CS252625B1 - Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu - Google Patents

Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu Download PDF

Info

Publication number
CS252625B1
CS252625B1 CS862791A CS279186A CS252625B1 CS 252625 B1 CS252625 B1 CS 252625B1 CS 862791 A CS862791 A CS 862791A CS 279186 A CS279186 A CS 279186A CS 252625 B1 CS252625 B1 CS 252625B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crucible
raw material
diameter
cultivation
moldings
Prior art date
Application number
CS862791A
Other languages
English (en)
Other versions
CS279186A1 (en
Inventor
Bohumil Perner
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Helena Hilgerova
Original Assignee
Bohumil Perner
Jiri Kvapil
Josef Kvapil
Helena Hilgerova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bohumil Perner, Jiri Kvapil, Josef Kvapil, Helena Hilgerova filed Critical Bohumil Perner
Priority to CS862791A priority Critical patent/CS252625B1/cs
Publication of CS279186A1 publication Critical patent/CS279186A1/cs
Publication of CS252625B1 publication Critical patent/CS252625B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů korundu, umožňující podstatné snížení opotřebení pěstovacích kelímků a dosažení vyšší jakosti vypěstovaných monokrystalů, kde cíle je dosaženo tím, že práškovitý oxid hlinitý se slisuje na válcovité výlisky, jejichž průměr je po konečném žíhání o 1 až 50 % menší než průměr kelímku a ty se vystaví teplotě 1 400 až 1 500 °C na vzduchu po dobu nejméně 2 h a poté teplotě 1 700 až 1 900 °C v atmosféře obsahující 50 až 100 obj. % vodíku a 50 až 0 obj. % argonu po dobu alespoň 2 h.

Description

Vynález se týká způsobu úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu.
Monokrystaly nabývají v posledních letech stále většího významu v elektronice, jako substráty pro monokrystalické polovodivé vrstvy, dále ve speciální optice, například pro zpracování laserových paprsků.
Pěstují se ve větších rozměrech různými metodami krystalizace z taveniny v molybdenových, wolframových nebo iridiových kelímcích a to ve vysokém vakuu nebo v atmosféře inertních plynů. Jeho výchozí suroviny se používá obvykle ěistého oxidu hlinitého slisovaného do tablet nebo výlisků sintrovaných na vzduchu při teplotě 1 400 až 1 500 °C. Hustota 3 3 výlisků je obvykle 1,7 až 2,0 g/cm , zatímco hustota taveniny je 3 g/cm . K naplnění kelímku taveninou je potřeba navršit výlisky nad úroveň kelímku, roztavit a toto se opakuje dva až třikráte než je kelímek připraven k pěstování.
Je to způsobeno jednak uvedeným rozdílem v hustotách, jednak tím, že výlisky svým tvarem obvykle neumožňují dobře vyplnit prostor kelímku. Plnění kelímku tímto způsobem, kdy již částečně taveninou naplněný kelímek se doplňuje výlisky a znovu roztavuje, vede k tomu, že tavenina již ztuhlá v kelímku při následném ohřevu se roztahuje a vyfukuje stěny dolní části kelímku a jeho dno, což po čase vede k zničení kelímku. Kromě toho výlisky po žíhání na vzduchu na maximálně 1 500 °C jsou ještě značně pórovité a mají proto velký a sorpčně aktivní povrch, na kterém se absorbují při manipulaci různé plyny, především vlhkost a kyslík.
Tyto se potom při ohřevu a ztavování uvolňují a koroduji stěny kelímku a topení, odkud přechází jemné částice kovu (wolframu, molybdenu) do taveniny a znečlštují ji. Potom je třeba prodloužit protavování o 4 až 6 h, aby se alespoň část kovových částic usadila na dně a stěnách kelímků. Zbylý kov ztěžuje nasazení zárodku a snižuje výtěžnost kvalitního podílu monokrystalu o 20 až 25 %.
Uvedené obtíže a nedostatky lze odstranit způsobem úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů korundu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že práškovitý oxid hlinitý se slisuje na válcovité výlisky, jejichž průměr je po konečném žíhání o 1 až 50 % menší než průměr kelímku a ty se vystaví teplotě 1 400 až 1 500 °C na vzduchu po dobu nejméně 2 h a poté se vystaví teplotě 1 700 až 1 900 °C v atmosféře obsahující 50 až 100 obj. % vodíku a 50 až 0 obj. % argonu po dobu alespoň 2 h.
Při žíháni v atmosféře vodíku a argonu dojde jednak ke zvýšení hustoty výlisků na 2 až 2,5 g/cm3, jednak k redukci a desaktivaci jeho provrchu, takže se podstatně omezí jeho sorpčni schopnost. Takto upravenými výlisky lze najednou vyplnit kelímek taveninou a tím odstranit ztavování a zároveň na minimum snížit obsah adsorbované vody a kyslíku ve výliscích, což ve svém důsledku vede k zamezeni předčasné deformace kelímku a znečištování taveniny kovovými korosními produkty.
Příklad 1
Z práškovitého oxidu hlinitého byly v pryžové formě o průměru 125 mm a výšce 200 mm isostaticky za tlaku 120 MPa vylisovány výlisky válcovitého tvaru. Výlisky byly vystaveny teplotě 1 450 °C po dobu 3 h v superkantalové peci na vzduchu. Poté byly přeneseny do pece s wolframovým topením a vystaveny v atmosféře, sestávající z 60 obj. % vodíku a 40 obj. % argonu teplotě 1 850 °C po dobu 3 h. Výlisky měly průměr 80 mm a výšku 120 mm a váhu 1 500 g, což odpovídá hustotě cca 2,5 g/cm . Dva takové výlisky postavené na sebe do wolframového kelímku o vnitřních rozměrech, průměr 105 mm, výška 130 mm, tvořily celkovou vsázku 3 000 g, která po roztaveni vyplnila taveninou kelímek, takže po třech hodinách protavení mohl být nasazen zárodek a Kyropoulosovou metodou pěstován monokrystal safíru o průměru 90 mm a váze 3 000 g. Z tohoto monokrystalu bylo možno 78 % jeho hmoty využít pro výrobu vysoce jakostních substrátů.
Příklad 2
Bylo postupováno obdobně jako v příkladu 1 s tím rozdílem, že výlisek byl lisován do formy o průměru 65 mm a výšce 520 mm. Výlisek po záhřevu na 1 500 °C na vzduchu po dobu 2 h a dalším zahřívání na teplotu 1 700 °C v atmosféře, tvořené toliko vodíkem po dobu 4 h měl rozměry, průměr 40 mm a výšku 330 mm. Výlisek vážil 1 000 g, což odpovídá 3 hustotě 2,5 g/cm . Jediný tento výlisek vyplnil wolframový kelímek o vnitřních rozměrech, průměr 80 mm a výška 90 mm taveninou a po 3 h protavení bylo možno začít s pěstováním monokrystalu safíru. Vypěstovaný monokrystal měl průměr 65 mm a váhu 1 000 g a byl z 80 % využitelný k zhotovení jakostních optických elementů.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    Způsob úpravy suroviny pro pěstování monokrystalů korundu, vyznačený tim, že práškovitý oxid hlinitý se slisuje na válcovité výlisky, jejichž průměr je po konečném žíhání o 1 až 50 i menší než průměr kelímku a ty se vystaví teplotě 1 400 až i 500 °C na vzduchu po dobu nejméně 2 h a poté se vystaví teplotě 1 700 až 1 900 °C v atmosféře obsahující 50 až 100 obj. % vodíku a 50 až 0 obj. % argonu po dobu alespoň 2 hodin.
CS862791A 1986-04-17 1986-04-17 Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu CS252625B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862791A CS252625B1 (cs) 1986-04-17 1986-04-17 Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS862791A CS252625B1 (cs) 1986-04-17 1986-04-17 Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS279186A1 CS279186A1 (en) 1987-02-12
CS252625B1 true CS252625B1 (cs) 1987-09-17

