CS244071B1

CS244071B1 - Microelectronic materials' thin layers single-plate plasma-chemical etching device

Info

Publication number: CS244071B1
Application number: CS851419A
Authority: CS
Inventors: Boris Skrivan; Leos Hajek; Vaclav Vesely; Jiri Kucirek
Original assignee: Boris Skrivan; Leos Hajek; Vaclav Vesely; Jiri Kucirek
Priority date: 1985-02-28
Filing date: 1985-02-28
Publication date: 1986-07-17
Also published as: CS141985A1

Abstract

Zařízení se týká konstrukce pro jednodeskové plazmochemické leptání tenkých vrstev mikroelektronických materiálů, která sestává z reaktoru planární- ho typu, který je na svém výstupu opatřen propustí pro vstup a výstup polovodičových desek a je umístěn na naklápě- cím stolku, opatřeném mechanickým nebo ručním zdvihovým pohonem. Může být opatřena druhou propustí, spojenou s první pomocí přestupní komůrky, přičemž propustě mohou být vakuové. Konstrukce je eventuálně opatřena zásobníkem polovodičových desek. Popsaná konstrukce jednoduše řeší vkládáni a vyklá dáni zpracovávaných desek za pomocí dopravníku unášeného samospádem.The device relates to the construction for single board plasma chemical etching thin layers of microelectronic materials, which consists of a planar reactor type which is provided on its output pass-through for semiconductor input and output plates and is located on the tilt- table equipped with mechanical or by hand stroke drive. Can be provided second pass, linked to the first using a transfer chamber while leaving the culvert they may be vacuum. The structure is optionally provided with a reservoir semiconductor plates. Described construction simply solves insertion and bowing using the conveyor drifting.

Description

Vynálež se týká zařízení pro jednodeskové plazmochemické leptání tenkých vrstev mikroelektronických materiálů, sestávajícího z reaktoru plenárního typu.The present invention relates to a device for single-plate plasmachemical etching of thin layers of microelectronic materials consisting of a reactor of the plenary type.

Technologie výroby polovodičových integrovaných obvodů vyžaduje stále ve větší míře použití zařízení pro plazmochemické leptání tenkých funkčních vrstev některých mikroelektronických materiálů, jako jsou Si, Si^N^, Si0₂> Ta, W, Ti, Mo, AI, vytvořených obvykle na polovodičovém substrátu, na desce. Vkládání a vykládání zpracovávaných polovodičových desek se u těchto zařízení obvykle provádělo ručně a při zavzdušněném reaktoru. To komplikovalo celý výrobní proces, nebolí při zavzdušnění reaktoru docl>ází»opakovaně k znečistění jeho stěn absorbcí plynů a vlhkosti z atmosféry. Prodlužuje se tak nejen doba k dosažení potřebného vakua, ale ovlivňuje i kvalita a reprodukovatelnost technologických operací. Také ruční manipulace s deskami, zvláště většího formátu, zvyšuje možnost jejich poškození a pracnost výroby. Proto jsou upravována nyní zařízení tak, že desky do reaktoru přicházejí přes vakuovou propust. Reaktor je tak udržován, pod stálým pracovním vakuem a prostředí v něm udržováno čisté a o stálé rovnováze. Připojeno dále ještě zařízení pro vkládání a vykládání desek ze zásobníku do zásobníku, což zkvalitňuje manipulaci a umožňuje automatizaci procesu. Při této koncepci obvykle zařízení zpracovává desky jednotlivě. Jednotlivé zpracováni desek snižuje nárok na velikost elektrod a tímProduction technology of semiconductor integrated circuits require increasingly use devices for plasma chemical etching of thin functional layers of certain microelectronic materials, such as Si, Si ^ N ^, Si0 _2> Ta, W, Ti, Mo, Al, formed usually on a semiconductor substrate, on plate. The loading and unloading of the semiconductor plates to be processed was usually carried out manually and with an aerated reactor. This complicated the entire production process, since the reactor was not contaminated by repeatedly contaminating its walls by absorbing gases and moisture from the atmosphere. This not only extends the time required to achieve the required vacuum, but also affects the quality and reproducibility of technological operations. Also, manual handling of the plates, especially of a larger format, increases the possibility of damage and labor intensive production. Therefore, the devices are now treated so that the plates enter the reactor via a vacuum passage. The reactor is thus maintained, under a constant working vacuum, and the environment is maintained in a clean and stable equilibrium. A device for loading and unloading the plates from the container to the container is also connected, which improves the handling and allows the automation of the process. In this concept, the device usually processes the sheets individually. Individual processing of the plates reduces the requirement for electrode size and thus

