CS252625B1 - Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu - Google Patents
Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu Download PDFInfo
- Publication number
- CS252625B1 CS252625B1 CS862791A CS279186A CS252625B1 CS 252625 B1 CS252625 B1 CS 252625B1 CS 862791 A CS862791 A CS 862791A CS 279186 A CS279186 A CS 279186A CS 252625 B1 CS252625 B1 CS 252625B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- crucible
- raw material
- diameter
- cultivation
- moldings
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Způsob úpravy suroviny pro pěstování
monokrystalů korundu, umožňující podstatné
snížení opotřebení pěstovacích kelímků a
dosažení vyšší jakosti vypěstovaných monokrystalů,
kde cíle je dosaženo tím, že
práškovitý oxid hlinitý se slisuje na válcovité
výlisky, jejichž průměr je po konečném
žíhání o 1 až 50 % menší než průměr kelímku
a ty se vystaví teplotě 1 400 až 1 500 °C
na vzduchu po dobu nejméně 2 h a poté teplotě
1 700 až 1 900 °C v atmosféře obsahující
50 až 100 obj. % vodíku a 50 až 0 obj. %
argonu po dobu alespoň 2 h.
Description
Vynález se týká způsobu úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu.
Monokrystaly nabývají v posledních letech stále většího významu v elektronice, jako substráty pro monokrystalické polovodivé vrstvy, dále ve speciální optice, například pro zpracování laserových paprsků.
Pěstují se ve větších rozměrech různými metodami krystalizace z taveniny v molybdenových, wolframových nebo iridiových kelímcích a to ve vysokém vakuu nebo v atmosféře inertních plynů. Jeho výchozí suroviny se používá obvykle ěistého oxidu hlinitého slisovaného do tablet nebo výlisků sintrovaných na vzduchu při teplotě 1 400 až 1 500 °C. Hustota 3 3 výlisků je obvykle 1,7 až 2,0 g/cm , zatímco hustota taveniny je 3 g/cm . K naplnění kelímku taveninou je potřeba navršit výlisky nad úroveň kelímku, roztavit a toto se opakuje dva až třikráte než je kelímek připraven k pěstování.
Je to způsobeno jednak uvedeným rozdílem v hustotách, jednak tím, že výlisky svým tvarem obvykle neumožňují dobře vyplnit prostor kelímku. Plnění kelímku tímto způsobem, kdy již částečně taveninou naplněný kelímek se doplňuje výlisky a znovu roztavuje, vede k tomu, že tavenina již ztuhlá v kelímku při následném ohřevu se roztahuje a vyfukuje stěny dolní části kelímku a jeho dno, což po čase vede k zničení kelímku. Kromě toho výlisky po žíhání na vzduchu na maximálně 1 500 °C jsou ještě značně pórovité a mají proto velký a sorpčně aktivní povrch, na kterém se absorbují při manipulaci různé plyny, především vlhkost a kyslík.
Tyto se potom při ohřevu a ztavování uvolňují a koroduji stěny kelímku a topení, odkud přechází jemné částice kovu (wolframu, molybdenu) do taveniny a znečlštují ji. Potom je třeba prodloužit protavování o 4 až 6 h, aby se alespoň část kovových částic usadila na dně a stěnách kelímků. Zbylý kov ztěžuje nasazení zárodku a snižuje výtěžnost kvalitního podílu monokrystalu o 20 až 25 %.
Uvedené obtíže a nedostatky lze odstranit způsobem úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů korundu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že práškovitý oxid hlinitý se slisuje na válcovité výlisky, jejichž průměr je po konečném žíhání o 1 až 50 % menší než průměr kelímku a ty se vystaví teplotě 1 400 až 1 500 °C na vzduchu po dobu nejméně 2 h a poté se vystaví teplotě 1 700 až 1 900 °C v atmosféře obsahující 50 až 100 obj. % vodíku a 50 až 0 obj. % argonu po dobu alespoň 2 h.
Při žíháni v atmosféře vodíku a argonu dojde jednak ke zvýšení hustoty výlisků na 2 až 2,5 g/cm3, jednak k redukci a desaktivaci jeho provrchu, takže se podstatně omezí jeho sorpčni schopnost. Takto upravenými výlisky lze najednou vyplnit kelímek taveninou a tím odstranit ztavování a zároveň na minimum snížit obsah adsorbované vody a kyslíku ve výliscích, což ve svém důsledku vede k zamezeni předčasné deformace kelímku a znečištování taveniny kovovými korosními produkty.
