CS237582B1 - Světelný filtr pro fotocitlivé polovodičové součástky a způsob zhotovení - Google Patents
Světelný filtr pro fotocitlivé polovodičové součástky a způsob zhotovení Download PDFInfo
- Publication number
- CS237582B1 CS237582B1 CS827787A CS778782A CS237582B1 CS 237582 B1 CS237582 B1 CS 237582B1 CS 827787 A CS827787 A CS 827787A CS 778782 A CS778782 A CS 778782A CS 237582 B1 CS237582 B1 CS 237582B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- light filter
- dye
- photosensitive
- photosensitive semiconductor
- component
- Prior art date
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Vynález se týká světelného filtru pro fotocitlivé polovodičové součástky, propustného v oblasti blízkého infračerveného záření, s propustností od 0,8 do 2,0/im. Účelem vynálezu je vyřešení stabilního světelného filtru se strmou absorpční hranou, nacházející se právě v té oblasti vlnových délek, které jsou požadovány pro práce se zářením o vlnových délkách kolem 1/im· Podstata vynálezu spočívá v tom, že na podkladě sestávajícím z fotocitlivé polovodičové součástky na základně pouzdra, je vrstva barviva tvořená 4-benzendiano, 4',5 '- isopropyldiamino, 1,1 '-azonaftalenem. Doplňujícím znakem vynálezu je i způsob zhotovení světelného filtru, spočívající v tom, že barvivo se rozpustí v zalévací epoxydové pryskyřici v množství 3 až 5 g barviva na 1 m2 a nalije se přímo na povrch fotocitlivé součástky. Takto zalitá fotocitlivé součástka se ve vodorovné poloze vytvrzuje při teplotě 60 až 90 °C po dobu 15 až 120 minut. Vynálezu je možno použít v optoelektronice a laserové technice.
Description
Vynález se týká světelného filtru pro fotooitlivé polovodičové součástky, propustného v oblasti blízkého infračerveného záření, s propustností 0,8 až 2,0^um, a způsobu vytvoření světelného filtru zbarvenou zalévací epoxydovou pryskyřicí.
Světelné filtry pro fotooitlivé polovodičové součástky se často zhotovují z různě zbarvených skel, která pak ve tvaru vstupního okénka, zapouzdřeného před fotocitlivou součástkou, tvoří kromě mechanické ochrany též příslušný filtr.
Jiný způsob zhotovení světelného filtru spočívá v zalití fotooitlivé součástky vhodně zbarvenou zalévací látkou, například epoxydovou pryskyřicí.
Nevýhodou skleněných filtrů, účinných v infračervené oblasti, je jejich náročnější výroba a nutnost složitější konstrukce celého systému a z toho vyplývající též menší možnosti miniaturizace.
U skleněných filtrů dochází též k větším ztrátám dopadajícího záření. Další nevýhodou infračervených skleněných filtrů je jejich malá strmost absorpční-hrany. Filtry zhotovené pomocí zbarvených zalévacích látek mají oproti skleněným filtrům některé výhody, ale i zde je obtížné nalézt takovou kombinaci barviva a zalévací látky, aby bylo dosaženo oo největší strmosti absorpční hrany, při minimálních ztrátách záření v požadované oblasti, a to vše za předpokladu, že příslušná zbarvená zalévací látka vyhovuje též po stránce mechanické a chemické. To znamená, že bude též spolehlivou ochranou fotocitlivé součástky a přitom nebude chemicky negativně působit.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na podkladě, sestávajícím z fotocitlivé polovodičové součástky na základně pouzdra, je vrstva barviva tvořená 4-benzendiazo, 4',5'-ísopropyldiamino, 1,1 '-azonaftalenem.
Doplňujícím znakem vynálezu je i způsob zhotovení světelného filtru, jehož podstata spočívá v tom, že barvivo sestavené ze 4-benzendiazo, 4',5'-isopropyldiamlno, 1,1'-azonafta 2 - ~ lénu se rozpustí v zalévací epoxydové pryskyřici v množství 3 až 5 g barviva na 1 m , jez se nalije přímo na povrch fotocitlivé součástky a nechá se ve vodorovné poloze vytvrdit při teplotě 60 až 90 °C po dobu 15 až 120 minut.
Vedle dnes již známých předností, které mají některé filtry, tvořené zalévací látkou, jako je například^zjednodušení operace zapouzdřování, větší možnosti miniaturizace a podobně, má použití filtru podle vynálezu přednost v jednoduché a spolehlivé přípravě samotné zalévací látky, protože použité barvivo se v epoxydové zalévací pryskyřicí výborně rozpouští, aniž by docházelo k jeho segregaci.
Další předností filtru podle vynálezu je strmá absorpční hrana, ležící v blízkosti vlnové délky 0,8jum, což je právě těsně pod oblastí využívané pro komunikace na optických vláknech.
