CS251083B2 - Plošná tenkovrstvová termická katoda - Google Patents

Plošná tenkovrstvová termická katoda Download PDF

Info

Publication number
CS251083B2
CS251083B2 CS843865A CS386584A CS251083B2 CS 251083 B2 CS251083 B2 CS 251083B2 CS 843865 A CS843865 A CS 843865A CS 386584 A CS386584 A CS 386584A CS 251083 B2 CS251083 B2 CS 251083B2
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
thin
flat
conductive
film thermal
electrodes
Prior art date
Application number
CS843865A
Other languages
English (en)
Inventor
Ivan Rampl
Original Assignee
Ivan Rampl
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ivan Rampl filed Critical Ivan Rampl
Priority to CS843865A priority Critical patent/CS251083B2/cs
Publication of CS251083B2 publication Critical patent/CS251083B2/cs

Links

Landscapes

  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Podstata řešení spočívá v konstrukcí pravoúhlé matice tenkovrstvových termických emitorů elektronů, zkráceně TTEE, spočívající na plošném nevodivém substrátu. Každý TTEE je určen oboustranným překrytím nevodivé vrstvy, tzv. nosné vrstvy, dvěma elektrodami jednou ze systému plochých rovnoběžných tzv. opěrných elektrod, a druhou z druhého systému plochých rovnoběžných tzv. průchozích elektrod, přičemž oba systémy elektrod jsou vůči sobě v ploše pootočeny o úhel 90°. Systém opěrných elektrod je bezprostředně umístěn na plošném nevodivém substrátu, na tomto systému je nanesena nevodivá nosná vrstva, a na ni leží systém průchozích elektrod. Nevodivá nosná vrstva v místě každého TTEE má polovodivý charakter, získaný dodatečně technologickou úpravou. Systém průchozích elektrod obsahuje v místě každého TTEE soustavu mikroskopických průchozích otvorů, na jejichž dnech je nanesena emisní ploška emisního materiálu. Plošná tenkovrstvová termická katoda je základním stavebním prvkem ploché televizní obrazovky.

