CS242334B1 - Sposob výroby mostíka premennej hrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID - Google Patents
Sposob výroby mostíka premennej hrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID Download PDFInfo
- Publication number
- CS242334B1 CS242334B1 CS851015A CS101585A CS242334B1 CS 242334 B1 CS242334 B1 CS 242334B1 CS 851015 A CS851015 A CS 851015A CS 101585 A CS101585 A CS 101585A CS 242334 B1 CS242334 B1 CS 242334B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- niobium
- squid
- bridge
- aluminum
- Prior art date
Links
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
242334
Vynález sa týká spósobu výroby mostíkapremennej hrůbky nanometrových rozme-rov pre tenkovrstvový rádiofrekvenčný su-pravodivý kvantový snímač — RF-SQUID.
Doteraz sa pri výrobě supravodivých kvan-tových magnetometrov používali RF-SQUIDyhrotového typu, s využitím masívneho supra-vodiča alebo RF-SQUIDy tenkovrstvového ty-pu s mostíkom konštantnej hrůbky. Hrotovésnímače sú materiálovo náročné na strate-gicky důležitý niob alebo iný supravodič.Ich sposob přípravy je velmi nereprodukova-teíný, vyžaduje individuálně opracovaniehrotu, sú citlivé na mechanické otřasy a lehpříprava nie je zlúčitélná s mikroobvodový-mi technológiami, ktoré sú nevyhnutné preintegráciu obvodov. Tenkovrstvové snímačes mostíkom konštantnej hrůbky sú mecha-nicky odolné, hmotnosťou neporovnatelnémenšie ako hrotové snímače, kompatibilněs mikroobvodovými technológiami, avšak ichvelkou nevýhodou je to, že pracujú v úzkomteplotnom rozsahu, blízko kritickej teplotypoužitého supravodiča, čo vyvolává zvýše-nie šumu a tým aj zníženie citlivosti sníma-ča.
Uvedené nevýhody v podstatnej miere od-straňuje sposob výroby mostíka premennejhrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID podfavynálezu, ktorého podstata spočívá v tom,že na kremíkovej podložke s oxidom křemi-čitým sa vytvaruje plocha pre niobový čipa justážne znaky pre elektronový litograf.Na takto pripravenú štruktúru sa nanesie0,02 až 0,06 ,um hliníkovej vrstvy, ktorá sapokryje 0,07 až 0,2 ,um vrstvou pozitívnehoelektronového rezistu. Elektronovým lito-grafom sa v reziste vytvoří medzera men-šia ako 0,2 μτη, cez ktorú sa v lúhu, výhod-né v 1 %-nom roztoku hydroxidu sodného,vyleptá hliníková vrstva. Po opláchnutí v des-tilovanej vodě sa cez vytvarovanú hliníkovúmasku reaktivně iónovo leptá v tetrafluór-metánovej plazme niobová vrstva na hrůb-ku menšiu ako 0,1 ^m.
Hlavnou přednostou vynálezu je, že popí-saným technologickým postupom sa realizu-je planárny tenkovrstvový RF-SQUID, s mos-tíkom premennej hrůbky, ktorý v důsledkuvel'mi dobrej lokalizácie efektu kvantovejinterferencie zabezpečuje kvalitnú, nízkošu-movú činnost snímača v širokej teplotnejoblasti, a výbornou mechanickou odolnos-ťou, vysokou životnosťou snímača ako ajmožnosťou optimalizovania vazobných prv-kov s vonkajšími elektronickými obvodmi.
Na pripojenom výkrese, a to na obr. 1 jev profile znázorněný postup přípravy jedno-tlivých úrovní snímača. Základná křemíko-vá podložka 1 je pokrytá vrstvou oxidu kře-mičitého 2, na ktorý sa naniesla vrstva nio-bového supravodiča 3 a elektronového re-zistu 4. Obr. 2a představuje vytvarovaný e-lektrónový rezist s deponovanou vrstvou hli- níka 5. Obr. 2b znázorňuje profil niobovéhočipu 6 a usadzovacej značky 7 pre druhů atretiu úroveň elektrónovej litografie po re-aktívno-iónovom leptaní cez hliníkovú mas-ku. Obr. 3a představuje v profile tvarovanúhliníkovú masku 5 cez pozitivny elektrono-vý rezist 4 v druhom technologickom kroku.Obr. 3b představuje mostíkovú část snímačaa 3/4 preleptaním supravodivej vrstvy 8.Obr. 4 znázorňuje bočný pohfad na celý sní-mač s detailom A mostíkovej časti 8.Příklad
Na kremíkovú podložku o hrúbke 0,3 mms 0,5 ,um vrstvou oxidu křemičitého sa napa-ří 0,4 um vrstva supravodivého niobu a po-kryje sa 0,5 um hrubým elektrónovým rezis-tom typu polymetylmetakrylát. Elektróno-vým litografom sa vyexponujú plochy prečip a justážne znaky. Po vyvolaní rezistu vroztoku metylizobutylketónu s izopropylal-koholom sa preparí vzorka 0,04 μπι vrstvouhliníka. Lift-off technikou sa vytvaruje hli-níková maska, cez ktorú sa v tetrafluórme-tanovej plazme vyleptá nióbová vrstva. Hli-níkovú masku odstránime v 3 %-nom rozto-ku hydroxidu sodného a vzorku opláchne-me v deštilovanej vodě. Doštička opatřenáplochami pre čip a justážnymi znakmi sapreparí 0,04 ,um vrstvou hliníka a pokryjesa 0,1 /tm vrstvou polymetylmetakrylátu. E-lektrónovým litografom sa v plochách prečip vyexponuje páska so šířkou menšou ako0,2 μτη a doštička sa vyvolá v zmesi metyl-izobutylketónu a izopropylalkoholu.
