CS234810B1 - Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca - Google Patents

Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca Download PDF

Info

Publication number
CS234810B1
CS234810B1 CS151083A CS151083A CS234810B1 CS 234810 B1 CS234810 B1 CS 234810B1 CS 151083 A CS151083 A CS 151083A CS 151083 A CS151083 A CS 151083A CS 234810 B1 CS234810 B1 CS 234810B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
selenium
bath
layer
regenerating
alcohol
Prior art date
Application number
CS151083A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Inventor
Lubomir Lapcik
Martin Kovalcik
Milan Mastihuba
Milan Rajkovic
Original Assignee
Lubomir Lapcik
Martin Kovalcik
Milan Mastihuba
Milan Rajkovic
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lubomir Lapcik, Martin Kovalcik, Milan Mastihuba, Milan Rajkovic filed Critical Lubomir Lapcik
Priority to CS151083A priority Critical patent/CS234810B1/cs
Publication of CS234810B1 publication Critical patent/CS234810B1/cs

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

Vynález sa týká spósobu regenerácie podkladového kovového elektrofotografického přenosového valca ovrstveného fotovodičom na báze selénu. Regenerácia pozostáva v podstatě z účinného odstránenia fotovodivej záznamové) vrstvy a obnovenia kontaktného povrchu kovu v požadovanej kvalitě, nakolko na podkladovej vrstvě lpie vrstva 5 až 200 ^m selénu, ktorá stratila v podstatnej miere svoje reprodukčně vlastnosti. Podstatou spósobu regenerácie podkladového elektrofotografického přenosového valca je, že sa ponoří do kúpefa primárného alkoholu ako je metylalkohol, etylalkohol ochladeného na —40 až —70 °C.

