CS244620B1 - Thin layer electroluminescent element - Google Patents
Thin layer electroluminescent element Download PDFInfo
- Publication number
- CS244620B1 CS244620B1 CS19284A CS19284A CS244620B1 CS 244620 B1 CS244620 B1 CS 244620B1 CS 19284 A CS19284 A CS 19284A CS 19284 A CS19284 A CS 19284A CS 244620 B1 CS244620 B1 CS 244620B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- electroluminescent
- accelerator
- thin
- electroluminescent element
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Tenkovrstvový elgktroluminlscenční prvek, jehož konstrukce umožňuje současné buzení elektroluminiscenční vrstvy nositeli náboje Obojího typu, přičemž z jedné strany je buzena elektroluminiscenční vrstva přeďurychlenými elektrony a z druhé strany dírami. Prvek je určen zejména pro použití v zobrazovací technice a jeho konstrukce umožňuje jeho buzení stejnosmčrnými pulsy.A thin-film electroluminescent element, the design of which allows simultaneous excitation of the electroluminescent layer by charge carriers of both types, whereby the electroluminescent layer is excited by accelerated electrons on one side and holes on the other. The element is intended primarily for use in imaging technology and its design allows its excitation by DC pulses.
Description
Yýnáles ee týk« tenkovretvováho elektroluniniecenčního prvku, při jehož bušení jo využito neeynetrick4ho rosnísténl vrstev, kdy je umožnéno bušení elektroluminiscenčnťch center předuryehlenými elektrony s jedné atrany elektroluminiscenční vratvy a z druhé strany díra·!, injektovanýal do elektrolumlnlaeenční vrstvy.The invention also relates to a thin-film electroluminescence element, in which the use of non-electretric rain screen layers is possible, whereby electroluminescence centers can be pumped by pre-ironed electrons with one side of the electroluminescence beam and the other side of the electroluminescent layer.
Zeakovrstvevé elektroluniniacenSní prvky jaou v současná dobé předmětem rozsáhlého výskunu pre jejich přímou nplikovetelnoat v plošných sobrasovačlch a aktivním svitem, které jeou progreelvními konkurenty klasických obrazovek.The electrofluorinated electrical elements are currently the subject of extensive research for their direct nplikovetelnoat in flat sanding and active light, which are progreeling competitors of conventional screens.
Snee již klasický elektreluminiecenční prvek je obvykle konstruován podobné jako kondenzátor. llektroluainiseenčaí vrstva, to je vrstva, ve která dochází k luminiscenci vlivem přiloženého elektrického pole,je v elektroluminiscenčnlm prvku vložena mezi dvé elektrody, která teto elektrická pele vytvářejí po přiložení přísluénáho aapétl.Snee already classical electroluminescent element is usually constructed similar to a capacitor. The electroluminescent layer, i.e. the layer in which the luminescence occurs due to the applied electric field, is interposed in the electroluminescent element between the two electrodes, which the electric poles produce after the application of the corresponding aperture.
. K vybuzení elaktroluminiecence se používají různá mechanismy a charakterem budicích mechanismů je taká dán spůsob napájeni elektroluminiscenSníbo prvku elektrickou energií,. Various mechanisms are used to excite the electroluminescence, and the nature of the excitation mechanisms also gives a way of supplying the electroluminescence or element with electrical energy,
Ilektroluniniscenční vrstva, převážné na bázi ZnS vhodné dopovaného Nn je buzena elektrickým pelem. Mangan tvoří v ZnS luminiscenční centra, která jsou excitována z nižší na vyžlí kvantovou hladinu převážné příaeu srážkou a rychlým elektronem, jehož energie je nepružnou srážkou převedena ne excitaci manganového centra.The electroluminescent layer, predominantly based on ZnS suitable doped Nn, is excited by an electric poles. Manganese forms luminescence centers in the ZnS, which are excited from the lower to the iron quantum level by a predominant charge by a collision and fast electron whose energy is transferred by an inflexible collision to the excitation of the manganese center.
