CS238434B1 - Ohmický kontakt - Google Patents

Description

Vynález sa týká elektrických ohmických kontaktov na polovodičoch na báze sírnika samárnatého.

Podstata vynálezu spočívá v tom, že je tvořený vrstvou kobaltu v mieste pripojenia přívodu k polovodičovej vrstvě na báze sírnika samárnatého.

Využitie vynálezu sa předpokládá pri výrobě snímačov jednoosového alebo všestranného tlaku, zrýchlenia, vibrácií, tenzometrov pre potřeby strojárstva, energetiky a pod. 2

Qí

CQ 238434 2 3 8 3

Vynález sa týká elektrických ohmických kontaktov na polovodičoch na báze sírnika samárnatého.

Polovodič sirnik samárnatý a příbuzné zlúčeniny sú materiály vhodné na konštrukciu citlivých snímačov mechanických veličin. Pre takéto použitie sú potřebné mechanicky a často i teplotně odolné ohmické kontakty na obvodov. Doteraz sa pre tento účel používali kontakty z india, vytvořené vákuovým napařením alebo pájkovaním. Ich nevýhodou je nedostatočná mechanická pevnosť a malá teplotná odolnost, podmienená nízkou teplotou topenia india ~ 150 °C. Ani niektoré iné kovy, často používané na podobné účely nemajú vyhovujúce vlastnosti. Například striebro má nedostatočnú a časom sa ešte zhoršujúcu přilnavost, zlato má zlú přilnavost a vytvára priechod s velkým odporom, hliník vytvára priechod s nedostatočne malým a časovo nestálým odporom a má nedostatočnú pevnosť, platina vytvára priechod s nedostatočne malým odporom. Podobné i ďalšie materiály majú niektoré nedostatky, ktoré ich vylučujú alebo znevýhodňujú pre použitie na ohmické kontakty na polovodičoch tohoto typu.

Uvedené nedostatky v prevažnej miere odstraňuje riešenie podlá vynálezu, ktorého. podstatou je ohmický kontakt tvořený vrstvou kobaltu v mieste pripojenia přívodu k polovodičovej vrstvě na báze sírnika samárnatého· 3 4 4 Výhodou vynálezu je, že umožňuje vytvořit kontakt s malým odporom prechodovej vrstvy, s dobrou mechanickou pevnosťou a stálosťou. Na kobaltovej vrstvě možu byť v případe potřeby nanesené ďalšie funkčné alebo ochranné vrstvy.

Na obr. 1 a obr. 2 sú znázorněné příklady konkrétného prevedenia kontaktu.

Na obr. 1 je na doštičke í z polovodiča sírnika samárnatého napařená vrstva 2 kobaltu hrůbky asi 0,2 μπι, ku ktorej je drotik 3 připojený pájkou 4. Iný příklad prevedenia ukazuje obr. 2, na ktorom je na podložke 5 vrstva 1 polovodiča na báze sírnika samárnatého, na ktorú je cez masku napařená alebo naprášená vrstva 2 kobaltu hrůbky asi 0,05 až 0,1 /<m, zosilnená vrstvou 6 hliníka alebo striebra hrůbky asi 0,5 fím, ku ktorej je privarený drotik 3. Povrch polovodiča a časti kontaktu je překrytý ochrannou vrstvou 7. Vo všetkých uvedených príkladoch je kontakt kov-polovodič vytvořený vrstvou kobaltu, ktorá je v styku s povrchom polovodiča a ktorá umožňuje dosiahnuť požadované elektrické a mechanické vlastnosti.

Využitie vynálezu sa předpokládá pri výrobě snímačov jednoosového alebo všestranného tlaku, zrýchlenia, vibráeií, tenzometrov pre potřeby strojárstva, energetiky a pod.

Claims (1)

1. PREDMET Ohmický kontakt, vyznačujúci sa tým, že je tvořený vrstvou kobaltu v mieste pripoje- YNÁLEZU nia přívodu k polovodičovej vrstvě na báze sírnika samárnatého. 1 list výkresov 238434

   '-·>.'.‘Λ,.·-/ • ι· flť;ř *’·'ν i OBR.2