Description

234810
Vynález sa týká spósobu regenerácie pod-kladového kovového elektrofotografickéhopřenosového valca ovrsíveného fotovodičomna báze selénu. V nepriamej elektrofotografii sa používánájčastéjšie ako přenosový systém záznamuoptickej informácie tenká vrstva amonnéhoselénu, dopovaná vhodnými prímesami akoje například telúr, arzén, antimon, napaře-ná na kovovom, najčastejšie hliníkovom vál-ci, ktorý plní funkciu mechanického nosičaa protielektródy.
Nakolko v procese naparovania vytvára-ný povrch selénu verne kopíruje nerovnos-ti podkladové] vrstvy, vyžaduje sa vysokýstupeň čistoty kontaktného kovového povr-chu s nízkým stupňom drsnosti. Toto sa do-sahuje špeciálnou technikou sústruženia anásledného mechanického, připadne chemic-kého leštenia. Vzhfadom na ekonomickúnáročnost přípravy podkladového elektro-fotografického valca hfadajú sa cesty jehonenákladnej regenerácie. Regenerácia po-zostáva v podstatě z účinného odstráneniafotovodivej záznamovej vrstvy a obnoveniakontaktného povrchu kovu v požadovanejkvalitě, nakolko na podkladovej vrstvě lpievrstva 5 až 200 μτη selénu, připadne jehozliatiny, ktorá stratila v podstatnej mieresvoje reprodukčně vlastnosti. Doposial' sapre regeneráciu využívali fyzikálně alebo: chemické postupy. Fyzikálně postupy sú za-ložené na přerušení adhézneho spoja kov//fotovodič v důsledku štruktúrnej fázovejpremeny v selénovej vrstvě vyvolanej tem-peráciou sústavy na určitú, pre každú selé-novú kompozíciu charakteristická teplotu.Nevýhodou fyzikáineho postupu regenerá-cie je, že kvantitativné odvrstvenie vyžadu-je citlivá volbu teploty pre každé zloženievrstvy. Pri regenerácii je vysoká spotřebaenergie potrebnej na ohriatie systému, níz-ká produktivita práce a vznikajú toxickéoxidy selénu, ktoré ohrozujú okolie. Chemic-ké postupy sú založené na reakcií selénua látkami, s ktorými selén vytvára zmes-né zlúčeniny. Ako příklad možno uviesf roz-púšťanie selénu vo vodnom roztoku dvoj-sírnika sodného. Nevýhodou chemickej me-tody odvrstvenia je okoínosť, že je potřeb-né použit mechanické opracovanie povrchukovu po odvrstvení v důsledku jeho konta-minácie. Pre chemickej regenerácii vzni-kajú tiež problémy s bezpečnou likvidácioutoxických selénových zlúčenín a regenero-vaný selén sa nedá použit pre přípravu no-vej elektrofotografickej vrstvy.
Uvedené nedostatky sú odstránené u spů-sobu regenerácie podkladového kovovéhoelektrofotografického přenosového valca o-vrstveného fotovodičom na báze selénu po-dlá vynálezu, ktorého podstatou je, že e-lektrofotografický přenosový válec ovrstve-ný fotovodičom na báze selénu sa ponořído kúpela primárného alkoholu ako je etyl-alkohol alebo metylalkohol, ochladeného na —40 až —70 °C. Postupovat, sa může ajtak, že do ochladeného kúpela primárnéhoalkoholu sa přidá 2 % objemu kyselinymravčej alebo sa přidá 2 °/o objemu aceto-nitrilu.
Pri postupe nastáva vnútrofázová a med-zifázová dezintegrácia vrstvy selénovéhofotovodiča. Táto je vyvolaná mechanickýmnapátím, generovaným rýchlym ochladenímdvojfázovej sústavy. Dezintegrácia sa reali-zuje náhlým ponořením valca, ktorý rege-nerujeme do etylalkoholu alebo metylalko-holu, ktorý je temperovaný na —40 až —70stupňov Celsia. Velký rozdiel v tepelnýchrozťažnostiach kovu a selénu vedie pri prud-kom ochladení k zániku adhézneho spojakov/selén a mechanickému roztriešteniuvrstvy fotovodivej selénovej kompozície. Ne-zanedbatelný je aj priaznivý termodynamic-ký účinek alkoholového kúpela, ktorý lep-šie zmáča povrch kovu než povrch uvede-ného fotovodiča. Týmto postupom odvrstve-né kovové válce možno po vysušení v bez-prašnej komoře bezprostredne použit k pří-pravě elektrofotografického přenosovéhosystému, čo je hlavnou výhodou riešenia po-dlá vynálezu. Příklad 1
Do 20 1, od okolia tepelne-izolovanej val-covej nádoby o vnútornom priemere 20 cmpředložíme 18 litrov etalalkoholu, ktorýpodchladíme přidáváním tuhého oxidu uhli-čitého na teplotu —50 °C. Do takto tempe-rovaného kúpela ponoříme čo najrýchlej-šie válec, určený k odvrstveniu selénu. Vdůsledku prudkého podchladenia hliníka sazmenší jeho objem a zanikne adhézny spojselén/hliník. Súčasne vytvořené napátie vovrstvě fotovodiča vyvolá vzrast koncentrá-cie dislokačných porúch, čoho následkomje mechanické roztrieštenie vrstvy selénu.Odseparované částice selénu sa usadzujú nastene nádoby a pri dne odkial sa po urči-tom počte, konkrétné po 10 regeneráciach,odoberajú a spracovávajú rafináciou na čis-tý selén. Odvrstvený hliníkový válec sa povybratí z alkoholového kúpela očistí odzvyškových tuhých častíc spreyovaním al-koholom a vysuší pri laboratórnej teplote vbezprašnej skříni. Na vysušení regenerova-ný podkladový hliníkový válec sa můžebezprostredne napařit nové vrstva selénu. Příklad 2
Do nádoby tepelne izolovanej od okolia,předložíme také množstvo metylalkoholu,aby bol regenerovaný válec podchladený.Metylalkohol podchladíme prídavkom tuhé-ho oxidu uhličitého na teplotu —60 °C. Dotakto připraveného kúpela ponoříme rege-nerovaný válec na 3 minúty. Pri miernomotáčaní valcom dochádza k samovolnémuodpadávaniu roztrieštenej vrstvy selénovej

Claims (3)

  1. 234810 kompozície a jej hromadeniu na dne nádo-by, ďalej sa postupuje ako v příklade 1. Příklad 3 Postupuje sa ako v příklade 1 s tým roz-dielom, že do kúpefa sa přidá 2 iO/o: objemukyseliny mravčej. Příklad 4 Postupuje sa ako v příklade 2, s tým roz- dielom, že kúpef sa doplní 2 % objemukyseliny mravčej. Příklad 5 Postupuje sa ako v příklade 1, s tým roz-dielom, že kúpel' sa doplní o prídavok 2pere. objemu acetonitrilu. PREDMET
    1. Sposob regenerácie podkladového ko-vového elektrografického valca ovrstvené-ho fotovodičom na báze selénu vyznačujú-ci sa tým, že elektrofotografický přenoso-vý válec ovrstvený fotovodičom na báze se-lénu sa ponoří do kúpefa primárného al-koholu, ako je etylalkohol alebo metylal-kohol, ochladeného na —40 až —70 °C. ynAlezu
  2. 2. Sposob podTa bodu 1 vyznačujúci satým, že do ochladeného kúpefa primárné-ho alkoholu sa přidá 2 % objemu kyselinymravčej.
  3. 3. Sposob podlá bodu 1 vyznačujúci satým, že do ochladeného kúpefa sa přidá 2pere. objemu acetonitrilu.
CS151083A 1983-03-03 1983-03-03 Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca CS234810B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS151083A CS234810B1 (cs) 1983-03-03 1983-03-03 Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS151083A CS234810B1 (cs) 1983-03-03 1983-03-03 Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS234810B1 true CS234810B1 (cs) 1985-04-16

Family

ID=5349680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS151083A CS234810B1 (cs) 1983-03-03 1983-03-03 Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS234810B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5035918A (en) Non-flammable and strippable plating resist and method of using same
GB2225318A (en) Process for ion exchange on glass or glass ceramic
CS234810B1 (cs) Sposob regenerácie podkladového kovového elektrofotografického valca
US3992511A (en) Recovery of selenium
US5085732A (en) Method for removing a selenium-containing layer from a electrophotographic photoreceptor
Holland et al. The influence of sputtering and transport mechanisms on target etching and thin film growth in rf systems—I. Target processes
EP0917001A1 (en) Negative photoresist compositions and use thereof
US4501621A (en) Method for removing a selenium layer from a substrate
US4192692A (en) Process for removing layers of selenium
US4338363A (en) Method for inhibiting the formation of scale
JPS5626749A (en) Surface treatment of glass
JP2590959B2 (ja) セレン層の剥離方法
NL7903088A (nl) Aluminiumsubstraten die zijn gekorreld met een ver- zadigde oplossing van aluminiumzouten en anorganische zuren.
EP1067207A1 (en) Phosphonic acid compound for eliminating hydrogen absorption during the heat treatment of aluminium
US4097273A (en) Arsenic/selenium recovery
EP0162491B1 (fr) Procédé pour inhiber la corrosion d'une masse métallique au contact d'un bain acide contenant des ions ferriques
JPS63288008A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム箔
JPS5811944A (ja) 電子写真用感光体の製造方法
RU1797091C (ru) Способ восстановлени электрографического носител с фоточувствительным слоем на основе селена
JPS5711348A (en) Coated layer removing method
SU1105292A1 (ru) Раствор дл удалени никелевых покрытий,нанесенных химическим способом
JPS6315002B2 (cs)
JPH04241357A (ja) セレン系感光層を除去する方法
Ovchian et al. The Influence of Incrustation on the Corrosive Behaviour of Carbon Steel in Alkaline Solutions
Hasebe et al. Method for releasing carbon foils from substrates