Urychlení elektronů v elektroluminiecenčnl vrstvé je dotahováno přiložením vnéjéího elektrického pele. Aby nedocházelo k úniku elektronů do elektrod, jsou mezi elektrody a elektroluminiecenčnl vrstvu vkládány oddélujlcl vrstvy, která mají kromě této funkce za úkol taká zabránit termickému průrazu elektroluminiscenční vrstvy.The acceleration of the electrons in the electroluminescent layer is tightened by applying an external electric panel. In order to prevent electrons from leaking into the electrodes, separating layers are inserted between the electrodes and the electroluminescent layer, which, in addition to this function, also aim to prevent thermal breakdown of the electroluminescent layer.
Oddélujícl nohou nit různá elektrická vlastnosti a podle téchto vlastností je pak dán spůsob napájení elektreluainiscenSního prvku a to buS střídavým elektrickým polem, kdy oddélující vrstvy jsou z izolantu, nebo stejnoamérhým elektrickým polem, kdy oddělující vrstvy jsou odporová, nebo polovodičová.Different electrical properties are separated by the foot and, according to these properties, the power of the electrolysis element is supplied either by an alternating electric field, where the separating layers are made of insulator, or by a uniform electric field, where the separating layers are resistive or semiconductor.
Vshledem k symetrii střídavého buzení jsou taká používány symetrická struktury elektroluminiscenfiního prvku. Na dnes již dá se říci klasická symetrická struktuře kovová elektroda - lseláter - elektroluminiscenční vrstva - izolátor - kovová elektroda jsou elektrony generovány převážné již na rozhraní izolační vrstvy s elektroluminiscenční vrstvou a jsou v električkám poli urychlovány na dostatečné vysokou energii tak, aby takto urychlený elektron mohl srážkou 8 luminiscenčním centrem vyvolat jeho excitaci na vySSÍ energetickou hladinu s následnou zářivou rekombinací, která jo využíváno k zobrazení informace.Due to the symmetry of the alternating excitation, symmetrical structures of the electroluminescent element are also used. Today we can say the classical symmetrical structure metal electrode - lselater - electroluminescence layer - insulator - metal electrode are electrons generated already at the interface of the insulating layer with the electroluminescent layer and are accelerated in the electric field to sufficient high energy so that the accelerated electron can by collision with an 8 luminescence center to induce its excitation to a higher energy level followed by radiant recombination, which is used to display the information.
Použití vysoce izolujících materiálů bylo ve výée uvedená struktuře nahrazeno v poslední dobé použitím materiálů s přizpůsobenou pásovou strukturou v systémech s tak zvaným předurychlenlm elektronů.Recently, the use of highly insulating materials in the above structure has been replaced by the use of tailored band materials in so-called electron pre-acceleration systems.
Takto přizpůsobená vrstvy mBjl tu vlastnost, že elektrony jsou urychlovány bezesrážkové již uvnitř izolační vrstvy a do elektroluminiscenční vrstvy přicházejí již urychleny. To vede jednak k vyéél účinnosti převodu elektrická energie na svételnou, zároveň véak i k zániku tak zvaná mrtvá zóny v elektroluminiscenční vrstvé, která vzniká při použití izolantů baz urychlovacích vlastností.The mBjl layer thus adapted has the property that the electrons are accelerated without collision already inside the insulating layer and are already accelerated into the electroluminescent layer. This leads both to higher efficiency of the conversion of electric energy to light, but also to the extinction of the so-called dead zone in the electroluminescent layer, which arises when using insulators based on accelerating properties.
V táto zóné, která přiléhá v elektroluminiscenční vrstvé k izolační vrstvé musí být elektrony napřed urychleny, než způsobí excitaci luminiscenčních center. Mechanismus předurychlení elektronů působí pouze z jedná strany elektroluminiscenční vrstvy při napétí vhodná polarity, přičemž izolační vrstva z druhá strany elektroluminiscenční vrstvy se pro urychlováni neuplatňuje e působí pouze jako izolační vrstva, mající za úkol zamezit úniku elektronů na přilehlou elektrodu.In this zone, which is adjacent to the insulating layer in the electroluminescent layer, electrons must first be accelerated before causing excitation of the luminescent centers. The electron pre-acceleration mechanism acts only on one side of the electroluminescent layer at a voltage of appropriate polarity, and the insulating layer on the other side of the electroluminescent layer is not applied for acceleration only acts as an insulating layer to prevent electron leakage to the adjacent electrode.