Description

Vynález se týká. plošné* tenkovrstvové termické katody’, sestávající! z tenkovrstvavých termických emitorů elekťronfl, která je zdrojem v ploše řízené emise elektronů.
Dosud známými velkoplošnými níženými zdroji elektronů jsou plazmové katoďy aitenkovrstvové katody typu kov-izolátor-kov. Plošná struktura, těchto katod dovoluje, aby v určeném časovém okamžiku emitovala pouze jejich malá, přesně vymezená oblast, tzv. emisní element. Emisní elementy jsou většinou v ploše pravoúhle uspořádány a jejich počet a velikost záleží na druhu použití katody.
Termicky buzený emisní element, složený z tenkých vrstev, je nazván tenkovrstovým termickým emitorem elektronů, zkráceně TTEE.
Nedostatky plazmových katod vyplývají přímo z fyzikálního principu funkce. Je to potřeba plynného prostředí, malá hustota toku elektronů a jejich poměrně vysoká energie, a nízká účinnost. Nedostatečná účinnost a velmi nízká plošná hustota toku náboje jsou základními nedostatky katod kov-izolátor-kov.
Výše uvedené nevýhody jsou odstraněny u plošné tenkovrsvové termické katody, sestávající z tenkovrstvových termických emitorfl elektronů, která je zdrojem v ploše řízené emise elektronů, jejíž podstatou je pravoúhlá matice TTEE, spočívající na plošném nevodivém substrátu, u níž každý TTEE je určen oboustranným překrytím nevodivé vrstvy, dvěma elektrodami, jednou ze systému plochých rovnoběžných elektrod, nazvaného systémem opěrných elektrod, a druhou z druhého systému plochých rovnoběžných elektrod, nazvaného systémem průchozích elektrod, kde oba systémy elektrod jsou vůči sobě v ploše pootočeny o úhel 90°, přičemž systém opěrných elektrod je bezprostředně umístěn na plošném nevodivém substrátu, na tomto systému leží nevodivá nosná vrstva a tuto vrstvu pokrývá systém průchozích elektrod.
Nevodivá nosná vrstva v místě každého TTEE, tj. v místech překřížení elektrod z obou systémů, má polovodivý charakter, získaný dodatečně technologickou úpravou. Systém průchozích elektrod obsahuje v místě každého TTEE soustavu mikroskopických průchozích otvorů, aby v každém otvoru byl obnažen povrch nosné vrstvy, přičemž těmito otvory je na povrch, nebo do objemu nosné vrstvy vpraven emisní materiál, takže na dnech otvorů jsou vytvořeny emisní plošky. Souhrn emisních plošek jednoho TTEE tvoří jeho aktivní emisní plochu.
Je účelné, aby průchozí elektrody měly takové uspořádání mikroskopických průchozích otvorů, které by zachovalo kompromis mezi požadavkem největší aktivní emisní plochy TTEE a dostatečnou teplotou zahřívaného emisního materiálu uprostřed emisních plošek.
Je výhodné použít technologii vakuového napař ování či· naprašavání pro výrobu všech tBf vrstev, tj. vrstvy systému opěrnýGh elektrod, nevodivé nosné vrstvy a vrstvy systému průchozích elektrod. Je výhodné použít fotolltografickou technologii pro vytvoření mikroskopických průchozích otvorů. Je výhodné použít iontovou implantaci iontů prvků s nízkou výstupní prací pro získání aktivní emisní plochy TTEE, protože aktivní částice jsou implantovány do materiálu nosné vrstvy; takže lze s plošnou katodou manipulovat ve vzdušném prostředí. Teprve po umístění katody do vakua a následným zadifundovány na povrch emisních plošek, hříváním nosné vrstvy jsou aktivní částice
Dále je výhodné, aby materiálem nevodivé nosné vrstvy byl amorfní polovodič, například, třísložkové ehalkogenní sklo, protože u tohoto materiálu lze poměrně nejjednodušeji změnit v místě každého TTEE jeho nevodivý charakter na polovodivý. Jevíse výhodné, aby materiálem plošného nevodivého substrátu bylo sklo, materiálem obou systémů elektrod tíže tavitelný'- kov a emisním, materiálem, např. iontově implanr tované stroncium.
Uspořádání a detaily konstrukce katody jsou znázorněny na připojených výkresech, kde na obr. 1 je pohled na část pravoúhlé matice TTEE, a na obr. 2 je řez strukturou, vrstvě jednoho TTEE.
Příkladné provedení plošné tenkovrstvové termické katody- podle vynálezu je na obr. 1. Aktivní plocha katody je tvořena pravoúhlou maticí tenkovrstvých termických emitorů 1 elektronů, spočívající na plošném nevodivém substrátu 2, u níž každý tenkovrstvový termický emi-tor 1 elektronů! je. určen oboustranným překrytím nevodivé, nas.né. vrstvy 3·, dvěma elektrodami,, opěrnou; elekinodou 4- ze· aystému: opěrných elektrod, a průchozí elektrodou. 5· ze systému, průcho·· zích elektrod... Na obr. 2 je· vyobrazen řez. strukturou vrstev jednoho, tenkovrstvovéhoi termického emitonu 1. elektronů, kde na, plošném nevodivém substrátu, 2: je bezprostředně, umístěna·, opěrná· elektroda 4,. na ni leží nevodivá nosná- vrstva 3, která je zde; polov,odivého- charakteru, a nosnou vrstvu· pokrývá- průchozí elektroda 5, která je opatřena soustavou mikroskopických, průchozích otvorů 6, na jejichž dnech, jsou emisní plošky 7 emisního! materiálu-..
Napájení každého, TTEE elektrickými proudem· nízkého· napětí se. zajišťuje připojením zdroje k- opěrné a! průchozí· elektrodě ze. systémů opěrných a průchozích elektrod. Průchodem elektrického proudu·, polovodivou nosnou vrstvou se.· zahřívají ty její části·,, kter ré jsou oboustranně, překryty kovem.» elektrod·. Vedeními se, pak předává stimulační tepelná energie emisnímu, materiálu! emisrních plošek. Za přítomnosti vnějšího urychlujícího elektrického pole prochází většina termicky emitovaných elektronů průchozími otvory do· vnějšího vakuového prostředí.
Ztráta náboje aktivní emisní plochy je hrazena elektrony z polovodivé nosné vrstvy.
Plošná tenkovrstvová termická katoda je základním stavebním prvkem ploché televizní obrazovky.