244 071 i zařízení. Dosahuje se také lepší kontroly leptu, teploty a distribuce vysokofrekvenčního výkonu. Známá zařízení tohoto typu využívají různého řešení konstrukce vakuových propustí a způsobu distribuce desek ze zásobníku do reaktoru. Obvykle se tak děje za pomocí velmi.složitých mechanizmů krokového nebo ramenového uchycovacího typu, přestupných evakuovaných prostor a pod.244 071 and equipment. Better control of etching, temperature and high frequency power distribution is also achieved. Known devices of this type utilize various solutions of vacuum passage design and method of distribution of plates from the reservoir to the reactor. This is usually done using very complex step or arm gripping mechanisms, evacuated space evacuation, and the like.

Tato zařízení jsou náročná nejen z hlediska výroby a nákladů, ale i údržby a spolehlivosti.These devices are not only demanding in terms of production and cost, but also in terms of maintenance and reliability.

Tyto nevýhody v podstatné míře odstraňuje zařízení pro jednodeskové plazmochemické leptání tenkých vrstev mikroelektronických materiálů sestávající z reaktoru planárního typu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že reaktor plenárního typu je na svém vstupu opatřen propustí pro vstup a vý®tup polovodičových desek a je umístěn na naklápěcím stolku, opatřeném mechanickou nebo ruční zdvihovou jednotkou. Dále je podle vynálezu eventuelně před první propustí umístěna druhá propust spojená s první propustí přestupní komůrkou. Podle dalšího význaku je propust vakuová. Dalším význakem je, že ke ústupu propusti je přípojem zásobník polovodičových desek.These disadvantages are substantially eliminated by a single-plate plasmachemical etching device of thin layers of microelectronic materials consisting of a planar-type reactor according to the invention, characterized in that the plenary-type reactor is provided at its inlet with a passage for the inlet and outlet of semiconductor plates and on a tilting table fitted with a mechanical or manual lifting unit. Further, according to the invention, a second pass connected to the first pass through the transfer chamber is optionally located before the first pass. In another aspect, the filter is vacuum. Another feature is that the semiconductor plate stack is a connection for the passage retreat.

Výhodou zařízení podle vynálezu je konstrukce, která oproti jiným zařízením tohoto typu jednoduše řeší vkládání a vykládání zpracovávaných desek za pomocí dopravníku unášeného samospádem, přičemž je použito jen jednoho zásobníku. Konstrukce zařízení dovoluje snadné přizpůsobení pro zpracování desek různých formátů a průměrů.An advantage of the device according to the invention is a construction which, in comparison with other devices of this type, simply solves the loading and unloading of the processed boards by means of a gravity conveyor conveyor using only one container. The design of the device allows easy adaptation for processing boards of various sizes and diameters.

Zařízení podle vynálezu je dále podrobněji vysvětleno s odkazem na připojené výkresy, obr.l představuje sestavu zařízení, obr.2 představuje zařízení sklopené reaktorem do spodní polohy a obr.3 zařízení sklopené reaktorem do horní polohy.The apparatus of the invention is explained in more detail below with reference to the accompanying drawings, FIG. 1 shows the assembly of the apparatus, FIG. 2 shows the apparatus tilted by the reactor to a lower position and FIG.

- 3 244 071- 3,244,071

Zařízení pro jednodeskové plazmocheaické leptání tenkých vrstev mikroelektronických materiálů sestává z reaktoru 1 plenárního typu, který je na svém vstupu opatřen propustí 19 pro vstup a výstup polovodičových desek 40 a je umístěn na naklápěcím stolku 29. opatřeném mechanickou nebo ruční zdvihovou jednotkou 37. Dále může zařízení být opatřeno druhou propustí 18 spojenou s první propusti 19 přestupní komůrkou 20. Nejlépe je, když propustě 19. 18 jsou vakuové. Pro automatické zásobování zařízení polovodičovými deskami 40 je ke vstupu propusti 12. resp. 18 připojen zásobník 59 polovodičových desek 40.The device for single-plate plasma-chemical etching of thin layers of microelectronic materials consists of a reactor of the plenary type, which is provided at its inlet with a passage 19 for the inlet and outlet of semiconductor plates 40 and placed on a tilting table 29 provided with a mechanical or hand lift unit 37. It is preferably provided with a second passage 18 connected to the first passage 19 by a transfer chamber 20. Preferably, the passages 19, 18 are vacuum. For the automatic supply of the device with semiconductor plates 40, a filter 12 and a filter 12 are provided at the inlet. 18, the semiconductor plate stack 40 is connected.

Princip příkladu celé soustavy zařízení a jeho hlavních částí podle vynálezu, a to ae dvěma propustěmi 12» ® zásobníkem 39 desek 40 je uveden na obr.l, a to pro zpracování desek o průměru Těleso reaktoru 1 je tvořeno hliníkovým prstencem o vnitřním průměru 150 mm, výšce 8$ mm a vnějším průměru 210 mm. Do jeho vnějšího povrchu jsou vytvořeny dvě protilehlé plochy 2 o rozměru 120 x 60 mm. Plochy 2 jsou určeny) připojení první vakuové propusti 19 a průzorového okénka 15. jak bude dále popsáno. Prstenec reaktoru 1 je oboustranně uzavřen víky 2 ^z izolační hmoty. Obě víka 2 jsou hermeticky) za pomocí těsnění a přitažena šrouby na dosedací plochy prstence reaktoru 1 a ve středu mají otvor o 0 110 mm pro vsazení elektrod £ a 2· Elektrody 4 a 2 jsou hliníkové, opatřené silnou vrstvou elektrolytického oxidu a mají tvar dutého válce s uzavřeným dnem o vnějším průměru 110 wm. Na jejich horním okraji je límec pro hermetické _#přitažení šrouby k víkům 2· Horní elektroda £ má ve stěně a kolmo na ně radiálně ve dně vyvrtány kanálky 6 pro přívod reakční. Λ ho plynu. Kanálky 6 ústí ve středu dna elektrody 4, aby plyn byl přiváděn co nejblíže k povrchu zpracovávané desky 40, uloženéThe principle of an example of the entire system of the apparatus and its main parts according to the invention, with two passages 12 through the cartridge 39 of the plates 40 is shown in Fig. 1, for processing plates with a diameter. , height 8 $ mm and outer diameter 210 mm. Two opposing faces 2 of 120 x 60 mm are formed into its outer surface. The surfaces 2 are intended to connect the first vacuum passage 19 and the viewing window 15 as described below. The reactor ring 1 is closed on both sides ^with insulating material lids 2. Both lids 2 are hermetically sealed and bolted to the bearing surfaces of the reactor ring 1 and have a 0 110 mm hole in the center for insertion of electrodes 4 and 2. Electrodes 4 and 2 are aluminum, provided with a thick layer of electrolytic oxide and hollow closed bottom cylinders with an outer diameter of 110 wm. On their upper edge a collar for hermetic _# tightening bolts to the lids 2 · £ upper electrode has in the wall and perpendicular to them radially drilled in the bottom of the channel 6 for supplying the reaction. Plynu of gas. The channels 6 open in the center of the bottom of the electrode 4 so that gas is supplied as close as possible to the surface of the plate 40 to be stored.