Urychlení elektronů v této druhé Izolační vrstvě nastává až při napětí opačné polarity, přičemž zase první izolační vrstva se pro urychlování elektronů neuplatňuje.The acceleration of the electrons in this second insulating layer occurs only at a voltage of opposite polarity, and again the first insulating layer is not used for accelerating the electrons.
Jestliže pro oddělující vrstvu použijeme jiný materiál, je možné použít jiný mechanismus buzení elektroluminiscenční struktury, kdy přiložením napětí vhodné polarity jsou do elektroluminiscenční vrstvy injektovány díry.If another material is used for the separating layer, it is possible to use a different mechanism of excitation of the electroluminescence structure, where by applying voltage of suitable polarity holes are injected into the electroluminescence layer.
Ty Jsou injektovány do elektroluminiscenční vrstvy například tunelováním přes tenkou vrstvu z AlgOj z elektrody, nebo odporové vrstvy, umístěné mezi tunelující vrstvu a elektrodu. Díry jeou zachyceny záchytnými centry akceptorové povahy.These are injected into the electroluminescent layer by, for example, tunneling through a thin layer of AlgOi from the electrode, or a resistive layer positioned between the tunneling layer and the electrode. The holes are trapped by the acceptor detent centers.
Následuje donor - akceptorová rekombinace s rezonančním přenosem energie na luminiscenční manganová centra s následnou zářivou rekombinací, která je využívána. Peužijeme-li tyto vrstvy ke generaci dčr po obou stranách elektroluminiscenční vrstvy, je využita při pulsu jedné polarity zase pouze jedna z vrstev, přičemž vrstva protilehlá opět k tomuto mechanismu nemůže být využita.This is followed by a donor - acceptor recombination with resonant energy transfer to luminescent manganese centers followed by radiant recombination, which is used. If we use these layers to generate dcr on both sides of the electroluminescent layer, only one of the layers is utilized in the pulse of one polarity, and the layer opposite to this mechanism cannot be used again.
Nevýhody obou těchto typů struktur, kdy buá k předurychlení, nebo ke generaci děr jsou využívány tyto vrstvy po obou stranách elektroluminiscenční vrstvy anebo v systémech využívajících generační vrstvy v kombinaci s vrstvou, která neurychluje elektrody odstraňuje konstrukce elektroluminiscenčního prvku podle předloženého vynálezu, jejíž podstatou je takové rozmístění oddělovacích vrstev a s tím souvisící změny způsobu napájení elektroluminlecenčního prvku, která umožňuje využití obou typů buzení elektroluminiscenční struktury a tím docílit vyšěího účinku při buzení elektroluminiscenční vrstvy.Disadvantages of both of these types of structures, either for pre-acceleration or for generation of holes, these layers are used on both sides of the electroluminescent layer or in systems using generation layers in combination with a non-electrode non-electrode layer eliminates the electroluminescent element construction of the present invention. the arrangement of the separating layers and the associated changes in the method of feeding the electroluminescent element, which makes it possible to utilize both types of excitation of the electroluminescent structure and thereby achieve a higher effect in the excitation of the electroluminescent layer.
Předmětem vynálezu je tenkovrstvový elektroluminiscenční prvek s buzením dvojího typu, složený minimálně z jedná vrstvy podložky, minimálně jedné vrstvy světlo propouštějící elektrody, minimálně jedné vrstvy druhé elektrody, minimálně jedné vrstvy urychlovací, minimálně jedné elektroluminiscenční vrstvy a minimálně jedné generovací vrstvy vyznačený tím, že ne podložce je nanesena světlo propouštějící vrstva první elektrody, v odstupu od ní je umístěna vrstva druhé elektrody a mezi těmito elektrodami je umístěna elektroluminiecenční vrstva, přičemž z jedné 'Strany elektroluminiscenční vrstvy je mezi elektrodovou vrstvu a elektroluminiscenční vrstvu umístěna generovací vrstva a z druhé strany elektroluminiscenční vrstvy je umístěna mezi zbylou elektrodu a elektroluminiscenční vrstvu vrstva urychlovací.The subject of the invention is a thin-film electroluminescent element with two types of excitation, comprising at least one substrate layer, at least one light transmitting electrode layer, at least one second electrode layer, at least one acceleration layer, at least one electroluminescent layer and at least one generation layer. the light-transmitting layer of the first electrode is deposited, a second electrode layer is spaced therebetween, and an electroluminescent layer is disposed between the electrodes, with a generation layer on one side of the electroluminescent layer and a generation layer between the electrode layer and the electroluminescent layer placed between the remaining electrode and the electroluminescent layer acceleration layer.