Claims (3)

1. Plošná tenkovrsvová termická katoda, sestávající z tenkovrstvových termických emitorů elektronů, která je zdrojem v ploše řízené emise elektronů, vyznačující se tím, že je tvořena pravoúhlou maticí tenkovrstvových termických emitorů (1) elektronů, spočívající na plošném nevodivém substrátu (2), u níž každý tenko vrstvový termický emitor (1) elektronů je určen oboustranným překrytím nevodivé nosné vrstvy (3) dvěma elektrodami, opěrnou elektrodou (4) ze systému opěrných elektrod a průchozí elektrodou (5) ze systému průchozích elektrod, kde oba systémy elektrod jsou vůči sobě v ploše pootočeny o úhel 90°, přičemž systém opěrných elektrod je bezprostředně umístěn na plošném nevodivém substrátu (2), na
YNÁIEZU tomto systému leží nevodivá nosná vrstva (3), a tuto vrstvu pokrývá systém průchozích elektrod.
2. Plošná tenkovrstvá termická katoda podle bodu 1, vyznačující se tím, že nevodivá nosná vrstva (3) má v místech tenkovrstvových termických emitorů (lj elektronů polovodivý charakter.
3. Plošná tenkovrstvová termická katoda podle bodů 1 a 2, vyznačující se tím, že průchozí elektroda (5) ze systému průchozích elektrod je v místě každého tenkovrstvového termického emitorů (1) elektronů opatřena soustavou mikroskopických průchozích otvorů (6), na jejichž dnech jsou emisní plošky (7) emisního materiálu.
CS843865A 1984-05-23 1984-05-23 Plošná tenkovrstvová termická katoda CS251083B2 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS843865A CS251083B2 (cs) 1984-05-23 1984-05-23 Plošná tenkovrstvová termická katoda

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS843865A CS251083B2 (cs) 1984-05-23 1984-05-23 Plošná tenkovrstvová termická katoda

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS251083B2 true CS251083B2 (cs) 1987-06-11

Family

ID=5379991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS843865A CS251083B2 (cs) 1984-05-23 1984-05-23 Plošná tenkovrstvová termická katoda

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS251083B2 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5157309A (en) Cold-cathode field emission device employing a current source means
CA1131795A (en) Cold cathode semiconductor device
US4990766A (en) Solid state electron amplifier
US4341980A (en) Flat display device
US5984752A (en) Electron emission cathode; an electron emission device, a flat display, a thermoelectric cooling device incorporating the same; and a method for producing the electron emission cathode
US4120700A (en) Method of producing p-n junction type elements by ionized cluster beam deposition and ion-implantation
CA1249012A (en) Electron-beam device and semiconductor device for use in such an electron-beam device
US4118630A (en) Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface
US4801994A (en) Semiconductor electron-current generating device having improved cathode efficiency
EP0660368B1 (en) Electron field emission devices
Charbonnier Developing and using the field emitter as a high intensity electron source
US5133849A (en) Thin film forming apparatus
GB808292A (en) Electronic tube structure
CS251083B2 (cs) Plošná tenkovrstvová termická katoda
US4322656A (en) Spacer mount in a gas-discharge display device
JP2607251B2 (ja) 電界放射陰極
JP2001266736A (ja) 電子放出素子
JPS61131330A (ja) 半導体装置
US4853754A (en) Semiconductor device having cold cathode
JP2610414B2 (ja) 表示装置
US20050231089A1 (en) Mesh structure of tetraode field-emission display and method of fabricating the same
GB1181345A (en) Thin Film Active Elements
JPS6431335A (en) Electron beam generator
JPH02250247A (ja) 平板型画像表示装置
JPH05299009A (ja) 電界放射装置