244 071 v dopravníku 2· ^Na horní části elektrody 4 je vstup kanálků 6 osazen olivou 8 pro připojení přívodní hadice reakčního plynu. Obě elektrody £ a 5. mají dutiny uzavřeny víky £ se Sroubením a osazením na obvodu pro vložení těsnění. Víka mají zavrtány otvory osazené olivami 10 pro přívod a odvod vody k případnému chlazení elektrod 4 a Dffhorní části elektrod 4 a £ jsou ještě zabudovány příchytky 11 pro montáž přívodních kabelů od vysokofrekvenčního generátoru. Do jedné z vytvořených ploch 2 na plášti reaktoru 1 je vytvořena štěrbina 12 pro vstup dopravníku 7 s polovodičovou deskou 40. K ní hermeticky dosedá příruba 13 se ětěrbihou stejného průřezu, připojující k reaktoru 1 první vakuovou propust 19. Do druhé vytvořen/ plochy 2 je proveden otvor 14, opatřený průzorovým skleněným nebo křemenným okénkem 15, herme ticky těsněným a upevněným rámečkem 16. Přípoj vakua je proveden otvorem 17 v tělese reaktoru 1 a příslušnou přípojkou. V uvažovaném příkladu provedení jsou použity dvě propust ě 19 a 18 šoupětového typu, spojené přestupní komůrkou 20. Propustě 19 a 18 mají válcový tvar s vnitřním průměrem 125 mm, daným velikostí průchozí štěrbiny 21 pro dopravník 7 s deskou 40 a k ní přiléhající šoupětovou uzávěrou 22. Uzávěra' 22 má obdélníkový tvar a na obvodu dosedací plochy k průchozí štěrbině 21 ve stěně propusti směrem k reaktoru 1 je osazena těsněním z244 071 in conveyor 2 · ^{At the} top of the electrode 4, the inlet of the channels 6 is fitted with an olive 8 for connecting the reaction gas inlet hose. Both electrodes 6 and 5 have cavities closed by caps 6 with screwed and stepped seals on the circumference. The lids are drilled with holes fitted with olives 10 for inlet and outlet of water for optional cooling of the electrodes 4 and the upper parts of the electrodes 4 and 6 are still fitted with clips 11 for mounting the supply cables from the RF generator. A slot 12 for the inlet of the conveyor 7 with a semiconductor plate 40 is formed into one of the formed surfaces 2 on the reactor jacket 1. A flange 13 of substantially the same cross section is hermetically attached thereto connecting the first vacuum passage 19 to the reactor 1. an aperture 14 provided with a porthole glass or quartz window 15 with a hermetically sealed and fixed frame 16. The vacuum connection is provided through an aperture 17 in the reactor body 1 and a corresponding connection. In the exemplary embodiment, two gates 19 and 18 are used, connected by the transfer chamber 20. The gates 19 and 18 have a cylindrical shape with an inner diameter of 125 mm, given the size of the through slot 21 for the conveyor 7 with the plate 40 and the gates 22. The closure 22 has a rectangular shape and is fitted with a gasket on the circumference of the bearing surface to the through slot 21 in the wall of the culvert towards the reactor 1.

0-kroužku. Pohyb uzávěry 22 navozuje táhlo 23 procházející herue metickým uzávěrem 24 na plášti propusti. Táhla volně uloženo v uzávěře, aby jí nebránilo v přilehnutí ke štěrbině propusti. Pohyb táhla 25 při uzavírání a otevírání propusti navozuje pneu- _ematická posuvová jednotka 25 s dvojčinným válcem. Přestupní komůrka 20 je tvořena kovovým blokem s přírubami a vnitřním prostorem štěrbinového průřezu pro průchod dopravníku 7 s deskou 40»0-ring. The movement of the cap 22 induces a rod 23 passing through the heretical cap 24 on the cladding. The rods are loosely mounted in the closure so as not to prevent it from adjacent to the crevice slot. Movement of rod 25 when closing and opening the filter induces pneumatics _e matic feed unit 25 with a double-acting cylinder. The transfer chamber 20 is formed by a metal block with flanges and an interior space of the slot cross-section for the passage of the conveyor 7 with the plate 40 »

244 071244 071

- 5 V horní stěně je otvor 26 osazený olivou pro možnost evakuování a zavzdušnění. Vnitřní prostor přestupní komůrky 20 je volen co nejmenší, cca 60 cm?, aby při jeho evakuování bylo co nejméně postiženo vakuum v reaktoru 1. Místo zavzdušňování je možno přestupní komůrku 20 plnit čistým dusíkem. U ústí průchozí štěr biny 21 na propusti 18 je připojen zakládací stolek 27» Z něho sjíždí po otevření propusti 18 štěrbinou 21 dopravník 7 do přestupní komůrky 20. Dna zakládacího stolku 27 « průchozích štěrbin 21 propusti, přestupní komůrky 20, příruby 15 vakuové propustí k reaktoru 1., vstupní štěrbiny 12 reaktoru 1 a plochy spodní elektrody £ jsou vzájemně v rovině, aby dopravník 2 byl hladce veden při pohybu samospádem a nedošlo k jeho zablokování. Dopravník 2 je tvořen deskou z hliníku nebo teflonu tlouštky cca 5 mm kruhového tvaru o průměru něco větším než je maximální průměr zpracovávané polovodičové desky 40, to jest v tomto případě -Na obvodu je vytvořeno osazení o výšce cca 1 mm pro uchycení polovodičové desky 40 při vsazení na dopravník 2·In the upper wall there is an opening 26 fitted with an olive for the possibility of evacuation and aeration. The interior of the transfer chamber 20 is chosen as small as possible, about 60 cm @ 2, so that the vacuum in reactor 1 is affected as little as possible when evacuating it. Instead of aeration, the transfer chamber 20 can be filled with pure nitrogen. At the mouth of the through slot 21 of the passage 18, a loading table 27 is connected. From there, after opening the sluice 18, the conveyor 7 passes into the transfer chamber 20. The bottom of the loading table 27 1, the inlet slots 12 of the reactor 1 and the surfaces of the lower electrode 6 are flush with each other so that the conveyor 2 is guided smoothly by gravity and does not become blocked. The conveyor 2 consists of a sheet of aluminum or teflon of a thickness of about 5 mm of circular shape with a diameter slightly greater than the maximum diameter of the semiconductor plate 40 to be processed, i.e. in this case. loading on conveyor 2 ·