Konstrukce elektroluminiscenčního prvku podle vynálezu a jeho funkce bude popsána podle připojeného vyobrazení, kde na obrázku je uvedena jedna z možných konstrukcí elektroluminiscenčního prvku v příčném řezu jeho strukturou.The construction of the electroluminescent element according to the invention and its function will be described according to the attached drawing, where the figure shows one possible construction of the electroluminescent element in cross-section through its structure.
Na nosné podložce χ příkladně ze skla Corning 7059, nebo skla Float Sklounion Teplice je nanesena první elektroda 2, která propouští světlo, příkladně z Sn02> případně z ITO, tj. Indium Tin Oxide -s měsný kysličník cínu a india, která jednak přivádí napětí nutné k vytvoření elektrického pole na elektroluminiscenční struktuře, jednak propouští světlo, které je generováno v elektroluminiscenční vrstvě.A first electrode 2, which transmits light, for example from SnO 2> or ITO, ie Indium Tin Oxide - with a molar oxide of tin and indium, is applied to a support plate χ made of Corning 7059 glass or Float Sklounion Teplice glass. the voltage required to create an electric field on the electroluminescent structure, and transmits the light that is generated in the electroluminescent layer.
V odstupu od první elektrody 2 je nanesena vrstva druhé elektrody 6, příkladně z hliníku, která má za úkol vytvořit druhou, protilehlou elektrodu pro elektroluminiscenční strukturu. Jestliže tuto vrstvu naneseme v dostatečně tenké vrstvě, může být i tato elektroda transparentní a celý prvek může být průhledný.At a distance from the first electrode 2, a second electrode 6 layer, for example of aluminum, is deposited to provide a second, opposing electrode for the electroluminescent structure. If this layer is applied in a sufficiently thin layer, this electrode can also be transparent and the whole element can be transparent.
Mezi elektrody Ž » i j« umístěna elektroluminiscenční vrstva X, příkladně ze ZnS vhodně dotovaného příměsemi atomů Nn. Atomy Mn tvoří luminiscenční centra, která mohou být vybuzena jednak přímou srážkou s rychlými elektrony, nebo rezonančním přenosem energie z donor - akceptorové rekombinace z center akceptorové a donorové povahy, které mohou být vytvořeny buá vakancemi přísluěné povahy, nebo stopovou příměsí prvků např. Cu, nebo Cl, které mohou přísluSná centra vytvořit.An electroluminescent layer X, for example of ZnS suitably doped with Nn admixtures, is placed between the electrodes Z1 and J1. Mn atoms form luminescent centers, which can be stimulated either by direct collision with fast electrons or by resonant energy transfer from donor-acceptor recombination from acceptor and donor-like centers, which can be formed either by vacancies of the appropriate nature, or by trace admixtures of elements such as Cu, or Cl, which the respective centers can create.
Mezi elektroluminiscenční vrstvu 4 a vrstvu první elektrody 2 je umístěna generovací vrstva 2, která má za úkol generovat díry na rozhraní mezi vrstvami 2 8 1· Tyto díry v električkám poli difundují do elektroluminiscenční vrstvy, kde jsou zachycovány centry akcsptorová povahy.Between the electroluminescent layer 4 and the layer of the first electrode 2 is located a generation layer 2, which has the task of generating holes at the interface between the layers 28 These holes in the electric field diffuse into the electroluminescent layer where the accenter centers are captured.
Elektrony, přicházející z druhá strany elektroluminiscenční vrstvy jsou v blízkosti generovací vrstvy zachycovány centry donorová povahy. Následuje donor - akceptorová rekombinace β přenosem energie na luminiscenční centra s následnou zářivou rekombinací, která je využíváno k zobrazení informace.Electrons coming from the other side of the electroluminescent layer are captured by donor centers near the generation layer. This is followed by a donor - acceptor recombination β transfer of energy to luminescent centers followed by radiant recombination, which is used to display information.
