CS234810B1 - Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca - Google Patents
Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca Download PDFInfo
- Publication number
- CS234810B1 CS234810B1 CS151083A CS151083A CS234810B1 CS 234810 B1 CS234810 B1 CS 234810B1 CS 151083 A CS151083 A CS 151083A CS 151083 A CS151083 A CS 151083A CS 234810 B1 CS234810 B1 CS 234810B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- selenium
- bath
- layer
- regenerating
- alcohol
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Vynález sa týká spósobu regenerácie podkladového kovového elektrofotografického přenosového valca ovrstveného fotovodičom na báze selénu. Regenerácia pozostáva v podstatě z účinného odstránenia fotovodivej záznamové) vrstvy a obnovenia kontaktného povrchu kovu v požadovanej kvalitě, nakolko na podkladovej vrstvě lpie vrstva 5 až 200 ^m selénu, ktorá stratila v podstatnej miere svoje reprodukčně vlastnosti. Podstatou spósobu regenerácie podkladového elektrofotografického přenosového valca je, že sa ponoří do kúpefa primárného alkoholu ako je metylalkohol, etylalkohol ochladeného na —40 až —70 °C.
Description
234810
Vynález sa týká spósobu regenerácie pod-kladového kovového elektrofotografickéhopřenosového valca ovrsíveného fotovodičomna báze selénu. V nepriamej elektrofotografii sa používánájčastéjšie ako přenosový systém záznamuoptickej informácie tenká vrstva amonnéhoselénu, dopovaná vhodnými prímesami akoje například telúr, arzén, antimon, napaře-ná na kovovom, najčastejšie hliníkovom vál-ci, ktorý plní funkciu mechanického nosičaa protielektródy.
Nakolko v procese naparovania vytvára-ný povrch selénu verne kopíruje nerovnos-ti podkladové] vrstvy, vyžaduje sa vysokýstupeň čistoty kontaktného kovového povr-chu s nízkým stupňom drsnosti. Toto sa do-sahuje špeciálnou technikou sústruženia anásledného mechanického, připadne chemic-kého leštenia. Vzhfadom na ekonomickúnáročnost přípravy podkladového elektro-fotografického valca hfadajú sa cesty jehonenákladnej regenerácie. Regenerácia po-zostáva v podstatě z účinného odstráneniafotovodivej záznamovej vrstvy a obnoveniakontaktného povrchu kovu v požadovanejkvalitě, nakolko na podkladovej vrstvě lpievrstva 5 až 200 μτη selénu, připadne jehozliatiny, ktorá stratila v podstatnej mieresvoje reprodukčně vlastnosti. Doposial' sapre regeneráciu využívali fyzikálně alebo: chemické postupy. Fyzikálně postupy sú za-ložené na přerušení adhézneho spoja kov//fotovodič v důsledku štruktúrnej fázovejpremeny v selénovej vrstvě vyvolanej tem-peráciou sústavy na určitú, pre každú selé-novú kompozíciu charakteristická teplotu.Nevýhodou fyzikáineho postupu regenerá-cie je, že kvantitativné odvrstvenie vyžadu-je citlivá volbu teploty pre každé zloženievrstvy. Pri regenerácii je vysoká spotřebaenergie potrebnej na ohriatie systému, níz-ká produktivita práce a vznikajú toxickéoxidy selénu, ktoré ohrozujú okolie. Chemic-ké postupy sú založené na reakcií selénua látkami, s ktorými selén vytvára zmes-né zlúčeniny. Ako příklad možno uviesf roz-púšťanie selénu vo vodnom roztoku dvoj-sírnika sodného. Nevýhodou chemickej me-tody odvrstvenia je okoínosť, že je potřeb-né použit mechanické opracovanie povrchukovu po odvrstvení v důsledku jeho konta-minácie. Pre chemickej regenerácii vzni-kajú tiež problémy s bezpečnou likvidácioutoxických selénových zlúčenín a regenero-vaný selén sa nedá použit pre přípravu no-vej elektrofotografickej vrstvy.
Uvedené nedostatky sú odstránené u spů-sobu regenerácie podkladového kovovéhoelektrofotografického přenosového valca o-vrstveného fotovodičom na báze selénu po-dlá vynálezu, ktorého podstatou je, že e-lektrofotografický přenosový válec ovrstve-ný fotovodičom na báze selénu sa ponořído kúpela primárného alkoholu ako je etyl-alkohol alebo metylalkohol, ochladeného na —40 až —70 °C. Postupovat, sa může ajtak, že do ochladeného kúpela primárnéhoalkoholu sa přidá 2 % objemu kyselinymravčej alebo sa přidá 2 °/o objemu aceto-nitrilu.
