CS248234B1 - Diskrétny křemíkový MOSFET tranzistor so zníženou výstupnou a vstupnou kapacitou - Google Patents

Abstract

Riešenie sa týká diskrétneho křemíkového MOSFET tranzistora so zníženou výstupnou a vstupnou kapacitou, s jedným alebo viacerými hradlami, špeciálneho usporiadania fuhkčných oblastí tranzistora, ktoré umožňuje dosiahnuť zníženie výstupnej a vistupnej kapacity a zníženie nárokov na montáž. Uvedené usporiadanie zlepšuje dynamické parametre tranzistora a umožňuje realizovat .křemíkový MOSFET tranzistor pracujúci v oblasti 1 000 MHz.

Description

248234

Vynález sa týká diskrétneho křemíkové-ho MOSFET tranzistora so zníženou výstup-nou a vstupnou kapacitou, u Iktorého zní-ženie výstupné) a vstupnej kapacity sa riešihorizontálnym usporiadaním funkčných ob-lastí tranzistoru.

Doposial' známe MOSFET tranzistory má-jů oblast kolektora po celom obvode uza-tvorenú hradlem tranzistora. Plocha kolek-tora je minimalizovaná tak, aby sa dosiahlačo najmenšia kolektorová kapacita, ktorávo veíkej miere vplýva na vysokofrekvenč-ně parametre tranzistorov pracujúcich voblasti do 1 000 MHz, ako napr. dvojhradlo-vý MOSFET tranzistor. Plocha korektora jeu doterajších MOSFET zváčšená o plochupotřebná na prikontaktovanie kolektora kvonfcajšiemu vývodu puzdra. Kontaktovaciaplocha musí byť přitom dostatočne velká au doterajších tranzistorov představuje až60 až 70 % celkovej plochy kolektora, čopředstavuje prídavnú nefunkčnú kapacitukolektora MOSFET tranzistora.

Zníženie výstupnej a vstupnej kapacity jemožné dosiahnuť horizontálnym usporiada-ním funkčných oblastí diskrétneho křemí-kového MOSFET tranzistora podl'a vynále-zu, iktorého podstatou je, že kontaktovaciaplocha kolektora a kontaktovacie plochyhradiel kruhového aleho mnohoúhelníkové-ho tvvaru sú vyvedené na oblast hrubéhooxidu ipomedizi na minimálnu vzdialenosťrozpojené hradlá tranzistora, pričom emitorodděluje od kolektora vysokodotovaná ob-last opačného typu vodivosti a'ko emitor akolektor tak, že nezasahuje do vyspkodoto-vanej o(blasti kolektora, resp. samozáfcryto-vej oblasti kolektora a samozákrytovej ob-lasti ostrovčeka, pričom ukončeme hradielpřekrývá kríženie oblasti hrubého oxidu avysokodotovanej oblasti opačného typu vo-divosti, pričom v případe integrovania o-chrannej diody hradla, přívod k nej je spo-lečný !s přívodem ku hradlu. Výhodou noyého usporiadania MOSFETtranzistora je zníženie výstupnej aj vstup-nej kapacity tranzistora, ale aj .menšie ná-roky na přesnost kontaktovania vývodu ko-lektora, nalkofko pri usporiadaní podlá vy-nálezu je kontaktovacia plocha kolektoradostatočne vzdialená (desiaťky ,«mj od me-tallzácie ostatných elektrod tranzistora. U stávajúcich MOSFET tranzistorov ob-klopuje hradlo kontakt kolektora vo vzdia-lenosti niekiolko ,um, čo sposohuje pri mon- táži skraty kolektora a hradla. Z tohoto dQ-vodu sú preto kladené vysoké nároky namontáž, aleho na plochu kontaíktovacejplochy a tým na plochu kolektora. V případe integrovaných ochranných diodsú u súčasnýoh MOSFET tranzistorov zvlášťpřívody od fcontaktovacej plochy ku hradlua zvlášť k ochrannej dióde, čo sposohujezvýšenie kapacit.

Na pripojenom výkrese je zobrazený čipdvojhradlového MOSFET tranzistora s hori-zontálnym usporiadaním podlá vynálezu.

Usporiadanie funkčných oblastí MOSFETtranzistora zobrazené na pripojenom výkre-se je vyznačené tým, že kontaktovacia plo-cha kolektora 3 je vyvedená na hrubý oxid11 hrůbky niekofko μΐη, pomedzi na mini-málnu vzdialenosť rozpojené hradlá tran-zistora S, 6, pričom šíreniu inverznej vrst-vy, t. j. zvodovým prúdom medzi emitorom8 a ikolektorom 7 zabráni vysokodotovanáoblast 10 opačného typu vodivosti ako máemitor a kolektor, ktorá oddel'uje emitor8 od kolektora 7 tak, že nezasahuje do vy-sokodotovanej oblasti kolektora 9, resp. anisamozákrytových oblastí kolektora 12, resp.ostrovčeka 13. V případe vyvedenia oblasti 10 na samo-statný vývod, táto nezasahuje ani do vyso-kodotovanej oblasti emitora 8, ani samozá-krytovej oblasti emitora 14. Súčasne ukon-čeme prvvého hradla 13, resp. druhéhohradla 16 prekrýva kríženie hrany hrubéhooxidu a vysokodotovanej oblasti 10, čím sazabráni zvodovým podprahovým prúdompopod hradlá. V případe Integrovania ochrannej diody18 prechádza přívod ku hradlu 17 iponadochranná diodu a je spoločný pre hradloaj ochranná diodu, čím sa doisiahne zníže-nie výstupnej a vstupnej kapacity. Týmto horizontálnym usporiadaním do-siahneme pri nízkých zvodových prúdochkolektora zníženie výstupnej a vstupnej ka-pacity MOSFET tranzistora, pretože pri zní-žených nárolkoch na přesnost kontaktovaniasú kontaktně plochy menšie a výhodnější-ho kruhového aleho mnohoúhelníkovéhotvaru a súčasne kapacita na jednotku plo-chy hrubého oxidu, na ktorom sú kontakto-vacie plochy umiestnené, je niekoíkokrátmenšia ako kapacita na jednotku plochyvysokodotovanej oblasti kolektora, na kto-rej sú kontaktovacie plochy umiestnené ustávajúcich tranzistorov.

Claims (1)

1. 248234 PREDMET Diskrétny křemíkový MOSFET tranzistorso zníženou výstupnou a vstupnou kapaci-tou, s jedným alebo viacerými hradilami,ktorý je vyznačený tým, že ikontaktovaeiaplocha kolektora (3) a kontaktovacie plo-chy hradiel1 (1, 2) kruhového alebo mnoho-uholníkového tvaru sú vyvedené na oblast'hrubého oxidu (11) pomedzi na minlmálnuvzdialenosť rozpojené hradlá tranzistora (5,6), pričom emitor (8) odděluje od kolek-tora (7) vyscfcodotovaná oblast (10) opač- vynAlezu ného typu vodivosti, ako emitor a kolektortak, že nezaisahuje do vysokoiďotovanej ob-lasti kolektora (9), ani samozákrytovej ob-lasti kolektora (12) a samozákrytovej ob-lasti ostrověeka (13), pričom ukončeniehradiel (15), resp. (16) prekrýva kríženieoblasti hrubého oxidu (11) a vysofcodoíova-nej Oblasti (10) Opačného typu vodivosti,pričom v případe integrovania ochrannejdiody hradla (18), přívod k nej je společnýs prívodom 'ku hradlu (17). 1 list výkresov