Muellerova
Original Assignee
Armin Delong
Vladimir Kolarik
Ilona Muellerova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Armin Delong, Vladimir Kolarik, Ilona Muellerova filed Critical Armin Delong
Priority to CS863212A priority Critical patent/CS252633B1/cs
Publication of CS321286A1 publication Critical patent/CS321286A1/cs
Publication of CS252633B1 publication Critical patent/CS252633B1/cs

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

Podstatou zařízení je, že pod zkoumaným objektem v ose elektronového svazku a v difrakční rovině objektivu je suvně uspořádán polovodičový detektor, například PIN dioda, opatřená otvorem tvořícím clonu, která je spojena přes zesilovací řetězec s monitorem.

Description

Vynález se týká zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu.
Dosavadní elektronové mikroskopy neumožňují souběžné snímání prozářeného a rastrovaného obrazu pozorovaného objektu. A tedy neumožňuji souběžné srovnání obrazů kvalitativně jiných typů kontrastů.
Dosavadní nevýhody odstraňuje zařízeni k souběžnému snímání prozářeného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu, jehož podstatou je, že pod zkoumaným objektem, v ose elektronového svazku a v difrakčni rovině objektivu je suvně uspořádán polovodičový detektor, například PIN dioda opatřená otvorem tvořícím clonu, která je spojena přes zesilovací řetězec s monitorem.
Hlavní předností vynálezu je možnost souběžného pozorování jak prozařovaného obrazu na stínítku mikroskopu, tak i rastrovaného obrazu na stínítku monitoru, přičemž detektor vytváří současně funkční činnost clony. Zařízeni umožňuje pozorování i změnu pozorování jak v rastrovacím systému, tak i v prozařovacím systému.
Vynález blíže objasňuje přiložený výkres, na kterém je schéma optické soustavy v osovém řezu. Optická soustava sestává z autoemisního zdroje 2 elektronového svazku, v jehož ose x jsou za sebou umístěny vychylovací cívky 2» zkoumaný objekt 2 a objektiv £.
V difrakčni rovině objektivu £, která je vyznačena osou y je umístěn polovodičový detektor 5, spojený přes zesilovací řetězec 7_ s monitorem 2· Polovodičový detektor 2 3® opatřen otvorem 6, který nahrazuje v požadovaném případě funkci clony. Pozorovací stínítko 2 elektronového mikroskopu ukončuje optickou soustavu. Detektor 2 lze vytvořit použitím například PXN diody.
Zařízeni pracuje za provozu elektronového mikroskopu takto: Po seřízení elektronového mikroskopu uvedeme do činnosti rastrovací adaptér a detektor 2 tvořící clonu vsuneme na optickou osu x systému tak, aby svazek odpovídající světlému poli procházel otvorem 2 detektoru 5.
V tomto případě vzniká na stínítku 2 prozařovacího mikroskopu v čase rozvinutý obraz ve světlém poli, jehož zorné pole je dáno rozkmitem rastrovacího adaptéru a z detektoru tvořícího clonu je možno snímat v čase rozvinutý elektrický signál, získaný dopadem elektronů, zkoumaným objektem 2 rozptýlených, tedy signál v temném poli, který po zpracování videotrasou monitorujeme na televizní obrazovce monitoru 2·
Při přesunutí detektoru 2 mimo optickou osu x snímáme z detektoru 2 převážně signál odpovídající světlému poli a na stínítku 2 prozařovacího mikroskopu pozorujeme v čase rozložený obraz v temném poli.
Vynález je určen pro elektronově optická zařízení.

Claims (1)

  1. Zařízeni k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu, vyznačené tím, že pod zkoumaným objektem (3) v ose elektronového svazku a v difrakčni rovině (y) objektivu (4) je suvně uspořádán polovodičový detektor (5), například
    PIN dioda opatřená otvorem tvořícím clonu, která je spojena přes zesilovací řetězec (7) s monitorem (8).
CS863212A 1986-05-04 1986-05-04 Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu CS252633B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS863212A CS252633B1 (cs) 1986-05-04 1986-05-04 Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS863212A CS252633B1 (cs) 1986-05-04 1986-05-04 Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS321286A1 CS321286A1 (en) 1987-02-12
CS252633B1 true CS252633B1 (cs) 1987-09-17

Family

ID=5371545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS863212A CS252633B1 (cs) 1986-05-04 1986-05-04 Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS252633B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS321286A1 (en) 1987-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4211924A (en) Transmission-type scanning charged-particle beam microscope
CN107123584B (zh) 在带电粒子显微镜中研究动态样本行为
US4441124A (en) Technique for inspecting semiconductor wafers for particulate contamination
US6797954B2 (en) Patterned wafer inspection method and apparatus therefor
US4720191A (en) Method and apparatus for light span microscopic dark-field display of objects
GB2197499A (en) High spatial and time resolution measuring apparatus
CN111627787B (zh) 多射束扫描透射带电粒子显微镜
JP2021162590A (ja) 電子エネルギー損失分光検出器を備えた透過型荷電粒子顕微鏡
WO2022091234A1 (ja) 荷電粒子ビーム装置および試料観察方法
US20250012740A1 (en) Transmission electron microscope and sample analysis method using transmission electron microscope
US3872305A (en) Convertible scanning electron microscope
EP0241060B1 (en) Apparatus for energy-selective visualisation
DE69211378T2 (de) Raster Reflektions-Beugungselektronenmikroskop
CS252633B1 (cs) Zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu
Wilke Laser scanning in microscopy
US3155827A (en) Electron microscope with a secondary electron source utilized for electron probe analysis
JP7676719B2 (ja) 透過型荷電粒子顕微鏡を使用して試料を画像化する方法
EP0425204A2 (en) Secondary ion mass analyzing apparatus
GB1588234A (en) Transmission type beam nicroscopes utilising a scanning technique
US20220359153A1 (en) Transmission Electron Microscope and Imaging Method
DE112017007498B4 (de) Ladungsträgerstrahlvorrichtung
US6867407B2 (en) Light probe microscope including picture signal processing means
JP4045058B2 (ja) 多重荷電粒子検出器、及びそれを用いた走査透過電子顕微鏡
US20250182997A1 (en) Transmission electron microscope with variable effective focal length
JPH01149354A (ja) 電子顕微鏡