Příklad 1
Z práškovitého oxidu hlinitého byly v pryžové formě o průměru 125 mm a výšce 200 mm isostaticky za tlaku 120 MPa vylisovány výlisky válcovitého tvaru. Výlisky byly vystaveny teplotě 1 450 °C po dobu 3 h v superkantalové peci na vzduchu. Poté byly přeneseny do pece s wolframovým topením a vystaveny v atmosféře, sestávající z 60 obj. % vodíku a 40 obj. % argonu teplotě 1 850 °C po dobu 3 h. Výlisky měly průměr 80 mm a výšku 120 mm a váhu 1 500 g, což odpovídá hustotě cca 2,5 g/cm . Dva takové výlisky postavené na sebe do wolframového kelímku o vnitřních rozměrech, průměr 105 mm, výška 130 mm, tvořily celkovou vsázku 3 000 g, která po roztaveni vyplnila taveninou kelímek, takže po třech hodinách protavení mohl být nasazen zárodek a Kyropoulosovou metodou pěstován monokrystal safíru o průměru 90 mm a váze 3 000 g. Z tohoto monokrystalu bylo možno 78 % jeho hmoty využít pro výrobu vysoce jakostních substrátů.
Příklad 2
Bylo postupováno obdobně jako v příkladu 1 s tím rozdílem, že výlisek byl lisován do formy o průměru 65 mm a výšce 520 mm. Výlisek po záhřevu na 1 500 °C na vzduchu po dobu 2 h a dalším zahřívání na teplotu 1 700 °C v atmosféře, tvořené toliko vodíkem po dobu 4 h měl rozměry, průměr 40 mm a výšku 330 mm. Výlisek vážil 1 000 g, což odpovídá 3 hustotě 2,5 g/cm . Jediný tento výlisek vyplnil wolframový kelímek o vnitřních rozměrech, průměr 80 mm a výška 90 mm taveninou a po 3 h protavení bylo možno začít s pěstováním monokrystalu safíru. Vypěstovaný monokrystal měl průměr 65 mm a váhu 1 000 g a byl z 80 % využitelný k zhotovení jakostních optických elementů.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů korundu, vyznačený tim, že práškovitý oxid hlinitý se slisuje na válcovité výlisky, jejichž průměr je po konečném žíhání o 1 až 50 i menší než průměr kelímku a ty se vystaví teplotě 1 400 až i 500 °C na vzduchu po dobu nejméně 2 h a poté se vystaví teplotě 1 700 až 1 900 °C v atmosféře obsahující 50 až 100 obj. % vodíku a 50 až 0 obj. % argonu po dobu alespoň 2 hodin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS862791A CS252625B1 (cs) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS862791A CS252625B1 (cs) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS279186A1 CS279186A1 (en) | 1987-02-12 |
CS252625B1 true CS252625B1 (cs) | 1987-09-17 |
Family
ID=5366031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS862791A CS252625B1 (cs) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS252625B1 (cs) |
-
1986
- 1986-04-17 CS CS862791A patent/CS252625B1/cs unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS279186A1 (en) | 1987-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0986655B1 (en) | THE METHOD OF FABRICATION OF HIGHLY RESISTIVE GaN BULK CRYSTALS | |
JP4154744B2 (ja) | フッ化カルシウム結晶の製造方法および原料の処理方法 | |
EP0173961B1 (en) | Process for the production of glass | |
KR20110095290A (ko) | 규소 결정 성장을 위한 규소 분말 용융물의 제조 방법 | |
CN103643295A (zh) | 一种气相法生长氮化铝晶体用原料的制备方法 | |
JP4014724B2 (ja) | シリカガラスの製造方法 | |
US4828594A (en) | Process for the production of glass | |
JPS60235716A (ja) | 多孔質ホウ素あるいはホウ化物製品の製造方法 | |
CS252625B1 (cs) | Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu | |
JPH10265222A (ja) | リチウムタイタネート微小焼結粒の製造方法 | |
JPH02108999A (ja) | 中性子吸収ペレットの製造方法 | |
KR100274316B1 (ko) | 고순도 수정 단결정의 제조방법 | |
JPS6278196A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JPS6357367B2 (cs) | ||
JP4039646B2 (ja) | 酸化リチウム粒の製造方法 | |
JPH06157056A (ja) | 石英ガラス多孔質成形体およびその製造方法 | |
GB2200317A (en) | Isostatic moulding | |
JPH0218311B2 (cs) | ||
JPH0640592Y2 (ja) | シリコン単結晶の成長装置 | |
CN1210155A (zh) | 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用 | |
GB2137974A (en) | Carbon Foam Reservoir for Silicon | |
SE440222B (sv) | Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid genom isostatisk pressning av pulver av kiselnitrid innehallande fri kisel | |
KR950006635B1 (ko) | LiTaO₃단결정 성장용 원료분말의 제조방법 | |
SU1044432A1 (ru) | Способ изготовлени пористых спеченных изделий из титана | |
JPS62202827A (ja) | ガラスの製造法 |