CS252633B1 - Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope - Google Patents

Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope Download PDF

Info

Publication number
CS252633B1
CS252633B1 CS863212A CS321286A CS252633B1 CS 252633 B1 CS252633 B1 CS 252633B1 CS 863212 A CS863212 A CS 863212A CS 321286 A CS321286 A CS 321286A CS 252633 B1 CS252633 B1 CS 252633B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
transilluminated
rasterized image
electron
aperture
parallel scanning
Prior art date
Application number
CS863212A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS321286A1 (en
Inventor
Armin Delong
Vladimir Kolarik
Ilona Muellerova
Original Assignee
Armin Delong
Vladimir Kolarik
Ilona Muellerova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Armin Delong, Vladimir Kolarik, Ilona Muellerova filed Critical Armin Delong
Priority to CS863212A priority Critical patent/CS252633B1/en
Publication of CS321286A1 publication Critical patent/CS321286A1/en
Publication of CS252633B1 publication Critical patent/CS252633B1/en

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

Podstatou zařízení je, že pod zkoumaným objektem v ose elektronového svazku a v difrakční rovině objektivu je suvně uspořádán polovodičový detektor, například PIN dioda, opatřená otvorem tvořícím clonu, která je spojena přes zesilovací řetězec s monitorem.The essence of the device is that under the examined object in the axis of the electron beam and in the diffraction plane of the lens is slidable a semiconductor detector is arranged, for example PIN diode, provided with a hole forming an aperture that is connected via amplifier string with monitor.

Description

Vynález se týká zařízení k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for simultaneous scanning of radiated and raster images in an electron microscope.

Dosavadní elektronové mikroskopy neumožňují souběžné snímání prozářeného a rastrovaného obrazu pozorovaného objektu. A tedy neumožňuji souběžné srovnání obrazů kvalitativně jiných typů kontrastů.Previous electron microscopes do not allow simultaneous scanning of the irradiated and raster image of the observed object. Therefore, I do not allow parallel comparison of images of qualitatively different types of contrasts.

Dosavadní nevýhody odstraňuje zařízeni k souběžnému snímání prozářeného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu, jehož podstatou je, že pod zkoumaným objektem, v ose elektronového svazku a v difrakčni rovině objektivu je suvně uspořádán polovodičový detektor, například PIN dioda opatřená otvorem tvořícím clonu, která je spojena přes zesilovací řetězec s monitorem.The disadvantages of the prior art are eliminated by a device for simultaneous scanning of the irradiated and rasterized image in an electron microscope, which consists in that a semiconductor detector, for example a PIN diode with an aperture forming aperture, is displaceably arranged below the object, through the amplification chain with the monitor.

Hlavní předností vynálezu je možnost souběžného pozorování jak prozařovaného obrazu na stínítku mikroskopu, tak i rastrovaného obrazu na stínítku monitoru, přičemž detektor vytváří současně funkční činnost clony. Zařízeni umožňuje pozorování i změnu pozorování jak v rastrovacím systému, tak i v prozařovacím systému.The main advantage of the invention is the possibility of simultaneous observation of both the radiated image on the microscope screen and the raster image on the monitor screen, whereby the detector simultaneously creates a functional aperture operation. The device allows observation and change of observation both in the scanning system and in the radiation system.

Vynález blíže objasňuje přiložený výkres, na kterém je schéma optické soustavy v osovém řezu. Optická soustava sestává z autoemisního zdroje 2 elektronového svazku, v jehož ose x jsou za sebou umístěny vychylovací cívky 2» zkoumaný objekt 2 a objektiv £.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention is illustrated in greater detail in the accompanying drawing, in which the diagram of the optical system is in axial section. The optical system consists of an electron beam emission source 2 in which the deflection coils 2 of the object 2 and the objective lens 6 are arranged in succession.

V difrakčni rovině objektivu £, která je vyznačena osou y je umístěn polovodičový detektor 5, spojený přes zesilovací řetězec 7_ s monitorem 2· Polovodičový detektor 2 3® opatřen otvorem 6, který nahrazuje v požadovaném případě funkci clony. Pozorovací stínítko 2 elektronového mikroskopu ukončuje optickou soustavu. Detektor 2 lze vytvořit použitím například PXN diody.The semiconductor detector 5 connected to the monitor 2 via the amplification string 7 is located in the diffraction plane of the objective 6, which is indicated by the y-axis. The semiconductor detector 23 has an aperture 6 which replaces the aperture function if desired. The electron microscope observation screen 2 terminates the optical system. Detector 2 can be generated using, for example, a PXN diode.