IAND

Dopravník 2 usnadňuje svojí vahou pohyb desky 40 skrze vakuovou propust do reaktoru a zpět. Navíc chrání desku před poškozením. Volba materiálu pro dopravník 2 záleží na druhu leptané funkční vrstvy, například pro leptání vrstev Si^N^ a SiO₂ je vhodný hliník, pro leptáni polykrystalického Si je vhodný teflon.The weight of the conveyor 2 facilitates the movement of the plate 40 through the vacuum passage to and from the reactor. In addition, it protects the board from damage. The choice of material for the conveyor 2 depends on the type of etched functional layer, for example aluminum is suitable for etching the Si 2 N 4 and SiO ₂ layers, teflon is suitable for etching the polycrystalline Si.

Soustava tvořená zakládacím stolkem 27 « vakuovými propustěmi 12.» Í8 ^ε reaktorem 1 je uchycena držáky 28 a 54 na naklápěcím stolku 29» V těžišti naklápěcího stolku 29 je upevněn čep 50« otočný v ložiskách držáků 51» upevněných na desce pracovního stolku 5,2, Na čep 50 je otočně nasazena páka 55« která je druhým koncem uchycena k naklápěcímu stolku 29. K páce 55 je otočně na čepu 55 upevněno táhlo 56 pístu pneumatické zdvihovéThe assembly formed by the base 27 of the vacuum culverts 12 and 18 ^{with the} reactor 1 is supported by the holders 28 and 54 on the tilting table 29. A lever 55 «is rotatably mounted on the pin 50, which is secured to the tilting table 29 by the other end. A piston rod 56 of the pneumatic lift mechanism is rotatably mounted on the pin 55 on the pin 55.

244 071 jednotky 22 ^s dvojčinným válcem. Spodní konec jednotky 22 je otočně uložen na čepu 58 v pracovním stolku £2. Pohyb táhla 22 pístu je převáděn na páku 22 ® odtud na naklápěcí stolek 2£.244 071 units 22 ^with double acting cylinder. The lower end of the unit 22 is rotatably supported on a pin 58 in the work table 52. The movement of the piston rod 22 is transferred to the lever 22 from there to the tilting table 26.

Tím je navozeno potřebné naklápění celé soustavy pro pohyb dopravníku 2» jak bude dále ještě podrobněji popsáno.This induces the necessary tilting of the entire assembly for moving the conveyor 2, as will be described in more detail below.

