CS232005B1 - Způsob výroby odporové dráhy vrstvových potenciometrů - Google Patents

Abstract

Vynález řsěí způsob výroby lineárních a nelineárních průběhů odporové dráhy vrstvových potenciometrů technologií sítotiskem. Odporová dráha, hlavně nelineárních průběhů je složena z několika vrstev o různém specifickém odporu, vzájemně vodivě spojených. Na podložku se nejdříve nanese vyrovnávací vrstva o stejná tloušlce jsko ostatní vrstvy s po postupném zssuěení se na ni nanese odporová vrstva s nsjnižěím specifickým odporem věetně kontaktní vrstvy tak, že v místě spojení vrstev v dráze sběraSs vznikají mírná prohlubně. Vyrovnávací vrstva může být dělená, rozmístěná pod více vrstvami.

Description

(⁵⁴) Způsob výroby odporové dráhy vrstvových potenciometrů

Vynález řsěí způsob výroby lineárních a nelineárních průběhů odporové dráhy vrstvových potenciometrů technologií sítotiskem. Odporová dráha, hlavně nelineárních průběhů je složena z několika vrstev o různém specifickém odporu, vzájemně vodivě spojených. Na podložku se nejdříve nanese vyrovnávací vrstva o stejná tloušlce jsko ostatní vrstvy s po postupném zssuěení se na ni nanese odporová vrstva s nsjnižěím specifickým odporem věetně kontaktní vrstvy tak, že v místě spojení vrstev v dráze sběraSs vznikají mírná prohlubně. Vyrovnávací vrstva může být dělená, rozmístěná pod více vrstvami.

232 005 (II) (Bl) (50 Int Cl.’ H Ol C 17/06 • 4 '

232 005

Vynález se týká způsobu výroby odporové dráhy vrstvových potenciometrů s lineárním i nelineárním průběhem, s vytvořením odporové dráhy technologií sítotisku.

Je známo, že dosavadní způsoby spojení vrstev odporové dráhy potenciometrů se provádějí postupným nanášením vrstev na podložku bu3 vedle sebe s technologicky nutnými přesahy, které tvoří v dráze sběrače vyvýšeniny nebo na sebe, kde při postupném zkracování jednotlivých vrstev se v dráze sběrače tvoří stupně. Při obou způsobech vznikají v místech přechodu z jedné vrstvy na druhou nerovnosti. Každá nerovnost v dráze sběrače negativně ovlivňuje funkci potenciometrů. Pro zmírnění tohoto nežádoucího účinku se někdy používá dodatečné leštění odporové dráhy, ukončení vrstvy v ploše s pilovitým okrajem nebo různě komplikované konstrukce sběrače.

Výše uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu způsob výroby průběhu odporové dráhy vrstvových potenciometrů s postupným zasušováním nanášených vrstev. Podstata vynálezu spočívá v tom, že alespoň na část dráhové podložky potenciometrů se jako první nanese vyrovnávací vrstva $ vyšším specifickém odporu, než je specifický odpor dále nanášených odporových vrstev, z nichž jedna vrstva je kontaktní a je složena nejméně ze dvou částí, přičemž na vyrovnávací vrstvu se nanese ve ťvaru stupně první funkční odporová vrstva, na jejíž níže položenou část se nanese ve tvaru stupně druhá funkční odporová vrstva, kterýžto postup se opakuje v závislosti na požadovaném počtu odporových vrstev.

Vyrovnávací vrstva se může nanést na celou dráhovou podložku potenciometrů v počtu dílčích úseků daných počtem odporových funkčních vrstev potenciometrů, přičemž spodní části vrstev se zapouštějí mezi jednotlivé úseky vyrovnávací vrstvy.

232 005

Výhody řešení podle vynálezu spočívají ve zmírnění nežádoucích účinků způsobených nerovnostmi v dráze sběrače, které negativně ovlivňují funkci potenciometrů, v možnosti kompenzace nerovností povrchu dráhové podložky potenciometrů pomocí vyrovnávací vrstvy a ve zdokonaleném odvodu tepla z odporové vrstvy přes tepelně vodivou Vyrovnávací vrstvu.