Cez vzniknutú medzeru v polymetylmeta-kryláte sa v 1 %-nom roztoku hydroxidusodného vyleptá odkrytá hliníková vrstva,čím sa vytvoří medzera, ktorá vymedzuje vhliníkovej maske dlžku mostíka premennejhrůbky. Cez hliníkovú masku sa v tetra-fluórmetanovej plazme vyleptá nióbová vrst-va do 3/4 povodnej hrůbky. Po vyleptaní sahliníková maska odstráni v 3 %-nom rozto-ku hydroxidu sodného a opláchne sa v des-tilovanej vodě. Doštička sa pokryje 0,4 μΐηvrstvou pozitívneho elektrónového rezistu,do ktorého sa exponuje celkový tvar SQUlDu.Po vyvolaní sa napaří 0,04 μιη vrstva hliníkaa lift-off technikou sa vytvaruje leptaciamaska. V tetrafluórmetanovej plazme sa vy-leptá nióbová vrstva v celej hrúbke, čím sadosiahne SQUID s premennou hrúbkou mos-tíka.
Vynález má široké možnosti využitia vkryoelektronických obvodoch ako extrémněcitlivý senzor fyzikálnych veličin transfor-movatefných na magnetické pole, v metroló-gii, vo fyzikálnom a geofyzikálnom výsku-me, v medicíně pre biomagnetické meranie,v detektoroch mikrovlnného žiarenia, v rých-lych obvodoch počítačov vyššej generáciea podobné.
Claims (2)
- 242334 PREDMET Sposob výroby mostíka premennej hrůb-ky pre rádiofrekvenčný SQUID na kremíko-vej podložke s oxidom křemičitým, opatře-ným niobovým čipom sa vyznačuje tým, žena nióbový čip (6J sa nanesie 0,02 až 0,06^m hliníkovej vrstvy (5), ktorá sa pokryje0,07 až 0,2 jum vrstvou elektrónového pozi-tívneho rezistu (4), v ktorom sa elektróno- VYNÁLEZD vým litografom vytvoří medzera menšia ako0,2 μτη, cez ktorú sa vyleptá v luhu, výhod-né v 1 % roztoku hydroxidu sodného, hliní-ková vrstva a po opláchnutí v destilovanejvodě sa cez vytvarovaná hliníková maskuďalej reaktivně iónovo leptá v tetrafluórme-tanovej plazme nióbový čip (6J na hrůbkumenšiu ako 0,1 μτη.
- 2 listy výkresov
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS851015A CS242334B1 (sk) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | Sposob výroby mostíka premennej hrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS851015A CS242334B1 (sk) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | Sposob výroby mostíka premennej hrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS101585A1 CS101585A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS242334B1 true CS242334B1 (sk) | 1986-04-17 |
Family
ID=5343446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS851015A CS242334B1 (sk) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | Sposob výroby mostíka premennej hrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS242334B1 (cs) |
-
1985
- 1985-02-13 CS CS851015A patent/CS242334B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS101585A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1122467A (en) | Lithographic resist composition including a phenol-aldehyde resin, a sensitizer, and meldrum's diazo or acid as profile modifying agent | |
| CN109560189B (zh) | 一种磁通超导探测器及制备方法以及探测方法 | |
| US5604073A (en) | Azo dyes as adhesion promotion additive in polydimethylglutarimide | |
| JPH0321901B2 (cs) | ||
| GB2615393A (en) | Composite film strain gauge based on magnetron sputtering and method for preparing the same | |
| CN105865552A (zh) | 一种基于mems工艺的集成阵列式薄膜气体流量传感器及其加工方法 | |
| CS242334B1 (sk) | Sposob výroby mostíka premennej hrůbky pre rádiofrekvenčný SQUID | |
| CN111864048B (zh) | 基于超导桥结的串联超导量子干涉器阵列制备方法及结构 | |
| US5091342A (en) | Multilevel resist plated transfer layer process for fine line lithography | |
| CN119522033A (zh) | 一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法 | |
| KR100264006B1 (ko) | 고온초전도 조셉슨소자의 제조방법 | |
| CN218481428U (zh) | 一种亚表面多参数纳米标准样板 | |
| JPS5846054B2 (ja) | フオトマスク | |
| CN110515280B (zh) | 一种制备窄间距的手性微纳结构的方法 | |
| CN111463342B (zh) | 一种纳米超导量子干涉器件及其制备方法 | |
| AU6060599A (en) | Magnetoresistive devices, giant magnetoresistive devices and methods for making same | |
| CN115372368A (zh) | 一种亚表面多参数纳米标准样板及其制备方法 | |
| KR100326911B1 (ko) | 반도체 장치의 위치 정렬마크 및 그 제조방법 | |
| JP2765244B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| CN113670994B (zh) | 基于相位检测原理的mems湿度传感器及制备方法 | |
| KR940004365B1 (ko) | 자기 저항 소자의 제조방법 | |
| Candeloro et al. | Patterned magnetic permalloy and nickel films: fabrication by electron beam and x-ray lithographic techniques | |
| CN114384576B (zh) | 一种吸收体及其制作方法 | |
| JPS63282645A (ja) | マイクロ環境センサ、その製造方法およびその使用方法 | |
| JPS5492527A (en) | Manufacture of metal foil having apertures |