Desky 40 do dopravníku 2 je možno zakládat a vykládat ručně pomocí pincety. Pro možnost automatického chodu zařízení a odstraněnínežádoucí ruční manipulace poškozující desky, byla aparatura ještě doplněna zařízením, umožňujícím zakládat a vykládat desky přímo ze zásobníku. Zařízení je připojeno k zakládacímu stolku 22 a spolu s celým systémem se naklápí. Zásobník 39 s des kami 40 je vložen na pohyblivý stolek 41» řízené unášený směrem vzhůru nebo dolů pomocí otočného šroubu 42 a vedený po vodicí ty Či Π· Zásobník 22 j® opřen o opěrný štít 44.» opatřený štěrbinou 45» Opěrný štít 44 je uchycen k zakládacímu stolku 27 a pomocí nosníku 46 k naklápěcímu stolku 29. Posuv pohyblivého stolku 41 a tím i celého na něj položeného zásobníku 39 je řízen tak, aby při naklonění systému výdy jedna z desek 40 vlastní vahou projela štěrbinou 42 na zakládací stolek 27 a zde zapadla do připraveného dopravníku 2» Když dopravník 2 vyjede zpět na zakládací stolek 22» soustava se překlopí do opačného úhlu. Pomocí proudu vzduchu nebo dusíku z prysky 47 je deska nadzdvižena z dopravníku 2 ^a vlastní vahou přejede po zakládacím stolku 27 skrze štěrbinu 45 zpět na své původní místa v zásobníku 39. Aby proud vzduchu nebo dusíku z trysky 47 mohl desku io nadzdvihnout, je střed dopravníku 2 opatřen otvorem a v příslušném místě «tá i zakládací stolek 27 vytvořený otvor 18. Po zajetí zpracované desky do zásobníku 39 se tento, na základě povelu elektronické řídicí jednotky, posune pomocí pohyblivého stolkuThe plates 40 in the conveyor 2 can be loaded and unloaded manually using a pincette. In order to allow automatic operation of the device and to remove unwanted manual handling of the damaging plates, the apparatus was further supplemented with a device allowing loading and unloading of plates directly from the magazine. The device is connected to the table 22 and tilts together with the entire system. The tray 39 with the plates 40 is inserted on the movable table 41 »driven up or down by means of the rotary screw 42 and guided on the guide rods Π · The tray 22 is supported on the support shield 44.» provided with the slot 45 »The support shield 44 is attached to the loading table 27 and by means of a beam 46 to the tilting table 29. The displacement of the movable table 41 and thus of the entire stack 39 is controlled so that when the system is tilted one of the plates 40 passes through its slot 42 onto the loading table 27. Here, it engages in the prepared conveyor 2 »When the conveyor 2 returns to the table 22» the system is tilted to the opposite angle. By means of the air or nitrogen stream from the resin 47, the plate is lifted from the conveyor 2 ^{and by} its own weight moves over the loading table 27 through the slot 45 back to its original positions in the reservoir 39. 2 is provided with an opening 18 and an opening 18 formed therein at the appropriate location. After the processed board has been driven into the magazine 39, this is moved by means of a movable table upon command of the electronic control unit.

- 7 244 071 do polohy, kdy proti štěrbině 45 je připravena další deska 40. Překlopením systému vyjede tato štěrbinou 45 ze zásobníku 39 a proces se opakuje jak výše popsáno. Šroub 42 má vhodné stoupání a pohonná jednotka 49 mu uděluje.pohyb, odpovídající roztečím azdáleností desek 40 v zásobníku 39»7 244 071 to a position where another plate 40 is prepared against slot 45. By flipping over the system, the slot 45 extends from slot 39 and the process is repeated as described above. The screw 42 has a suitable pitch and the drive unit 49 grants it a movement corresponding to the pitch and spacing of the plates 40 in the magazine 39 »