Zařízeni pracuje za provozu elektronového mikroskopu takto: Po seřízení elektronového mikroskopu uvedeme do činnosti rastrovací adaptér a detektor 2 tvořící clonu vsuneme na optickou osu x systému tak, aby svazek odpovídající světlému poli procházel otvorem 2 detektoru 5.The device operates in the operation of the electron microscope as follows: After adjustment of the electron microscope, activate the scanning adapter and insert the screening detector 2 on the optical axis x of the system so that the beam corresponding to the bright field passes through the opening 2 of the detector 5.

V tomto případě vzniká na stínítku 2 prozařovacího mikroskopu v čase rozvinutý obraz ve světlém poli, jehož zorné pole je dáno rozkmitem rastrovacího adaptéru a z detektoru tvořícího clonu je možno snímat v čase rozvinutý elektrický signál, získaný dopadem elektronů, zkoumaným objektem 2 rozptýlených, tedy signál v temném poli, který po zpracování videotrasou monitorujeme na televizní obrazovce monitoru 2·In this case, on the screen 2 of the radiation microscope, the developed image in the bright field is generated in time, whose field of view is given by the oscillation of the scanning adapter and from the detector forming the aperture. a dark field that we monitor on video monitor screen 2 after video route processing ·

Při přesunutí detektoru 2 mimo optickou osu x snímáme z detektoru 2 převážně signál odpovídající světlému poli a na stínítku 2 prozařovacího mikroskopu pozorujeme v čase rozložený obraz v temném poli.When the detector 2 is moved away from the x-axis, we mainly detect the signal corresponding to the bright field from the detector 2 and observe the decomposed image in the dark field over time on the screen 2 of the radiation microscope.

Vynález je určen pro elektronově optická zařízení.The invention is intended for electron-optical devices.

Claims (1)

Zařízeni k souběžnému snímání prozařovaného a rastrovaného obrazu v elektronovém mikroskopu, vyznačené tím, že pod zkoumaným objektem (3) v ose elektronového svazku a v difrakčni rovině (y) objektivu (4) je suvně uspořádán polovodičový detektor (5), napříkladApparatus for simultaneous scanning of the radiated and rasterized image in an electron microscope, characterized in that a semiconductor detector (5) is slidably arranged below the object (3) in the axis of the electron beam and in the diffraction plane (s) of the objective (4). PIN dioda opatřená otvorem tvořícím clonu, která je spojena přes zesilovací řetězec (7) s monitorem (8).A PIN diode provided with an aperture forming an aperture connected to the monitor (8) via an amplification string (7).
CS863212A 1986-05-04 1986-05-04 Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope CS252633B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS863212A CS252633B1 (en) 1986-05-04 1986-05-04 Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS863212A CS252633B1 (en) 1986-05-04 1986-05-04 Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS321286A1 CS321286A1 (en) 1987-02-12
CS252633B1 true CS252633B1 (en) 1987-09-17

Family

ID=5371545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS863212A CS252633B1 (en) 1986-05-04 1986-05-04 Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS252633B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS321286A1 (en) 1987-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4211924A (en) Transmission-type scanning charged-particle beam microscope
US4441124A (en) Technique for inspecting semiconductor wafers for particulate contamination
CN107123584B (en) The research trends sample behavior in charged particle microscope
US6797954B2 (en) Patterned wafer inspection method and apparatus therefor
CN110849926B (en) Method for examining samples using a charged particle microscope
US4720191A (en) Method and apparatus for light span microscopic dark-field display of objects
US4929041A (en) Cathodoluminescence system for use in a scanning electron microscope including means for controlling optical fiber aperture
EP1953791A1 (en) Apparatus for observing a sample with a particle beam and an optical microscope
US6553323B1 (en) Method and its apparatus for inspecting a specimen
US20040016888A1 (en) Semiconductor device inspecting apparatus
KR20230043199A (en) Charged particle beam device and sample observation method
JP2000161948A (en) Circuit pattern inspection apparatus and circuit pattern inspection method
CN111627787B (en) Multibeam Scanning Transmission Charged Particle Microscope
JP2021162590A (en) Transmissive type charge particle microscope comprising electronic energy loss spectroscopic detector
US3872305A (en) Convertible scanning electron microscope
CS252633B1 (en) Device for parallel scanning of transilluminated and rasterized image in electron miscroscope
DE69211378T2 (en) Raster reflection diffraction electron microscope
Wilke Laser scanning in microscopy
US3155827A (en) Electron microscope with a secondary electron source utilized for electron probe analysis
JP7676719B2 (en) How to image a sample using a transmission charged particle microscope
US12183542B2 (en) Transmission electron microscope and imaging method
DE112017007498B4 (en) CARRIER JET DEVICE
GB1588234A (en) Transmission type beam nicroscopes utilising a scanning technique
JP4045058B2 (en) Multiple charged particle detector and scanning transmission electron microscope using the same
Kimoto et al. Scanning electron microscope as a tool in geology and biology