Již sám tento proces má depolarizačnl účinek na elektroluminiscenční struktuře, protože elektrony, které by jinak zůstávaly při příchodu na rozhraní mezi elektroluminiscenční vrstvou a izolační vrstvou vázány, jsou rekombinovány s výsledným zářivým efektem.This process itself already has a depolarizing effect on the electroluminescence structure, since electrons that would otherwise remain bound at the interface between the electroluminescent layer and the insulating layer are recombined with the resulting radiant effect.
Generace děr může být uskutečněna pomocí generovací vrstvy, která je vyrobena příkladně z AlgO-j, na které dochází k tunelování děr z druhé elektrody 2» v případě, že generovací vrstvu umístíme mezi elektroluminiscenční vrstvu 4 8 vrstvu druhé elektrody 6, přičemž druhá elektroda může být z hliníku. Pro zajištění účinné generace děr je volena tlouSika generovací vrstvy 2 z AlgO^ v rozmezí 10-100 nm.The generation of holes can be effected by generating layer which is made for example from algo-j, which is subject to the tunneling of holes from the second electrode 2 »if the generating layer is placed between the electroluminescent layer 4, 8 layers of the second electrode 6, the second electrode may be made of aluminum. In order to provide efficient hole generation, the thickness of the Al 2 O 2 generation layer 2 is in the range of 10-100 nm.
Jestliže není elektrodová vrstva, která přiléhá ke generovací vrstvě 2 8 hliníku^ jako je tomu v případě, že ke generovací vrstvě přiléhá vrstva první elektrody 2, která je vyrobena z 1TO, může být generačního účinku generovací vrstvy 2 dosaženo tím, že ji vytvoříme složením dvou na sobě přilehlých vrstev 31 a 2Ζ» vlastní generovací vrstva 32 je složena příkladně z AlgOj a vrstva 31 příkladně z velmi slabé vrstvy 10-20 nm hliníku, případně může být vyrobena z jiného vhodného materiálu, příkladně z TiOg.If the electrode layer adjacent to the aluminum generation layer 28 is not the same as when the first electrode layer 2, which is made of 1TO, is adjacent to the generation layer 2, the generating effect of the generation layer 2 can be achieved by composing it The two generating layers 32 and 2 ' have their own generating layer 32 composed, for example, of AlgOj and the layer 31, for example, of a very thin layer of 10-20 nm aluminum, or it can be made of another suitable material, for example TiOg.
Tato vrstva 31. využitím té vlastnosti tenkých vrstev, že se jejich odporová vlastnosti. liší ve směru kolmém na vrstvu a podélném s vrstvou, může současně sloužit jako svodová generovací vrstva, jejíž účinek vhodně doplňuje depolarlzující účinek donor akcetorové rekombinace.This layer 31 takes advantage of the properties of the thin layers to have their resistance properties. It can simultaneously serve as a leakage generating layer, the effect of which suitably complements the depolarizing effect of the donor acetor recombination.
Mezi elektroluminiscenční vrstvou 1 a druhou elektrodou b je umístěna urychlovací vrstva 2, která předurychluje elektrony, generované od rozhraní mezi urychlovací vrstvou 2 a druhou elektrodou 2 v urychlovací vrstvě 2«Between the electroluminescent layer 1 and the second electrode b there is located an acceleration layer 2 which pre-accelerates the electrons generated from the interface between the acceleration layer 2 and the second electrode 2 in the acceleration layer 2.
Generace urychlovaných elektronů a vlastní urychlení může probíhat i vícestupňové tak, že urychlovací vrstva 2 může být rozdělena na vrstvy 21» 52 a 22» u· 148 vlastní urychlovací vrstvě 51 probíhá pouze vlastní urychlení elektronů a na předurychlovací vrstvě 52 jejich generace s prvním stupněm předurychlení, přičemž svodová generovací vrstva 53 vyrobená například z TiOg plní funkci obdobnou jako vsrtva 21· Vrstvy 21 8 52 mohou tvořit například PI přechod polovodič - izolátor, příkladně Si - SiO přechod.Generation of accelerated electrons and custom acceleration may proceed multistage such that the accelerating layer 2 may be divided into a layer of 21 »52 and 22» u · 148 own accelerating layer 51 extends only its own accelerating the electrons and předurychlovací layer 52 of their generation to the first stage předurychlení wherein the lead generation layer 53 made, for example, of TiOg fulfills a function similar to the layer 21. The layers 21 8 52 may comprise, for example, a PI semiconductor-insulator transition, for example a Si-SiO transition.