Způsob výroby odporové dráhy vrstvových potenciometrů podle vynálezu, při kterém se všechny vrstvy postupně nanášejí technologií sítotisku, bude následovně blíže popsán v příkladovýmiprovedeních s pomocí připojených vyobrazení, kde obr, 1 znázorňuje uspořádání odporové dráhy potenciometrů při způsobu výroby odporových funkčních vrstev 8 vyrovnávací vrstvou nanesenou na část dráhové podložky potenciometrů, a obr, 2 znázorňuje didobné uspořádání odporových funkčních vrstev nanášených na vyrovnávací vrstvu nanesenou na celou dráhovou podložku potenciometrů v počtu dílčích úseků odpovídajících počtu použitých funkčních vrstev·

Při způsobu výroby odporové dráhy například s logaritmickým průběhem podle vynálezu se na část dráhové podložky 1 potenciometrů nanese sítotiskem jako první vyrovnávací vrstva 2, která se po naneěení ihned vysouší v sušicí peci· První odporová funkční vrstva 2 ee nanese na vysušenou vyrovnávací vrstvu 2 ve tvaru stupně tak, že horní část stupně je uložena na vyrovnávací vrstvě 2 a spodní část stupně spočívá na dráhové podložce 1 potenciometrů· Rovněž tato odporová funkční vrstva, jakož i všechny následné odporové vrstvy se vysouší v peci· Na druhou odporovou funkční vrstvu J se nanese druhá odporová funkční vrstva ± rovněž ve tvaru stupně tak, že horní část stupně se nanese na plochu spodní části stupně předcházející odporové funkční vrstvy přičemž spodní část stupně odporové vrstvy £ spočívá opět na dráhové podložce 1 potenciometru, Tímto postupem se vytvoří podle obr, 1 celkem čtyři funkční odporové vrstvy 3,, 4i 5 ^fi Na začátek a konec spojených funkčních vrstev se nanese kontaktní vrstva 2 složená ze dvou částí ® Ί-2⁶ Tato kontaktní vrstva 2 ^{se v}^ak může nanášet kdykoliv po nanesení vyrovnávací vrstvy 2, nemusí se tedy nanášet jako poslední·

232 009 • 3 Vyrovnávací vrstva 2 se však může nanášet po celé délce dráhové podložky 1 potenciometru a to v dílčích úsecích 2j - 2^, jejichž počet je dán počtem použitých odporových funkčních vrstev

- n, jak je znázorněno na obr· 2. Oproti řešení s jednou vyrovnávací vrstvou 2 podle obr. 1 spočívá nyní rozdíl v tom, že spodní části stupňů jednotlivých odporových funkčních vrstev 4, 5 a 6 se zapouštějí do mezer mezi jednotlivými úseky 2^ - 2^ vyrovnávací vrstvy 2*

Z technologického hlediska je důležité, aby vyrovnávací vrstva 2 měla vyšší specifický odpor, než je nejvyšší specifický odpor jednotlivých odporových funkčních vrstev 3, 5 ^a .§· Odporové dráhy vrstvových potenciometrů s nelineárními průběhy se běžně vyrábějí v rozsahu hodnot řádově od 100 ohm a 5 M ohm· • ΛΡ fi Ε D Μ £ Τ VI NÁLEZU

232 005

Claims (2)

1. Způsob výroby průběhu odporové dráhy vrstvových potenciometrů, vyznačený tím, že alespoň na část odporové podložky potenciometru se jako první nanese vyrovnávací vrstva (2) o vyšším specifickém odporu, než je specifický odpor dále nanášených odporových vrstev (3, 4, ·.· n), z nichž jedna vrstva (7) je kontaktní a je složena ze dvou částí (7j, 72)} přičemž na vyrovnávací vrstvu (2) se nanese ve tvaru stupně první funkční odporová vrstva (3), na jejíž níže položenou část se nanese ve tvaru stupně druhá funkční odporová vrstva (4), kterýžto postup se opakuje v závislosti na požadovaném počtu (n) odporových vrstev·

2· Způsob výroby průběhu odporové dráhy vrstvových potenciometrů podle bodu 1, vyznačený tím, že vyrovnávací vrstva (2) se nanese na celou dráhovou podložku (1) potenciometrů v počtu dílčích úseků daných počtem odporových funkčních vrstev potenciometru, přičemž spodní části vrstev se zapouštějí mezi jednotlivé úseky (2^ - 2_n) vyrovnávací vrstvy (2)·

1 výkres