Pri postupe nastáva vnútrofázová a med-zifázová dezintegrácia vrstvy selénovéhofotovodiča. Táto je vyvolaná mechanickýmnapátím, generovaným rýchlym ochladenímdvojfázovej sústavy. Dezintegrácia sa reali-zuje náhlým ponořením valca, ktorý rege-nerujeme do etylalkoholu alebo metylalko-holu, ktorý je temperovaný na —40 až —70stupňov Celsia. Velký rozdiel v tepelnýchrozťažnostiach kovu a selénu vedie pri prud-kom ochladení k zániku adhézneho spojakov/selén a mechanickému roztriešteniuvrstvy fotovodivej selénovej kompozície. Ne-zanedbatelný je aj priaznivý termodynamic-ký účinek alkoholového kúpela, ktorý lep-šie zmáča povrch kovu než povrch uvede-ného fotovodiča. Týmto postupom odvrstve-né kovové válce možno po vysušení v bez-prašnej komoře bezprostredne použit k pří-pravě elektrofotografického přenosovéhosystému, čo je hlavnou výhodou riešenia po-dlá vynálezu. Příklad 1
Do 20 1, od okolia tepelne-izolovanej val-covej nádoby o vnútornom priemere 20 cmpředložíme 18 litrov etalalkoholu, ktorýpodchladíme přidáváním tuhého oxidu uhli-čitého na teplotu —50 °C. Do takto tempe-rovaného kúpela ponoříme čo najrýchlej-šie válec, určený k odvrstveniu selénu. Vdůsledku prudkého podchladenia hliníka sazmenší jeho objem a zanikne adhézny spojselén/hliník. Súčasne vytvořené napátie vovrstvě fotovodiča vyvolá vzrast koncentrá-cie dislokačných porúch, čoho následkomje mechanické roztrieštenie vrstvy selénu.Odseparované částice selénu sa usadzujú nastene nádoby a pri dne odkial sa po urči-tom počte, konkrétné po 10 regeneráciach,odoberajú a spracovávajú rafináciou na čis-tý selén. Odvrstvený hliníkový válec sa povybratí z alkoholového kúpela očistí odzvyškových tuhých častíc spreyovaním al-koholom a vysuší pri laboratórnej teplote vbezprašnej skříni. Na vysušení regenerova-ný podkladový hliníkový válec sa můžebezprostredne napařit nové vrstva selénu. Příklad 2
Do nádoby tepelne izolovanej od okolia,předložíme také množstvo metylalkoholu,aby bol regenerovaný válec podchladený.Metylalkohol podchladíme prídavkom tuhé-ho oxidu uhličitého na teplotu —60 °C. Dotakto připraveného kúpela ponoříme rege-nerovaný válec na 3 minúty. Pri miernomotáčaní valcom dochádza k samovolnémuodpadávaniu roztrieštenej vrstvy selénovej
Claims (3)
- 234810 kompozície a jej hromadeniu na dne nádo-by, ďalej sa postupuje ako v příklade 1. Příklad 3 Postupuje sa ako v příklade 1 s tým roz-dielom, že do kúpefa sa přidá 2 iO/o: objemukyseliny mravčej. Příklad 4 Postupuje sa ako v příklade 2, s tým roz- dielom, že kúpef sa doplní 2 % objemukyseliny mravčej. Příklad 5 Postupuje sa ako v příklade 1, s tým roz-dielom, že kúpel' sa doplní o prídavok 2pere. objemu acetonitrilu. PREDMET1. Sposob regenerácie podkladového ko-vového elektrografického valca ovrstvené-ho fotovodičom na báze selénu vyznačujú-ci sa tým, že elektrofotografický přenoso-vý válec ovrstvený fotovodičom na báze se-lénu sa ponoří do kúpefa primárného al-koholu, ako je etylalkohol alebo metylal-kohol, ochladeného na —40 až —70 °C. ynAlezu
- 2. Sposob podTa bodu 1 vyznačujúci satým, že do ochladeného kúpefa primárné-ho alkoholu sa přidá 2 % objemu kyselinymravčej.
- 3. Sposob podlá bodu 1 vyznačujúci satým, že do ochladeného kúpefa sa přidá 2pere. objemu acetonitrilu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS151083A CS234810B1 (cs) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS151083A CS234810B1 (cs) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS234810B1 true CS234810B1 (cs) | 1985-04-16 |
Family
ID=5349680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS151083A CS234810B1 (cs) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS234810B1 (cs) |
-
1983
- 1983-03-03 CS CS151083A patent/CS234810B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5035918A (en) | Non-flammable and strippable plating resist and method of using same | |
| GB2225318A (en) | Process for ion exchange on glass or glass ceramic | |
| CS234810B1 (cs) | Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca | |
| US3992511A (en) | Recovery of selenium | |
| US5085732A (en) | Method for removing a selenium-containing layer from a electrophotographic photoreceptor | |
| Holland et al. | The influence of sputtering and transport mechanisms on target etching and thin film growth in rf systems—I. Target processes | |
| EP0917001A1 (en) | Negative photoresist compositions and use thereof | |
| US4501621A (en) | Method for removing a selenium layer from a substrate | |
| US4192692A (en) | Process for removing layers of selenium | |
| US4338363A (en) | Method for inhibiting the formation of scale | |
| JPS5626749A (en) | Surface treatment of glass | |
| JP2590959B2 (ja) | セレン層の剥離方法 | |
| NL7903088A (nl) | Aluminiumsubstraten die zijn gekorreld met een ver- zadigde oplossing van aluminiumzouten en anorganische zuren. | |
| EP1067207A1 (en) | Phosphonic acid compound for eliminating hydrogen absorption during the heat treatment of aluminium | |
| US4097273A (en) | Arsenic/selenium recovery | |
| EP0162491B1 (fr) | Procédé pour inhiber la corrosion d'une masse métallique au contact d'un bain acide contenant des ions ferriques | |
| JPS63288008A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JPS5811944A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| RU1797091C (ru) | Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена | |
| JPS5711348A (en) | Coated layer removing method | |
| SU1105292A1 (ru) | Раствор дл удалени никелевых покрытий,нанесенных химическим способом | |
| JPS6315002B2 (cs) | ||
| JPH04241357A (ja) | セレン系感光層を除去する方法 | |
| Ovchian et al. | The Influence of Incrustation on the Corrosive Behaviour of Carbon Steel in Alkaline Solutions | |
| Hasebe et al. | Method for releasing carbon foils from substrates |