Jestliže tedy například první elektrodu 2 uzemníme, pak při vhodné volbě odporových vlastností jednotlivých vrstev můžeme budit tuto strukturu kladnými pulsy, přivedenými na tuto druhou elektrodu 6.If, for example, the first electrode 2 is grounded, if the resistance properties of the individual layers are appropriately selected, this structure can be excited by positive pulses applied to the second electrode 6.
Při této polaritě je totiž právě dosahováno oboustranného, sdruženého dvojího buzení a tím i vySSÍho účinku při napájení elektroluminiscenčního prvku podle předloženého vynálezu. Buzení stejnosměrnými pulsy také na druhé straně zjednodušuje elektroniku pro ovládání tohoto prvku při jeho zabudování do složitějších struktur elektroluminiacenčních zobrazovačů, kdy je vyžadována jeho součinnost s ostatními elektroluminiscenčními prvky zobrazovače.Indeed, with this polarity, a double-sided, coupled dual excitation is achieved, and hence a higher effect in feeding the electroluminescent element according to the present invention. DC pulse excitation, on the other hand, simplifies the electronics for controlling this element when incorporated into more complex electroluminescent display structures, where interoperability with other electroluminescent display elements is required.
Budiž poznamenáno, že volbou elektrických vlastností vrstev může být dosaženo sdružené funkce některých vrstev, kdy například funkci vrstvy 52 může převzít vrstva 52. nebo i 51» takže je možné některé vrstvy vynechat.It should be noted that by selecting the electrical properties of the layers, the combined function of some layers may be achieved, for example, the layer 52 or even 51 may assume the function of the layer 52, so that some layers may be omitted.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS19284A CS244620B1 (en) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Thin layer electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS19284A CS244620B1 (en) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Thin layer electroluminescent element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS244620B1 true CS244620B1 (en) | 1986-08-14 |
Family
ID=5333642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS19284A CS244620B1 (en) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | Thin layer electroluminescent element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS244620B1 (en) |
-
1984
- 1984-01-10 CS CS19284A patent/CS244620B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4897319A (en) | TFEL device having multiple layer insulators | |
| US7411343B2 (en) | Inorganic electroluminescent device | |
| US3904924A (en) | Electroluminescent display panel with switching voltage pulse means including photosensitive latches | |
| US5291098A (en) | Light emitting device | |
| CS244620B1 (en) | Thin layer electroluminescent element | |
| JPH0955162A (en) | Driving method of tunnel cathode and display device using the same | |
| JPH06275864A (en) | Light-to-light conversion element | |
| KR970006611B1 (en) | Thin film EL device | |
| KR20030083529A (en) | Organic electroluminescence device of side encapsulation | |
| JPS6323640B2 (en) | ||
| JPH06283269A (en) | Light source element in electric light emitting plane | |
| JPS59154793A (en) | Thin film el element | |
| JPH02199794A (en) | Thin film el element | |
| JPS59157996A (en) | El light emitting element | |
| JPH03141587A (en) | Electroluminescent element | |
| KR100235832B1 (en) | Membrane electric field luminescent element | |
| JPH06111722A (en) | Cold cathode pulse radiating apparatus | |
| KR940009498B1 (en) | EL display device | |
| Müller et al. | Thin Film Electroluminescence Displays | |
| JPS61142690A (en) | Luminescence apparatus and driving thereof | |
| JPS6124192A (en) | Thin film electroluminescent element | |
| JPH06231882A (en) | Thin film EL device | |
| JPS59154794A (en) | Thin film el element | |
| JPH02213089A (en) | Construction of thin film el element | |
| Cranton et al. | Improving the efficiency of thin film electroluminescent displays |