Family

ID=5366031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS862791A CS252625B1 (cs) 1986-04-17 1986-04-17 Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS252625B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS279186A1 (en) 1987-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0986655B1 (en) THE METHOD OF FABRICATION OF HIGHLY RESISTIVE GaN BULK CRYSTALS
JP4154744B2 (ja) フッ化カルシウム結晶の製造方法および原料の処理方法
EP0173961B1 (en) Process for the production of glass
KR20110095290A (ko) 규소 결정 성장을 위한 규소 분말 용융물의 제조 방법
CN103643295A (zh) 一种气相法生长氮化铝晶体用原料的制备方法
JP4014724B2 (ja) シリカガラスの製造方法
US4828594A (en) Process for the production of glass
JPS60235716A (ja) 多孔質ホウ素あるいはホウ化物製品の製造方法
CS252625B1 (cs) Způsob úpravy suroviny pro pěstováni monokrystalů korundu
JPH10265222A (ja) リチウムタイタネート微小焼結粒の製造方法
JPH02108999A (ja) 中性子吸収ペレットの製造方法
KR100274316B1 (ko) 고순도 수정 단결정의 제조방법
JPS6278196A (ja) ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法
JPS6357367B2 (cs)
JP4039646B2 (ja) 酸化リチウム粒の製造方法
JPH06157056A (ja) 石英ガラス多孔質成形体およびその製造方法
GB2200317A (en) Isostatic moulding
JPH0218311B2 (cs)
JPH0640592Y2 (ja) シリコン単結晶の成長装置
CN1210155A (zh) 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
GB2137974A (en) Carbon Foam Reservoir for Silicon
SE440222B (sv) Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid genom isostatisk pressning av pulver av kiselnitrid innehallande fri kisel
KR950006635B1 (ko) LiTaO₃단결정 성장용 원료분말의 제조방법
SU1044432A1 (ru) Способ изготовлени пористых спеченных изделий из титана
JPS62202827A (ja) ガラスの製造法