Tento filtr má též výhodné použití pro filtraci záření vysílaného například YAG-lasery Též celková absorpce záření u filtru podle vynálezu je nízká v celé oblasti propustnosti.
Jako příklad lze uvést světelný filtr pro PIN-fotodiodu a způsob jeho zhotovení, a to tak, že barvivo 4-benzendiazo, 4',5'-isopropyldiamlno, l,1'-azonaftalen se namíchá do bezbarvé, tekuté nevytvrzené zalévací pryskyřice epoxydu, a to 5 mg barviva na 1 g pryskyřice.
Takto zbarvenou pryskyřicí se po namíchání tvrdidla v množství 14 g tvrdidla na 100 g pryskyřice zalévají k základně pouzdra připojené čipy PIN-fotodiod, bezprostředně na aktivní povrch PIN-fotodiody, v tlouštce 0,7 mm.
Nanesená vrstva pryskyřice se nechá vytvrdit ve vodorovné poloze v sušárně při teplotě °c po dobu 18 min.
Claims (2)
1. Světelný filtr por fotocitlivé polovodičové součástky, propustný v oblasti blízkého infračerveného záření, s propustností 0,8 až 2,0/im, vytvořený zbarvenou zalévací pryskyřicí, vyznačený tím, že na podkladě sestávajícím z fotocitlivé polovodičové součástky na základně pouzdra je vrstva barviva tvořená 4-benzendiazo, 4 ',5 '-isopropyldiamino, 1,1'-azonaftalenem.
2. Způsob zhotovení světelného filtru podle bodu 1, vyznačený tím, že barvivo sestavené ze 4-benzendiazo, 4',5'-isopropyldiamino, 1,1'-azonaftalenu se rozpustí v zalévací epoxydóvé pryskyřici v množství 3 až 5 g barviva na 1 m2, jenž se nalije přímo na povrch fotocitlivé součástky a nechá se ve vodorovné poloze vytvrdit při teplotě 60 až 90 c po dobu 15 až
120 min.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS827787A CS237582B1 (cs) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | Světelný filtr pro fotocitlivé polovodičové součástky a způsob zhotovení |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS827787A CS237582B1 (cs) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | Světelný filtr pro fotocitlivé polovodičové součástky a způsob zhotovení |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS778782A1 CS778782A1 (en) | 1984-11-19 |
| CS237582B1 true CS237582B1 (cs) | 1985-09-17 |
Family
ID=5427616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS827787A CS237582B1 (cs) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | Světelný filtr pro fotocitlivé polovodičové součástky a způsob zhotovení |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS237582B1 (cs) |
-
1982
- 1982-11-02 CS CS827787A patent/CS237582B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS778782A1 (en) | 1984-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3903413A (en) | Glass-filled polymeric filter element | |
| US4808501A (en) | Method for manufacturing an optical filter | |
| CA1139150A (en) | Method of producing color filters | |
| WO2011035783A1 (de) | Herstellungsverfahren eines gehäuses mit einem bauelement in einem hohlraum und entsprechendes gehäuse sowie verfahren zum herstellen eines halbzeuges und halbzeug | |
| DE19714170C1 (de) | Elektrooptisches Modul | |
| JP7536136B2 (ja) | 光学フィルターおよび撮像装置 | |
| JPH07111485B2 (ja) | カラーフィルターの製造方法 | |
| US20020195611A1 (en) | Light-emitting device, optical module, and fiber stub | |
| CN116348555B (zh) | 近红外线吸收组合物、膜、滤光器和图像传感器 | |
| CS237582B1 (cs) | Světelný filtr pro fotocitlivé polovodičové součástky a způsob zhotovení | |
| JPS6228596B2 (cs) | ||
| US3860424A (en) | Led display | |
| US12024632B2 (en) | Near infrared absorbing composition, near infrared cut filter, solid state image sensor, and camera module | |
| KR101266431B1 (ko) | 근적외선 필터용 유리조성물 및 이를 이용한 근적외선 필터용 유리의 제조방법 | |
| KR20210127752A (ko) | 근적외선 흡수성 조성물, 근적외선 흡수성 막 및 고체 촬상 소자용 이미지 센서 | |
| KR102532381B1 (ko) | 근적외선 흡수성 조성물, 근적외선 흡수성 막 및 고체 촬상 소자용 이미지 센서 | |
| KR20200119851A (ko) | 근적외선 흡수성 조성물, 근적외선 흡수성 막 및 고체 촬상 소자용 이미지 센서 | |
| JPH03109779A (ja) | フォトダイオード | |
| CN105140215B (zh) | 一种用于plc平面波导芯片与光电器件耦合的晶圆级封装方法 | |
| JPH0381122B2 (cs) | ||
| US20060131710A1 (en) | Advanced cavity structure for wafer level chip scale package | |
| US4351662A (en) | Method of making photosensitive porous glass | |
| JPH0465163A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| US20250298171A1 (en) | Silver-containing polarizing glass and optical isolator | |
| JPH04181784A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 |