Dále je na příkladovém provedení uveden popis zařízení pudle vynálezu v činnosti. Na obr.2 je výše popsané zařízení sklopeno reaktorem 1 do spodní polohy za pomocí pneumatické zdvihové jednotky 37. Dostačující úhel naklonění je 22° až 25°. Propustě 18 a 19 jsou uzavřeny a reaktor 1, je evakuován na potřebné vakuum spolu s přestupní komůrkou 20. Na zakládacím stolku 27 je v poloze A uložen dopravník ]_ ^s deskou 40» která na hej přejela štěrbinou 45 v opěrném štítu 44 ze zásobníku 39» ^za~ vzdušnění nebo zaplynování přestupní komůrky 20 se otevře propust 18. Dopravník 7, vjede vlastní vahou do prostoru přestupní komůrky 20 a zůstane v poloze B. Propust 18 se uzavře a přestupní komůrka 20 se evakuuje na vakuum stejné jako v raakthru 1. Poté se otevře propust 19 a dopravník 7 dále sjede na spodní elektrodu 2» Propust 19 se uzavře, reaktor 1 se zaplyní reakčním plynem a pomocí vyskofrekvenčního generátoru se aktivuje výboj. Po reakci se přeruší výboj, zastaví přívod reakčního plynu a reaktor 1 se evakuuje na pracovní vakuum. Poté se otevře propust 19 a zařízení se překlopí pomocí zdvihové jednotky 37 do opačné polohy v záporném úhlu 22° až 25°, jak ukázáno na obr.3. Dopravník £ ⁸deskou 40 opustí spodní elektrodu 5 v reaktoru 1 a z polohy £ přejede do polohy B v přestupní komůrce 20. Propust 19 se uzavře, komůrka 20 se zavzdušní nebo zaplyní dusíkem. Otevře se propust 18 a dopravník £ přejede z polohy B.do polohy A na zakládacím stolku 27. Propust 18 se uzavře a komůrka 20 se opět evakuuje.In the following, an exemplary embodiment of the apparatus of the present invention is provided. In FIG. 2, the apparatus described above is tilted by the reactor 1 to the lower position by means of a pneumatic lift unit 37. A sufficient tilt angle is 22 ° to 25 °. The culverts 18 and 19 are closed and the reactor 1 is evacuated to the necessary vacuum together with the transfer chamber 20. On the loading table 27 is placed in position A a conveyor 40 ^{with a} plate 40 which has passed through the slot 45 in the support shield 44 from the container 39 The passage 18 is opened ^for airing or gassing of the transfer chamber 20. The conveyor 7 enters the transfer chamber 20 under its own weight and remains in position B. The passage 18 is closed and the transfer chamber 20 is evacuated to a vacuum equal to that of raakthra 1. Then The filter 19 is closed, the reactor 1 is gassed with reaction gas and a discharge is activated by means of a high-frequency generator. After the reaction, the discharge is interrupted, the reaction gas is stopped and the reactor 1 is evacuated to a working vacuum. Then, the filter 19 is opened and the device is tilted by the lift unit 37 to the opposite position at a negative angle of 22 ° to 25 °, as shown in Fig. 3. £ ⁸ Carrier plate 40 leaving the lower electrode 5 of the reactor 1 until the position £ moves to position B in the transfer chamber 20th Sluice 19 closes, the chamber 20 is vented or gassed with nitrogen. The culvert 18 opens and the conveyor 8 moves from position B to position A on the transfer table 27. The culvert 18 is closed and the chamber 20 is again evacuated.

244 071244 071

Proudem vzduchu nebo dusíku z trysky 47 se nadzdvihne deska £0 z dopravníku 2 ^a přejede po zakládacím stolku 27 skrze štěrbinu 45 na své původní místo v zásobníku 39. Pohyblivý stolek 41 posune zásobník 39 tak, že proti štěrbině 45 je nastavena následující nezpracovaná deska £0. Zařízení se překlopí do opačné polohy a opakuje se postup, jak výše popsáno, do zpracování všech desek 40 v zásobníku 39.With the flow of air or nitrogen from the nozzle 47, the plate 50 is lifted from the conveyor 2 ^and travels across the loading table 27 through the slot 45 to its original position in the container 39. The movable table 41 moves the container 39 so that 0. The device is swiveled to the opposite position and the procedure as described above is repeated until all plates 40 in the cartridge 39 are processed.

Zařízení lze použít nejen pro plazmochemické leptání, ale připadne plazmochemickou depozici mikroelektronických funkčních vrstev, například Si^N^ nebo SiO^, tím, že se spodní elektroda 2 reaktoru ÚL vybaví vhodným ohřevem.The device can be used not only for plasmachemical etching, but also for plasmachemical deposition of microelectronic functional layers, for example Si2N4 or SiO2, by equipping the lower electrode 2 of the IL reactor with suitable heating.

Claims

A device for single-plate plasmachemical etching of thin films of microelectronic materials consisting of a reactor of the plenary type, characterized in that the reactor (1) of the plenary type is provided at its inlet with a passage (19) for inlet and outlet of semiconductor plates (40). tilting table (29) provided with a mechanical or manual lifting unit (57).

Device according to claim 1, characterized in that a second filter (18) is connected upstream of the first filter (19) and is connected to the first filter (19) by the transfer chamber (20).

Device according to claim 1 or 2, characterized in that the filter (19, 18) is vacuum.

4. Device according to claim 1, 2 or 5, characterized in that a reservoir (39) of semiconductor plates (40) is connected to the inlet of the filter (19, 18).