CS233007B1 - Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky - Google Patents

Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky Download PDF

Info

Publication number
CS233007B1
CS233007B1 CS619083A CS619083A CS233007B1 CS 233007 B1 CS233007 B1 CS 233007B1 CS 619083 A CS619083 A CS 619083A CS 619083 A CS619083 A CS 619083A CS 233007 B1 CS233007 B1 CS 233007B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
layer
silicon wafer
cathode contact
power semiconductor
contact structure
Prior art date
Application number
CS619083A
Other languages
English (en)
Inventor
Pavel Stejskal
Timotej Simko
Jaroslav Zamastil
Original Assignee
Pavel Stejskal
Timotej Simko
Jaroslav Zamastil
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pavel Stejskal, Timotej Simko, Jaroslav Zamastil filed Critical Pavel Stejskal
Priority to CS619083A priority Critical patent/CS233007B1/cs
Publication of CS233007B1 publication Critical patent/CS233007B1/cs

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Vynález se týká úspory zlata při výrobě katodové kontaktní vrstvy výkonové polovodičové součástky. Uvedeného účelu se dosáhne tím, že na křemíkové desce je vytvořena první vrstva ze zlata, opatřená druhou vrstvou z materiálu méně ekonomicky náročného, např. stříbra nebo niklu. Druhá vrstva může být opatřena třetí ochrannou vrstvou ze zlata

Description

Vynález se týká katodové kontaktní struktury křemíkové desky výkonové polovodičové součástky, zejména diody a tyristorů.
Výkonové polovodičové součástky jsou obvykle složeny z křemíkové desky, opatřené jedním nebo několika PN přechody a spojené prostřednictvím vhodné slitiny a dilatační elektrodou. Druhá strana křemíkové desky bývá opatřena kovovou vrstvou, např. ze zlata, které tvoří katodovou kontaktní vrstvu polovodičové součástky.
Katodová kontaktní vrstva je v podstatě složena z těchto funkčně odlišných oblastí:
Oblast přiléhající ke křemíkové desce, která spoluvytváří rozhraní kov-polovodič.
Z této funkce vyplývají i požadavky na její vlastnosti, jako je kvalita spoje, nízký kontaktní odpor a vysoká adheze ke křemíku.
Vnější kontaktní oblast, jejíž rozhodující vlastností kromě dobré elektrické a tepelné vodivosti je chemická resp. metalurgická stabilita, zejména s ohledem na časovou stálost a spolehlivost polovodičové součástky.
Nevýhodou všeobecně používaných masivních zlatých katodových kontaktních vrstev je především jejich vysoká cena.
Výše uvedená nevýhoda je odstraněna katodovou kontaktní strukturou křemíkové desky podle vynálezu, jejíž podstatou je, že na křemíkové desce je vytvořena první vrstva ze zlata tloušlky 0,2 až 0,5/im, opatřená druhou vrstvou stříbra nebo niklu tloušlky 2 až 5 /um. Druhá vrstva je opatřena třetí vrstvou zlata tloušlky 0,1 až 1 /im.
Výhodou kontaktní struktury křemíkové desky podle vynálezu je vyšší ekonomičnost výroby, protože dochází k výrazné úspoře zlata.
řříklad konkrétního provedení:
Katodová kontaktní struktura křemíkové desky výkonové polovodičové diody je tvořena první vrstvou zlata, ve vakuu napařeném tlouštky 0,2 /im. Na této vrstvě je galvanicky nanesena druhá vrstva stříbra tlouštky 3 jum. Druhá vrstva je pokovena třetí ochrannou vrstvou zlata tlouštky 0,8 /um.
První vrstva zajišíuje nízký kontaktní odpor, vysokou adhezi ke křemíkové desce a kvalitu spoje. Druhá vrstva tvoří vlastní kontaktní vrstvu a splňuje požadavek dobré elektrické a tepelné vodivosti. Třetí vrstva je ochranná a zajiětuje časovou stálost a spolehlivost polovodičové součástky. V případě, že druhá vrstva je dostatečně rezistentní vůči okolnímu prostředí při následném technologickém zpracování, resp. provozu součástky, je možno třetí ochrannou vrstvu vypustit.
Katodovou kontaktní strukturu křemíkové desky podle vynálezu je možno použít při výrobě všech výkonových polovodičových součástek.

Claims (2)

  1. PŘEDMĚT VYNÁLEZU
    1. Katodová kontaktní struktura křemíkové desky výkonové polovodičové součástky, vyznačená tím, že na křemíkové desce je vytvořena první vrstva ze zlata tloušlky 0,2 až 0,5/um, opatřená druhou vrstvou stříbra nebo niklu tlouštky 2 až 5/im.
  2. 2. Katodová kontaktní struktura křemíkové desky podle bodu 1 nebo 2, vyznačená tím, že druhé vrstva je opatřena třetí vrstvou ze zlata tlouštky 0,1 až 1 /um.
CS619083A 1983-08-25 1983-08-25 Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky CS233007B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS619083A CS233007B1 (cs) 1983-08-25 1983-08-25 Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS619083A CS233007B1 (cs) 1983-08-25 1983-08-25 Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS233007B1 true CS233007B1 (cs) 1985-02-14

Family

ID=5408362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS619083A CS233007B1 (cs) 1983-08-25 1983-08-25 Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS233007B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0129118B1 (ko) 부식이 감소된 리드 프레임 및 이의 제조 방법
US3396454A (en) Method of forming ohmic contacts in semiconductor devices
EP0935286A4 (en) COPPER CIRCUIT CONNECTING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE
US6706561B2 (en) Method for fabricating preplated nickel/palladium and tin leadframes
JPS5948546B2 (ja) リ−ドフレ−ム用金属ストリップ及びその製造方法
US4767049A (en) Special surfaces for wire bonding
US4883774A (en) Silver flashing process on semiconductor leadframes
US4055062A (en) Process for manufacturing strip lead frames
CS233007B1 (cs) Katodová kontaktní struktura křemíková desky výkonová polovodičové součástky
JPH05117898A (ja) 半導体チツプ実装用リードフレームとその製造方法
JPH01257356A (ja) 半導体用リードフレーム
US3942244A (en) Semiconductor element
US4765528A (en) Plating process for an electronic part
US6376054B1 (en) Surface metallization structure for multiple chip test and burn-in
US3702787A (en) Method of forming ohmic contact for semiconducting devices
KR100231832B1 (ko) 다중 도금층을 가진 반도체 리드프레임
CN211860655U (zh) 一种电子电路的焊盘结构
JPH04137552A (ja) リードフレーム
JPS60119765A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム
JPS628532A (ja) 金メツキされた電子部品パツケ−ジ
KR100205331B1 (ko) 리드 프레임 및 그 도금 방법
JPH0774291A (ja) 半導体装置用ヒートシンク材
JPS56101752A (en) Semiconductor device
JPS54146960A (en) Semiconductor device
JPS6362259A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム