CS233007B1 - Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky - Google Patents
Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky Download PDFInfo
- Publication number
- CS233007B1 CS233007B1 CS619083A CS619083A CS233007B1 CS 233007 B1 CS233007 B1 CS 233007B1 CS 619083 A CS619083 A CS 619083A CS 619083 A CS619083 A CS 619083A CS 233007 B1 CS233007 B1 CS 233007B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- silicon wafer
- cathode contact
- power semiconductor
- contact structure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Vynález se týká úspory zlata při výrobě katodové kontaktní vrstvy výkonové polovodičové součástky. Uvedeného účelu se dosáhne tím, že na křemíkové desce je vytvořena první vrstva ze zlata, opatřená druhou vrstvou z materiálu méně ekonomicky náročného, např. stříbra nebo niklu. Druhá vrstva může být opatřena třetí ochrannou vrstvou ze zlata
Description
Vynález se týká katodové kontaktní struktury křemíkové desky výkonové polovodičové součástky, zejména diody a tyristorů.
Výkonové polovodičové součástky jsou obvykle složeny z křemíkové desky, opatřené jedním nebo několika PN přechody a spojené prostřednictvím vhodné slitiny a dilatační elektrodou. Druhá strana křemíkové desky bývá opatřena kovovou vrstvou, např. ze zlata, které tvoří katodovou kontaktní vrstvu polovodičové součástky.
Katodová kontaktní vrstva je v podstatě složena z těchto funkčně odlišných oblastí:
Oblast přiléhající ke křemíkové desce, která spoluvytváří rozhraní kov-polovodič.
Z této funkce vyplývají i požadavky na její vlastnosti, jako je kvalita spoje, nízký kontaktní odpor a vysoká adheze ke křemíku.
Vnější kontaktní oblast, jejíž rozhodující vlastností kromě dobré elektrické a tepelné vodivosti je chemická resp. metalurgická stabilita, zejména s ohledem na časovou stálost a spolehlivost polovodičové součástky.
Nevýhodou všeobecně používaných masivních zlatých katodových kontaktních vrstev je především jejich vysoká cena.
Výše uvedená nevýhoda je odstraněna katodovou kontaktní strukturou křemíkové desky podle vynálezu, jejíž podstatou je, že na křemíkové desce je vytvořena první vrstva ze zlata tloušlky 0,2 až 0,5/im, opatřená druhou vrstvou stříbra nebo niklu tloušlky 2 až 5 /um. Druhá vrstva je opatřena třetí vrstvou zlata tloušlky 0,1 až 1 /im.
Výhodou kontaktní struktury křemíkové desky podle vynálezu je vyšší ekonomičnost výroby, protože dochází k výrazné úspoře zlata.
řříklad konkrétního provedení:
Katodová kontaktní struktura křemíkové desky výkonové polovodičové diody je tvořena první vrstvou zlata, ve vakuu napařeném tlouštky 0,2 /im. Na této vrstvě je galvanicky nanesena druhá vrstva stříbra tlouštky 3 jum. Druhá vrstva je pokovena třetí ochrannou vrstvou zlata tlouštky 0,8 /um.
První vrstva zajišíuje nízký kontaktní odpor, vysokou adhezi ke křemíkové desce a kvalitu spoje. Druhá vrstva tvoří vlastní kontaktní vrstvu a splňuje požadavek dobré elektrické a tepelné vodivosti. Třetí vrstva je ochranná a zajiětuje časovou stálost a spolehlivost polovodičové součástky. V případě, že druhá vrstva je dostatečně rezistentní vůči okolnímu prostředí při následném technologickém zpracování, resp. provozu součástky, je možno třetí ochrannou vrstvu vypustit.
Katodovou kontaktní strukturu křemíkové desky podle vynálezu je možno použít při výrobě všech výkonových polovodičových součástek.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Katodová kontaktní struktura křemíkové desky výkonové polovodičové součástky, vyznačená tím, že na křemíkové desce je vytvořena první vrstva ze zlata tloušlky 0,2 až 0,5/um, opatřená druhou vrstvou stříbra nebo niklu tlouštky 2 až 5/im.
- 2. Katodová kontaktní struktura křemíkové desky podle bodu 1 nebo 2, vyznačená tím, že druhé vrstva je opatřena třetí vrstvou ze zlata tlouštky 0,1 až 1 /um.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS619083A CS233007B1 (cs) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS619083A CS233007B1 (cs) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS233007B1 true CS233007B1 (cs) | 1985-02-14 |
Family
ID=5408362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS619083A CS233007B1 (cs) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS233007B1 (cs) |
-
1983
- 1983-08-25 CS CS619083A patent/CS233007B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0129118B1 (ko) | 부식이 감소된 리드 프레임 및 이의 제조 방법 | |
| US3396454A (en) | Method of forming ohmic contacts in semiconductor devices | |
| EP0935286A4 (en) | COPPER CIRCUIT CONNECTING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE | |
| US6706561B2 (en) | Method for fabricating preplated nickel/palladium and tin leadframes | |
| JPS5948546B2 (ja) | リ−ドフレ−ム用金属ストリップ及びその製造方法 | |
| US4767049A (en) | Special surfaces for wire bonding | |
| US4883774A (en) | Silver flashing process on semiconductor leadframes | |
| US4055062A (en) | Process for manufacturing strip lead frames | |
| CS233007B1 (cs) | Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky | |
| JPH05117898A (ja) | 半導体チツプ実装用リードフレームとその製造方法 | |
| JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| US3942244A (en) | Semiconductor element | |
| US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
| US6376054B1 (en) | Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in | |
| US3702787A (en) | Method of forming ohmic contact for semiconducting devices | |
| KR100231832B1 (ko) | 다중 도금층을 가진 반도체 리드프레임 | |
| CN211860655U (zh) | 一种电子电路的焊盘结构 | |
| JPH04137552A (ja) | リードフレーム | |
| JPS60119765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPS628532A (ja) | 金メツキされた電子部品パツケ−ジ | |
| KR100205331B1 (ko) | 리드 프레임 및 그 도금 방법 | |
| JPH0774291A (ja) | 半導体装置用ヒートシンク材 | |
| JPS56101752A (en) | Semiconductor device | |
| JPS54146960A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6362259A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |